「くろーぬす」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

ｎ−ＩｎＰ基板１上に、順次ｎ−ＩｎＰクラッド層２、ＧＲＩＮ−ＳＣＨ−ＭＱＷ活性層３、ｐ−ＩｎＰクラッド層４、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層５、ｐ側電極６を積層した構造を有する。例文帳に追加

It comprises construction laminated in turn with n-InP clad layer 2, GRIN-SCH-MQW active layer 3, p-InP clad layer 4, p-InGaAsP contact layer 5, and p-side electrode 6 on an n-InP substrate 1. - 特許庁

ＳＣ乗算器５０４に、ｃｏｓ（θ_ｎ）， ｓｉｎ（θ_ｎ）が入力される。例文帳に追加

The cos(θ_n) and the sin(θ_n) are inputted to an SC multiplier 504. - 特許庁

ＰＯＮシステム、ＰＯＮシステムにおける子局および子局登録方法例文帳に追加

PON SYSTEM, SLAVE STATION IN PON SYSTEM, AND SLAVE STATION REGISTRATION METHOD - 特許庁

記録ヘッド３はサーボ信号Ａｎ〜Ａｎ＋３などを順次記録する。例文帳に追加

The recording head 3 sequentially records servo signals An to An+3. - 特許庁

ＮＵＭＡ（ＮＯＮ−ＵＮＩＦＯＲＭ−ＭＥＭＯＲＹ−ＡＣＣＥＳＳ）マシンをブートする方法、装置およびプログラム例文帳に追加

METHOD, APPARATUS AND PROGRAM TO BOOT NUMA (NON- UNIFORM-MEMORY-ACCESS) MACHINE - 特許庁

シーンＣＮ５はシーンＣＮ３とシーンＣＮ４と複数関連シーンであることから、シーンＣＮ３とシーンＣＮ４の画像が表示されているスクリーン１０Ｒとスクリーン１０Ｃの中間にシーンＣＮ５の画像を表示する。例文帳に追加

A scene CN5 is a multi-related scene for a scene CN3 and a scene CN4, so an image of the scene CN5 is displayed in the middle between a screen 10R and a screen 10C where images of the scenes CN3 and CN4 are displayed. - 特許庁

ＧＬＰ−１、ＥＸＥＮＤＩＮ−４、そのペプチド・アナログ及びその使用例文帳に追加

GLP-1, EXENDIN-4, PEPTIDE-ANALOG AND USE THEREOF - 特許庁

スペーサ１７、ろ布９、支持部材７及びろ布９を、５段に重ね、各段のろ布９の端部を、ろ布押さえ枠６によって押さえる。例文帳に追加

A spacer 17, a filter cloth 9, a supporting member 7, and a filter cloth 9 are layered in five stages and the end parts of the filter cloths 9 of each stage are pressed by a filter cloth presser frame. - 特許庁

サファイア基板１上に、組成が（Ａｌ_x Ｇａ_1-x ）_y Ｉｎ_1-y Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）で表されるｐ型ＩｎＧａＡｌＮ層２，ＩｎＧａＡｌＮ活性層３及びｎ型ＩｎＧａＡｌＮ層４を形成する。例文帳に追加

P-type InGaAlN layer 2, InGaAlN active layer 3, and n-type InGaAlN layer 4 where compositions are expressed by (Al_xGa_1-x)_yIn_1-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1) are formed on a sapphire substrate 1. - 特許庁

サファイア基板１上に、組成が（Ａｌ_x Ｇａ_1-x ）_y Ｉｎ_1-y Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）で表されるｐ型ＩｎＧａＡｌＮ層２，ＩｎＧａＡｌＮ活性層３及びｎ型ＩｎＧａＡｌＮ層４を形成する。例文帳に追加

A p-type InGaAlN layer 2, an InGaAlN active layer 3 and an n-type InGaAlN layer 4, of which composition is expressed by (Al_xGa_1-x)_yIn_1-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1), are formed on a sapphire substrate 1. - 特許庁

サファイア基板１上に、組成が（Ａｌ_x Ｇａ_1-x ）_y Ｉｎ_1-y Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）で表されるｐ型ＩｎＧａＡｌＮ層２，ＩｎＧａＡｌＮ活性層３及びｎ型ＩｎＧａＡｌＮ層４を形成する。例文帳に追加

A p-type InGaAlN layer 2, an InGaAlN active layer 3 and an n-type InGaAlN layer 4, in which composition is represented by (Al_xGa_1-x)_yIn_1-yN(0≤x≤1 and 0≤y≤1), are formed on a sapphire substrate 1. - 特許庁

