「半乾式法」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

三層構造の木質セメント板を乾式法あるいは半乾式法で製造するにあたり、表裏層用の原料混合物には芯層用原料混合物よりも多く硬化促進剤を添加し、圧縮加熱硬化工程における表裏層と芯層との硬化を均一にする。例文帳に追加

This trilaminar woody cement board is manufactured by a dry or semidry process by adding a larger amount of an accelerator to a raw material mixture for the front and rear layers than the amount of the accelerator to be added to the raw material mixture for the core layer and hardening uniformly the front and rear layers and the core layer at a compressively heating/hardening step. - 特許庁

プラスチックフイルムからなる基材の上に、乾式製膜法によって形成した透過率が３〜５０％で、反射率が５０〜９７％の範囲にある半透過性で半反射性の無機薄膜層を設けた半透過半反射拡散フイルム。例文帳に追加

A translucent semi-reflective inorganic thin film layer having 3-50% transmittance and 50-97% reflectance is formed by a dry film forming method on a substrate comprising a plastic film to obtain the objective translucent semi-reflective diffusion film. - 特許庁

乾式法により、半田ペースト金属粉中より5μｍ未満の微細粒を取り除き、従来は破棄されていた有用な5〜25μｍの微細粉を分級・回収・利用できるファインピッチ用半田粉末の製造方法。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of solder powder for fine pitch capable of classifying, recovering and utilizing useful fine powder of 5-25 μm in size which has conventionally been disposed by removing fine powder of less than 5 μm from a solder paste metallic powder by a dry method. - 特許庁

水素吸蔵合金粉末を乾式造粒法または半乾式造粒法または湿式造粒法を用いて造粒し造粒粉を作製した後、成形加工してなる集電支持体を含有しない水素吸蔵合金成形体にバインダー溶液を含浸させた後、乾燥により溶媒を取り除き、成形体内部にバインダーを含有させることを特徴とする水素吸蔵合金成形体の製造方法を提供する。例文帳に追加

Hydrogen occlusion alloy powder is granulated by dry granulation method, semi-dry granulation method, or wet granulation method, and afterwards, a binder solvent is impregnated in the hydrogen occlusion alloy molded body formed by molding which does not contain a current collecting supporting body, and afterwards, the solvent is removed by drying, and the binder is deposited in the molded body. - 特許庁

酸化剤としてオゾンガスを用いるとともに、製造方法を半乾式とすることにより、廃液の発生を極力少なくすることができる除マンガン濾材の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing demanganese filter media by which generation of waste water is suppressed by using ozone gas as an oxidizing agent and applying a semi-wetting type manufacturing method. - 特許庁

半導体製造工場の排ガスなどに含まれる過弗化物（ＰＦＣ）を無害化処理するときに連続的かつ大量に発生するＨＦ含有ガスから乾式法でＨＦを除去して無害化するための方法と装置を得る。例文帳に追加

To obtain a method and an apparatus for removing HF by a dry process from an HF-containing gas generated continuously and in high volume, and for rendering it harmless, in rendering perfluorocarbon (PFC) contained in an exhaust gas or the like from a semiconductor manufacturing facility harmless. - 特許庁

光散乱加工されたプラスチックフイルムからなる基材の上に、乾式製膜法によって形成した透過率が３〜５０％で、反射率が５０〜９７％の範囲にある半透過性で半反射性の無機薄膜層を設けた半透過半反射拡散性フイルム。例文帳に追加

A translucent semi-reflective inorganic thin film layer having 3-50% transmittance and 50-97% reflectance is formed by a dry film forming method on a substrate comprising a plastic film provided with light scattering property to obtain the objective translucent semi-reflective diffusible film. - 特許庁

塩化水素や硫黄酸化物の酸性ガスを含む燃焼排ガスに消石灰を添加して集塵する燃焼排ガスの乾式又は半乾式処理法において、消石灰の必要添加量を低減して、飛灰の重金属固定化処理における薬剤添加量及び飛灰発生量を低減すると共に、最終処分場におけるスケール障害を防止する。例文帳に追加

To reduce the addition of chemical and the generation of fly ash at heavy metal fixing treatment of the fly ash and also to prevent a scale trouble at a final disposal plant by reducing a required addition of slaked lime in a dry type or a semidry type treating method of the waste combustion gas in which the slaked lime is added to the combustion gas containing the acid gas such as hydrogen chloride and sulfur oxides to collect dust. - 特許庁

