「リーク電流制御」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

制御部５内には、リーク電流の検出データを保存する電流保存部６が設けられる。例文帳に追加

Inside the control unit 5 is provided a current preservation unit 6 which preserves leakage current detection data. - 特許庁

メモリセルのリーク電流成分に応じて、最適な電圧制御を行い、リーク電流を大幅に低減する。例文帳に追加

To carry out an optimum voltage control according to the leak current component of a memory cell to largely reduce a leak current. - 特許庁

半導体装置１のリーク電流を検出する検出部１１と、リーク電流が許容範囲から外れる場合、リーク電流を許容範囲内にするように半導体装置の温度を制御する温度制御部１２とを有して、半導体装置１の温度を制御する温度制御装置を構成する。例文帳に追加

The temperature control device which controls the temperature of a semiconductor device 1 consists of a detecting part 11, which detects the leakage current of the semiconductor device 1, and a temperature control part 12 which controls the temperature of the semiconductor device to cause the leakage current to return within the allowable range, when leakage current is off the allowable range. - 特許庁

第１制御線及び第２制御線を制御して、画素間のリーク電流を抑え、製品の信頼度を向上させることができる。例文帳に追加

A first control line and a second control line are controlled to suppress the leak current between pixels, so that reliability of a product can be improved. - 特許庁

外部からのテストベクタに対する制御信号の変化を解析して、リーク電流を見積もる。例文帳に追加

The system estimates the leakage current by analyzing variations in a control signal against an external test vector. - 特許庁

リーク電流が大きいほどプリチャージの解除タイミングが遅くなるように制御する。例文帳に追加

Wherein, it is controlled so that the leak current is larger, then the release timing of precharge becomes later. - 特許庁

同時にSRAM回路では、基板バイアスを制御してリーク電流を低減する。例文帳に追加

At the same time, a leak current is reduced by controlling substrate bias in a SRAM circuit. - 特許庁

高速に動作し、またリーク電流が小さいセンスアンプの制御回路を提供する。例文帳に追加

To provide a sense amplifier control circuit which operates at high speed and whose leak current is small. - 特許庁

ＭＯＳトランジスタのリーク電流の低減を適切に図ることができる基板電位制御回路を得る。例文帳に追加

To provide a board potential control circuit for properly reducing the leak currents of a MOS transistor. - 特許庁

さらに、その実機リーク量に基づいて、駆動電流量の制御ゲインを補正するようにする。例文帳に追加

Furthermore, a control gain of the driving current amount is corrected in accordance with the actual leak amount. - 特許庁

電圧制御発信器（ＶＣＯ）の入力ノードに補償電流を供給して電流リークを実質的に補償し、ひいてはＰＬＬジッタを減ずる。例文帳に追加

A compensation current is supplied to an input node of a voltage-controlled oscillator (VCO) to substantially compensate current leak, and accordingly, reduce PLL jitter. - 特許庁

電流モード論理回路を構成するトランジスタのバルクバイアスを制御することで、リーク電流を制御でき、応用によってリーク電流よりも高速動作が必要な場合にバルクバイアスを制御して高速動作を可能にする。例文帳に追加

To control leak current by controlling bulk bias of a transistor constituting a current mode logic circuit and to perform a high-speed operation by controlling the bulk bias when the high-speed operation is required more than the leak current by application. - 特許庁

電圧制御部３３は、電流検出部３１により検出されたリーク電流値に基づき、このリーク電流値を減少させる電圧を搬送部材に印加させる指示を電圧印加部３２に出力する。例文帳に追加

A voltage control parts 33 instructs a voltage impressing part 32 to apply a voltage to reduce the leak current value on the conveying member based on the leak current value detected by the current detecting part 31. - 特許庁

ＯＥＬ１３に電流を流す駆動用トランジスタ１１の制御電極の電位保持動作を制御する制御用トランジスタ４のリーク電流を、電位源６０３の出力電位を調整することで低減する例文帳に追加

A leakage current of a controlling transistor 4 which controls the potential sustaining operation of a control electrode of a driving transistor 11 for supplying a current to an OEL 13 is reduced by adjusting the output potential of a potential source 603. - 特許庁

副チャージポンプのリークによる出力Ｖｂの変動は、差動増幅器のフィードバック制御で打ち消すよう前記電流源を制御する結果、主チャージポンプにも同じ電流が供給され、特性が同じ主チャージポンプのリーク電流が相殺される。例文帳に追加