ＶＰＮ管理システム、ＶＰＮ管理方法およびＶＰＮ管理用プログラムを記録した記録媒体例文帳に追加

RECORDING MEDIUM WITH VPN MANAGEMENT SYSTEM, VPN MANAGEMENT METHOD AND PROGRAM FOR VPN MANAGEMENT RECORDED THEREON - 特許庁

ＥＣＵ２は、スロットル弁開度ＴＨ≧ＴＨＲＵＮで、クラッチ目標圧ＰＣＣＭＤ≧ＰＣＲＵＮＮＧで、ＮＤＮ＞ＮＤＮＲＥＦでかつ車速ＶＰ＜ＶＲＵＮＮＧのとき（ステップ２３，２５〜２７がＹＥＳのとき）には、ＳＣ電磁弁３３ｂが全閉状態で固着していると判定する（ステップ３２，４２，４３）。例文帳に追加

The ECU 2 judges that the SC electromagnetic valve 33b is engaged in the completely closed state (at Steps 32, 42, 43) when throttle opening TH≥THRUN, clutch target pressure PCCMD≥PCRUNNG, NDN>NDNREF, AND vehicle speed VP<VRUNNG (YES at Steps 23, 25 to 27). - 特許庁

ＳｎＯを２〜１９mass％、ＺｎＯを１〜２１mass％含み、かつ（ＳｎＯ含有率〔mass％〕）／（ＺｎＯ含有率〔mass％〕）が０．７〜１．６の還元フリットとする。例文帳に追加

The reducing frit contains 2-19 mass% SnO and 1-21 mass% ZnO and has an SnO content (mass%) to ZnO content (mass%) ratio of 0.7-1.6. - 特許庁

ＳｎＯを２〜１９mass％、ＺｎＯを１〜２１mass％含み、かつ（ＳｎＯ含有率〔mass％〕）／（ＺｎＯ含有率〔mass％〕）が０．７〜１．６の還元フリットとする。例文帳に追加

The reduction frit is made to contain SnO of 2-19 mass% and ZnO of 1-21 mass%, and to have an (SnO content [mass%])/(ZnO content [mass%]) ratio of 0.7-1.6. - 特許庁

低ＮＯｘ炉内燃焼方法例文帳に追加

LOW NOx FURNACE COMBUSTION METHOD - 特許庁

ＮＯｘ浄化型道路遮音壁例文帳に追加

NOx PURIFICATION TYPE ROAD SOUND INSULATION WALL - 特許庁

六　同族株主グループ　第六十六条の六第二項第六号に規定する同族株主グループをいう。例文帳に追加

vi) Family shareholder group: The family shareholder group prescribed in Article 66-6(2)(vi  - 日本法令外国語訳データベースシステム

ＯＵＴがＮＡＮＤ１４の閾値電圧より高くなると、ＮＡＮＤ１４の出力が“Ｌ”になり、ＮＭＯＳ１６がオフ状態になる。例文帳に追加

When the level of the OUT is higher than a threshold voltage of the NAND 14, the output of the NAND 14 goes to 'L' and the NMOS 16 is nonconductive. - 特許庁

ＤＮＳサーバ装置、ＤＮＳクエリ要求制御方法およびＤＮＳクエリ要求制御プログラム例文帳に追加

DNS SERVER DEVICE, DNS QUERY REQUEST CONTROL METHOD, AND DNS QUERY REQUEST CONTROL PROGRAM - 特許庁

半導体領域１３の厚さＤ_１３はＩｎＧａＮ層１７の厚さＤ_ＩｎＧａＮより大きく、ＩｎＧａＮ層１５の厚さＤ_ＩｎＧａＮは１５０ｎｍ以上を有する。例文帳に追加

The thickness D_13 of the semiconductor region 13 is larger than a thickness D_InGaN of the InGaN layer 15, and the thickness D_InGaN of the InGaN layer 15 is 150 nm or more. - 特許庁

その３入力ＮＡＮＤ回路ＮＡＮＤ３の一つの入力にリセット信号入力端子ＲＳＴＮを接続する。例文帳に追加

A reset signal input terminal RSTN is connected to one of the input of the 3-input NAND circuit NAND3. - 特許庁

ルートノードＮ０は、ノードＮ３のノードアドレスＮＡに含まれるノードＮ１，Ｎ２のノードアドレスＮＡと、記憶する中継先候補アドレス（ノードＮ１，Ｎ９のノードアドレスＮＡ）とに基づいて、パケットの中継先（ノードＮ１）を決定する。例文帳に追加

The route node N0 determines a destination (node N1) through which the packet will be relayed, based on the node addresses NA of the nodes N1 and N2 contained in the node address NA of the node N3 and the stored addresses (the node addresses NA of the nodes N1 and N9) of candidates for a destination through which a packet is relayed. - 特許庁

