「原薄」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

ＣＶＤ用原料化合物及びルテニウム又はルテニウム化合物薄膜の化学気相蒸着方法例文帳に追加

RAW MATERIAL COMPOUND FOR CVD, AND METHOD FOR CHEMICAL VAPOR-PHASE DEPOSITION OF THIN FILM OF RUTHENIUM OR RUTHENIUM COMPOUND - 特許庁

この変更と希薄燃焼とを組み合わせると、特に乗用車の用途で必要な低トルク出力において効率の高い原動機が得られる。例文帳に追加

This, in combination with lean burning, results in a highly efficient prime mover particularly at the low torque outputs needed in passenger car applications. - 特許庁

シリカ原料、界面活性剤、触媒、水、溶媒およびイオン補足剤を含む組成物をろ過する薄膜製造用塗布液の製造方法。例文帳に追加

In the method for producing the coating liquid, a composition containing crude silica, the surfactant, the catalyst, water, the solvent and an ion capturing agent is filtered. - 特許庁

酸化膜４は金属原子に還元され、半導体基板２の表面に単結晶金属酸化物薄膜６が成膜される。例文帳に追加

Then, the oxide film 4 is reduced by the metal atoms, and thereby the single crystal metal oxide thin film 6 is formed on the surface of the semiconductor substrate 2. - 特許庁

成長温度およびガス原料の流量を制御し、平坦なエピタキシャル薄膜を選択的に形成する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for selectively forming a flat epitaxial thin film by controlling a growth temperature and the flowrate of a gas raw material. - 特許庁

有機ジルコニウム複合物及びその合成方法並びにこれを含む溶液原料、チタン酸ジルコン酸鉛薄膜の成膜方法例文帳に追加

ORGANOZIRCONIUM COMPOSITE AND METHOD FOR SYNTHESIZING THE SAME, RAW MATERIAL SOLUTION CONTAINING THE SAME, AND METHOD FOR FORMING LEAD ZIRCONATE TITANATE THIN FILM - 特許庁

有機バナジウム化合物及び該化合物を含む溶液原料並びにバナジウム含有薄膜の形成方法例文帳に追加

ORGANOVANADIUM COMPOUND, SOLUTION RAW MATERIAL CONTAINING THE COMPOUND AND METHOD FOR FORMING VANADIUM-CONTAINING THIN FILM - 特許庁

この原料溶液を基板に塗布した後、焼成するペロブスカイト型又はＢｉ層状ペロブスカイト型酸化物薄膜の形成方法。例文帳に追加

In the method for the formation of the perovskite type or Bi sheet perovskite oxide thin film, the source solution is applied to a substrate and then baked. - 特許庁

ヘキサクロロジシランおよびアンモニアを用いた原子層蒸着によるシリコン含有固体薄膜の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON-CONTAINING SOLID THIN FILM BY ATOMIC LAYER DEPOSITION BY USING HEXACHLORODISILANE AND AMMONIA - 特許庁

タンタル錯体及び該錯体を含む有機金属化学蒸着法用溶液原料並びにこれを用いて作製されたタンタル含有薄膜例文帳に追加

TANTALUM COMPLEX AND SOLUTION RAW MATERIAL CONTAINING THE COMPLEX AND USED FOR ORGANIC METAL CHEMICAL VAPOR DEPOSITION METHOD AND TANTALUM-CONTAINING THIN FILM FORMED FROM THE SAME - 特許庁

炭素繊維束１１，１２，１３，…は、複数の炭素繊維の原糸に、幅方向に薄く拡げる開繊処理を施して形成する。例文帳に追加

Each of the carbon fiber bundles 11, 12, 13, etc. is formed by applying opening treatment, which thinly expand the carbon fibers in a lateral direction, to raw yarn composed of a plurality of the carbon fibers. - 特許庁

水素分離膜の原料樹脂の溶液を一のガラス基板１ａ上に流延して薄膜２ａを形成する。例文帳に追加

A solution of the source material resin for the hydrogen separation film is cast onto a first glass substrate 1a to form a thin film 2a. - 特許庁

タンタル錯体を含む有機金属化学蒸着法用溶液原料及びそれを用いて作製されたタンタル含有薄膜例文帳に追加

SOLUTION RAW MATERIAL FOR ORGANOMETALLIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION METHOD CONTAINING TANTALUM COMPLEX AND TANTALUM-CONTAINING THIN FILM PRODUCED BY USING THE SAME - 特許庁

タンタル化合物とその製造方法、及びそれを原料とするタンタル含有薄膜とその形成方法例文帳に追加

TANTALUM COMPOUND, ITS PRODUCTION METHOD, AND TANTALUM-CONTAINING THIN FILM USING THE SAME COMPOUND AS RAW MATERIAL AND ITS FORMING METHOD - 特許庁

