「原薄」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

炭素源を含む原料ガスを用いて放電プラズマを生成させて薄膜を形成するのに際して、良好な品質の薄膜が得られるようにし、かつ薄膜の歩留りを著しく向上させることによって、工業的に良好に利用可能な方法を提供することである。例文帳に追加

To provide a method which can be industrially satisfactorily utilized when a thin film is deposited by generating a discharge plasma by the use of a raw material gas containing a carbon source and by which the thin film having good quality can be obtained and the yield of the thin film can be remarkably enhanced. - 特許庁

有機亜鉛化合物を原料とし、発火性がなく取扱いが容易であり、３００℃以下の加熱で透明な酸化亜鉛薄膜および３Ｂ族元素がドープされた酸化亜鉛薄膜を形成できる酸化亜鉛薄膜製造用組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a composition for production of zinc oxide thin films, which uses an organozinc compound as a starting material, is easily handled because of no ignitability, and can form transparent zinc oxide thin films and group 3B element-doped zinc oxide thin films by heating at ≤300°C. - 特許庁

ｎ型単結晶シリコン基板１とｐ型非晶質シリコ系薄膜３との間にｉ型非晶質シリコン薄膜２を介在させた光起電力装置において、シリコン基板１ｉ型非晶系シリコン薄膜２とが形成する界面領域にボロン原子を導入させる。例文帳に追加

In a photovoltaic device where an i-type amorphous silicon thin film 2 is provided between an n-type single crystal silicon substrate 1 and a p-type amorphous silicon based thin film 3, boron atoms are introduced to an interface region of the silicon substrate 1 and the i-type amorphous silicon thin film 2. - 特許庁

アルミ箔材、銅箔材等の金属薄板、写真のフィルム原反等の樹脂製薄板などの長尺な薄板を軸心に螺旋状に巻かれたロール状物品を、宙吊り状の安定した状態で運搬できるコンテナを提供する。例文帳に追加

To provide a container which can transport, in a stable hanging state, a rolled object comprising a long thin plate including a thin metallic plate such as an aluminum foil and a copper foil or a thin resin plate such as a film material roll for photo, which is spirally rolled around a core. - 特許庁

ゲート電極１などとなる金属薄膜またはソース電極７およびドレイン電極６などとなる金属薄膜として、金属からなる層１ａと金属に窒素原子を添加した層１ｂを有する金属薄膜を用いる。例文帳に追加

As a metal thin film acting as the gate electrode 1, etc., or a metal thin film acting as the source electrode 7, the drain electrode 6, etc., the metal thin film which has a layer 1a, consisting of a metal, and a layer 1b in which the nitrogen atom is added to the metal, is used. - 特許庁

複数の元素を含む薄膜を被処理体の表面に形成する太陽電池用の薄膜形成方法において、元素を含む原料溶液を電界により微粒子として処理空間に飛散させて、飛散された前記微粒子を被処理体の表面に付着させて薄膜を形成するようにする。例文帳に追加

In the method for forming a thin film for a solar cell, by which a thin film containing a plurality of elements is formed on a surface of a workpiece, a raw material solution containing the elements is scattered as particulates in a processing space by an electric field, and the scattered particulates are deposited on the surface of the workpiece to form a thin film. - 特許庁

第２薄膜層形成工程Ｂは、基板温度を成膜温度まで昇温後、熱ＣＶＤ法により基板上に原料ガスを供給して成膜処理した後（２０５）、ＲＰＯ処理して第１薄膜層上に第２の薄膜層を所定膜厚だけ形成する（２０６）。例文帳に追加

In the second process B, after raising the temperature of the substrate up to the film-forming temperature, the starting gas is supplied to the substrate to perform film-forming treatment (205) by a thermal CVD method, and the RPO treatment is performed for forming (206) the second film layer of a given thickness on the first film layer. - 特許庁

緻密セラミック基体上であっても、従来より緻密な薄膜を形成することが可能な緻密薄膜用原料、これを用いた緻密薄膜、及び従来より発電性能に優れた、中間層を有する固体酸化物形燃料電池単セルを提供する。例文帳に追加

To provide a raw material for a dense thin film capable of forming a thin film denser than a conventional one even on a dense ceramic substrate, to provide a dense thin film using the same, and to provide a solid oxide fuel cell single having an intermediate layer and having more excellent electricity generation performance than a conventional performance. - 特許庁

蒸気圧の低い液体原料について高速成膜処理が可能であって、チタニア，ジルコンなどの金属酸化物薄膜、窒化ケイ素，窒化チタンなどの金属窒化物薄膜、アルミニウム，チタンなどの金属薄膜を高速に成膜できるプラズマ成膜装置を得ること。例文帳に追加

