「カルコゲン」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

含カルコゲン縮合多環式化合物の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCING CHALCOGEN-CONTAINING CONDENSED POLYCYCLIC COMPOUND - 特許庁

複合修飾金属カルコゲン化物超微粒子例文帳に追加

ULTRAFINE PARTICLE OF COMPOSITE MODIFIED METAL CHALCOGENIDE - 特許庁

ポリエステルフィルムの少なくとも一方の表面上にカルコゲン化合物を含む層（カルコゲン層）を形成した記録媒体用支持体とする。例文帳に追加

The support for the recording medium has a layer (a chalcogen layer) containing a chalcogen compound, formed on at least one surface of a polyester film. - 特許庁

硫化物シェルを有するカルコゲン化亜鉛半導体超微粒子例文帳に追加

ZINC CHALOCOGENIDE SEMICONDUCTOR ULTRAFINE PARTICLE HAVING SULFIDE SHELL - 特許庁

選択要素は誘電体中に埋め込まれたカルコゲン材料を有する。例文帳に追加

The selection element comprises a chalcogen substance embedded in a dielectric substance. - 特許庁

カルコゲン薄膜トランジスタアレイを備えた電子医療映像装置例文帳に追加

ELECTRONIC MEDICAL IMAGING APPARATUS EQUIPPED WITH CHALCOGEN THIN FILM TRANSISTOR ARRAY - 特許庁

カルコゲン元素含有酸化マグネシウム粉末及びその製造方法例文帳に追加

CHALCOGEN ELEMENT-CONTAINING MAGNESIUM OXIDE POWDER, AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME - 特許庁

また、化学増感によって生成したカルコゲン化銀またはカルコゲン化金銀を含むハロゲン化銀乳剤であって、前記カルコゲン化銀またはカルコゲン化金銀の少なくとも一部が非晶質であることを特徴とするハロゲン化銀乳剤である。例文帳に追加

The objective silver halide emulsion contains silver chalcogenide or gold silver chalcogenide formed by chemical sensitization and at least part of the silver chalcogenide or gold silver chalcogenide is amorphous. - 特許庁

サイリスタ特性を有する素子２０は、カルコゲン化物ガラス２６よりなる。例文帳に追加

The element 20 having the thyristor characteristics includes chalcogenide glass. - 特許庁

カルコゲン化合物の共沈方法、白金族−カルコゲン合金の製造方法、白金族−カルコゲン合金／無機多孔質体担持物の製造方法及び酸化反応生成物の製造方法例文帳に追加

METHOD OF COPRECIPITATING CHALCOGEN COMPOUND, METHOD OF PRODUCING PLATINUM GROUP-CHALCOGEN ALLOY, METHOD OF PRODUCING PLATINUM GROUP-CHALCOGEN ALLOY/INORGANIC POROUS CARRIED PRODUCT, AND METHOD OF PRODUCING OXIDE REACTION PRODUCT - 特許庁

ハロゲン化銀乳剤を、カルコゲン化合物またはカルコゲン化合物および金化合物によって化学増感し、カルコゲン化銀またはカルコゲン化金銀を生成する増感工程を有するハロゲン化銀乳剤の化学増感方法であって、前記増感工程において生成する前記カルコゲン化銀またはカルコゲン化金銀の少なくとも一部が非晶質化する条件で化学増感を行うことを特徴とするハロゲン化銀乳剤の化学増感方法である。例文帳に追加

The method for chemically sensitizing a silver halide emulsion has a sensitization step in which the silver halide is chemically sensitized with a chalcogen compound or a chalcogen compound and a gold compound to form silver chalcogenide or gold silver chalcogenide and the chemical sensitization is carried out under such conditions that at least part of the silver chalcogenide or gold silver chalcogenide formed in the sensitization step is made amorphous. - 特許庁

この蓄電デバイスは、正極活物質又は負極活物質として、炭素骨格と少なくともセレンを含むカルコゲンとの結合を有し、炭素、水素、窒素及びカルコゲンの総量に対するセレンの重量比が１５％以上であるカルコゲン化合物を備えている。例文帳に追加

The power storage device has, as the positive or negative electrode active material, a combination of a carbon skeleton and chalcogen containing at least selenium, which includes a chalcogen compound such that the weight percentage of selenium to a total amount of carbon, hydrogen, nitrogen, and chalcogen is 15% or larger. - 特許庁

