「ぱわーとらんじすた」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

ステップアップＤＣ−ＤＣコントローラＵ１ａは、Ｎｃｈ端子をパワートランジスタＱの制御端子と接続し、制御電圧を出力する。例文帳に追加

A step-up DC-DC controller U1a connects the N- channel terminal to a control terminal of the transistor Q, and outputs a control voltage. - 特許庁

パワートランジスタＱ１のドレイン電圧が過大になると、保護用ＭＯＳＦＥＴＱ３が導通してパワートランジスタＱ１の通過電流が抑制される。例文帳に追加

When the drain voltage of the power transistor becomes excessive, the MOSFET Q3 is turned electrically conductive, and a current passing through the power transistor Q1 is restrained. - 特許庁

メモリセル１は、単層ポリシリコン構造を有する不揮発性のメモリセルであり、ワード線ＳＷＬに接続された選択トランジスタＴ１と、該選択トランジスタＴ１に直列に接続されたセルトランジスタＴ２と、該セルトランジスタＴ２のゲートに接続されたキャパシタＣ１とを備える。例文帳に追加

A memory cell 1 is a nonvolatile memory cell having a single-layer polysilicon structure, and is provided with a selection transistor T1 connected to a word line SWL, a cell transistor T2 connected to the selection transistor T1 in series, and a capacitor C1 connected to a gate of the cell transistor T2. - 特許庁

信号出力を行うパワーアンプ部４０とパワーアンプ部４０を駆動するドライバ部２０ａを備えた電力増幅器において、ドライバ部２０ａでは、ダーリントン接続されたトランジスタでパワーアンプ部４０を駆動する。例文帳に追加

A power amplifier part 40 is driven by transistors which are subjected to Darlington connection in a driver part 20a, in a power amplifier for driving the power amplifier part 40. - 特許庁

この結果、Ｎ型ＭＯＳトランジスタＭ２のターンオフ前後で、パワートランジスタＴｒ１に対する電荷の移動が抑えられ、パワートランジスタＴｒ１のコレクタ−エミッタ端子間電圧Ｖceが急激に変化することがない。例文帳に追加

As a consequence, at before and after turning off the transistor M2, a movement of the electric charge to the transistor Tr1 is suppressed, so that the sudden fluctuations of a voltage Vce between the collector terminal and emitter terminal of the transistor Tr1 are prevented. - 特許庁

レジストパターンで覆われた薄膜トランジスタの特性を劣化させることなく、リソグラフィー直後の形状を維持してレジストパターンを硬化させることが可能は電子機器の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing an electronic apparatus that cures a resist pattern while maintaining a shape just after lithography without deteriorating characteristics of a thin film transistor covered with the resist pattern. - 特許庁

ゲートファーストプロセスで形成できる、金属化合物をゲート電極パターンとして使うｎチャネルＭＯＳトランジスタにおいて、ｐチャネルＭＯＳトランジスタのゲート電極パターンに使われる金属化合物に対し、前記ｎチャネルＭＯＳトランジスタのゲート電極パターンに使われる金属化合物の仕事関数差を増大させる。例文帳に追加

To increase a work function difference between a metal compound used in the gate electrode pattern of a n-channel MOS transistor and a metal compound used in the gate electrode pattern of a p-channel MOS transistor, in the n-channel MOS transistor which is formed in a gate first process and which uses the metal compound as the gate electrode pattern. - 特許庁

パワートランジスタ１に対して並列に第１及び第２の電流検出用トランジスタ２，３を接続する。例文帳に追加

In a power transistor circuit, first and second transistors 2 and 3 for current detection are connected in parallel with a power transistor 1. - 特許庁

ヒートシンクとして機能する電極板５２，５４は、パワートランジスタＱ１およびダイオードＤ１を両側から挟み込むように配設される。例文帳に追加

Electrode plates 52 and 54, which function as a heat sink, are arranged such that they shut in a power transistor Q1 and a diode D1 from both sides. - 特許庁

この結果、パワートランジスタ１０が発熱してもその大半はカバー１８に伝わり、筐体２の外部へ放出される。例文帳に追加

As a result, even when the power transistor 10 generates heat, most the heat is conducted to the cover 18 to be discharged to the external of a housing 2. - 特許庁

トランジスタＭ６とカレントミラー回路ＣＭ１を構成するトランジスタＭ９と、このトランジスタＭ９に流れる電流と電流コンパレータを構成する定電流源２１とを設け、接続ノードが入力端子に接続されたインバータ２２からの出力をパワーアップ検知信号とする。例文帳に追加

