「ぱわーとらんじすた」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

パワー・トランジスタに流れる電流ルートを明確にすると共に、パワー・トランジスタに流れる電流の最適化を図ることにより、パワー・トランジスタへのダメージ又はストレスを低減し、信頼性に優れた半導体集積回路を提供する。例文帳に追加

To provide a reliable semiconductor integrated circuit, where damage or stress to a power transistor is reduced by clarifying the route of current flowing to the power transistor and by optimizing current flowing to the power transistor. - 特許庁

パワー・トランジスタに流れる電流ルートを明確にすると共に、パワー・トランジスタに流れる電流の最適化を図ることにより、パワー・トランジスタへのダメージ又はストレスを低減し、信頼性に優れた半導体集積回路を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor integrated circuit excellent in its reliability wherein the routes of currents flowing therein to its power transistor are so made clear and accurate and the currents flowing to its power transistor are so optimized as to reduce the damage or stress given to its power transistor. - 特許庁

表面実装パワートランジスタにヒートシンクを取り付けるために、回路基板上のパワートランジスタと半田パッドとの間にヒートシンクの実装板を置く。例文帳に追加

In order to fix a heat sink to a surface mount power transistor, a heat sink mounting plate is placed between the power transistor on a circuit board and solder pads. - 特許庁

基板４にはパワートランジスタ８と共にブレース１０を仮止め状態で配置し、このブレース１０によりパワートランジスタ８の放熱板８Ｂをケース１の放熱段部２との間で挟持する。例文帳に追加

The control unit comprises a brace 10 disposed in a temporarily fastened state together with the transistor 8 on a board 4 to hold the sink 8B of the transistor 8 between the brace 10 and the part 2 of the case 1. - 特許庁

トランジスタＴは層間絶縁膜１４で覆われ、この上に、各トランジスタＴに対応して強誘電体キャパシタＣが形成される。例文帳に追加

The transistor T is coated with an interlayer insulating film 14 and is formed with a ferroelectric capacitor C, corresponding to the transistor T on the film 14. - 特許庁

パワー半導体デバイス構造と、高電圧トランジスタを製造するためのプロセスとを提供する。例文帳に追加

To provide a power semiconductor device structure, and to provide a process for manufacturing a high-voltage transistor. - 特許庁

パワー半導体デバイス構造と、高電圧トランジスタを製造するためのプロセスとを提供する。例文帳に追加

To provide a power semiconductor device structure, and to provide a process for fabricating a high-voltage transistor. - 特許庁

本発明によるＰＷＭ増幅器は、トーテムポール状に接続されたパワー・トランジスタ（１１、１２）とこれらのパワー・トランジスタの少なくとも１つを導通状態にバイアスするブートストラップ・コンデンサ（４０）とを有する。例文帳に追加

The PWM amplifier has power transistors(TRs) 11, 12 connected in a state of a totem pole and a bootstrap capacitor 40 that gives a bias to at least either of the power TRs into a conductive state. - 特許庁

パワートランジスタが固定されるヒートシンク上に樹脂製ケース本体が接着される電子制御ユニットのパワートランジスタの取り付け構造において、パワートランジスタをヒートシンク上にボルト止めする際に治具を利用することなく、パワートランジスタとヒートシンクとの間に切り粉などの異物が侵入するのを防止する。例文帳に追加

To prevent permeation of foreign matter like cuttings into a part between a power transistor and a heat sink, without using a jig when the power transistor is bolted on a heat sink, in an attaching structure of the power transistor of an electronic control unit wherein a case main body formed of resin is bonded on the heat sink on which the power transistor is fixed. - 特許庁

コントローラにより、パワートランジスタ１１とパワートランジスタ１２の双方がオフに制御されている間（ブランキングタイム）に、パワートランジスタ１１に対応するカレントミラー回路１３に流れる還流電流およびパワートランジスタ１２に対応するカレントミラー回路１４に流れる還流電流を、それぞれ電流検出器５，６で検出する。例文帳に追加

