「原薄」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

該化学気相成長用原料は、基体上に化学気相成長法、特にＡＬＤ法により、ケイ素含有薄膜、好ましくは酸化ケイ素薄膜を形成する原料として好適である。例文帳に追加

The raw material for chemical vapor deposition is suitable for a raw material for depositing a silicon-containing thin film, preferably, a silicon oxide- containing thin film by the chemical vapor deposition method, in particular, an ALD (Atomic Layer Deposition) method on a substrate. - 特許庁

運転開始時における炉内への原料薄層シートの導入や、シート切断時における炉内への原料薄層シートの再度導入を容易に行うことができる熱処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a heat-treatment apparatus enabling easy charging of a stock thin layer sheet into an oven at the start of operation and the recharging of the stock thin layer sheet into the oven at the cutting of the sheet. - 特許庁

原料を有効に利用して原料コストを低減することが可能で、しかも、特性の安定性に優れた薄膜製造方法及びそれに用いる薄膜製造装置を提供する。例文帳に追加

To provide a thin film deposition method capable of reducing the cost of the raw material by effectively utilizing the raw material and moreover excellent in the stability of characteristics and to provide a thin film deposition system used therefor. - 特許庁

本発明の酸化物薄膜の製造方法は、原料溶液を基板表面に塗布し焼成して酸化物薄膜を形成する方法であって、この原料溶液に極性有機低分子化合物が添加されていることを特徴とする。例文帳に追加

This method for producing a thin oxide film comprises applying a raw material solution on the surface of a substrate and firing it to form the thin oxide film, characterized in that a polar organic low molecular compound is added in the raw material solution. - 特許庁

段差被覆性の良い薄膜を成長するため原料を交互に流す成長法を行っても１原子層の成長を行う時間を短縮できる薄膜処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a thin film treatment device where, even if a growing method in which raw materials are alternatively made to flow for growing a thin film having a satisfactory step coverage is performed, the time for performing the growth of one atomic layer can be reduced. - 特許庁

また、ＡＤＦ１０の分離・フィードゴム同士の接着を防ぐために挟まれる梱包用紙１００の厚さを、ＡＤＦ１０で使用可能な最薄原稿と同様に設定し、最薄原稿サンプルとして兼用する。例文帳に追加

The thickness of a packing paper 100 held in order to prevent the separation/feed rubbers from being adhered to each other is set to be the same as the thickness of the thinnest draft usable in the ADF 10, and the packing paper is used as the thinnest draft sample. - 特許庁

酸化物薄膜の組成制御を行なうことができ、金属原子と酸素原子との結合が密になり成長温度を低温化できる蒸着薄膜作製装置を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus for forming a vapor-deposited thin film capable of controlling the composition of an oxide thin film, making dense the bonding between a metal atom and oxygen atom and lowering growth temp. - 特許庁

基板表面に効率よく原料を堆積させて有機薄膜が形成されるとともに、真空チャンバの内壁への原料付着が抑制される薄膜形成装置を提供する。例文帳に追加

To provide a thin-film forming apparatus which efficiently deposits a raw material on the surface of a substrate to form an organic thin-film, and inhibits the raw material from adhering to the inner wall of a vacuum chamber. - 特許庁

薄膜にハフニウムを供給するプレカーサにおいて、ＣＶＤ原料として合致する性質を付与された薄膜形成用原料を提供すること。例文帳に追加

To provide a raw material for depositing a thin film, which is a precursor which is used for supplying hafnium to the thin film and to which the properties coincident with those of a CVD raw material are imparted. - 特許庁

基材上に、光触媒含有層と、撥水性薄膜層と、を順次積層した平版印刷原版であって、前記撥水性薄膜層の表面自由エネルギーが８ｍＪ／ｍ^２以上２０ｍＪ／ｍ^２以下である平版印刷原版である。例文帳に追加

The original printing plate for lithographic printing laminates successively a photo-catalyst-containing layer and a water-repellent thin film layer on a substrate, and has a surface free energy of the water-repellent thin film layer of 8-20 mJ/m^2. - 特許庁

あるいは、揮発性ガスを２原子％以上含有した薄膜にパルス幅が６０ナノ秒以上のエキシマレーザーを照射し、薄膜内の揮発性ガスを脱ガスすると同時に薄膜を結晶化する。例文帳に追加

Alternatively, a thin film containing 2 atm.% or more of volatile gas is irradiated with excimer laser having pulse width of 60 nS or longer thus degassing the thin film while crystallizing. - 特許庁

