「原薄」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

本発明トレイは、原木を円周方向に製材した薄板を蒸気加熱してトレイ形状に成形したことを特徴とする。例文帳に追加

A tray of this invention is characterized in that a thin plate having its raw wood processed in its circumferential direction, heated with steam and formed into a tray shape. - 特許庁

強誘電体薄膜形成剤の原料である２エチルヘキサン酸ビスマスの合成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for synthesizing the subject compound as a raw material for ferroelectric thin film forming agents. - 特許庁

薄膜でありながら高い遮光性と耐傷性を有する感熱マスク層を持つ感光性フレキソ印刷原版を提供する。例文帳に追加

To provide a photosensitive flexographic printing original plate precursor including a thermosensitive mask layer, having high light-shielding properties and abrasion resistance, while being a thin film. - 特許庁

基板以外に薄膜が広範囲に形成されずクリーニングおよびメンテナンスの容易な原子層成長装置を提供する。例文帳に追加

To provide an atomic layer deposition apparatus that is cleaned and maintained easily because thin films are not formed in a wide range other than a substrate. - 特許庁

原子層成長法を用いた薄膜の製造方法において、できるだけ短い形成時間で狙いの膜厚を適切に実現できるようにする。例文帳に追加

To suitably realize an objective film thickness with minimized period of time in the method of producing a thin film using an atomic layer growth method. - 特許庁

また、未晒クラフト紙を原紙としキャストコート用の塗料を薄く塗布、又は塗料に透明化剤を加え製造する。例文帳に追加

As an alternative, an unbleached kraft paper is used as a base paper and slightly coated with a cast-coating material or a transparentizing agent is added to the coating material. - 特許庁

適用するマスク数を減らして原価競争力が高い液晶表示装置の薄膜トランジスタの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a thin film transistor of a liquid crystal display which provides high cost competitiveness by reducing the number of applying masks. - 特許庁

反応物質としてＴＤＭＡＳを用いた原子層蒸着によるＳｉ_3Ｎ_4およびＳｉＯ_2薄膜形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for forming Si_3N_4 and SiO_2 thin films through atomic layer vapor deposition using TDMAS as a reaction material. - 特許庁

第二原図のような腰の弱い薄いシートが所定の位置まで搬送されないようなことがあってもシートを検知できるようにする。例文帳に追加

To detect a sheet even when a thin sheet with low stiffness such as a second original drawing is not conveyed to a predetermined position. - 特許庁

一般に原子層堆積によって基板上に導電性貴金属薄膜を製造する方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method of depositing a conductive noble metal thin film on a substrate generally by atomic layer deposition. - 特許庁

成膜原料としてＳｉＣを用いた物理的成膜法により作製された薄膜表示素子保護用バリヤー膜。例文帳に追加

The barrier membrane for protecting the thin film display element is manufactured by a physical deposition method using SiC as a raw material for deposition. - 特許庁

見開き原稿を読み込む場合においても、印刷用紙の裏面まで薄く印刷することなく、再転写による印刷媒体の汚れを防止する。例文帳に追加

To prevent a printing medium from being stained due to retransferring without thinly printing the back side of printing paper as well when a spread manuscript is read. - 特許庁

薄膜パターンを流体によるエッチング処理工程では、裏面に照射した処理流体により異物が析出し、不良の原因となる。例文帳に追加

To solve such a problem that a conventional etching process for patterning a thin film with fluid causes defects originating from foreign matters precipitated by a treatment fluid which is projected to the back side. - 特許庁

複数の原画（表示素子）からの光を合成して１つの合成拡大像を観察させる観察光学系を小型化・薄型化する。例文帳に追加

To miniaturize and thin an observation optical system enabling a user to observe one synthetic enlarged image by synthesizing light beams from a plurality of original images (display elements). - 特許庁

構成が簡素で、しかも原料ガスと反応ガスを均一に混合して膜を形成しうる薄膜形成方法及びその装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method for forming a thin film which is simple in constitution and capable of forming a film by uniformly mixing a feed gas with a reactant gas, and an apparatus therefor. - 特許庁

数nmサイズの凹凸部を表面に有する基盤や薄膜を、原子レベルにまで平坦化することを目的とする。例文帳に追加

To planarize a substrate or thin film having an uneven portion of several nm on a surface. - 特許庁

