「くろーぬす」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

半田をリフローした際に、ニッケル層６０と半田バンプ（Ｃｕ−Ｓｎ−Ａｇ）４６との界面に、Ｎｉと半田組成金属とのＮｉ合金層（Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｎ）６８ができる（図８（Ｂ））。例文帳に追加

When reflow soldering is performed, the Ni alloy layer (Cu-Ni-Sn) 68 of Ni and solder composition metal is made ((B) of Fig.) in the interface of a nickel layer 60 and a solder bump (Cu-Sn-Ag) 46. - 特許庁

半田をリフローした際に、ニッケル層６０と半田バンプ（Ｃｕ−Ｓｎ−Ａｇ）４６との界面に、Ｎｉと半田組成金属とのＮｉ合金層（Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｎ）６８ができる（図８（Ｂ））。例文帳に追加

When a solder is made to reflow, a Ni alloy layer (Cu-Ni-Sn) 68 of Ni and a solder composition metal is formed at an interface between a Ni layer 60 and a solder bump (Cu-Sn-Ag) 46 (Fig.8 (B)). - 特許庁

半導体素子は、ｎ^-領域１０１、ｎ型ソース領域１０３、ｐ型ベース領域１０５、ｎ^+領域１０７およびゲート電極１１３を含む。例文帳に追加

The semiconductor element has an n^- region 101, n type source region 103, p type base region 105, n^+ region 107, and gate electrode 113. - 特許庁

駆動シャフト１２０には、対極部１２０ｂ−Ｎ（Ｎ極）及び１２０ｂ−Ｓ（Ｓ極）が配列されている。例文帳に追加

Counter pole parts 120b-N (N pole) and 120b-S (S pole) are arranged in the driving shaft 120. - 特許庁

また、２個のＮＡＮＤ型メモリセルユニットＮＤ１、ＮＤ２に接続する１本のビット線ＢＬを、層間絶縁膜３０を介して形成する。例文帳に追加

Besides, one bit line BL to be connected to two NAND type memory cell units ND1 and ND2 is formed through a layer insulating film 30. - 特許庁

ＡｌＧａＮ層３の組成をＡｌ_x1Ｇａ_1-x1Ｎ、ＡｌＧａＮ層４の組成をＡｌ_x2Ｇａ_1-x2Ｎと表すと、「０≦ｘ１＜ｘ２≦１」の関係が成り立つ。例文帳に追加

When a composition of the AlGaN layer 3 is represented as Al_x1Ga_1-x1 N and a composition of the AlGaN layer 4 is represented as Al_x2Ga_1-x2 N, a relational expression 0≤x1<x2≤1 is satisfied. - 特許庁

まず、ｎ−ＧａＮ基板１０上にｎ^- −ＧａＮ層１１、ｐ−ＧａＮ層１２を積層し、ｐ−ＧａＮ層１２表面をＮｉを堆積した基板とともに塩素系プラズマに曝し、プラズマ損傷層１３を形成する（図１ａ）。例文帳に追加

First, an n^--GaN layer 11 and a p-GaN layer 12 are stacked on an n-GaN substrate 10, and a surface of the p-GaN layer 12 is exposed to chlorine-based plasma along with a substrate with Ni deposited thereon to form a plasma-damaged layer 13 (fig. 1a). - 特許庁

２月１日，2014年ローザンヌ国際バレエコンクールの最終選考がスイスのローザンヌで行われた。例文帳に追加

On Feb. 1, the final competition of the 2014 Prix de Lausanne was held in Lausanne, Switzerland. - 浜島書店 Catch a Wave

ローザンヌ国際バレエコンクールはスイスのローザンヌで毎年開催されている。例文帳に追加

The Prix de Lausanne is held every year in Lausanne, Switzerland. - 浜島書店 Catch a Wave

発光ダイオード６は、ピーク波長が３１０ｎｍ以上５３０ｎｍ以下の半導体チップ13とする。例文帳に追加

The light emitting diode 6 is a semiconductor tip 13 having the peak wave length of ≥310 nm and ≤530 nm. - 特許庁

