「ぱわーとらんじすた」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

増幅された高周波信号の利得を増加させるためのパワートランジスタ回路は、パワートランジスタ２と、このパワートランジスタ２をバイアスする電圧バイアス回路とを有する。例文帳に追加

A power transistor circuit for amplifying the gain of an amplified high frequency signal is provided with a power transistor 2 and a voltage bias circuit for biasing the power transistor 2. - 特許庁

パワートランジスタの熱からパワートランジスタやその周辺素子を確実に保護することができる半導体集積回路を提供する。例文帳に追加

To surely protect a power transistor and a peripheral element thereof from heat of the power transistor. - 特許庁

放熱基板およびそれを用いたハイパワー高周波トランジスターパッケージ例文帳に追加

HEAT RADIATION SUBSTRATE, AND HIGH-POWER HIGH-FREQUENCY TRANSISTOR PACKAGE USING IT - 特許庁

パワートランジスタを有する半導体装置の特性の劣化を防ぐ。例文帳に追加

To prevent deterioration of a characteristic of a semiconductor device having a power transistor. - 特許庁

実装板はパワートランジスタと回路基板の間で固着される。例文帳に追加

The mounting plate is bonded between the power transistor and the circuit board. - 特許庁

パワートランジスタ２とトランジスタ３，４とをシリコンの熱伝導率よりも高い金の膜７で覆って構成したので、パワートランジスタ２から発生した熱がトランジスタ３，４に効率良く熱伝導され、パワートランジスタ２を過熱から保護することができる。例文帳に追加

Since a power transistor 2 and transistors 3 and 4 are covered with films 7 of gold higher than the heat conductivity of silicon, heat generated from the power transistor 2 is efficiently heat-conducted to the transistors 3 and 4 and the power transistor 2 is protected from overheating. - 特許庁

インバータのパワートランジスタの内部温度を迅速に追従して検出し、パワートランジスタの過熱を防止するインバータ用パワートランジスタの過熱検出装置及びその方法を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus and a method for detecting overheat of a power transistor for an inverter for preventing overheat of the transistor by rapidly following and detecting the internal temperature of the transistor. - 特許庁

過電圧に対するパワートランジスタの保護効果を高める。例文帳に追加

To provide a protective circuit with enhanced protecting effect of a power transistor with respect to an overvoltage. - 特許庁

第１のチップ３にはパワートランジスタが形成され、第２のチップ４にはパワートランジスタを駆動するための回路素子が形成されている。例文帳に追加

A power transistor is formed on the first chip 3 and a circuit element for driving the power transistor is formed on the second chip 4. - 特許庁

ＰチャネルパワーＭＩＳ電界効果トランジスタおよびスイッチング回路例文帳に追加

P-CHANNEL POWER MIS FIELD EFFECT TRANSISTOR AND SWITCHING CIRCUIT - 特許庁

パワートランジスタＰには、放熱フィンＦが備えられている。例文帳に追加

The power transistor P is provided with a radiation fin F. - 特許庁

ビットラインパッドを覆い、セルトランジスタのゲート電極、即ち、ワードラインと並行したビットラインパッド保護膜パターン７３を形成する。例文帳に追加

A protective film pattern 73 covering the bit line pad is formed in parallel with the gate electrode of the cell transistor, i.e., a word line. - 特許庁

半導体チップ１０は中央部にパワートランジスタ１１が配置され、パワートランジスタ１１の周囲に制御回路１１が配置される。例文帳に追加

The power transistor 11 is disposed in the central portion of the semiconductor chip 10, and the control circuit 12 is disposed at the periphery of the power transistor 11. - 特許庁

パワーセーブモードでＶＣＣ１がＧＮＤレベルに落ちたとき、トランジスタＱ２とトランジスタＱ３がオンになる。例文帳に追加

When a VCC1 is set to a GND level in the power saving mode of this semiconductor integrated circuit, transistors(TRs) Q2, Q3 become conductive. - 特許庁

点火コイル４３は、パワートランジスタ４２により駆動される。例文帳に追加

The ignition coil 43 is driven by the power transistor 42. - 特許庁

パワートランジスタを有する半導体装置の信頼性を向上させる。例文帳に追加

To improve the reliability of a semiconductor device having a power transistor. - 特許庁

インダクタンス負荷等を駆動するためのパワートランジスタの近傍に、寄生トランジスタによる影響を受けることのない温度検出トランジスタを配置し、より正確にパワートランジスタの過熱保護を行うこと。例文帳に追加