チタン錯体を含む有機金属化学蒸着法用溶液原料及びそれを用いて作製されたチタン含有薄膜例文帳に追加

TITANIUM COMPLEX-CONTAINING SOLUTION RAW MATERIAL FOR ORGANOMETALLIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION METHOD AND TITANIUM-CONTAINING THIN FILM PRODUCED BY USING THE SAME - 特許庁

ここで、ダイヤモンド薄膜２４０の水素含有量を原子比で１％以上５％以下に調整する。例文帳に追加

The hydrogen content of the diamond thin film 240 is controlled to ≥1% and ≤5% by the atomic ratio. - 特許庁

含水率を３０〜８０％有するヒドロゲルを出発原料とし、表面に酸化チタン薄膜で多孔質を被覆することを特徴とする。例文帳に追加

A hydrogel with a water content of 30-80% is used as a starting raw material and a porous titanium oxide membrane is applied to the surface of the hydrogel. - 特許庁

実施形態のスパッタリング用ターゲットは、薄膜形成に用いられるターゲット原子を含んで構成されている。例文帳に追加

The sputtering target is configured to include target atoms used for thin film deposition. - 特許庁

この軟磁性薄帯を製造するに際しては、これを構成するリン（Ｐ）の原料として、燐化鉄（Ｆｅ_３Ｐ）が用いられる。例文帳に追加

In the manufacturing of the soft magnetic thin band, iron phosphide (Fe_3P) is used as a raw material of phosphorus (P) composing the soft magnetic thin band. - 特許庁

銅（ＩＩ）のβ−ジケトネート錯体を含む有機金属化学蒸着法用溶液原料及びそれを用いて作製された銅薄膜例文帳に追加

SOLUTION MATERIAL FOR METAL-ORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION CONTAINING β-DIKETONATE COMPLEX OF COPPER (II) AND COPPER THIN FILM FORMED USING THE SAME - 特許庁

銅錯体、銅（ＩＩ）のβ−ジケトネート錯体を含む有機金属化学蒸着法用溶液原料及びそれを用いて作製された銅薄膜例文帳に追加

COPPER COMPLEX, SOLUTION RAW MATERIAL FOR METAL ORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION COMPRISING β-DIKETONATE COMPLEX OF COPPER (II) AND COPPER THIN FILM PREPARED BY USING THE SAME - 特許庁

本発明は、基材上に、光触媒含有層と、撥水性薄膜層と、をこの順に積層した平版印刷原版である。例文帳に追加

In the lithographic printing original plate, a photocatalyst-containing layer and a water repellent thin film layer overlie in turn the base material. - 特許庁

肉厚の薄い部位を有する成形体を効率的に製造するために、原料の供給が容易な射出成形用金型装置の提供。例文帳に追加

To provide a die apparatus for injection molding which facilitates the supply of a raw material for efficiently producing a molded part having a thin part. - 特許庁

４００℃〜６００℃の作動温度においても、原子の透過性を向上させることができる金属薄膜を提供する。例文帳に追加

To provide a metal thin film improved in atom permeability even at working temperatures of 400-600°C. - 特許庁

上記アルミニウム系薄膜は、Ｔａおよび／またはＮｄを０．５〜５原子％の範囲内で含有することが好ましい。例文帳に追加

The aluminum-based thin film preferably contains Ta and/or Nd in the range of 0.5-5 atom%. - 特許庁

この樹脂組成物よりなる薄層の上に、珪素原子を含有する無機系コート層が積層されていてもよい。例文帳に追加

An inorganic coating layer containing a silicon atom may overlie the thin layer made of this resin composition. - 特許庁

従来よりも原子レベルで平坦な表面を有する窒化物半導体薄膜及びその成長方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a nitride semiconductor thin film having a flatter surface than conventional one at an atomic level, and to provide a growth method of the nitride semiconductor thin film. - 特許庁

第１の層１８を形成するときには、組成比率を変化させながら誘電体原料を導電性薄膜１４上に供給する。例文帳に追加

When the first layer 18 is formed, ferroelectrics material is supplied onto the conductive thin film 14 while changing a composition ratio. - 特許庁

多層薄膜厚の形状及び屈折率分布を反射光度計の原理を利用して測定する非接触、非破壊性測定装置を提供する。例文帳に追加

To provide a noncontact and non-destructive measurement device measuring the profile and refractive index distribution of multilayer thin film thickness using the principle of reflective light meter. - 特許庁

ＣＶＤ原料用の有機化合物及び該有機化合物を用いた金属又は金属化合物薄膜の製造方法例文帳に追加

ORGANIC COMPOUND FOR CVD RAW MATERIAL, AND METHOD FOR PRODUCING THIN FILM OF METAL OR METAL COMPOUND BY USING THE ORGANIC COMPOUND - 特許庁