薄膜の下に不織布３２０をしき、第２ローラー３２４で薄膜を不織布３２０とともに巻き取る。例文帳に追加

A nonwoven fabric 320 is laid under the thin film and the thin film is taken up along with the nonwoven fabric 320. - 特許庁

ここで、ｐ型Ａｌ_xＧａ_(1-x)Ｎ（０≦ｘ≦１）層１２は、例えばｘ＝０．０８のｐ型Ａｌ_0.08Ｇａ_0.92Ｎ層である。例文帳に追加

The p-type Al_xGa_(1-x)N (0≤x≤1) layer 12 is, for example, a p-type Al_0.08Ga_0.92N - 特許庁

インジウム元素（Ｉｎ）、ガリウム元素（Ｇａ）、亜鉛元素（Ｚｎ）及び錫元素（Ｓｎ）を含み、Ｇａ_２Ｉｎ_６Ｓｎ_２Ｏ_１６又は（Ｇａ，Ｉｎ）_２Ｏ_３で表される化合物を含むこと特徴とする酸化物焼結体。例文帳に追加

The oxide sintered compact comprises an indium element (In), a gallium element (Ga), a zinc element (Zn) and a tin (Sn) element, and comprises a compound expressed by Ga_2In_6Sn_2O_16 or (Ga, In)_2O_3. - 特許庁

ＰＩＮサーバ２０８とＰＩＮクライアント２１０、２１２の間の通信は、ＩＰプロトコルを使用する。例文帳に追加

Communication between the PIN server 208 and the PIN clients 210 and 212 is operated by using an IP protocol. - 特許庁

波長１３８３ｎｍにおける波長分散は０．１ｐｓ／ｎｍ／ｋｍ以上かつ５．５ｐｓ／ｎｍ／ｋｍ以下、そして１５３０ｎｍ〜１５６５ｎｍの波長範囲における波長分散は０．１ｐｓ／ｎｍ／ｋｍ以上かつ１６．５ｐｓ／ｎｍ／ｋｍ以下である。例文帳に追加

A wavelength dispersion in wavelength 1,383 nm is ≥0.1 ps/nm/km and ≤5.5 ps/nm/km and the wavelength dispersion in the range of wavelength 1,530 nm-1,565 nm is ≥0.1 ps/nm/km and ≤16.5 ps/nm/km. - 特許庁

そして、これらの各層における六方晶系窒化ホウ素粉末の含有量ＢＮ１、ＢＮ２、及び、ＢＮ３（ｗｔ％）が、下記式（１）及び（２）を満してなるガスセンサ１ＢＮ２−ＢＮ１≧５ …式（１）ＢＮ２−ＢＮ３≧５ …式（２）である。例文帳に追加

Each content BN1, BN2, BN3 (wt.%) of hexagonal system boron nitride powder in each layer satisfies inequalities: (1) BN2-BN1≥5, (2) BN2-BN3≥5. - 特許庁

広告主サーバ１は、広告が掲載された広告主ホームページ２０をユーザ端末３に送信する。例文帳に追加

The sponsor server 1 transmits a sponsor home page 20 inserted with an advertisement to the user terminals 3. - 特許庁

共振用リアクトルＬ２およびＮＰＮトランジスタＱ５，Ｑ６は、ノードＮ１，Ｎ２間に直列に接続される。例文帳に追加

The resonance reactor L2 and the NPN transistors Q5, Q6 are serially connected between the nodes N1, N2. - 特許庁

比較回路３８−１〜ｎは、パワーメータ３６−１〜ｎの計測結果と閾値Ｒｅｆ１〜Ｒｅｆｎの差分を出力する。例文帳に追加

Comparison circuits 38-1 to n output differences between measured results of the power meters 36-1 to n and thresholds Ref1 to Refn. - 特許庁

検出装置は、検出ノードＮＤと、第１〜第ｎ（ｎは２以上の整数）の焦電素子ＰＹ１〜ＰＹｎと、検出回路２０とを含む。例文帳に追加

The detector includes: a detection node ND, first to (n)th pyroelectric elements PY1 to PYn (n: an integer of two or more), and a detection circuit 20. - 特許庁