A reflux current flowing to a current mirror circuit 13 corresponding to a power transistor 11 and a reflux current flowing to a current mirror circuit 14 corresponding to a power transistor 12 during a period in which both the transistor 11 and the transistor 12 are controlled to off-states (blanking time) are detected by current detectors 5, 6. - 特許庁

マルチフィンガータイプパワーアンプ３０は、複数のヘテロ接合バイポーラトランジスタを有する。例文帳に追加

A multi-finger type power amplifier 30 has a plurality of hetrojunction bipolar transistors. - 特許庁

静電放電（ＥＳＤ）に対する耐量が高いパワーＭＯＳトランジスタを提供する。例文帳に追加

To provide a power MOS transistor, which has high in proof quantity with respect to an electrostatic discharge(ESD). - 特許庁

ＤＣ−ＤＣコンバータ１において、高電位電源配線ＰＨと低電位電源配線ＰＬとの間にハイサイド・パワートランジスタＱ１及びローサイド・パワートランジスタＱ２を直列に接続する。例文帳に追加

In the DC-DC converter 1, a high-side power transistor Q1 and a low-side power transistor Q2 are connected in series between high-potential power wiring PH and low-potential power wiring PL. - 特許庁

スイッチング素子として機能するパワートランジスタのゲートドライブ電流を低減する。例文帳に追加

To reduce a gate drive current of a power transistor which functions as a switching device. - 特許庁

電動パワーステアリング装置の昇圧回路１００は、コイルＬ、第２トランジスタＱ２、第１トランジスタＱ１、コンデンサＣ２とを備える。例文帳に追加

A booster circuit 100 of the motor power steering unit comprises a coil L, a second transistor Q2, a first transistor Q1, and a capacitor C2. - 特許庁

電動パワーステアリング装置の昇圧回路１００はコイルＬ、第２トランジスタＱ２、第１トランジスタＱ１、コンデンサＣ２とを備える。例文帳に追加

The booster circuit 100 of the electric power steering comprises a coil L, a second transistor Q2, a first transistor Q1, and a capacitor C2. - 特許庁

低減されたオン抵抗及び最上面金属拡がり抵抗を有する、パワートランジスタパッケージング用の半導体パッケージ例文帳に追加

SEMICONDUCTOR PACKAGE WITH REDUCED ON-RESISTANCE AND TOP METAL SPREADING RESISTANCE WITH APPLICATION TO POWER TRANSISTOR PACKAGING - 特許庁

パワートランジスタを用いた半導体リレー回路は、スイッチングのオフ時間が遅い。例文帳に追加

To solve the problem in a semiconductor relay circuit comprising a power transistor whose switching off is slow. - 特許庁

電動モータの駆動回路（特にパワートランジスタ）の過熱を抑えて当該回路を保護する電動パワーステアリング装置を提供する。例文帳に追加

To provide an electric power steering device capable of restricting overheating at a drive circuit (a power transistor, especially) in an electric motor to protect the circuit. - 特許庁

定電圧回路４は、３６Ｖのバッテリ３に直列接続されたパワートランジスタＴＲと、パワートランジスタＴＲのベースに接続された定電圧ダイオードＤ２とを有する。例文帳に追加

The constant voltage circuit 4 comprises a power transistor TR connected in series with a 36 V battery 3, and a constant voltage diode D2 connected with the base of the power transistor TR. - 特許庁

トレンチゲート構造のパワートランジスタＱのゲート絶縁膜８およびゲート部３を形成した後に、パワートランジスタＱのチャネル領域５およびソース領域６を形成する。例文帳に追加

After forming gate insulating films 8 and gates 3 of a power transistor Q having a trench gate structure, channel regions 5 and source regions 6 of the power transistor Q are formed. - 特許庁