光学系を薄型化し、且つ各部品のリペア及び交換を容易にした光学系を備えた原子発振器を提供する。例文帳に追加

To provide an atomic oscillator equipped with an optical system which is made thin and facilitates repair and replacement of respective components. - 特許庁

金属化合物、これを含有してなる化学気相成長用原料及び金属含有薄膜の製造方法例文帳に追加

METAL COMPOUND, RAW MATERIAL COMPRISING THE SAME FOR CHEMICAL VAPOR PHASE GROWTH, AND MANUFACTURING METHOD OF METAL-CONTAINING THIN FILM - 特許庁

そして、前記薄膜は、少なくとも上層部に酸素を６０原子％以上含有する保護層を有する。例文帳に追加

The thin film has a protective layer containing oxygen in at least 60 atomic % in at least an upper layer part. - 特許庁

この傾斜により、粉体原料Ｍの層厚ｔが粉体出口２４側で薄く、粉体入口２２側で厚くなっている。例文帳に追加

Due to the inclination, the layer thickness t of the raw powder M is smaller on the powder outlet 24 side and larger on the powder inlet 22 side. - 特許庁

光輝クリアー層５における多数の薄片状光輝材５２は、沈降させることなく、建築原板２の面方向に略平行に配置されている。例文帳に追加

The large number of flaky luminosity materials 52 in the luminance clear layer 5 are arranged in substantially parallel to the plane direction of the construction original plate 2 without precipitating. - 特許庁

アルコールを用いた化学気相蒸着法または原子層蒸着法による金属酸化物薄膜の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a process for producing a thin film of metal oxide by CVD using alcohol or atomic layer deposition. - 特許庁

パーティクルの発生原因となる薄板金属板の振動を防止しながら積層規則充填体４を電磁誘導加熱する。例文帳に追加

To heat a laminated regular filler by electromagnetic induction while preventing the vibration of thin metal plates resulting in particles generation. - 特許庁

男性型脱毛症の薄毛や脱毛に対して効果が高く、天然物を原料とし、副作用が無く、安全性の高い育毛剤を得る。例文帳に追加

To obtain a safe tonic made from a natural raw material that is very effective against thin hair and loss of hair caused by male alopecia and free from side effect. - 特許庁

ガソリンエンジンやディーゼルエンジンなどの内燃機関から排出される窒素酸化物の浄化用触媒であって、固体中でＡｕ原子とＦｅ原子とが近接した状態で存在している触媒、すなわちＡｕ原子およびＦｅ原子の一方の原子に接して他方の原子の少なくとも１つが固体、例えばナノ粒子（一次粒子）中又は薄膜中で存在している状態にある触媒。例文帳に追加

The catalyst for cleaning nitrogen oxide is discharged from internal combustion engines such as gasoline engines and diesel engines, wherein the catalyst is existent on condition that Au and Fe atoms are adjacent to each other in a solid, that is, at least one atom of the other atoms is solid, touching one atom of Au atom and Fe atom, for example, being a catalyst that is existent in a nano particle (a primary particle) or a thin film. - 特許庁

Ｂａ及び／又はＳｒを含有するペロブスカイト型又はＢｉ層状ペロブスカイト型酸化物薄膜を成膜するための原料溶液において、該溶液中にシリコーンを含有するペロブスカイト型又はＢｉ層状ペロブスカイト型酸化物薄膜形成用原料溶液。例文帳に追加

The source solution for the formation of a perovskite type or Bi sheet perovskite oxide thin film containing Ba and/or Sr contains silicone. - 特許庁

その際、イオンビームのうち基板表面に入射しない一部のイオンビームを薄膜の原料から成るターゲット２２に入射させることによりターゲット２２をスパッタし、スパッタされた薄膜原料を基板２１の表面に堆積させることもできる。例文帳に追加

At that time, by irradiating a part of the ion beam not incident on the surface of the substrate on a target 22 consisting of the thin film raw material and sputtering the target 22, the thin film raw material thus sputtered can be deposited on the surface of the substrate 21. - 特許庁

接合しようとするシリコン部材間に介在させたＡｕ薄膜を膜厚２０ｎｍ以下とすることで、活性なシリコン原子がＡｕ薄膜を透過して表面に現れ、その活性なシリコン原子の働きで、シリコン部材間に強固な結合が生起できるのである。例文帳に追加