安定性に優れ、薄膜製造用原料として有用なシロキサン化合物含有組成物を提供すること。例文帳に追加

To obtain a siloxane compound-containing composition that has excellent stability and is useful as a raw material for producing a thin film. - 特許庁

シリコンウェーハ中に存在する原子空孔の定量評価装置、その方法、シリコンウェーハの製造方法、及び薄膜振動子例文帳に追加

QUANTITATIVE EVALUATION DEVICE AND METHOD FOR ATOMIC VACANCY EXISTING IN SILICON WAFER, SILICON WAFER MANUFACTURING METHOD, AND THIN-FILM OSCILLATOR - 特許庁

これにより、表面吸着力の弱い原料ガスであっても、スパッタ装置を用いることなく薄膜を堆積させることができる。例文帳に追加

Thus, the thin film can be deposited without using a sputtering system even in the case of the gaseous starting material having weak surface adsorption power. - 特許庁

炭素系の中間極薄膜の厚さは炭素原子数で１E１７／ｍ^２以上、１Ｅ２２／ｍ^２以下であることが好ましい。例文帳に追加

It is preferable that the thickness of the carbon-based intermediate extremely thin film is 1E17-1E22/m^2 expressed in terms of the number of carbon atom. - 特許庁

Ｍが、混合原子価を示す少なくとも１種の遷移金属元素を含む元素である前記の薄片状化合物。例文帳に追加

This is the flaky compound in which M is an element containing at least one kind of transition metal element showing a mixed atomic valency. - 特許庁

原基板２は、絶縁性基板２２に金属薄膜で形成された配線パターン２１が設けられた電子部品実装基板である。例文帳に追加

The electronic component mounting substrate includes a native substrate 2 in which a wiring pattern 21 formed of a metal thin film is provided on an insulating substrate 22. - 特許庁

ＷＦ_６とＳｉＨ_４との反応により、空孔３３の内壁にはＷ原子からなる極薄膜３５が形成される。例文帳に追加

By the reaction of the WF_6 with the SiH_4, an extremely thin film 35 composed of W atoms is formed on the inner wall of the vacancy 33. - 特許庁

複数の容器１は、基板６の表面に形成する薄膜の原料である蒸着材料を収容する。例文帳に追加

Multiple containers 1 house the vapor deposition material which is a raw material of the thin film to be formed on the substrate 6. - 特許庁

溶液塗布法におけるチタン酸ジルコン酸鉛薄膜の成膜において、原料溶液の１回塗布で１００ｎｍ以上の厚みを得ること。例文帳に追加

To provide a process of preparing a thin film of lead titanate zirconate by solution coating method capable of obtaining thickness of 100 nm or more in one coating of the raw material solution. - 特許庁

銅原料液は、半導体ウエハＷ上に銅薄膜を形成するためのＭＯＣＶＤ処理方法において使用される。例文帳に追加

The copper raw material solution is used in the MOCVD treatment method for depositing a copper thin film on a semiconductor wafer W. - 特許庁

アルミニューム薄板６をプレス成形して、リチュームイオン二次電池１の外装となる原形の半割ケースカバーを製造する。例文帳に追加

An aluminum thin plate 6 is press-molded into a half case cover, which is an original form of an outer covering of the lithium ion secondary battery 1. - 特許庁

アルコールを用いた化学気相蒸着法または原子層蒸着法による金属酸化物薄膜の製造方法例文帳に追加

PROCESS FOR PRODUCING THIN FILM OF METAL OXIDE BY CHEMICAL VAPOR DEPOSITION USING ALCOHOL OR ATOMIC LAYER DEPOSITION - 特許庁

プラズマＡＬＤ法を用いた場合により高密度の薄膜を形成することができる原子層堆積装置を提供する。例文帳に追加

To provide an atomic layer deposition apparatus which can form a thin film having higher density by using a plasma ALD method. - 特許庁

複合ペロブスカイト酸化物（例えばＡ３＋２Ｂ＋Ｂ５＋Ｏ６，Ａ２＋２Ｂ３＋Ｂ５＋Ｏ６，Ａ２＋３Ｂ２＋Ｂ５＋２Ｏ９等）の薄膜の原料とその成長法例文帳に追加

RAW MATERIAL FOR THIN FILM OF PEROVSKITE-TYPE COMPLEX OXIDE (SUCH AS A3+2B+B5+O6, A2+2B3+B5+O6 AND A2+3B2+B5+2O 9), AND METHOD FOR GROWING THE OXIDE - 特許庁

また、挿入部材４１１の伸延部４１２を、その原稿束厚さ方向の厚みが先端に向かって薄くなるように形成した。例文帳に追加

The extending parts 412 of the inserting member 411 are so formed that the thickness in the document bundle thickness direction may be thinner toward the tip. - 特許庁