To provide a plasma film-forming apparatus, which enables rapid film formation even when using a liquid raw material with low vapor pressure, and rapidly can form a metal oxide thin-film such as titania and zircon, a metal nitride thin-film such as silicon nitride and titanium nitride, and a metal thin-film such as aluminum and titanium. - 特許庁

また、第一の薄膜１７上に第二の薄膜１８を成膜する第二の成膜工程は、酸化ガスの含有率が高い第二のスパッタガス雰囲気で行われるので、酸素原子が補完され、第二の薄膜１８を構成する誘電体材料に酸素欠損が起こらず、その結晶性が崩れない。例文帳に追加

On the other hand, a second film forming process for forming a second thin film 18 on the first thin film 17 is carried out under a second spatter gas atmosphere, high in the contents of the oxidizing gas, whereby oxygen atom is supplemented and oxygen missing will not be caused in the dielectric material constituting the second thin film 18, thereby causing no collapse of crystallinity thereof. - 特許庁

蛍光体用薄膜や通信素子用薄膜のＧａＮ薄膜のスパッタ法による形成において、スパッタリングターゲットを、白色ＧａＮ原料粉末の焼結により得られ、酸素濃度が１．５％以下であり、Ｚｎ含有量が０．１％以下である白色ＧａＮ焼結体により構成する。例文帳に追加

In forming the GaN thin film for thin films of the fluorophor and communication element by the sputtering method, the sputtering target is composed of a white GaN sintered body which is obtained by sintering a white GaN raw material powder, and has oxygen concentration of 1.5% or less and Zn content of 0.1% or less. - 特許庁

採血管本体１０の内表面に酸化珪素の薄膜２０がコーティングされ、該酸化珪素の薄膜中に炭素原子の量を０．１％以上４０％以下含み、その薄膜の厚みが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることをプラスチック製真空採血管１とするものである。例文帳に追加

This vacuum blood collecting tube 1 made of plastic is constituted by coating the inner surface of a blood collecting tube body 10 with a thin film 20 of silicon dioxide, containing 0.1%-40% carbon atom in the thin film of silicon dioxide, and setting the thickness of the thin film to 10 nm-100 nm. - 特許庁

基板上に薄膜を有する表示装置の製造方法であって、前記薄膜の形成に用いられる原料ガスと前記原料ガスを熱分解させる高温ガスとを前記基板上に吹き付けながら、その吹き付ける位置を前記基板上で相対的に移動させることにより、前記基板上に前記薄膜を形成する。例文帳に追加

The method for manufacturing the display device having a thin film on the substrate includes a step of relatively moving a position to be sprayed on the substrate while spraying raw material gas used to form the thin film and high temperature gas for thermally decomposing the raw material gas on the substrate, and a step of forming the thin film on the substrate. - 特許庁

上げ写し法とは、古画の原本や写真版の上に薄い和紙を重ね、透けて見える線をよく観察した後、和紙を持ち上げ、原画を見ながら線を引くというものである。例文帳に追加

In the Ageutsushiho method, after thin sheet of washi is placed on an original old painting or photograph to examine the transparent lines well, a painter draws the line by lifting the washi while watching the original.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

近世までの説としては、葉室時長説（『醍醐雑抄』）、中原師梁説（『参考保元物語』）、源瑜説（『旅宿問答』）、公瑜僧正説（『新続古事談』）などがあるが、現在ではどれも根拠は薄弱とされる。例文帳に追加

The various hypotheses that were made in the early modern times are all considered unreliable: Tokinaga HAMURO's hypothesis ("Daigo Zassho"), 中原師梁 hypothesis ("Reference on tale of Hogen"), Genyu's hypothesis ("Ryoshuku mondo"), Koyu Sojo's hypothesis ("New continuation of Kojidan, an episode on old accounts"), and so on.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

京都七条および元禄10年（1697年）から江戸亀戸で鋳造された寛永通寳は荻原重秀の建策により薄肉小型なものに変更されたため荻原銭と呼ばれる。例文帳に追加

Kanei Tsuho which was minted in Shichijo, Kyoto and also in Kameido, Edo after 1697, was called Ogiwara-sen, being turned into a thin and small type as a result of policies set by Shigehide OGIWARA.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Ｍｏ原子及びＡｇ原子を含む導電性薄膜を用いて、ゲート電極４及びソース・ドレイン電極１４を形成して半導体素子１を製造する。例文帳に追加