ｐｎｐトランジスタ１６のベースとｎｐｎトランジスタ１０のコレクタが第１抵抗６を介して第１端子Ｕに接続されている。例文帳に追加

The base of the pnp transistor 16 and the collector of the npn transistor 10 are connected to the first terminal U through a first resistance 6. - 特許庁

３００ｎｍ以下および２００ｎｍ以下、たとえば１９３ｎｍおよび１５７ｎｍを含む短波長イメージングに適した新規フォトレジストの提供。例文帳に追加

To provide a new photoresist suitable for short wavelength imaging, including ≤300 nm and ≤200 nm such as 193 nm and 157 nm. - 特許庁

Ｌｉ_１＋ａＮｉ_ｂＭｎ_ｃＣｏ_ｄＭ_ｅＯ_２（但し、ＭはＮｉ，Ｍｎ，Ｃｏ及びＬｉ以外の遷移元素） ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１ −０．１＜ａ≦０．２ ０．２≦ｂ／（ｂ＋ｃ＋ｄ）≦０．４ ０．２≦ｃ／（ｂ＋ｃ＋ｄ）≦０．４ ０＜ｄ／（ｂ＋ｃ＋ｄ）≦０．４ ０＜ｅ≦０．１ 当該複合酸化物は、Ｎｉ，Ｍｎ及びＣｏ共沈化合物と、Ｎｉ，Ｍｎ及びＣｏ以外の遷移元素のオキソ酸化物及びＬｉ化合物を混合焼成することによって製造できる。例文帳に追加

The multiple oxide can be produced by mixing and firing coprecipitated compounds of Ni, Mn and Co, an oxo acid compound of a transition metal other than Ni, Mn and Co, and an Li compound. - 特許庁

［％Ｃｕ］＋８×［％Ｓｎ］＜α×［％Ｎｉ］］［％Ｃｕ］＞０［％Ｓｎ］≧０α＞０、［％Ｃｕ］、［％Ｓｎ］、［％Ｎｉ］は、鋼中の各元素の含有率の質量％を示す。例文帳に追加

[%Cu]+8×[%Sn]<α×[%Ni], [%Cu]>0[%Sn]≥0, α>0, and [%Cu], [%Sn], and [%Ni] show the mass % of the content of each element in the steel. - 特許庁

ｎ個のＨＤＤを６、６、４、１にグループ分けしグループ別にディスクを駆動する場合、内部カウンタをｎ＋Δｎにする。例文帳に追加

In cases where n HDDs are grouped as 6, 6, 4, 1 and the disks are driven for each group, the internal counter is set at n+Δn. - 特許庁

Ｎ−１６を含む蒸気が整流板７，１０を通過する際にＮ−１６が捕捉され、タービン系へ移行するＮ−１６の量が低減される。例文帳に追加

As the N-16 is captured when the steam containing N-16 passes the straightening vanes 7 and 10, the quantity of the N-16 transferring to the turbine system is decreased. - 特許庁

ＺｎＯ電極膜６は、比抵抗を小さくするために、不純物がドープされてｎ型化されており、ｐ型ＧａＮ系半導体層５上に成膜させるようにするが、ＺｎＯ基板７はＺｎＯ電極膜６に貼り付けて形成する。例文帳に追加

The ZnO electrode film 6 is doped with impurities and changed into an n-type to reduce specific resistance, and it is formed on the p-type GaN semiconductor layer 5, while the ZnO substrate 7 is stuck onto the ZnO electrode film 6. - 特許庁

回路１８（１）〜１８（ｎ）でレベル調整されたｎチャンネルの音信号をＲＡＭ１６の記録トラックＲＣ１〜ＲＣｎに並列的に記録する。例文帳に追加

The sound signals in (n) channels level-adjusted by the circuits 18(1) to 18(n) are recorded in parallel to recording tracks RC1 to RCn for a RAM 16. - 特許庁