少なくとも１種の遷移金属元素と少なくとも１種のカルコゲン元素とを含む燃料電池用電極触媒であって、（遷移金属元素−カルコゲン元素配位数）／（遷移金属元素−カルコゲン元素−酸素配位数）＝０．２７〜０．７１であることを特徴とする燃料電池用電極触媒。例文帳に追加

The electrode catalyst for the fuel cell containing at least one kind of transition metal element and at least one kind of chalcogen element satisfies a relation: (transition metal element-chalcogen element coordination number)/(transition metal element-chalcogen element-oxygen coordination number)=0.27 to 0.71. - 特許庁

任意の原子組成を有する金属−カルコゲン複合ナノ粒子の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a metal-chalcogen composite nanoparticle having an arbitrary atomic composition. - 特許庁

さらに、カルコゲンが、硫黄又は酸素元素の少なくとも１種であってもよい。例文帳に追加

The chalcogen may be at least one kind of a sulfur element and an oxygen element. - 特許庁

金属カルコゲン化合物及びその製造方法、並びに、それを用いた電極及び電気化学デバイス例文帳に追加

METALLIC CHALCOGEN COMPOUND, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, ELECTRODE USING THE SAME AND ELECTROCHEMICAL DEVICE - 特許庁

金属−カルコゲン複合ナノ粒子とその製造方法、および光記録媒体とその製造方法例文帳に追加

METAL-CHALCOGEN COMPOSITE NANOPARTICLE, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, OPTICAL RECORDING MEDIUM AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR - 特許庁

（Ｘはカルコゲン原子、Ｙはハロゲン原子、Ｒは非金属原子含有基である。）例文帳に追加

In the formulas, X is a chalcogen atom; Y is a halogen atom; and R is a non metal atom-containing group. - 特許庁

カルコゲン元素を含む化合物半導体の均一な薄膜を容易に大量に生産する。例文帳に追加

To provide easy mass production of uniform thin films of a compound semiconductor containing chalcogen element. - 特許庁

カルコゲン材料及び記憶領域は共通のエッチング端部を有するスタックの一部である。例文帳に追加

The chalcogen substance and the memory region are a part of a stack having a common etched end. - 特許庁

カルコゲン薄膜トランジスタアレイを備えた電子医療映像装置を提供する。例文帳に追加

To provide an electronic medical imaging apparatus equipped with a chalcogen thin film transistor array. - 特許庁

光電変換装置１０は、金属カルコゲン化物と金属酸化物と金属水酸化物との混晶化合物を含み、前記金属カルコゲン化物を構成するカルコゲン元素および酸素元素の合計の原子数における前記カルコゲン元素の原子数比率が前記酸素元素の原子数比率よりも大きい第１の半導体層を具備する。例文帳に追加

The photoelectric converter 10 has a first semiconductor layer which contains a mixed crystal compound composed of a metal chalcogenide, a metal oxide, and a metal hydroxide such that in the total of the number of atoms of chalcogen elements making up the metal chalcogenide and oxygen elements, a number-of-atoms ratio of the chalcogen elements is larger than a number-of-atoms ratio of the oxygen elements. - 特許庁

光電変換装置１０は、半導体層３と、半導体層３上に位置し、主面に結晶面を有する第１の金属カルコゲン化合物半導体層４ａと、第１の金属カルコゲン化合物半導体層４ａの主面上に位置し、第１の金属カルコゲン化合物半導体層４ａとは異なる材料からなる第２の金属カルコゲン化合物半導体層４ｂとを具備する。例文帳に追加

The photoelectric conversion device 10 includes: a semiconductor layer 3; a first metal chalcogen compound semiconductor layer 4a which is located on the semiconductor layer 3 and has a crystal surface on a principal surface; and a second metal chalcogen compound semiconductor layer 4b which is located on the principal surface of the first metal chalcogen compound semiconductor layer 4a and made of a material different from that of the first metal chalcogen compound semiconductor layer 4a. - 特許庁

半導体層の製造方法は、金属元素およびカルコゲン元素含有有機化合物を具備する皮膜を形成する工程と、皮膜を大気圧よりも高い圧力雰囲気で加熱してカルコゲン元素含有有機化合物の有機成分を熱分解する工程と、金属元素とカルコゲン元素含有有機化合物のカルコゲン元素とを反応させて金属カルコゲナイドを含む半導体層を作製する工程とを具備する。例文帳に追加

A method for manufacturing a semiconductor layer comprises the steps of: forming a film containing metal elements and a chalcogen element-containing organic compound; heating the film in an atmosphere at higher pressure than atmospheric pressure to pyrolyze organic components in the chalcogen element-containing organic compound; and reacting the metal elements with chalcogen elements of the chalcogen element-containing organic compound to produce a semiconductor layer containing a metallic chalcogenide. - 特許庁