The Au thin film interposed between the silicon members to be bonded is made 20 nm or less in thickness and thus active silicon atoms pass through the Au thin film and appear at the surface and by an action of the active silicon atoms, strong bonding can occur between the silicon members. - 特許庁

第２積層ユニット４２では、第１膜厚から異なる第３膜厚で前記非磁性貴金属原子から形成される第３薄膜４４ａに、第２膜厚から異なる第４膜厚で前記磁性原子から形成される第４薄膜４４ｂが重ね合わせられる。例文帳に追加

A second multilayer unit 42 is configured by laminating a fourth thin film 44b having a fourth thickness different from the second thickness and formed of the magnetic atoms on a third thin film 44a having a third thickness different from the first thickness and formed of the non-magnetic noble metal atoms. - 特許庁

薄膜形成装置は、原料ガスおよび反応ガスが別々のタイミングで交互に供給されて、基板に薄膜を形成するための減圧した成膜空間を形成する成膜容器と、原料ガスおよび反応ガスを前記成膜容器に供給するガス供給ユニットと、を有する。例文帳に追加

The thin-film forming device includes a film-forming container to which a material gas and a reaction gas are supplied in alternation at different timings, and which forms a reduced pressure film-forming space for forming a thin film on a substrate; and a gas supply unit which supplies the material gas and the reaction gas to the film-forming container. - 特許庁

エッチングにより凹凸パターンが形成されたスタンパ原版５０に、金属薄膜６１を形成して電気メッキする工程を備えたスタンパの製造方法において、金属薄膜６１を形成する前に、スタンパ原版５０を、空気中において２００℃以上５００℃以下の温度で熱処理する。例文帳に追加

In the manufacturing method of the stamper including a process for forming a metal thin film 61 on a stamper original plate 50 on which a rugged pattern is formed by etching and then performing electroplating, before the metal thin film 61 is formed, the stamper original plate 50 is heat-treated at 200 to 500°C in air. - 特許庁

ここにおいて、各薄膜２ｃの形成にあたっては、分子層２ａ，２ｂごとに、構成元素それぞれを含む原料ガスを交互に真空容器内に導入するようにし、原料ガスの入れ替え回数を調整することで各薄膜２ｃの複合的な物性値を連続的に変化させる。例文帳に追加

On the deposition of each thin film 2c, per molecular layer 2a and 2b, gaseous starting materials respectively comprising constituting elements are alternatively introduced into a vacuum vessel, and the number of changing the gaseous starting materials is controlled, so that the composite physical values of each thin coverage 2c are continuously changed. - 特許庁

本発明は多元系金属酸化物薄膜の結晶核を生成するための工程に使用される原料ガスと、結晶核上に多元系金属酸化物薄膜の結晶を生成するための工程に使用される原料ガスとをそれぞれの工程に適した条件で供給することを課題とする。例文帳に追加

To supply a material gas used in a process for creating the crystal nuclei of a multielement metal oxide thin film and a material gas used in a process for creating the crystal of the multielement metal oxide thin film on the crystal nuclei under conditions suitable for respective processes. - 特許庁

このフォトレジスト原盤を使用して光記録媒体用原盤を作製する際、中間層の二領域中、膜厚の薄い領域（薄膜部３ｂ）にピットパターンを、膜厚の厚い領域（厚膜部３ａ）にグルーブ（案内溝）をそれぞれ露光した。例文帳に追加

When the master disk for an optical recording medium is manufactured by using this photoresist master disk, in the two areas of the intermediate layer, a pit pattern is exposed in a thin area (thin film part 3b), and a groove (guide groove) is exposed in a thick area (thick film part 3a). - 特許庁

有機シラン化合物を含有する原料ガスを前記反応室２へ供給する原料ガス供給手段と、前記反応室２内において、ＣＶＤ法によって前記被薄膜形成対象物上に前記薄膜を形成するＣＶＤ部３とを備える。例文帳に追加

The thin-film-forming apparatus 1 comprises: a source gas supply means for supplying the source gas containing an organosilane compound to the reaction chamber 2; and a CVD section 3 for forming the thin film on the object to be thin-film-formed in the reaction chamber 2 through a CVD process. - 特許庁