アモルファスシリコンからなる半導体薄膜を備えた光電変換薄膜トランジスタにおいて、半導体薄膜が劣化の原因となる紫外線を吸収しにくいようにする。例文帳に追加

To make a semiconductor film hard to absorb ultraviolet rays causing deterioration in a photoelectric conversion thin film transistor including the semiconductor film made of amorphous silicon. - 特許庁

卑金属薄膜４、誘電体薄膜５および上部電極６の側面は卑金属薄膜４と同じ金属原子を含む卑金属酸化物７で覆われている。例文帳に追加

Side surfaces of the base metal thin film 4, dielectric thin film 5, and upper electrode 6 are covered with base metal oxide 7 containing the same metal atom with the base metal thin film 4. - 特許庁

Ｔｉを含有する金属酸化物薄膜形成用原料溶液、Ｔｉを含有する金属酸化物薄膜の形成方法及びＴｉを含有する金属酸化物薄膜例文帳に追加

RAW MATERIAL SOLUTION FOR FORMING TITANIUM-CONTAINING METAL OXIDE THIN FILM, METHOD OF FORMING THE SAME, AND TITANIUM-CONTAINING METAL OXIDE THIN FILM - 特許庁

高価な真空装置や原料を用いることなく、成膜速度が大きい窒化鉄薄膜を大気圧中でエピタキシャル成長させる窒化鉄薄膜の製造方法とその方法によって作製する窒化鉄薄膜を提供する。例文帳に追加

To provide a producing method for thin film of iron nitride by which a thin film of iron nitride having a high growth speed can be epitaxially grown under the atmospheric pressure without using an expensive vacuum equipment and raw material. - 特許庁

真空減圧雰囲気下にて、原料ガスを基板８に照射して、半導体薄膜、金属薄膜または絶縁性薄膜を基板８上に形成する。例文帳に追加

Under the atmosphere of reduced pressure, a substrate 8 is irradiated with material gas, so that a semiconductor thin film, metal thin film, or insulating thin film is formed on the substrate 8. - 特許庁

化学蒸着方法による銅薄膜形成における新たな原料であるＣｕ（ｈｆａｃ）（ＡＯＴＭＳ）、Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ＶＯＴＭＳ）を用いて、緻密で、表面が鏡面光沢を有し、かつ比抵抗が良好な銅薄膜を形成できる銅薄膜形成方法を提案する。例文帳に追加

To provide a copper thin film forming method which can form a dense copper thin film with a surface having a specular gloss and with a satisfactory specific resistance, by using Cu (hfac)(AOTMS) and Cu (hfac)(VOTMS) which are new materials for forming a copper thin film with a chemical vapor deposition method. - 特許庁

容器内に貯留されて薄板原料となる融液の液面高さを一定に保ち、長期にわたって安定した品質の薄板を製造することができる薄板製造装置を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus for manufacturing a thin sheet which can manufacture the thin sheet having a stable quality over a long period of time by keeping the liquid height of a melt stored in a container and used as a raw material for the thin sheet constant. - 特許庁

本発明は原料となるガスを交互に供給することにより成膜を行なう薄膜の形成方法及び薄膜の形成装置に関し、高品質の薄膜を迅速に形成することを課題とする。例文帳に追加

To quickly deposit a thin film of high quality, as for a thin film deposition method and a thin film deposition system where film deposition is performed by alternatively feeding gases as raw materials. - 特許庁

スキャナで読み取った画像が、何らかの原因で薄かったりした場合でも、文字の場合、黒文字として認識し黒く鮮明に印字でき、文字でないオブジェクトに対しては、薄い黒の場合薄い黒として印字できることを目的とする。例文帳に追加

To provide an image processing apparatus that can recognize characters as black characters and print them in bright black and can print light black noncharacter objects in light black even when an image read by a scanner is light for some reason. - 特許庁

成膜原料ガスをプラズマ化し、そのプラズマのもとで被成膜物品に薄膜を形成する薄膜形成装置のクリーニング方法及び該クリーニング方法を実施できる薄膜形成装置。例文帳に追加

To provide a cleaning method for a thin film forming apparatus which converts gaseous deposition raw material to a plasma and forms a thin film on an article for deposition under this plasma and a thin film forming apparatus executing the cleaning method. - 特許庁

半導体素子における透明導電薄膜、シリサイド薄膜及び金属薄膜などの電極薄膜のプラズマＣＶＤ法による形成において、大気圧近傍の圧力下で対向電極間に原料ガスを導入し、該対向電極間にパルス状の電界を印加することにより原料ガスをグロー放電プラズマ化させ、薄膜の形成を行うことを特徴とする半導体素子の製造方法。例文帳に追加