The current sources are so controlled to cancel variation in output Vb due to a leak of the subordinate charge pump through feedback control over the differential amplifier, and then the same current is supplied to the main charge pump as well to cancel a leak current of the main charge pump having the same characteristics. - 特許庁

キャッシュメモリ１では、ＬＲＵビットレジスタ５２に格納された参照履歴を参照して、リーク電流制御回路７１がウェイ２０の、リーク電流制御回路７２がウェイ２５のそれぞれを構成するＭＯＳトランジスタの閾値電圧を制御する。例文帳に追加

The cache memory 1 refers to reference history stored on an LRU (Least Recently Used) bit register 52 and controls the threshold voltage of a MOS transistor in which a leakage current control circuit 71 configures a way 20 and a leakage current control circuit 72 configures a way 25, respectively. - 特許庁

主スイッチング素子１０１がオン状態にあり、素子温度が上昇した場合にダイオード１０２を流れる逆方向のリーク電流の増加を検知して、リーク電流により制御スイッチング素子１０４をオン状態とする。例文帳に追加

When the main switching element 101 is on state and the element temperature rises, the increase in leakage current, which flows the diode 102 in the reverse direction, is detected and the controlling switching device 104 is made on state by the leakage current. - 特許庁

すなわち、紙幅が狭くて電流のリークが発生し易い場合や、転写ローラの抵抗値が低くて電流のリークが発生し易い場合には、転写ローラによる用紙の搬送速度を遅く制御する。例文帳に追加

That is, it is controlled to speed down a carrying speed of the paper by the transfer roller, when it is likely for a current leakage to be generated because the paper width is narrow or because the resistor value of the transfer roller is low. - 特許庁

ショットキーゲート電極で制御する半導体装置において、ゲートリーク電流を低減することができる半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device which is controlled by a Schottky gate electrode capable of decreasing a gate leakage current. - 特許庁

オフリーク電流の温度特性が互いに異なる複数の回路ブロックに対して電源制御を行うことにより、消費電力を低減する。例文帳に追加

To reduce power consumption by performing power control to a plurality of circuit blocks having mutually different temperature characteristics of an off-leak current. - 特許庁

トランジスタの動作時に半導体基板から制御ゲート電極に抜けるリーク電流を低減して閾値のばらつきを低減させる例文帳に追加

To reduce variation in threshold by reducing a leak current flowing from a semiconductor substrate to a control gate electrode during operation of a transistor. - 特許庁

駆動用半導体素子のリーク電流測定を正確に行うことを可能とする半導体素子制御装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor element control device which can perform accurately the leakage current measurement of a semiconductor element for driving. - 特許庁

電荷蓄積層および制御ゲート電極層間に設けられる第２のゲート絶縁膜を通じて流れるリーク電流を抑制できるようにする。例文帳に追加

To reduce a leak current flowing through a second gate insulating film provided between a charge storage layer and a control gate electrode layer. - 特許庁

電荷蓄積層および制御ゲート電極層間に設けられる絶縁膜を通じて流れるリーク電流を抑制できるようにする。例文帳に追加

To suppress leakage current running through an insulating film prepared between a charge storage layer and a control gate electrode layer. - 特許庁

ＭＯＳトランジスタの基板電位またはソース電位を制御し、半導体集積回路の高速化を維持しつつリーク電流を低減する。例文帳に追加

To reduce a leak current controlling the substrate potential or source potential of a MOS transistor, and keeping the high speed of a semiconductor integrated circuit. - 特許庁

上記トランジスタの基板バイアス電位を制御することにより高速にイコライズし、かつ、待機時及び活性化時のリーク電流増加を防ぐ。例文帳に追加

The equalization is performed at high speed by controlling the substrate bias potential of the transistor, and the increases of leak current when waiting and when activation are prevented. - 特許庁

チャネル領域内のキャリア制御性が優れると共にリーク電流が少ない半導体素子及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor element which has an excellent carrier controllability in a channel region and has less leakage current, and also a method for manufacturing the semiconductor element. - 特許庁

近接効果を低減してカップリング係数を増大し、かつ制御ゲート電極−基板間のリーク電流を低減する。例文帳に追加

To so reduce the proximity effect as to increase a coupling factor, and reduce the leaking current generated between a controlling gate electrode and a substrate. - 特許庁