The semiconductor device 1 is manufactured by forming the gate electrode 4 and the source/ drain electrodes 14 by using the electrically conductive thin films containing Mo atoms and Ag atoms. - 特許庁

前記半導体薄膜として窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化アルミニウムホウ素、窒化アルミニウムガリウム、窒化ホウ素ガリウムなどのIII族原子と窒素原子の化合物、窒化ホウ素炭素、ダイヤモンドのいずれを用いる。例文帳に追加

Any of a compound of a group III atom and a nitrogen atom such as aluminum nitride, boron nitride, aluminum boron nitride, aluminum gallium nitride and boron gallium nitride, boron carbon nitride and diamond is used for the semiconductor thin film. - 特許庁

ケイ素原子及び酸素原子により基体１上に形成される網目状構造部２に、π電子共役系分子５ａが、絶縁性分子３ａを介して結合してなる機能性有機薄膜。例文帳に追加

The functional organic thin film has a configuration in which π electron conjugate molecules 5a are connected to a reticulate structure 2 formed of silicon atoms and oxygen atoms on a substrate body 1 via insulating molecules 3a. - 特許庁

酸化ビスマスの原料物質として、少なくとも１個のシリルアミド配位子を有する有機ビスマス化合物を使用することを含む、原子層堆積によりビスマス含有酸化物薄膜を作製するための方法。例文帳に追加

A method of forming a bismuth-containing oxide thin film by utilizing atomic layer deposition which includes the use of an organic bismuth compound having at least one silylamide ligand as the source material of a bismuth oxide. - 特許庁

ドナーとしてのハロゲン原子とアクセプターとしてのアルカリ金属原子とを、モル比１：１のドナー・アクセプター対である化合物の状態でＺｎＯ薄膜に添加する。例文帳に追加

Halogen atom as a donor and alkali metal atom as an acceptor are added to a ZnO thin film under the condition of a compound as paired donor-acceptor mole ratio of 1:1. - 特許庁

前駆体中の全含窒素配位子における酸素原子に対する窒素原子のモル比が１以上の場合、熱処理後のチタンオキシナイトライド薄膜において、多くの窒素が固定化される。例文帳に追加

In the case of the molar ratio of nitrogen atom to oxygen atom in the whole nitrogen-containing ligand in the precursor of ≥1, a plenty of nitrogen atoms are fixed to a titanium oxynitride thin film after heat treatment. - 特許庁

ジルコニウム（ＩＶ）キレート錯体及びその合成方法並びに該錯体を含む溶液原料、該錯体又は該溶液原料を用いて作製された高誘電体薄膜例文帳に追加

ZIRCONIUM (IV) CHELATE COMPLEX, METHOD FOR SYNTHESIZING THE SAME, SOLUTION RAW MATERIAL CONTAINING THE COMPLEX AND HIGH-DIELECTRIC THIN FILM PRODUCED BY USING THE COMPLEX OR THE SOLUTION RAW MATERIAL - 特許庁

パスタ類の主原料にデュラムセモリナ粉と小麦粉の強力粉及び薄力粉を用い、これに牡蠣の粉末またはペーストもしくは牡蠣エキス及び酒類または水を配合した後、主原料と混練して調製する。例文帳に追加

This method for producing the pasta is characterized by adding oyster powder, paste or extract and a liquor or water to durum semolina flour, strong wheat flour and weak wheat flour as main raw materials and then kneading the mixture. - 特許庁

スパッタリング法により原子を放出するターゲット８と、この原子により薄膜が形成される基板１４の間に磁極板１６と磁極板１８が配置されている。例文帳に追加

The space between a target 8 emitting atoms by a sputtering method and a substrate 14 on which a thin film has been formed by the atoms is deposited with a pole board 16 and a pole board 18. - 特許庁

鉛（ＩＩ）キレート錯体及びその合成方法並びに該錯体を含む溶液原料、該錯体又は該溶液原料を用いて作製された高誘電体薄膜例文帳に追加

LEAD (II) CHELATE COMPLEX, METHOD FOR SYNTHESIZING THE SAME, SOLUTION RAW MATERIAL CONTAINING THE COMPLEX AND HIGH-DIELECTRIC THIN FILM PRODUCED BY USING THE COMPLEX OR THE SOLUTION RAW MATERIAL - 特許庁