The method for manufacturing semiconductor element in forming the electrode thin film such as a transparent conductive thin film, silicide thin film, metal thin film, and the like, by plasma CVD method comprises the steps of introducing raw gas between opposed electrodes under vicinity of atmospheric pressure, and making raw gas in glow-discharge plasma state by applying pulsed electric field between the opposed electrodes. - 特許庁

樹脂基板１の片面または両面に珪素原子と窒素原子とを含む薄膜２を有する透明ガスバリアフィルム１０であって、前記薄膜２に含まれる珪素原子と窒素原子との割合がＳｉＮｘ（ただし、０．５≦ｘ≦１．４）であり、かつ、前記薄膜２の膜厚が２０〜５０ｎｍであることを特徴とする透明ガスバリアフィルム１０。例文帳に追加

The transparent gas barrier film 10 has a thin film 2 containing silicon atoms and nitrogen atoms on one side face or both side faces of a resin substrate 1, wherein a ratio between the silicon atoms and the nitrogen atoms contained in the thin film 2 satisfies SiNx (wherein, 0.5≤x≤1.4), and also the film thickness of the thin film 2 is 20 to 50 nm. - 特許庁

薄膜作製装置は、薄膜用原料ガスと触媒体との触媒反応を用いることにより基板上に化学的に薄膜を堆積させる装置であって、触媒体はコイル状あるいはプレート状であって、原料ガスと接触する表面に凹凸が形成されている。例文帳に追加

A thin film forming device chemically deposits a thin film on a substrate, using the catalytic reaction of a catalyst to thin film material gas, where the catalyst is formed like a coil or a plate, and its surface coming into contact with the material gas is roughened. - 特許庁

経時安定性、成膜後の酸化物特性が良好である上に、特に塗布後のストリエーションの問題のないペロブスカイト型酸化物薄膜形成用原料溶液と、この原料溶液を用いるペロブスカイト型酸化物薄膜の形成方法及びペロブスカイト型酸化物薄膜を提供する。例文帳に追加

To obtain a solution having high aging stability and oxidation property of formed film and free from striation defect after coating by including a silicone in a raw material solution for forming a perovskite-type oxide thin film containing Pb. - 特許庁

基板３０上に中間層材料の薄膜を形成し、該基板の前記薄膜側にマイクロレンズ原版１０を押し付けて前記薄膜を成形して透明な中間層を形成してから、マイクロレンズ原版１０の凹部１２にレンズ材料４１、４２、４３を充填しても良い。例文帳に追加

The lens materials 41, 42, 43 may be filled in the recess 12 of the master of microlens 10, after a transparent intermediate layer is formed by molding the thin film by pressing the master of microlens 10 to the thin film side of the substrate. - 特許庁

塗布熱分解法により酸化物超電導薄膜を製造する際に使用される酸化物超電導薄膜製造用の原料溶液であって、フッ素を含まない金属有機化合物を溶質とする溶液に、フッ酸が添加されている酸化物超電導薄膜製造用の原料溶液。例文帳に追加

The material solution for producing oxide superconductive thin films is used in producing oxide superconductive thin films by the coating-pyrolysis process and is obtained by adding hydrofluoric acid to a solution whose solute is a fluorine-free organometallic compound. - 特許庁

この硬質炭素薄膜付き機械加工工具用切削油の存在下における機械加工に用いる硬質炭素薄膜付き機械加工工具としてのドリル１において、切れ刃２を含めた全面を覆う硬質炭素薄膜３に含まれる水素原子の量を１原子％以下とする。例文帳に追加

Amount of a hydrogen atom contained in a thin hard carbon film 3 covering the whole surface of a cutting edge 2 of a drill 1, which is a cutting tool coated with a hard carbon thin film to be used for a cutting work in the presence of the cutting oil for a cutting tool coated with a hard carbon thin film, is not more than 1 atom%. - 特許庁

原料ガスと反応ガスとの成膜ガスを用いて、原料ガスの分解温度以上に加熱された基板上で成膜せしめるＣＶＤ法による薄膜製造方法に従って薄膜を製造した後、さらにこの薄膜の成膜温度よりも低い温度で結晶化アニール処理を行う。例文帳に追加

After manufacturing a thin film by the thin film manufacturing method based on the CVD method for forming a film on a substrate heated to the decomposition temperature or more of raw material gas by using film formation gas consisting of the raw material gas and reaction gas, crystallization annealing processing is performed at a temperature lower than the film formation temperature of the thin film. - 特許庁

Ｐｂ−Ｔｉ系金属酸化物薄膜形成用原料溶液を塗布した後、Ｐｂ−Ｚｒ−Ｔｉ系金属酸化物薄膜形成用原料溶液を塗布する工程を有するＰｂ系ペロブスカイト型金属酸化物薄膜の形成方法。例文帳に追加