ＮＰＮ型トランジスタＴｒ２１〜Ｔｒ２ｎを各ブロックＢ_1〜Ｂ_n毎に設ける。例文帳に追加

NPN transistors Tr21-Tr2n are disposed in respective blocks B_1-B_n. - 特許庁

多様体にモース理論が適用されると、特異点ＮＮ１〜ＮＮ４やレーブグラフ６０、多様体の輪郭線６１〜６５が得られる。例文帳に追加

When Morse theory is applied to the manifold, singular points NN1 to NN4, a levee graph 60 and border lines of the manifold 61 to 65 are obtained. - 特許庁

Ｎｆ＝√（Ｎ０・Ｎｓ） （１）（但し、Ｎ０は光学接着剤の屈折率、Ｎｓはレーザ素子または光学素子の屈折率を示している。）例文帳に追加

The numerical formula (1) is expressed by Nf=√(NO×Ns), provided, NO and Ns express respectively the refractive index of the optical cement and the refractive index of the laser element or the optical element. - 特許庁

ｎ−ＩｎＰバッファ層２の上部領域、ＧＲＩＮ−ＳＣＨ−ＭＱＷ活性層３およびｐ−ＩｎＰスペーサ層４に隣接してｐ−ＩｎＰブロッキング層８、ｎ−ＩｎＰブロッキング層９が積層される。例文帳に追加

A p-InP blocking layer 8 and an n-InP blocking layer 9 are laminated adjacently to the upper region of the buffer layer 2, the active layer 3 and the spacer layer 4. - 特許庁

本発明による光触媒ナノシートは、ＮｂＯ_６および／またはＴｉＯ_６八面体ユニットからなり、Ｎｂ_３Ｏ_８、Ｎｂ_６Ｏ_１７、ＴｉＮｂＯ_５、Ｔｉ_２ＮｂＯ_７、Ｔｉ_５ＮｂＯ_１４、Ｃａ_２Ｎｂ_３Ｏ_１０およびＬａＮｂ_２Ｏ_７からなる群から選択されたナノシートからなることを特徴とする。例文帳に追加

The photocatalyst nanosheet comprised of NbO_6 and/or TiO_6 octahedral units, and is characterised by being formed of nanosheet selected from the group consisting of Nb_3O_8, Nb_6O_17, TiNbO_5, Ti_2NbO_7, Ti_5NbO_14, Ca_2Nb_3O_10 and LaNb_2O_7. - 特許庁

基板１１の屈折率をｎ、ピットの深さをＤとすると、λ／（１０ｎ）＜Ｄ＜λ／（６ｎ）を満たす。例文帳に追加

λ/(10n)<D<λ/(6n) is satisfied when the refractive index of the base plate 11 is n and the pit depth is D. - 特許庁

ｎ型ＩｎＰクラッド層またはｎ型ＩｎＰコンタクト層と、ｎ型ＩｎＰブロック層との間でｎ−ｎ接続が起こるのを防いで、リーク電流を低減することのできる半導体レーザの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor laser wherein an n-n connection is prevented from being made between an n-type InP clad layer or an n-type InP contact layer and an n-type InP block layer so as to reduce a leakage current. - 特許庁

負メニスカスレンズＥ５の屈折率をＮ_２２、正メニスカスレンズＥ６の屈折率をＮ_２３として、 ０．１５＜（Ｎ_２２−Ｎ_２３）＜０．４０を満足する。例文帳に追加

Assuming that the refractive index of the negative meniscus lens E5 is N_22 and the refractive index of the positive meniscus lens E6 is N_23, they satisfy 0.15<(N_22-N_23)<0.40. - 特許庁

負メニスカスレンズＥ５の屈折率をＮ_２２、正メニスカスレンズＥ６の屈折率をＮ_２３として、０．１５＜（Ｎ_２２−Ｎ_２３）＜０．４０を満足する。例文帳に追加

Assuming that the refractive index of the lens E5 is N_22 and the refractive index of the lens E6 is N_23, they satisfy 0.15<(N_22-N_23)<0.40. - 特許庁

注目画素Ｐ（ｎ）と、注目画素Ｐ（ｎ）に対し予め設定された色ずれ方向で隣接する隣接画素Ｐ（ｎ−１）及びＰ（ｎ＋１）との色差データＣｒ（ｎ）、Ｃｒ（ｎ−１）、Ｃｒ（ｎ＋１）を得る。例文帳に追加

Color difference data Cr(n), Cr(n-1), and Cr(n+1) of a target pixel P(n), and pixels P(n-1) and P(n+1) adjoining the target pixel P(n) in a preset color shift direction are obtained. - 特許庁