プラスの直流バイアスが供給されるときに、カルコゲン化合物ターゲット表面に局所的に蓄積された不活性ガスイオンがカルコゲン化合物ターゲットから離脱される。例文帳に追加

At the time when the plus DC bias is fed, inert gas ions locally accumulated on the chalcogen compound target are released from the chalcogen compound. - 特許庁

正に荷電したカルコゲンおよび金属のイオンまたは錯体を含む混合溶液を、還元剤を用いて共還元させる工程を含むことを特徴とする金属−カルコゲン複合ナノ粒子の製造方法。例文帳に追加

The method for manufacturing the metal-chalcogen composite nanoparticle includes a step of co-reducing ions or complexes of both positively charged chalcogen and metal dissolved in a mixed solution containing them, with the use of a reducing agent. - 特許庁

信号生成部は、カルコゲン素材のうち一つである非晶質セレンを使用するか、又はカルコゲンを利用した化合物素材であるＣｄＴｅ又はＣｄＺｎＴｅを使用できる。例文帳に追加

The signal generation part may use amorphous selenium which is one of chalcogen materials, or may use CdTe or CdZnTe which is a compound raw material using chalcogen. - 特許庁

相変化デバイスの製造工程において、サイドエッチングを世紀させないカルコゲン元素を含んだカルコゲン化合物半導体膜のプラズマ処理方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of plasma-processing a chalcogen compound semiconductor film containing chalcogen elements, not causing the side etch, in a phase change device manufacturing method. - 特許庁

カルコゲン元素と化合物半導体に含まれるカルコゲン元素以外の金属元素とを含む皮膜が一主面の上にそれぞれ配されている複数の基板が準備される。例文帳に追加

A plurality of substrates are prepared, each of which has on its major surface a film containing chalcogen element and a metal element other than chalcogen element contained in a compound semiconductor. - 特許庁

カルコゲン原子−金属原子結合を有する金属錯体を放出する化合物を添加し、ハロゲン化銀粒子にカルコゲン原子−金属原子結合を有する金属錯体をドープするハロゲン化銀乳剤の製造方法。例文帳に追加

In a method for preparing the silver halide emulsion, silver halide grains are doped with a metal complex having a chalcogen atom-metal atom bond by adding a compound which releases the metal complex having the chalcogen atom-metal atom bond. - 特許庁

光を透過するアルカリ・カルコゲン化合物を用いて完全スピン分極した透明な強磁性が得られる強磁性アルカリ・カルコゲン化合物の提供、およびその強磁性特性を調整することができる方法を提供する。例文帳に追加

To provide a ferromagnetic alkali chalcogen compound capable of obtaining transparent ferromagnetic property which is completely spin-polarized by using an alkali chalcogen compound transmitting a light, and to provide a method of adjusting the ferromagnetic property thereof. - 特許庁

マイナスの直流バイアスが供給されるときに、カルコゲン化合物ターゲットから構成元素がスパッタされて、反応ガスと結合して基板上にカルコゲン化合物薄膜が形成される。例文帳に追加

At the time when the minus DC bias is fed, constitutive elements are sputtered from the chalcogen compound target and are combined with reactive gas, so as to deposit a chalcogen compound thin film on the substrate. - 特許庁

エッチングガスにＣｌ_２とＡｒを特定の比率で混合したガスを用いて、カルコゲン化合物半導体膜２３を途中までエッチングし、その後、Ａｒのみを用いてカルコゲン化合物半導体膜２３をエッチング処理する。例文帳に追加

A chalcogen compound semiconductor film 23 is half etched with an etching gas mixed with Cl_2 and Ar at a specified mix ratio, and then etched with only Ar. - 特許庁

良好な特性を有するカルコゲン化合物薄膜を形成するスパッタリング蒸着装置およびそれを利用したカルコゲン化合物薄膜形成方法の提供。例文帳に追加

To provide a sputtering deposition apparatus for depositing a chalcogen compound thin film having satisfactory characteristics, and to provide a method for depositing the chalcogen compound thin film employing the same. - 特許庁

活物質としてリチウム遷移金属酸化物を含み、Ｃｄのカルコゲン化物及び／又はＨｇのカルコゲン化物を有することを特徴とするリチウム二次電池用正極材料。例文帳に追加

Lithium transition metal oxide is contained as an active material, and a chalcogenide of Cd and/or a chalcogenide of Hg are contained. - 特許庁