The series regulator circuit has a transistor M9 for composing a current mirror circuit CM1 with the transistor M6, and a constant current source 21 for composing a current comparator with the current flowing in the transistor M9, and sets, as a power-up detection signal, an output from an inverter 22 whose connection node is connected to the input terminal. - 特許庁

また、第２の記憶セルの書き込みトランジスタのゲートを第２のワード線に、キャパシタの他方の電極を第１のワード線に接続する。例文帳に追加

Similarly, the gate of a readout transistor in a second storage cell is connected with the second word line, and the other electrode of the capacitor is connected with the first word line. - 特許庁

異常検出回路１０は、トランジスタＱ１の駆動パルスのパルス幅を検出し、当該パルス幅が許容範囲外になると、スイッチング制御ＩＣ３にトランジスタＱ１の動作を停止する保護動作を行わせる。例文帳に追加

An anomaly detection circuit 10 detects the pulse width of the drive pulse to the transistor Q1, and if the pulse width deviates from an allowable range, instructs the switching control IC 3 to perform a protective action of stopping the operation of the transistor Q1. - 特許庁

大きなチャネルの縦横比を必要とせず、小型のキャパシタと小型のトランジスタ面積を使用するパワーオンリセット回路を提供する。例文帳に追加

To provide a power-on resetting circuit which uses a small capacitor and a small transistor area without needing the aspect ratio of a large channel. - 特許庁

ワークＷの対向する２辺 、 を把持する一対のクランパ６、７と、該一対のクランパ６、７のうちの一方のクランパ６のみを旋回させて該ワークＷに捻じりを与える捻じり部８を有する。例文帳に追加

The workpiece twisting machine of this invention is provided with a pair of clampers 6 and 7 which grip two mutually opposed sides (1) and (2) of the workpiece W, and a twisting section 8 which twists the workpiece W by turning only the clamper 6 of the pair of clampers 6 and 7. - 特許庁

金属板３Ａに対し電力用のパワートランジスタＱ７を接触させ、そのパワートランジスタＱ７に電流を流すことにより発生する熱を、前記金属板３Ａを介してセラミック板３Ｂに伝達する。例文帳に追加

A power transistor Q7 is brought in contact with the metal plate 3A, and the heat generated by applying a current to the power transistor Q7 is transmitted to the ceramic plate 3B via the metal plate 3A. - 特許庁

バッテリ３及びパワートランジスタＴＲ間には、同パワートランジスタＴＲのコレクタ−エミッタ間の電力損失を定格に抑える電圧調整抵抗Ｒ０が直列接続されている。例文帳に追加

A voltage regulating resistor R0 for limiting the collector-emitter power loss of the power transistor TR below a rated level is connected in series between the battery 3 and the power transistor TR. - 特許庁

微細化されたＮ＋型ソース層とソース電極のコンタクト抵抗が低減されたパワーＭＯＳトランジスタの実現を図る。例文帳に追加

To provide a power MOS transistor which reduces contact resistances of a miniaturized N+ type source layer and a source electrode. - 特許庁

同一パッケージにある一方のトランジスタはＰＷＭ駆動を行なうトランジスタであり、他方はＰＷＭ駆動を行わないトランジスタであるように構成される。例文帳に追加

Some of time a transistors makes PWM drive and other ones do not make PWM drive. - 特許庁

そこで、パワートランジスタ２４のエミッタ電圧を定電圧に設定することができ、カレントミラー出力側トランジスタ２２−１，２２−２，２２−３を比較的小さなトランジスタで構成できる。例文帳に追加

Consequently, emitter voltage of the power transistor 24 can be set at a constant voltage and the transistors 22-1, 22-2 and 22-3 on the output side of the current mirror can be constituted of relatively small transistors. - 特許庁

内燃機関への電源投入直後でマイクロコンピュータ１０の駆動電源Ｖccが立上がるまで、リセット端子からの出力信号がなくトランジスタＴr3がＯＦＦ、バッテリ電源ＶB にて第１のパワートランジスタＴr1がＯＮ、かつ第２のパワートランジスタＴr2がＯＦＦとなる。例文帳に追加

Until the drive power Vcc of a microcomputer 10 is turned on immediately after a power to the internal combustion engine is turned on, a transistor Tr_3 is turned off due to absent of an output signal from a reset terminal, a first power transistor Tr_1 is turned on with a battery source VB, and a second power transistor Tr_2 is turned off. - 特許庁

複数のパラメータ中の一つは、ある基準トランジスタに流れる電流との比を表し、このパラメータは、基準トランジスタとの間の回路トポロジーに基づいてキルヒホッフの電流則を反映したものとなっている。例文帳に追加

One of the plurality of parameters shows a rate to a current flowing into a certain reference transistor, and the parameter is obtained by reflecting a Kirchhoff's current rule based on circuit topology between the parameter and the reference transistor. - 特許庁