周波数変換部６は選択されたθ＋ｎΔθに対して周波数変換を行い、ｃｏｓ（θ＋ｎΔθ）、ｓｉｎ（θ＋ｎΔθ）を出力する。例文帳に追加

A frequency conversion part 6 subjects selected θ+nΔθ to frequency conversion to output cos(θ+nΔθ) and sin(θ+nΔθ). - 特許庁

次に、インタプリタ１０６は、「ｏｂｊＡ→Ｆｕｎｃ１（）」（ 参照）の実行で関数Ｆｕｎｃ１を呼び出す。例文帳に追加

Then, the interpreter 106 calls a function Func1 by executing 'objA→Func1 ()' (reference to (2)). - 特許庁

スイッチ回路１０１は、ノードＮ１〜Ｎ３のうちの１つずつを順番にデータ線ＤＩＯと接続する。例文帳に追加

A switch circuit 110 connects one out of nodes N1-N3 in order to the data line DIO. - 特許庁

Ｓｎ−Ｚｎ合金めっき上に六価クロムフリー耐食性皮膜を形成する方法例文帳に追加

METHOD FOR FORMING HEXAVALENT CHROMIUM-FREE CORROSION RESISTANT FILM ON Sn-Zn ALLOY PLATING - 特許庁

一対の入力端子ＩＮ１、ＩＮ２と、一対の出力端子ＯＵＴ１、ＯＵＴ２と、出力端子間に接続されたＭＯＳＦＥＴＮ１、Ｎ２と、入力端子ＩＮ１、ＩＮ２とＭＯＳＦＥＴＮ１、Ｎ２との間に接続された駆動回路１０とを備える。例文帳に追加

There are provided a pair of input terminals IN1 and IN2, a pair of output terminals OUT1 and OUT2, MOSFETs N1 and N2 connected between the output terminals, and a drive circuit 10 connected between the input terminals IN1 and IN2 and the MOSFETs N1 and N2. - 特許庁

リードゲート回路は、リードゲートトランジスタＱＲＮ１１〜ＱＲＮ４２を含む。例文帳に追加

The read-gate circuit comprises read-gate transistors QRN 11-QRN 42. - 特許庁

本発明は、ニューロピリン（ＮＰ）を産生する細胞から単離されるか、またはＮＰをコードするＤＮＡから組換え操作された可溶性ニューロピリンタンパク質（ｓＮＰ）をコードするｃＤＮＡに関する。例文帳に追加

To provide a cDNA encoding a soluble neuropilin protein (sNP), obtained by being isolated from cells producing a neuropilin (NP) or by a recombinant operation from a DNA encoding the NP. - 特許庁

Ｚｎが拡散されたｐ型領域１０５を、ｎ−ＩｎＰ窓層１０４を貫通する様に形成する事で、ｎ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層１０３中あるいは近傍にｐｎ接合が形成され、受光部となる。例文帳に追加

A p-type area 105 with diffused Zn is formed penetrating the n-InP window layer 104, thereby forming a pn junction in the n-InGaAs optical absorption layer 103 or adjacent thereto and making the area 105 as a light receiving part. - 特許庁

３未満なら（Ｓ６でＮｏ）、詳細モードとする（Ｓ７）。例文帳に追加

In the case of less than three (No in S6), a minute mode is adopted (S7). - 特許庁

基板１０１上にＡｌＮバッファ層１０２、アンドープＧａＮ層１０３、アンドープＡｌＧａＮ層１０４、ｐ型ＧａＮ層１０５、高濃度ｐ型ＧａＮ層１０６が順に形成され、ゲート電極１１１が高濃度ｐ型ＧａＮ層１０６とオーミック接合する。例文帳に追加

On a substrate 101, an AIN buffer layer 102, an undoped GaN layer 103, an undoped AlGaN layer 104, a p-type GaN layer 105 and a high concentration p-type GaN layer 106 are formed sequentially, and a gate electrode 111 has an ohmic junction to the high concentration p-type GaN layer 106. - 特許庁