To more accurately prevent a power transistor from being overheated by placing a temperature detection transistor immune to the effect of a parasitic transistor in the vicinity of the power transistor for driving an inductive load or the like. - 特許庁

パワートランジスタからの熱を除去して過熱を回避すべく特殊なパッケージを提供する。例文帳に追加

To provide a special package to avoid overheating by removing heat from a power transistor. - 特許庁

パワートランジスタＭ１は、出力端子ＰＯＵＴと電源端子ＰＶＣＣの間に設けられる。例文帳に追加

A power transistor M1 is provided between an output terminal POUT and a power supply terminal PVCC. - 特許庁

このトランジスタは、そのゲートとソースがパワーＭＯＳトランジスタ２のソースに共通接続されて共通電位ノードＮＤを形成し、ドレインがパワーＭＯＳトランジスタ２のゲートに接続されている。例文帳に追加

The transistor has its gate and source commonly connected to the source of a power MOS transistor 2 to form a common potential node ND, and has its drain connected to the gate of the power MOS transistor 2. - 特許庁

出力パワートランジスタと出力パワートランジスタを保護する保護回路が１チップ上に形成されているスイッチング電源装置に関し、出力パワートランジスタのスイッチング時に保護回路で誤動作が発生しないようにする。例文帳に追加

To prevent erroneous function of a circuit for protecting an output power transistor in switching the output power transistor when the output power transistor and the protective circuit are not formed on one chip. - 特許庁

シリコンウェハ上にパワートランジスタデバイスを製造する方法例文帳に追加

METHOD OF FABRICATING POWER TRANSISTOR DEVICE ON SILICON WAFER - 特許庁

低いオン抵抗を可能にするパワートランジスタを提供する。例文帳に追加

To provide a power transistor enabling low on-resistance. - 特許庁

ＲＦ信号カット用コイルＬ１の替わりに、トランジスタＱ１のエミッタとパワートランジスタＱ０のベースとの間及びトランジスタＱ４のコレクタとパワートランジスタＱ０のベースとの間にそれぞれ抵抗を接続してもよい。例文帳に追加

Or a resistor may be connected respectively between the emitter of the TR Q1 and a base of the power TR Q0 and between a collector of the TR Q4 and a base of the power TR Q0 in place of an RF signal cut coil L1. - 特許庁

点火装置のパワースイッチング素子は、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）１５である。例文帳に追加

A power switching device for the ignitor is an insulating gate type bipolar transistor(IGBT) 15. - 特許庁

ゲート耐圧が良好なトレンチゲートを有するパワーＭＯＳトランジスタを提供する。例文帳に追加

To provide a power MOS transistor having a trench gate of which gate breakdown voltage is satisfactory. - 特許庁

逆接保護ダイオードＤ１はＰｃｈパワーＭＯＳトランジスタＰＭＴ１の寄生ダイオードである。例文帳に追加

The reverse connection protection diode D1 is a parasitic diode of the Pch power MOS transistor PMT1. - 特許庁

そして、前記トランジスタＭ３がパワートランジスタＭＰのゲートと能動負荷Ｍ１の間に介在するように、トランジスタＭ３とトランジスタＭ５の共通接続点に現れる信号を利用してパワートランジスタＭＰを駆動する。例文帳に追加

Then, a power transistor MP is driven by using a signal appearing at the common connection point of the transistor M3 and the transistor M5 so that the transistor M3 can be interposed between the gate of the power transistor MP and the active load M1. - 特許庁

ｐｎｐ型のパワートランジスタ１１を駆動するドライブ用トランジスタ２１ａには、エミッタ面積の少ないトランジスタｎ１１がカレントミラー接続されており、トランジスタｎ１１および抵抗Ｒ１２には、パワートランジスタ１１のベース電流Ｉｂに応じ、より少ない電流Ｉ１２が流れる。例文帳に追加

A transistor n11 having a small emitter area is current mirror- connected to a drive transistor 21a for driving a pnp type power transistor 11, and a fewer current I12 is carried to the transistor n11 and a resistor R12 according to the base current Ib of the power transistor 11. - 特許庁

多数のＭＯＳトランジスタが密に並んでいる構成のＭＯＳパワートランジスタにおいて、動作効率の改善を図ることを目的とする。例文帳に追加

To improve operation efficiency in an MOS power transistor of a constitution, wherein a large number of MOS transistors are aligned densely. - 特許庁