ＭＯＳトランジスタ１１のゲートに加えるパルス信号の電源を、直流電源のプラス側とマイナス側との間で供給する。例文帳に追加

Power of the pulse signal being applied to the gate of the MOS transistor 11 is supplied between the plus side and minus side of the DC power supply. - 特許庁

パワープラント２のマウント装置Ｍは、車両Ｃを走行させるためのパワープラント２と、パワープラント２を車体１に支持するためのマウント部３，４，５，６と、車両Ｃの衝突を予知する衝突予知装置８と、を備えている。例文帳に追加

The mounting device M of the power plant 2 comprises the power plant 2 for running a vehicle C, mounting units 3, 4, 5, 6 for supporting the power plant 2 on a vehicle body 1, and a collision predicting device 8 for predicting a collision of the vehicle C. - 特許庁

ＰＮＰトランジスタ Ｑ２は、パワーＭＯＳＦＥＴ Ｑ１にわたる電圧降下を監視し、電圧降下が基準レベルを超えるときにパワーＭＯＳＦＥＴを遮断する。例文帳に追加

A PNP transistor Q2 monitors the voltage drop across the MOSFET Q1 and cuts off this MOSFET, when the voltage drop exceeds a reference level. - 特許庁

高集積密度かつ、トランジスタのオン抵抗の小さいパワートランジスタおよびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a power transistor whose integration density is high and ON resistance is low and its manufacturing method. - 特許庁

このため、パワーオン期間の前半に、ゲートが第１接続ノードに接続される第１トランジスタを確実にオフでき、パワーオン検出信号がパワーオン期間に活性化されることを防止できる。例文帳に追加

Therefore, the first transistor whose gate is connected to the first connection node is certainly turned off in the first half of a power-on period, which prevents the power-on detection signal from being activated during the power-on period. - 特許庁

クランパー８で薄肉の円筒体２をその中心軸方向に両側から挟持する。例文帳に追加

A thin cylindrical body 2 is held in direction of the central axis from both sides by a clamper 8. - 特許庁

パワートランジスタ２４が風で直接冷却されるので、良好な冷却効果が得られる。例文帳に追加

The power transistor 24 is directly cooled with air, and excellent cooling effect can be obtained. - 特許庁

パワートランジスタ１１の本体部１１ａが実装されるランド部１５は、クリームハンダが施されてパワートランジスタ１１がハンダ付けされる実装ランド領域１５ａと放熱用の放熱ランド領域１５ｂとを備える。例文帳に追加

The land 15 on which the body 11a of the power transistor 11 is mounted is provided with a mounting-land region 15a to which the cream solder is applied so as to solder the power transistor 11 and a heat-dissipating-land region 15b heat dissipation. - 特許庁

相対的にセルサイズが小さいパワーＭＯＳトランジスタ６ｂは相対的にセルサイズが大きいパワーＭＯＳトランジスタ６ａに比べて上記ボディ拡散層が深く形成されている。例文帳に追加

The body diffusion layer of the power MOS transistor 6b having a relatively small cell size is formed deeper compared with the power MOS transistor 6a having a relatively large cell size. - 特許庁

ＴｒＱｎ１，Ｑｐ１に接続されたトランジスタのうち同時にオンとなるのが１個だけになるように、入力信号の周波数に応じて各パワーカット用トランジスタが受け持つトランジスタ数を決定する。例文帳に追加

The number of transistors required for each transistor for power cut is decided according to a frequency of an input signal, so that only one transistor from among the transistors connected to the Trs Qn1, Qp1 respectively will be turned on simultaneously. - 特許庁

電子スイッチは、センサが故障を検知したときに、直列接続されたセルおよびヒューズを短絡するパワートランジスタ（１２_１−１２_３）と、センサの状態が後でどのようになろうと、パワートランジスタが直列接続回路を短絡したまま維持するためのダイオード（６）とを含む。例文帳に追加

The electronic switch includes power transistors 121-123 for short- circuiting cells 11-16 and the fuse 3 connected in series when the sensor detects a failure, and a diode 6 for making the power transistors 121-123 keep the short circuit of the series connection circuit even if the sensor has any state later. - 特許庁

第１ドライバＤＲ１は、ゲートパルス信号Ｇ１にもとづき、ＤＣ／ＤＣコンバータのスイッチングトランジスタＭ１を駆動する。例文帳に追加

A first driver DR1 drives a switching transistor M1 of a DC/DC converter on the basis of the gate pulse signal G1. - 特許庁

保護用ＭＯＳＦＥＴＱ３のドレインはパワートランジスタＱ１のゲートに接続され、ソースは検出用抵抗Ｒの他端に接続される。例文帳に追加

The drain of the MOSFET Q3 is connected to the gate of the power transistor Q1, and the source is connected to the other end of the resistor R. - 特許庁