半導体や液晶製造工場から排出されるＰＦＣを分解したとき等に生成するＨＦ及びＳＯｘ含有排ガスを、乾式法により無害化処理する。例文帳に追加

To make exhaust gas containing HF and SOx harmless by a dry process, the exhaust gas being formed when decomposing PFC (Perfluoro Compound) discharged from a factory for manufacturing semiconductors or liquid crystals. - 特許庁

本発明は、コーティングされたウエーハ（半導体円板）の表面の縁に近い定義された区間を乾式エッチングする装置及び方法に関する。例文帳に追加

The present invention relates to removal of coatings from the predetermined sections near the edges of at least one of the surfaces of a wafer or a semiconducto disk, by a dry etching. - 特許庁

施工性が良好で、吹付後の脱落がなく、高強度で耐火性能に優れた被覆層が得られる半乾式ロックウール吹付工法の提供。例文帳に追加

To provide a half-dry type rockwool spray method excellent in workability, in which a coating layer does not drop out after spraying and can obtain the coating layer high in strength and excellent in a fireproof performance. - 特許庁

このような半導体装置のトレンチ隔離形成方法は、トレンチ形成用マスクとトレンチライナ１１０間のエッチング率の差が起こらない乾式エッチングをすることにより、ライナくぼみを防止できる。例文帳に追加

In a semiconductor device trench isolation forming method as mentioned above, a dry etching where an etching rate difference between a trench forming mask and the trench liner 110 does not occur is carried out, whereby a liner recess can be prevented. - 特許庁

半導体や液晶製造工場から排出されるＰＦＣを分解したとき等に生成するＨＦ及びＳＯｘ含有排ガスを、乾式法により無害化処理する。例文帳に追加

To detoxify, in a dry state, exhaust gas which contains HF and SOx and is generated when PFC (a perfluoro compound) which is discharged from a factory for manufacturing semiconductors or liquid crystals is decomposed. - 特許庁

このような半導体装置の製造方法により、コンタクトプラグ表面のコンタクト抵抗の増加要因として作用する損傷層を乾式エッチングで除去することにより、コンタクト抵抗を改善させ得る。例文帳に追加

In this way in a manufacturing method for a semiconductor device, the damaged layer 37b as a factor for increasing contact resistance on a surface of the contact plug 37a can be removed in the dry etching step, and the contact resistance can be improved. - 特許庁

接着固定の信頼性を高めつつ、材料使用量を減らしてコストダウンし、美観に優れ、建物外壁の下地精度に影響受けない半乾式接着タイル張り工法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a semi-dry adhesion tiling method reducing cost by reducing the amount of material used while enhancing reliability in adhesion fixing, excelling in appearance and uninfluenced by the backing accuracy of an external wall of a building. - 特許庁

基板とゲート電極とゲート絶縁膜とソース及びドレイン電極と半導体薄膜とを含む酸化物薄膜トランジスタの製造方法において、ゲート絶縁膜又は半導体薄膜は、特定エッチングガスを使用するヘリコンプラズマ乾式工程を通じてパターン化されるステップを含んでいる。例文帳に追加

The method for preparing the oxide thin film transistor having a substrate, a gate electrode, a gate insulating film, a source electrode, a drain electrode, and a semiconductor thin film includes a step for patterning the gate insulating film or the semiconductor thin film through the helicon plasma dry etching process. - 特許庁

ウエーハの少なくとも１つの表面において縁側の定義された区間からそのコーティングを乾式エッチング方法において取り除き、したがって例えば半導体円板において少なくとも１つの表面において定義された幅の縁側のリング範囲をエッチング除去する可能性を提供する。例文帳に追加

To provide a device which has coatings removed from the predetermined edges of at least one of the surfaces of a wafer by a dry etching, which may realize the removal of coatings by etching circular sections in the predetemined width of the wafer ends, such as for semiconductor disks. - 特許庁

液体現像システムを使用する第１画像形成装置１１で用紙に画像を形成し、ついで得られた前記画像の少なくとも一部を含む領域に第２画像形成装置１２で透明ないし半透明の乾式トナーを印字して光沢を付与する画像形成方法である。例文帳に追加

In the image forming method, an image is formed on the paper by a first image forming device 11 using a liquid developing system, and transparent or semitransparent dry toner is printed in a region containing at least a part of the obtained image by a second image forming device 12 to provide glossiness. - 特許庁

セメントと補強繊維を主成分とする抄造シート１上に、セメントと補強繊維を主成分とする半乾式のセメント成形材料からなる表層材２を散布した無機質系生板１０を、成形金型４、５内に載置して加圧成形する製造方法。例文帳に追加