スタンバイモードでのリーク電流の制御を安定して行なうことができる半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device which stably performs control of leak current in a standby mode. - 特許庁

キャリアのライフタイム制御機能を実現しながらリーク電流を低減することができる半導体装置とその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device whose leak current can be reduced while actualizing a life-time control function for a carrier, and a method of manufacturing the same. - 特許庁

リーク電流を低減し一定電圧を長時間にわたって保持することのできる電圧制御回路を提供する。例文帳に追加

To provide a voltage control circuit which holds a predetermined voltage over a long time by reducing a leak current. - 特許庁

ロウ制御回路１２は、フォーミング動作時に、ワード線ＷＬに流れるリーク電流Ｉｌｅａｋを検知する検知回路１２１を備える。例文帳に追加

The row control circuit 12 comprises a detection circuit 121 for detecting a leak current Ileak flowing through the word line WL in the forming operation. - 特許庁

ＬＰＦで発生するリーク電流によるＶＣＯ制御電圧の電位の変動を補償することのできるＰＬＬを提供する。例文帳に追加

To provide a PLL (phase-locked loop) which can compensate for the variations in the potential of VCO (voltage-controlled oscillator) control voltage by a leak current which occurs in a LPF (low-pass filter). - 特許庁

回路面積を小さく抑えたまま簡単な制御でオフリーク電流を小さく抑えることができるメモリを提供する。例文帳に追加

To provide a memory capable of suppressing an off-leak current small with simple control while suppressing a circuit area small. - 特許庁

インバータとランプ間のリーク電流を確実に検出するランプ制御装置および画像読取装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a lamp control device and a picture reading device which surely detect the leak current between an inverter and a lamp. - 特許庁

SRAMメモリセルMC内の駆動MOSトランジスタのソース線sslの電位を制御することでメモリセル内のMOSトランジスタのリーク電流を低減する。例文帳に追加

Leakage current of a MOS transistor in a memory cell is reduced by controlling the potential of a source line ssl of a driving MOS transistor in an SRAM memory cell MC. - 特許庁

ビット線にリーク電流があっても誤動作が生じにくい半導体記憶装置及びその制御方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor memory device hardly causing malfunction even when there is a leak current in a bit line, and to provide a timing control method thereof. - 特許庁

SRAMメモリセルMC内の駆動MOSトランジスタのソース線sslの電位を制御することでメモリセル内のMOSトランジスタのリーク電流を低減する。例文帳に追加

The potential of a source line ssl of a driving MOS transistor in an SRAM memory cell MC is controlled so as to reduce the leakage current of MOS transistors in a memory cell. - 特許庁

リーク電流による誤動作を防止することができ、発電制御装置の種類を減らすとともに小型化が可能な交流発電機を提供すること。例文帳に追加

To provide an alternator capable of preventing malfunction due to leak current, and providing reduction in types of power generation control devices and reduction in size. - 特許庁

これにより、スタンバイ時の電源制御部３８，３９のＭＯＳトランジスタのリーク電流を大幅に低減する。例文帳に追加

Thus, the leak currents of the MOS transistors in the power control parts 38 and 39 during standby are remarkably reduced. - 特許庁

回路構成及び制御を複雑化することなく光リーク電流を抑制することができるディスプレイ装置等を提供する。例文帳に追加

To provide a display device, etc. capable of suppressing light leakage current without complicating circuit composition and control. - 特許庁

シリコン基板にリーク電流密度の低い高品質の極薄二酸化シリコン膜を膜厚の制御性よく低温で形成する。例文帳に追加

To provide a method for forming an extremely thin silicon oxide film of low leak current density and high quality on a silicon substrate at a low temperature with highly controllablity of film thickness. - 特許庁

SRAMメモリセルMC内の駆動MOSトランジスタのソース線sslの電位を制御することでメモリセル内のMOSトランジスタのリーク電流を低減する。例文帳に追加

The leak current of a MOS transistor in a memory cell is reduced by controlling the potential of a source line ssl of a driving MOS transistor within a SRAM memory cell MC. - 特許庁

面積が小さくかつリーク電流が少なくてプロセス制御性のよい半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which is small in area, small in leakage current and good in process controllability. - 特許庁

第１のメモリと、この第１のメモリよりも容量の小さい第２のメモリと、リーク電流制御回路とを具える。例文帳に追加

The cache memory is provided with a first memory, a second memory of a smaller capacity as compared with the first memory, and a leak current control circuit. - 特許庁