トレイ形包装用箱は、箱体の内側壁の下部をパック支持パネル１１、１１として箱体の内側に張り出させ、そのパック支持パネル１１、１１の上辺部２２、２２でパッケージ容器１５の周囲のフランジ１７を載せて支持する。例文帳に追加

The flange 17 formed on the periphery of the packaging container 15 are mounted on and supported by the upper parts 22, 22 of the package supporting panels 11, 11. - 特許庁

低圧バッテリ１２とパワートランジスタ２０，２２との間に流れる電流、及び、高圧バッテリ１４とパワートランジスタ２４，２６との間に流れる電流をそれぞれ検出する。例文帳に追加

A current, that flows between the low-voltage battery 12 and the power transistors 20, 22, and a current that flows between the high-voltage battery 14 and the power transistors 24, 26, are each detected. - 特許庁

ＮチャネルパワーＴＤＭＯＳトランジスタ用トレンチ４の長辺側とＰチャネルＴＤＭＯＳトランジスタ用トレンチ４の長辺側を４５°傾けて形成する。例文帳に追加

The long sides of a trench 4 for the N-channel power TDMOS transistor and the long sides of a trench 4 for the P-channel TDMOS transistor are formed so as to incline by 45°. - 特許庁

ｐＭＯＳトランジスタＰＱ１１とｎＭＯＳトランジスタＮＱ１１からなるインバータ回路ＩＶ１１と、このインバータ回路ＩＶ１１の出力側にゲートが接続されたｐＭＯＳキャパシタＰＣ１１から構成される。例文帳に追加

An inverter circuit IV11, comprising a pMOS transistor PQ11 and an nMOS transistor NQ11, and a pMOS capacitor PC11 where a gate is connected to the output side of the inverter circuit IV11, are provided. - 特許庁

回路基板４の上側の面には、低耐熱素子６、８が実装され、この反対側の面には、パワートランジスタ１０が実装されている。例文帳に追加

On the upper-side surface of a circuit board 4, low heat-proof elements 6, 8 are mounted, and on its opposite-side surface, a power transistor 10 is mounted. - 特許庁

トランジスタの拡散層１とゲートパターンの基本パターンＯＰとの重複部分を算出し、重複部分の両側に所定幅のパターンを生成し、前記パターンの両側を拡散層１外まで延長して、位相シフタのパターンＰ３として生成する。例文帳に追加

A part where a diffusion layer 1 of a transistor and a basic pattern OP of a gate pattern overlap with each other is computed, patterns of specific width are formed on both the sides of the overlap part, and both the sides of the pattern are extended to outside the diffusion layer 1 to obtain a pattern P3 of the phase shifter. - 特許庁

前記パワースイッチユニットは、前記一次コイルと直列に接続されたインシュレイテッド・ゲート・バイポーラ・トランジスタ（ＩＧＢＴ）からなるパワートランジスタと、前記パワートランジスタのベース電極とエミッタ電極間に挿入された電流制限回路とがユニットとして一つのチップで構成されている。例文帳に追加

The power switch unit is structured of one chip as a unit of a power transistor, which is formed of an insulated gate bipolar transistor (IGBT) connected in series to the primary coil, and a current limiting circuit, which is inserted between a base electrode and an emitter electrode of the power transistor. - 特許庁

パワートランジスタ等の熱を発生する構成要素のための冷却体の取り付け法を改善したランプ点灯用の駆動装置を提供する。例文帳に追加

To provide a drive unit for lamp lighting with an improved method of attaching a cooling object to components that generate heat, such as a power transistor. - 特許庁

ＰＮＰエミッタフォロワートランジスタ5で形成したバッファによりＰチャンネルパワーＭＯＳＦＥＴ１２のゲート容量は電圧増幅用トランジスタ２の負荷として無視できるように動作する。例文帳に追加

This power amplifier operates, so that the gate capacity of a p-channel power MOSFET 12 can be ignored as the load of a transistor 2 for power amplification by the buffer made of a PNP emitter follower transistor 5. - 特許庁

差動対を形成するようにソースが共通接続されたトランジスタＭ１、Ｍ２と、トランジスタＭ２のドレインにゲートが接続されたトランジスタＭ３を備えた誤差増幅器ＶＥＡによって、パワートランジスタＰＴｒの動作を制御する。例文帳に追加

The operation of a power transistor PTr is controlled by an error amplifier VEA equipped with transistors M1 and M2 whose sources are commonly connected so that a differential pair can be formed and a transistor M3 whose gate is connected to the drain of the transistor M2. - 特許庁