In the manufacturing method, the surface layer material 2 of a semi-dry type cement molding material constituted mainly of cement and reinforcing fibers is scattered on a manufactured sheet 1 constituted mainly of the cement and the reinforcing fibers, and an inorganic green sheet 10 thus obtained is placed in molding tools 4 and 5 and press-molded. - 特許庁

本発明の半導体乾式エッチング工程でエッチング終了点の検出方法は、工程チェンバー内に投入された半導体基板上にプラズマエッチング工程を進行する過程で発生された光をエッチング時間によるスペクトル分析で、半導体基板上及びその基板上の多層膜の中で選択された膜上からエッチング終了点を探すものである。例文帳に追加

The detection method of the etching end point in the dry semiconductor etching step is to search for the etching end point from the surfaces of a semiconductor substrate and of a film selected from among multilayer films on the substrate, while spectrally analyzing the beam, in terms of etching time, which is emitted in the course of a plasma etching step onto the semiconductor substrate introduced into the processing chamber. - 特許庁

半乾式接着タイル張り工法において、建物外壁表面に所定間隔で固定されたアンカーにより機械的固定部材を設置した後、所定間隔で平行に有機系接着剤をビード打ちし、該有機系接着剤によりタイルと機械的固定部材を接着し、前記機械的固定部材がタイル表面側に露出することなくタイルを張り付けることを特徴とする。例文帳に追加

The semi-dry adhesion tiling method comprises installing mechanical fixing members by anchors fixed to the external wall surface of the building at predetermined spaces, and then beading an organic adhesive parallel at predetermined spaces to bond the tiles to the mechanical fixing members with the organic adhesive, thus tiling without exposing the mechanical fixing members on the tile surface side. - 特許庁

乾式エッチング方法は、被エッチング膜質上にフォトレジストパターンが形成された半導体基板を反応器内に配置する段階と、反応器内にＣＯガスを供給してフォトレジストパターンの上部にポリマーを選択的に蒸着してポリマー層を形成する段階と、フォトレジストパターン及びポリマー層をマスクとして被エッチング膜質をエッチングする段階と、を含む。例文帳に追加

The dry etching process comprises a step of disposing a semiconductor substrate where the photoresist pattern is formed on an etched membranous object in a reactor, a step of selectively depositing polymer on an upper section of the photoresist pattern by supplying the CO gas into the reactor to form a polymer layer, and a step of etching the etched membranous object with the photoresist pattern and polymer layer as the masks. - 特許庁

本発明は、トレンチの底面に流動性の第１の絶縁膜を満たし、第２の絶縁膜を形成した後に乾式エッチング工程及び湿式エッチング工程を行ってトレンチの上部の幅を広げながら第２の絶縁膜に含まれるフッ素(Ｆ；fluorine；フローリン)の量を減少させることができる半導体メモリ素子の素子分離膜形成方法を提供することを可能にすることを目的としている。例文帳に追加

To provide a method of forming an element isolation layer of a semiconductor memory device, capable of filling a fluid first insulating film on the bottom surface of a trench, forming a second insulating film, then performing a dry etching process and a wet etching process and reducing the amount of fluorine (F) included in the second insulating film while expanding the top width of the trench. - 特許庁

このような半導体メモリ装置及びその製造方法は、ストレージ電極用導電膜を薄く形成し、エッチングがよくできる障壁膜を静電容量確保のため導電膜より相対的に厚く形成することによりストレージ電極形成のための乾式エッチング時遷移金属のストレージ電極の側面蒸着が最小化でき、ストレージ電極間のブリッジが防止できる。例文帳に追加

The second conductive film 114 is formed of barium, strontium or the like relatively thinner than the first conductive film 110, that is, in the thickness of 100-1000 Å. - 特許庁

半乾式の排ガス脱硫／脱塩方法は、有害ガス成分を含む排ガスを反応塔２下部から上方に向かって上昇流で通過させ、反応塔２下部に循環灰を導入するとともに、反応塔２下部に石灰スラリーを噴霧し、循環灰に石灰スラリーを付着させ、排ガスが反応塔２内を上昇する間に、排ガス中の亜硫酸ガス／塩化水素ガスと石灰との接触により、亜硫酸カルシウム／硫酸カルシウムまたは塩化カルシウムを生成するにあたり、石灰スラリーの噴霧用媒体として水蒸気を使用する。例文帳に追加

Steam is used as the spray medium of the lime slurry. - 特許庁