基板１０１上にＡｌＮバッファ層１０２、アンドープＧａＮ層１０３、アンドープＡｌＧａＮ層１０４、ｐ型ＧａＮ層１０５、高濃度ｐ型ＧａＮ層１０６が順に形成され、ゲート電極１１１が高濃度ｐ型ＧａＮ層１０６とオーミック接合する。例文帳に追加

An AlN buffer layer 102, an undoped GaN layer 103, an undoped AlGaN layer 104, a p-type GaN layer 105, and a high concentration p-type GaN layer 106, are sequentially formed on a substrate 101; and a gate electrode 111 is ohmic-contacted to the high concentration p-type GaN layer 106. - 特許庁

次に、ＴｉＮ膜１０９の表面をＳｉＨ４に暴露し、ＴｉＳｉＮ膜１１０を形成する。例文帳に追加

Then the surface of the TiN film 109 is exposed to SiH4, to form a TiSiN film 110. - 特許庁

基板１０上に、窒素雰囲気におけるＳｎＯ_2やＺｎＯをターゲットとしたスパッタリングにより、Ｓｎ−Ｏ−ＮやＺｎ−Ｏ−Ｎからなる光触媒物質膜１２を形成する。例文帳に追加

A photocatalyst substance film 12 comprising Sn-O-N and Zn-O-N is formed on a base 10 by means of sputtering using SnO2 and ZnO as a target in nitrogen atmosphere. - 特許庁

前記キャンディダ（Ｃａｎｄｉｄａ）属に属する微生物は、キャンディダ トロピカリス（Ｃａｎｄｉｄａ ｔｒｏｐｉｃａｌｉｓ）ＪＰＣＣＹ０００４株（ＮＩＴＥ Ｐ−５７０）であることが好ましい。例文帳に追加

The microorganism belonging to the Cadida is preferably Candida tropicalis JPCCY0004 strain (NITE P-570). - 特許庁

フォトレジストやホログラフィに用いられる有機ドライフィルムを光ディスクガラス原盤に約１００ｎｍから５００ｎｍ塗布し、２５７ｎｍＡｒ倍波、２６６ｎｍＹＡＧ第四高調波、３５１ｎｍＡｒレーザ、４１３ｎｍＫｒレーザなどからのＣＷレーザを用いて光ディスク原盤を露光する。例文帳に追加

An organic dry film used for the photoresist or holography is applied at about 100 to 500 nm on an optical glass master disk and the optical glass master disk is exposed by using CW lasers, such as from 257 nmAr times waves, 266 nmYAG quaternary harmonics, 351 nmAr lasers and 413 nmKr lasers. - 特許庁

ＬＮＴ６をＬＮＴ６０、ＬＮＴ６１に分割して、その前、中間、後ろにＡ／Ｆセンサ４１、４２、４３を配置する。例文帳に追加

The LNT 6 is divided into an LNT 60 and an LNT 61, and A/F sensors 41, 42 and 43 are disposed respectively before, between and after the LNTs 60 and 61. - 特許庁

当該課題は、Ｂａｎｄ１、Ｂａｎｄ２、Ｂａｎｄ３、Ｂａｎｄ４、Ｂａｎｄ５、Ｂａｎｄ６、Ｂａｎｄ１０、Ｂａｎｄ１１、Ｓｐｏｔ１、Ｓｐｏｔ４、Ｓｐｏｔ７、Ｓｐｏｔ８、Ｓｐｏｔ１０、Ｓｐｏｔ１３、Ｓｐｏｔ２３及びＳｐｏｔ２７からなる群から選択される少なくとも１の遺伝子を検出し、その発現量の変化を検出することにより解決される。例文帳に追加

The problem is solved by detecting at least one gene selected from the group consisting of Band 1, Band 2, Band 3, Band 4, Band 5, Band 6, Band 10, Band 11, Spot 1, Spot 4, Spot 7, Spot 8, Spot 10, Spot 13, Spot 23, and Spot 27, and detecting the change in the amount of the expression thereof. - 特許庁