「パターン欠陥検査装置」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

このパターン欠陥検査装置は、検出画像に隣接する少なくとも検出画像を挟んだ左右上下斜めに隣接する最近接８チップを含んで同一形状のパターンの画像から統計的演算処理により平均参照画像を生成する手段と検出画像を生成された平均参照画像と比較して欠陥を検出する手段とを備える。例文帳に追加

This pattern defect inspection device includes a nearest 8 chips, which are adjacent to the detected image and positioned diagonally in the lateral and vertical directions while putting the detected image between them, and has a means creating an average reference image from images of the same shape patterns by statistical computing and a means detecting the defect by comparing the detected image with the average reference image. - 特許庁

回路パターンが形成された半導体基板を光学条件が格納されたレシピに基づいて検査する外観検査装置において、回路パターンの欠陥をより検出し易くするために、検査時間を削ることなく、レシピに格納された光学条件を更新することが可能なレシピ更新方法およびレシピ更新システムを提供すること。例文帳に追加

To provide a method and system for updating a recipe, capable of updating an optical condition stored in the recipe in order to detect a defect of a circuit pattern more easily without reducing an inspection time in a visual inspection device inspecting a semiconductor substrate including the circuit pattern formed thereon based on the recipe storing the optical condition. - 特許庁

電子線を走査して発生する二次荷電粒子の検出信号に基づいて試料のパターン上の欠陥を検出する電子顕微鏡を用いた検査装置において、ＡＤＣ機能で得られた情報を検査／非検査領域という形で検査機能にフィードバックさせ、検査性能、ＡＤＣ性能の向上を図る機能を備える。例文帳に追加

In the inspection apparatus using an electron microscope which senses the defects present on the pattern of a sample based on the sensed signal of secondary charged particles generated by a scanning electron beam, there is provided such a function that the informations obtained by its ADC function are so fed back to its inspection function in the form of an inspection/non-inspection region as to improve its inspection and ADC performances. - 特許庁

無機物／無機化合物から成る膜またはパターンを、その物質の屈折率，消光係数、および表面反射率が持つ波長依存性に関して好適な波長範囲の光を用いて検査することにより、向上した検出能力をもつ欠陥検査装置を提供する。例文帳に追加

To provide a defect inspection device having an improved detection ability by inspecting a film or a pattern comprising an inorganic substance/inorganic compound by using a light in a wavelength range suitable for wavelength dependency carried by a refractive index, an extinction coefficient and a surface reflectivity of the substance. - 特許庁

ガラス板上に形成された電極パターンの形状欠陥部を少ない測定回数で精度よく検出できる検査装置、検査方法およびこれらを用いた画像表示用パネルの製造方法を提供することを目的としている。例文帳に追加

To provide an inspection device and an inspection method that precisely detect a shape defect part of an electrode pattern formed on a glass plate through a small number of times of measurement, and a method of manufacturing a panel for image display using the same. - 特許庁

半導体装置の同一設計パターンの欠陥、異物、残渣等を電子線により検査する方法において、基板から発生する二次電子または反射電子またはその両方を高効率に高速に検出し、所望のコントラストで半導体ウェハの高精度、高速な検査を行う。例文帳に追加

To conduct high-precision and rapid inspection of a semiconductor in a desired contrast by efficiently and rapidly detecting secondary electrons, reflected electrons or both of them generated from a substrate, in a method for inspecting a defect, a foreign substance, a residue and the like of the same design pattern of a semiconductor device by using an electron beam. - 特許庁

絶縁層基材が有機繊維チョップを主成分とし繊維チョップ同士を結着するバインダ成分に有機繊維パルプを含む電気絶縁用不織布であるプリント配線板を対象とし、光学式自動検査装置によるプリント配線パターン検査時に、欠陥でない箇所を欠陥と認識してしまう誤検出を防止する。例文帳に追加

To provide a printed-wiring board of which insulating substrate is consisted mainly of a nonwoven fabric and contains organic fiber pulp in the binder component bonding fiber chops to each other, wherein misdetection that a nondefective point is recognized as a defective point is prevented in inspection of a printed-wiring pattern with an optical automatic inspection system. - 特許庁

本発明の目的は、レジストパターン形成後やレジスト除去後の回路パターン付ウェハに存在する急峻なパターン段差、反射率分布、光学的透明体に影響を受けることなく、表面状態を高解像度で検出する撮像装置並びにこれを用いた欠陥検査装置を提供することである。例文帳に追加

To provide an image pickup device for detecting the surface condition of a circuit pattern-formed wafer with high resolution and a defect detection apparatus using the same, without being affected by steep pattern steps, reflectance distributions and optically transparent substance which are formed after resist patterns are formed and removed. - 特許庁