Ａｃｋ／Ｎａｃｋ情報記憶部２０１は、Ａｃｋ／Ｎａｃｋ情報を記憶する。例文帳に追加

An Ack/Nack information storage part 201 stores Ack/Nack information. - 特許庁

ノード（Ｎ０）とノード（Ｎ１）の間には出力レベル可変器（Ｃ）が位置する。例文帳に追加

An output level variable device is placed between nodes N0 and N1. - 特許庁

本発明によるデバイスは、表面を窒化したｃ面サファイア基板１と、ＧａＮバッファ層２と、Ｎ極性ＧａＮ層３と、Ｎ極性ＡｌＮ層４と、Ｎ極性ＩｎＮ／ＩｎＧａＮ多重層デバイス構造５と、Ａｌ極性ＡｌＮ６と、ＧａＮキャップ層７とを有する。例文帳に追加

The device has a sapphire substrate 1 whose c-surface is nitrided, a GaN buffer layer 2, an N-polarity GaN layer 3, an N-polarity AlN layer 4, an N-polarity InN/InGaN multilayer device structure 5, an Al-polarity AlN 6 and a GaN cap layer 7. - 特許庁

ぼくらは吹き抜けの大広間を抜け、薔薇色のスペースに入った。例文帳に追加

We walked through a high hallway into a bright rosy-colored space,  - F. Scott Fitzgerald『グレイト・ギャツビー』

ｎ−ＩｎＰ基板２０上に、ｎ−ＩｎＰ層２２，ｉ−ＩｎＧａＡｓ層２４，ｎ−ＩｎＰ層２６が積層され、ｎ−ＩｎＰ層２６内にＺｎが拡散されてｐ型拡散領域２８が形成され、ｐｉｎフォトダイオードが作られている。例文帳に追加

A pin photodiode is formed by laminating an n-InP layer 22, an I-InGaAs layer 24, and an n-InP layer 26 on an n-InP substrate 20 and forming p-type diffusion areas 28 by diffusing Zn in the n-InP layer 26. - 特許庁

Ｈ_2Ｎ−Ｒ−（ＯＣＨ_2ＣＨ_2）ｎ−Ｏ−Ｒ’−ＮＨ_2 （式中、Ｒ及びＲ’は炭素数が１〜７のアルキレン基であり、ｎは１〜５００の整数である。）例文帳に追加

In the formula H2N-R-(OCH2CH2)n-O-R'-NH2, R and R' represent 1-7C alkylene, and (n) represents 1-500 integer. - 特許庁

この負極材料は、ＣｏＳｎ：ＣｏＳｎ_2：Ｃｏ_xＴｉ_yＳｎ（ｘ＝１〜１.５、ｙ＝０.９５〜１.０５）を１０〜４０：４０〜７０：５〜３０の質量比で含有する。例文帳に追加

This negative electrode material contains CoSn: CoSn_2: Co_xTi_ySn (x=1-1.5, y=0.95-1.05) in the weight ratio of 10-40:40-70:5-30. - 特許庁

フロースルー微量流体核磁気共鳴（ＮＭＲ）チップ及びＮＭＲ装置例文帳に追加

FLOW-THROUGH MICROFLUIDIC NUCLEAR MAGNETIC RESONANCE (NMR) CHIP AND NMR DEVICE - 特許庁

脚回りシートはそれぞれ、切抜き６ＬＣ，６ＲＣを有する。例文帳に追加

The leg sheets include cutouts 6LC and 6RC respectively. - 特許庁

油機負荷ＬＲから目標回転数ＮＤが得られたならば、この目標回転数ＮＤに、回転数増分（負荷増分予測値）ΔＮを加算した回転指令値ＮＤ＋ΔＮ（Ｎ０＋ΔＮ）が生成され、この回転指令値ＮＤ＋ΔＮ（Ｎ０＋ΔＮ）がガバナ３に出力される。例文帳に追加

If the target number of revolutions ND is obtained from hydraulic equipment LR, a rotation command value ND+ΔN(N0+ΔN) obtained by adding the increment (load increment predicted value) ΔN to the target number of revolutions ND is generated, and the rotation command value ND+ΔN(N0+ΔN) is outputted to a governor 3. - 特許庁

Ｓｎ−Ｚｎ−Ｉｎ−Ａｇ系はんだ合金であって、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ａｇの組成比が、３．０重量％＜Ｚｎ＜５．０重量％、０．１重量％≦Ｉｎ≦４．０重量％、０．１重量％≦Ａｇ≦０．４重量％であり、残部がＳｎより構成されるはんだ合金である。例文帳に追加

The solder alloy is an Sn-Zn-In-Ag based solder alloy in which the Sn-Zn-In-Ag composition ratio in weight is 3.0%<Zn<5.0%, 0.1%≤In≤4.0%, 0.1%≤Ag≤0.4% and the balance Sn. - 特許庁

塗膜インピーダンス測定用プローブおよび塗膜劣化診断装置例文帳に追加

PAINT FILM IMPEDANCE MEASURING PROBE AND PAINT FILM DETERIORATION DIAGNOSTIC DEVICE - 特許庁