原料ガスであるＴｉＣｌ４と反応ガスであるＮＨ_３とを反応させてＴｉＮ薄膜を基板上に形成する薄膜の形成方法において、前記ＮＨ_３に対して前期解離を起こす波長の光を照射し、ＮＨ_３を励起した上で原料ガスと反応させる。例文帳に追加

In the thin film deposition method where TiCl4 as a gaseous starting material and NH_3 as a reaction gas are reacted to deposit a TiN thin film on a substrate, the NH_3 is irradiated with light with wavelength causing predissociation so as to be excited, and is then reacted with the gaseous starting material. - 特許庁

基体上に、分子線エピタキシー法により、少なくとも希土類元素の固体原料及び希土類三フッ化物の固体原料を用い、希土類元素、フッ素、鉄、ヒ素、及び酸素からなる超伝導体を含む超伝導薄膜を形成する工程を有する超伝導薄膜の製造方法である。例文帳に追加

The method for producing the superconducting thin film includes a step of forming, by using at least a solid raw material of a rare earth element and a solid raw material of rare earth trifluoride, the superconducting thin film including the superconducting body consisting of a rare earth element, fluorine, iron, arsenic and oxygen, on a substrate by a molecular beam epitaxy method. - 特許庁

成膜室に対して原料ガスの供給とパージガスの供給とを交互に繰り返して行うことにより製造される薄膜において、原料ガスの凝集の防止と良好な生産性とを両立させるような薄膜製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a thin film manufactured by alternately repeating the feed of the raw gas and the feed of the purge gas to a film deposition chamber in which coagulation of the raw gas is prevented, and the productivity is excellent. - 特許庁

また、マンガン添加チタン酸ストロンチウム薄膜形成用組成物は、上記チタン酸ストロンチウム薄膜形成用組成物に、マンガン原料を添加溶解または反応させてなることを特徴とする。例文帳に追加

Furthermore, the characteristic of the composite for forming the thin film of manganese additive strontium titanate is obtained by dissolving or reacting manganese material in the composite for forming the thin film of strontium titanate. - 特許庁

広範囲の金属原料に適用可能で、かつ、金属酸化物薄膜の物性を良好にし得る金属酸化物薄膜前駆体の製造方法及びその利用を提供する。例文帳に追加

To prepare a metal oxide thin film precursor, capable of applying in a wide range of metal raw materials and also improving the physical properties of the metal oxide thin film. - 特許庁

例えば、薄膜材料はポリイミドであり、薄膜原料はポリイミドの前駆体であるポリアミド酸であり、有機材料は、ポリカプロラクトンである。例文帳に追加

For instance, the thin film material is a polyimide, the thin film raw material is a polyamic acid as a precursor to a polyimide, and the organic material is a polycaprolactone. - 特許庁

この方法は、半導体性酸化鉄の薄層（９）の一部の鉄原子の酸化の程度を変更するために半導体性酸化鉄の薄層（９）の局所還元及び／又は酸化の工程を少なくとも含む。例文帳に追加

This method includes at least a local reduction and/or oxidation of the thin layer (9) of semiconductive ferrous oxide to change the degree of oxidation of iron atoms of a part of the thin layer (9) of semiconductive ferrous oxide. - 特許庁

薄膜の原料を含むガスを半導体ウエハに均一に吹き付け、半導体ウエハ上に均一な薄膜を形成することができる半導体製造装置を提供することである。例文帳に追加

To provide a semiconductor manufacturing apparatus which can form uniform thin film on a semiconductor wafer, by uniformly spraying the gas, which contains raw materials of thin film, to the semiconductor wafer. - 特許庁

本願発明においては、金属酸化物薄膜をＳｉ基板上に作成するにあたって、原料として、シクロペンタジエン系有機金属を用い、基板温度を４００℃以下において薄膜を作製した。例文帳に追加

Upon preparing the metallic oxide thin film on the Si substrate, a cyclopentadiene organic metal is employed as a material and the thin film is prepared at the substrate temperature of 400°C or less. - 特許庁

原料粉末と成形バインダーとの混合物を押出成形して成る薄肉成形体において、ワックスと熱可塑性樹脂の混合物を成形バインダーとして用いた該薄肉成形体の脱脂方法である。例文帳に追加

The thin molding is obtained by subjecting a mixture of raw material powder and a molding binder consisting of a mixture of wax and a thermoplastic resin to extrusion molding. - 特許庁