This method for forming the Pb-base perovskite type metal oxide thin film has a stage for applying the raw material for forming the Pb-Ti- base metal oxide thin film on the substrate, then applying a raw material solution for forming the Pb-Zr-Ti-base metal oxide thin film. - 特許庁

原料ガスをプラズマ化して被処理体に原料ガス成分の薄膜を成膜したり、被処理体をエッチング処理する際に、プラズマ化した原料ガスに対して原子光発生装置から原子光を照射し、プラズマ透過前の基準原子光の強度とプラズマを透過した原子光線の強度に基づいてプラズマ中における原子状ラジカル密度を測定する。例文帳に追加

In the case of making raw material gas into plasma to form a thin film, to etch, and the like, atomic beams are irradiated to the raw material gas made into plasma, and atomic radical density in plasma is measured from the difference of atomic beam intensity before and after penetrating plasma to control plasma. - 特許庁

したがって、厚みの薄い原稿や自動搬送すべき原稿の枚数が少ない場合は勿論のこと、原稿枚数が多い場合であっても、原稿の重送及び空送を抑制できるので、新規な構成にて原稿の搬送不良の発生を防止することが可能となる。例文帳に追加

Thus, since double feeding and idle feeding of the document can be restrained even when the document number is many needless to say when being few in the number of documents of a thin thickness and documents to be automatically carried, the occurrence of the carrying failure of the document can be prevented by a new constitution. - 特許庁

ガラス製など透明性を有する原稿台越しに読み取られた原稿の画像から、原稿台に付着した汚れや原稿台と原稿との間に入り込んだ浮遊ゴミの像を除去もしくは希薄化できる画像読取装置及び画像形成装置を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide an image reader and an image forming apparatus capable of removing or attenuate an image of a stain sticking on a transparent original table made of glass etc., and suspended dust entering a gap between the original table and a document from an image of the document read through the original table. - 特許庁

ガリウムが酸化インジウムに固溶していて、原子比Ｇａ／（Ｇａ＋Ｉｎ）が０．００１〜０．１２であり、全金属原子に対するインジウムとガリウムの含有率が８０原子％以上であり、Ｉｎ_２Ｏ_３のビックスバイト構造を有する酸化物薄膜を用いることを特徴とする薄膜トランジスタ。例文帳に追加

The thin film transistor uses an oxide thin film in which gallium is dissolved in indium oxide as a solid solution; the atomic ratio Ga/(Ga+In) is 0.001 to 0.12; the content of indium and gallium to the whole metal atom is ≥80 atom%; and the oxide thin film has a bixbyite structure of In_2O_3. - 特許庁

元素記号がＢとＮとＨとからなる分子で構成される薄膜であって、組成がＢの１原子に対して、０．７＜Ｎ原子数＜１．３および１．０＜Ｈ原子数＜２．２なる関係を満足し、誘電率が２．４以下である耐熱低誘電率薄膜。例文帳に追加

This heat-resistance low dielectric constant thin film is composed of molecules, whose element symbols are B, N, and H, has a composition which satisfies 0.7 < number of N atoms < 1.3 and 1.0 < number of H atoms < 2.2 for one atom of B, and has a dielectric constant of 2.4 or less. - 特許庁

電気絶縁性シート、特にプラスチックフィルムの薄膜形成工程で発生する、熱負けを軽微にし、かつフィルムのシワやブロッキングの原因となる薄膜未形成面に残る帯電を軽微にする薄膜形成装置ならびに薄膜付きシートの製造方法を提供することである。例文帳に追加

To provide an apparatus for depositing a thin film on a sheet, and a manufacturing method of a sheet with a thin film capable of realizing minimum heat damage caused in a thin film depositing process of an electric-insulating sheet, in particular, a plastic film, and realizing minimum charge remaining on a thin film non-deposition surface which may cause wrinkles or blocking of a film. - 特許庁

特殊な装置を必要とせず製造することができる、粒子径／厚みの比が大きく分散性のよい薄片状チタン酸、及びこれの原料となる層状チタン酸、及び薄片状チタン酸から得られる薄片状酸化チタン並びに該薄片状チタン酸の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a lamellar titanic acid, a layered titanic acid as a starting material of the lamellar titanic acid, a lamellar titanium oxide obtained from the lamellar titanic acid which can be produced without requiring a special equipment, have a large particle diameter/thickness ratio and show good dispersibility, and also to provide a method for producing the lamellar titanic acid. - 特許庁