電源１と負荷２とパワートランジスタＴ１とが直列に接続され、パワートランジスタＴ１に対し、電流検出用トランジスタＴ３と電流検出用抵抗９との直列回路が並列に接続されている。例文帳に追加

A power supply 1, a load 2 and a power transistor T1 are connected in series, and a series circuit of a transistor T3 for current detection and a resistor 9 for current detection is connected in parallel to the power transistor T1. - 特許庁

分流ＭＯＳトランジスタ１２は、パワーＭＯＳトランジスタ１１とドレイン端子Ｄおよびゲート端子Ｇが共通に設けられている。例文帳に追加

A drain terminal D and a gate terminal G of a shunt MOS transistor 12 are installed sharing those of the power MOS transistor 11. - 特許庁

トランジスタＴｒ１のゲートにＬ信号が入力されると、パワートランジスタＴｒ０にベース電流が流れてオンになる。例文帳に追加

When an L signal is inputted to the gate of the transistor Tr1, a base current is allowed to flow through the power transistor Tr0 to turn it on. - 特許庁

トランジスタのゲート電極５は、一方向に連続するワード線としてパターン形成される。例文帳に追加

A pattern of a gate electrode 5 of a transistor is formed as a word line continued in one direction. - 特許庁

トランジスタの放熱問題を解決できるオートパワーコントロール回路を提供すること。例文帳に追加

To provide an automatic power control circuit capable of solving the problem of heat radiation of a transistor. - 特許庁

ゲートドライバ集積回路は、パワートランジスタ非飽和を検出し、ソフトシャットダウンシーケンスを介する非飽和トランジスタのなだらかなターンオフによって、非飽和になったトランジスタを過渡過剰電圧から保護する。例文帳に追加

The gate drive integrated circuit detects power transistor non-saturation and protects a non-saturated transistor from a transitional excessive voltage by gently turning off a non-saturated transistor via a soft shut-down sequence. - 特許庁

パワー半導体素子７で発した熱を放出するための放熱パターン１１、具体的には放熱パターン１１の一部で構成される受熱パターン１１ａの上に駆動トランジスタ４を配置することにより、パワー半導体素子７の発熱が駆動トランジスタ４に積極的に伝わるようにする。例文帳に追加

A driving transistor 4 is disposed over a heat dissipation pattern 11 for dissipating heat generated by the power semiconductor element 7, specifically, a heat reception pattern 11a composed of a portion of the heat dissipation pattern 11 to positively transmit the heat generated by the power semiconductor element 7 to the driving transistor 4. - 特許庁

トランジスタ３のゲート端子には、パワーカット信号ＰＥが入力される。例文帳に追加

A power cut signal PE is inputted into a gate terminal of the transistor 3. - 特許庁

簡単な構成で、パワートランジスタのオンオフに起因して生じる電流スパイクをマスクする。例文帳に追加

To mask a current spike caused by the turning-on/off of a power transistor by a simple constitution. - 特許庁

パワーＭＯＳトランジスタはトレンチ内に埋め込まれたゲート電極９を備えている。例文帳に追加

The power MOS transistor includes a gate electrode 9 embedded in a trench. - 特許庁

パワーＩＧＢＴ（ＩｎｓｕｌａｔｅｄＧａｔｅＢｉｐｏｌａｒＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ：集積ゲートバイポーラトランジスター）デバイスを有するモノリシリック集積抵抗構造例文帳に追加

MONOLITHIC INTEGRATED RESISTANCE STRUCTURE HAVING POWER IGBT DEVICE - 特許庁

パワートランジスタＱはパワーインダクタＬの出力側と接続され、制御電圧に応じてスイッチングする。例文帳に追加

A power transistor Q is connected to the output side of the inductor L to switch, in response to a control voltage. - 特許庁

寄生振動、すなわちパラメータ発振を低減したトランジスタ増幅器を提供する。例文帳に追加

To provide a transistor amplifier having reduced parasitic, or parametric, oscillations. - 特許庁

パワーＭＯＳトランジスタのゲート電圧を安定化するため必要な高抵抗をチップに内蔵する。例文帳に追加

To incorporate a high resistor required for stabilizing the gate voltage of a power MOS transistor in a chip. - 特許庁

パワートランジスタの消費電力、すなわち発熱を少なくすることができ、パワートランジスタが故障、断線した場合でもファンモータを回転させることのできるファンモータ制御回路を提供する。例文帳に追加

To provide a fan motor control circuit, in which power consumption, i.e., heat generation of a power transistor can be reduced and a fan motor can be rotated, even upon failure or disconnection of the power transistor. - 特許庁