次に、各皮膜について、カルコゲン元素の物質量と化合物半導体に含まれるカルコゲン元素以外の金属元素の物質量との差を示す指標が得られる。例文帳に追加

Then, an index indicating a difference between an amount of substance of the chalcogen element and an amount of substance of the metal element other than the chalcogen element contained in the compound semiconductor is obtained in each of the films. - 特許庁

不活性ガスの蓄積による放電がなく、不純物ドーピング濃度が増加したカルコゲン化合物薄膜を形成することができ、カルコゲン化合物薄膜の比抵抗を増加できる。例文帳に追加

In this way, arcing caused by the accumulation of inert gas is eliminated, thus the chalcogen compound thin film in which impurity doping concentration is increased can be deposited, and the specific resistance of the chalcogen compound thin film can be increased. - 特許庁

相変化デバイスの製造工程において、サイドエッチングを世紀させないカルコゲン元素を含んだカルコゲン化合物半導体膜のプラズマ処理方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of plasma-processing a chalcogen compound semiconductor film containing chalcogen elements that do not cause side etching, in a phase change device manufacturing step. - 特許庁

エッチングガスにＣｌ_２とＡｒを特定の比率で混合したガスを用いて、カルコゲン化合物半導体膜２３を途中までエッチングし、その後、Ａｒのみを用いてカルコゲン化合物半導体膜２３をエッチング処理する。例文帳に追加

A chalcogen compound semiconductor film 23 is half-etched by using an etching gas mixed with Cl_2 and Ar at a specific mix ratio, and then the chalcogen compound semiconductor film 23 is etched using only Ar. - 特許庁

好ましくは、前記Ｉ-Ｂ族金属と前記含カルコゲン元素含有有機化合物とが化学結合しており、前記含カルコゲン元素含有有機化合物と前記ルイス塩基性有機溶剤とが化学結合している。例文帳に追加

Preferably, the group I-B metal is chemically bonded to the chalcogen element-containing organic compound which is chemically bonded to the Lewis base/organic compound. - 特許庁

カルコゲン原子Ａを環構成原子として含む芳香族複素５員環Ａと、該カルコゲン原子Ａとは異なるカルコゲン原子Ｂを環構成原子として含む芳香族複素５員環Ｂとが縮合した部分構造を含む化合物を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子材料。例文帳に追加

The organic electroluminescent element material contains a compound including a partial structure wherein an aromatic complex five-membered ring A containing a chalcogen atom A as a ring constituting atom and an aromatic complex five-membered ring B containing a chalcogen atom B different from the chalcogen atom A as a ring constituting atom are condensed. - 特許庁

金カルコゲン増感され、生成した金カルコゲン増感中心の吸収スペクトルの吸収極大の吸収強度が、金増感剤を用いない他は同様にして生成されたカルコゲン増感中心の吸収スペクトルの吸収極大の吸収強度の５０％以上であることを特徴とするハロゲン化銀写真乳剤。例文帳に追加

The silver halide photographic emulsion has been subjected to gold-chalcogen sensitization and absorption intensity at the absorption maximum of the absorption spectrum of formed gold-chalcogen sensitization centers is ≥50% of that at the absorption maximum of the absorption spectrum of chalcogen sensitization centers formed in the same way with the exception of nonuse of a gold sensitizer. - 特許庁

ポリエチレングリコールリンカーを有するポリスチレン担持有機カルコゲン化合物及びそれから成るポリマー担持型有機反応試剤例文帳に追加

POLYSTYRENE-LOADED ORGANIC CHALCOGEN COMPOUND HAVING POLYETHYLENE GLYCOL LINKER AND POLYMER-LOADED TYPE ORGANIC REAGENT CONSISTING OF THE SAME - 特許庁

金属または金属−カルコゲンナノ粒子の液相合成法およびこれを用いた相変化光記録媒体例文帳に追加

LIQUID-PHASE SYNTHESIS METHOD FOR METAL OR METAL- CHALCOGEN NANOPARTICLE, AND PHASE-CHANGE PHOTORECORDING MEDIUM USING THE NANOPARTICLE - 特許庁

3d遷移金属元素のイオン(但し、TiのイオンおよびCu^+を除く)を含有するカルコゲン化物ガラス発光体。例文帳に追加

The chalcogenide glass illuminant contains ions of 3d transition metal elements (other than ions of Ti and Cu^+). - 特許庁