金属薄膜上に溶融状態の樹脂基材原料を塗工することにより金属薄膜付基材を形成する工程、該金属薄膜をエッチング法によりメッシュ状にパターニングし、メッシュ状金属薄膜を形成する工程、を有する電磁波遮蔽材の製造方法とする。例文帳に追加

The production process of an electromagnetic wave shielding material comprises a step for forming a substrate with a metal thin film by applying a molten resin substrate material onto the metal thin film, and a step for patterning the metal thin film into mesh by etching and forming a meshed metal thin film. - 特許庁

Ｉｂ族元素とＩＩＩｂ族元素とＳｅを含むＶＩｂ族元素とからなるカルコパイライト構造の半導体薄膜半導体薄膜の製造及び光電変換素子の製造に際し、ＣＩＧＳ系薄膜等の半導体薄膜の製膜過程におけるセレン原料の浪費を防止することを課題とする。例文帳に追加

To prevent the waste of Se material when the semiconductor thin film, such as CIGS based thin film, is formed during manufacturing of a semiconductor thin film constituted in a chalcopyrite structure containing a group Ib element, a group IIIb element, and a group VIb element comprising Se, and a photoelectric conversion device. - 特許庁

薄膜を形成するための気相成長装置１００であって、チャンバー１０６０と、チャンバー１０６０内に、薄膜の原料を気体の状態で供給する原料供給管１２０と、原料容器１１２内の原料を気化して、原料供給管１２０に供給する気化器２０２と、温度制御部と、を備える気相成長装置１００を提供する。例文帳に追加

The vapor phase growth apparatus 100 for forming the thin film is provided with a chamber 1060, a raw material supply pipe 120 supplying a raw material of the thin film into the chamber 1060 in a gaseous state, a vaporizer 202 vaporizing the raw material in a raw material vessel 112 and supplying it to the raw material supply pipe 120 and a temperature control part. - 特許庁

金属原料と酸素原料の交互表面反応で基板上に酸化物薄膜を堆積させるＡＬＤ法の原理に従った酸化物薄膜の成長方法において、使用する該酸素原料が少なくとも１つの有機リガンドを有するホウ素、シリコンまたは金属の化合物であって、その酸素が少なくとも１つのホウ素、シリコンまたは金属原子に結合しているものである。例文帳に追加

In the method of growing an oxide thin film according to the principle of the ALD method where an oxide thin film is deposited onto a substrate by an alternating surface reaction of metallic raw material and oxygen raw material, the oxygen raw material to be used is composed of a compound of boron, silicon or metal having at least one organic ligand, and the oxygen is combines with at least one atom of boron, silicon or metal. - 特許庁

紡糸口金に形成された多数の吐出孔から凝固液中に紡糸原液を吐出させることにより、紡糸液に溶解しているポリマーを糸状に凝固させる炭素繊維前駆体の製造方法であって、吐出開始時に紡糸原液より塩濃度又は単量体濃度が低い希薄原液を紡糸口金から吐出させた後、前記希薄原液に連続して紡糸原液を吐出させる炭素繊維前駆体の製造方法。例文帳に追加

The method for producing a carbon fiber precursor includes the following steps: a spinning dope is extruded via many nozzles formed in a spinneret into a coagulating liquid to coagulate a polymer dissolved in the spinning dope in a filamentous form. - 特許庁

本発明の集積回路は、多層バリアメタル薄膜構造を備える集積回路であって、基板と、原子層化学的気相成長のプロセスによって該基板上に堆積されたバリアメタル薄膜であって、バリアメタル薄膜は金属窒化物を含む、バリアメタル薄膜と、バリアメタル薄膜上に堆積された薄い銅膜とを備える。例文帳に追加

An integrated circuit having the mutilayered barrier-metal thin film structure and a substrate is the barrier-metal thin film deposited on the substrate by an atomic layer chemical vapor deposition, and the barrier- metal thin film comprises the barrier-metal thin film including metal nitride and a thin copper film deposited on the barrier-metal thin film. - 特許庁

金型凹部に比較的薄く粉末原料を供給するときであっても、粉末原料を均一に均すことができる粉末原料の供給装置及び供給方法を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus for supplying a powder raw material which can uniformly level the powder raw material even when the powder raw material is supplied relatively thinly to a mold recess and a method for the apparatus. - 特許庁

井戸層成長の第１の期間Ｐ１では、III族原料としてガリウム原料及びインジウム原料を成長炉１０に供給してＩｎＧａＮ薄層を成長する。例文帳に追加

In the first period P1 for growth of the well layer, an InGaN thin layer grows when a gallium raw material and an indium raw material are supplied to a growing furnace 10 as group III raw materials. - 特許庁