パワーＭＯＳトランジスタのゲート電圧依存性を小さくし、かつ狙いのオン抵抗を得る。例文帳に追加

To reduce a gate voltage dependency of a power MOS transistor, and to obtain a good on-resistance. - 特許庁

ゲート・ソース間電圧検出回路５は、パワーＭＯＳトランジスタ１のゲート端子への電圧印加に伴うパワーＭＯＳトランジスタ１のゲート・ソース間電圧Ｖgsを検出する。例文帳に追加

A circuit 5 for detecting voltage between a gate and a source detects voltage Vgs between a gate and a source of the power MOS transistor in accordance with voltage application to a gate terminal of the power MOS transistor. - 特許庁

例えば、ＣＭＯＳインバータ回路の出力がＤＭＯＳトランジスタ９のゲートに加わる場合に、インバータ回路の出力とＤＭＯＳトランジスタ９のゲートとの間に、ローパスフィルタ１０を挿入する。例文帳に追加

For example, when an output of a CMOS inverter circuit is applied to the gate of the DMOS transistor 9, a low pass filter 10 is inserted between the output of the inverter circuit and the gate of the DMOS transistor 9. - 特許庁

また、同一半導体ウエハーから特性の揃ったＮＰＮパワートランジスタ、特性の揃ったＰＮＰパワートランジスタを取り出すことでチャンネル特性が揃う。例文帳に追加

Also, NPN power transistors with uniform characteristics and PNP power transistors with uniform characteristics are taken out of the same semiconductor wafer, thus aligning channel characteristics. - 特許庁

また、レジストパターンＲ６３ａ，Ｒ６３ｂ（すなわち、ランディングパッド層のパターン）を、各メモリセルの４辺のうち、それぞれレジストパターンＲ６１ａ，Ｒ６１ｂに近接した２辺以外の２辺上に形成する。例文帳に追加

Also, resist patterns R63a and (R63b) (that is, landing pad layer patterns) are formed on two sides other than two sides adjacent to the resist patterns R61a and (R61b) among the four sides of each memory cell. - 特許庁

ロジック系ＣＭＯＳトランジスタおよびパワー系ＤＭＯＳトランジスタのそれぞれが最適な構造を有する半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device in which a logic-system CMOS transistor and a power DMOS transistor have optimum structures respectively. - 特許庁

パワー・トランジスタの第３と第４の端子に結合された制御回路を含んでいる。例文帳に追加

The power supply regulator includes a control circuit connected with the third and fourth terminals of the power transistor. - 特許庁

パワートランジスタ及びＳＢＤ素子を有する半導体装置の小型化を図る。例文帳に追加

To miniaturize a semiconductor device having a power transistor and an SBD element. - 特許庁

インバータ出力素子は、センス端子を持つパワートランジスタから構成される。例文帳に追加

Each inverter output element comprises a power transistor having a sensing terminal. - 特許庁

ヒーター形成領域１に、列状に並ぶ複数のヒーターが形成され、パワートランジスタ形成領域２に、ヒーターを駆動するためのパワートランジスタが複数形成されている。例文帳に追加

A plurality of heaters are formed in row in the heater forming region 1 and a plurality of power transistors for driving the heaters are formed in the power transistor forming region 2. - 特許庁

ドレイン２２が出力端子４４に接続された複数のＭＯＳトランジスタ１，２から成る横型パワーＭＯＳトランジスタである。例文帳に追加

The lateral power MOS transistor comprises a plurality of MOS transistors 1 and 2 each having a drain connected with an output terminal 44. - 特許庁

電界効果型トランジスタ、及びそれを備えたパワーアンプモジュール及び移動体通信装置並びに電界効果型トランジスタの製造方法例文帳に追加

FIELD EFFECT TRANSISTOR (FET), POWER AMPLIFIER MODULE AND MOBILE COMMUNICATION DEVICE WITH THE SAME, AND METHOD OF MANUFACTURING FET - 特許庁