本発明は、ステージの位置ズレ補正制御だけに頼ることなく、被検査物を撮影した撮像画像の位置補正や被検査物を撮影するイメージセンサの向きを調整補正する等の対応により、異物やパターン欠陥が高速・高精度に検出でき、コストＵＰが抑制できる検査方法および検査装置を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide an inspecting method and an inspecting apparatus achieving high-speed and high-accuracy detection of foreign substances and pattern defects by position correction of a photographed image of an inspected article and orientation adjustment and correction of an inspected article photographing image sensor in addition to correction and controlling of positional displacement of a stage. - 特許庁

このように構成すれば、ウエハ１上の同一領域に多数の照明光を同時に照射することはないので、多数の照明光の干渉によるノイズが発生させることなく、他の原因によるノイズを除去でき、試料上の微小欠陥を信号にスペックルノイズを発生すること無く、高感度に検出できるパターン欠陥検査装置を実現することができる。例文帳に追加

With this constitution, since the same region on the wafer 1 is not simultaneously irradiated with a large number of illuminating lights, noise due to interference of the large number of illuminating lights is not made while eliminating noise due to other causes, and micro defects on the sample can be detected with high sensitivity without causing speckle noise in signals. - 特許庁

プリント配線板及びその中間製品である内層回路入り銅張積層板の回路パターンの仕上がり精度並びに欠陥検出方法において、被検査物に対して垂直方向の光源と斜め方向の光源を併用して設置することを特徴とする照明装置の設置方法。例文帳に追加

In this method for detecting finish accuracy and defects of a circuit pattern of a printed wiring board and an inner layer circuit-including copper clad laminate of its partly-finished product, this installation method for the lighting system is characterized by installing a light source vertical to an inspection object and a light source oblique to the inspection object in conjunction with each other. - 特許庁

しかも、この階調パターンは、半球状構造体の底面に対応する直径または対角長が２０μｍ以下の領域に、フォトマスクの欠陥検査装置の解像限界より大きい寸法の遮光部３及び透光部３を設けることによって形成する。例文帳に追加

Further, the gradation pattern is formed, by arranging light shielding parts 3 and light-transmitting parts 3 of size larger than the resolution limit of a defect inspecting device for the photomask, in a region which is ≤20 μm in diameter or the diagonal length, corresponding to the bottom surface of the hemispherical structure. - 特許庁

所定のレイアウトパターンで配置された複数の発光素子からなる照射系と、その照射系から照明される照射光を受けた被検査面を撮像する撮像カメラとを備える表面欠陥検査装置において、照射系と撮像系との構成が最も合理的かつシンプルであり、信頼性の高い検査を行うことが可能なものを得る。例文帳に追加

To provide a surface defect inspection device having the most simple and rational constitutions of an irradiation system and an imaging system, and capable of conducting highly reliable inspection, in the surface defect inspection device provided with the irradiation system comprising a plurality of light emitting elements arranged with a prescribed lay-out pattern, and an imaging camera for imaging an inspected face receiving irradiation light emitted from the irradiation system. - 特許庁

画像処理検査部５０は、ウエハの表面において回路のパターンを分割するダイシングラインの画像を裏面撮像装置１３０により撮像されたウエハ裏面画像に合成して合成画像を生成し、この合成画像に基づいて欠陥の位置を各回路パターン位置と対応させて検出する。例文帳に追加

The image processing inspection part 50 composes a composite image by synthesizing an image of dicing line, which divides a circuit pattern at the surface of the wafer, into an image of rear surface of the wafer imaged by the rear surface imaging device 130 and detects the position of the defect based on the composite image with corresponding to the position of each circuit pattern. - 特許庁

荷電粒子線を用いて、半導体製造工程途中の回路パターンを持つウエハ上の欠陥の位置や種類を検査する方法において、回路パターンの異常な帯電を防ぎ、電子線照射領域を均一に、所望の帯電電圧に制御し、半導体装置の信頼性および生産性を高める。例文帳に追加

To enhance reliability and productivity of semiconductor devices by preventing anomalous electrostatic charging of a circuit pattern, and controlling electrostatic charge voltage to a desired value uniformly in an electron-beam irradiation region in a method of inspecting the position and the type of defect on a wafer having a circuit pattern using a charged-particle beam during a semiconductor manufacturing process. - 特許庁

画像欠陥検査装置１０は、検査対象たる２つの画像のサブピクセルずれ量を検出する画像アライメント部２２と、検出したサブピクセルずれ量に基づいて、差分検出部２６により検出されるグレイレベル差の、前記の２つの画像のパターンエッジ部における補正量を決定する補正量決定部２５とを備えることとする。例文帳に追加

This image defect inspection device 10 is equipped with an image alignment part 22 for detecting a sub-pixel offset amount between two images which are objects under inspection, and a correction amount determination part 25 for determining a correction amount for a gray level difference detected by a difference detection part 26 at pattern edge parts of the two images based on the detected offset amount. - 特許庁