それら２個のパワートランジスタと抵抗素子とは、同一の半導体チップ上に形成されている。例文帳に追加

The two power transistors and the resistance element are formed on the same semiconductor chip. - 特許庁

円筒部材５７は、パワートランジスタ４２のエミッタ端子Ｅへ接続される。例文帳に追加

The cylindrical member 57 is connected to an emitter terminal E of the power transistor 42. - 特許庁

パワートランジスタ２は第１リード６側とは反対側にドレイン電極を有し、このドレイン電極がパワートランジスタ２上のＣｕチップ３に接続されている。例文帳に追加

The power transistor 2 has a drain electrode on one side opposite to a first lead 6 side, and this drain electrode is connected to a Cu chip 3 on the power transistor 2. - 特許庁

すなわち、ペルチェ素子５１は、パワートランジスタＱ１に流される電力の一部を用いて、パワートランジスタＱ１が発生した熱を吸熱して放熱板１１６側へ放熱する。例文帳に追加

Namely, the Peltier element 51 absorbs the heat generated by the power transistor Q1 and dissipates the heat to a heat dissipating plate 116 side, by using a part of the electric power flowed to the power transistor Q1. - 特許庁

クランパとの間にディスクを挟んで保持するタイプのモータにおいて、シャフトとターンテーブルとの固定強度を確保しつつ、クランパ側に設けられた突起を利用してモータとクランパとを調芯できる構造を、提供する。例文帳に追加

To provide a structure that can align a motor and a clamper with a projection provided on the clamper side while securing a settlement intensity of a shaft and a turn table in the motor of a type to hold across a disk between the clamper. - 特許庁

これにより、可変キャパシタ１０６に対する放電と同時に、ｎＭＯＳトランジスタ１０３のゲート・ドレイン間寄生キャパシタの放電が行われる。例文帳に追加

This discharges the parasitic capacitor between the gate and the drain of an nMOX transistor 103 simultaneously with discharging the variable capacitor 106. - 特許庁

一方、パルス信号ＳＰ１はインバータＩＶＢおよび論理積ゲート回路ＡＮＮを介してパワーＭＯＳトランジスタＴＮに与えられる。例文帳に追加

On the other hand, the pulse signal SP1 is given through an inverter IVB and an AND gate circuit ANN to a power MOS transistor TN. - 特許庁

半導体チップにおいてシリコン基板に縦型パワーＭＯＳトランジスタが作り込まれている。例文帳に追加

In manufacturing of semiconductor chips, vertical power MOS transistors are constructed on a silicon substrate. - 特許庁

パワーアンプモジュールとレギュレータモジュール８０１を含むパワーアンプをバイポーラトランジスタと電界効果トランジスタとを同一基板上に備える技術によって１チップで構成する。例文帳に追加

A technique for mounting a bipolar transistor and a field-effect transistor on the same substrate enables a power amplifier including a power amplifier module and a regulator module 801 to be configured with one chip. - 特許庁

パワートランジスタを有する半導体装置の小型化を推進することができる。例文帳に追加

To promote downsizing of a semiconductor device provided with a power transistor. - 特許庁

交流を全波整流するダイオードブリッジ３に、パワートランジスタ４と電流検出抵抗５とを直列に接続したファンモータ制御回路において、パワートランジスタ４と並列に抵抗９とトランジスタ１０とを接続する。例文帳に追加

In a fan motor control circuit, where a full-wave rectifying diode bridge 3 is connected in series with a power transistor 4 and a current detecting resistor 5, the power transistor 4 is connected in parallel with a resistor 9 and a transistor 10. - 特許庁

フィルム給送及びシャッタ駆動時にはトランジスタＱ1 ，Ｑ3 をオンにして、パワートランジスタＱPWのプリドライブ電流を増加させる。例文帳に追加

At the time of film supply and shutter driving, the transistors Q1 and Q3 are turned on, and the pre-drive currents of the power transistor QPW are increased. - 特許庁