フッ化物の原料やレーザー発振用原料、薄膜堆積装置等のクリーニングガス等に有用なフッ素（Ｆ_２）を安定にかつ高純度に供給できるフッ素電解槽を提供する。例文帳に追加

To provide a fluorine electrolytic cell which can stably supply highly-pure fluorine (F_2) useful as a raw material for a fluoride or laser oscillation, a cleaning gas, etc. for thin-film deposition apparatus, etc. - 特許庁

成膜工程では、成膜原料供給ユニット９からの原料ガスをシャワーヘッド６より反応室１内に供給して、回転する基板４上にハフニウムを含む薄膜を形成する。例文帳に追加

In the film depositing process, material gas sent from a film forming material feed unit 9 is fed into a reaction chamber 1 from a shower head 6 to form a hafnium-containing thin film on a rotating substrate 4. - 特許庁

真空雰囲気中に高融点金属を有する原料ガスと窒素原子を有する含窒素還元ガスを導入し、高融点金属の窒化物薄膜２４を形成する際、窒素を有しない補助還元ガスを導入する。例文帳に追加

When a material gas, containing a high-melting point metal and a nitrogen-containing reducing gas containing nitrogen atoms are introduced in a vacuum atmosphere to form a nitride thin film 24 made of high-melting point metal, an auxiliary reducing gas which does not contain nitrogen is introduced. - 特許庁

そして、気化した原料ガスがマイクロ流路９５を流れている間に、原料ガスは薄膜ヒータ９７に加熱されて、更に改質触媒９６に促進されて、改質反応をする。例文帳に追加

While an evaporated raw material gas flows in the micro-passage 95, the raw material gas is heated by the thin film heater 97 and expedited by the reforming catalyst 96 to cause reforming. - 特許庁

優れた膜の組成制御性及び段差被覆性を有する有機金属化学蒸着法用溶液原料及び該原料を用いて作製された複合酸化物系誘電体薄膜を提供する。例文帳に追加

To provide a solution material for an organic metal chemical vapor deposition method having excellent film composition controllability and step coverage, and a composite oxide series dielectric thin film prepared using the material. - 特許庁

ＣＶＤ法に適する液体イリジウム化合物、これを用いたＣＶＤ用原料、及び該ＣＶＤ用原料を用いたイリジウム薄膜の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a liquid iridium compound suitable to the CVD method, to provide a raw material for CVD comprising the same, and to provide a method for producing iridium thin films using said raw material. - 特許庁

第１のガス供給系は固体昇華法を用いて結晶核原料ガスを生成し、第２のガス供給系は溶液気化法を用いて薄膜原料ガスを生成する。例文帳に追加

The first gas supply system generates a crystal nucleus material gas using a solid state sublimation method and the second gas supply system generates a thin film material gas using a solution vaporization method. - 特許庁

薄い枠状のプラスチック部材等で成型されたフィルムガイドに反りが生じても、透過原稿を、原稿台ガラス上で正確に位置決めする。例文帳に追加

To accurately achieve the positioning of a transparent original on an original stand glass even when bending is generated in a film guide molded by a thin frame-shaped plastic member or the like. - 特許庁

ニオブ又はタンタルについて、それぞれの酸化物のみならず、複合金属酸化物の製造にも適する安定性を有するＣＶＤ用原料、該原料を用いた金属酸化物薄膜及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a raw material for CVD having stability suitable not only to the production of respective oxides as to niobium and tantalum but also to the production of multiple metallic oxides, to provide a metallic oxide thin film using the same raw material and to provide its producing method. - 特許庁

ハイパーブランチポリマーに混合原子価錯体をイオン結合で固定化した高分子錯体を提供することで、スピンコート等による薄膜化が可能となり、混合原子価錯体の幅広い産業応用を可能とする。例文帳に追加

This polymer complex is provided by fixing a mixed atomic valence complex with the hyper branch polymer by an ionic bond to enable the thin film formation by a spin coating, etc., and wide industrial application of the mixed atomic valence complex. - 特許庁

そして、バルブ７を開閉し、交互に原料ガスを供給して原子層成長により基板３の凹部内に薄膜を形成し、量子細線および量子箱を形成する。例文帳に追加

Valves 7 are opened and closed, to supply a material gas alternately from these valves to form a thin film in the concave part of the substrate by growing an atom layer, and a quantum fine wire and a quantum dot are formed. - 特許庁

オープンアークが発生しても電極と金属突起物との間にアークが形成されるので、炉蓋の破損を防止することができるとともに、スラグ厚を薄くして副原料使用原単位を低減することが可能となる。例文帳に追加

Since arc can be formed between the electrodes and the metal protrusion, even when open arc is generated, breaking of the furnace cover can be prevented and slag thickness can be reduced, thereby reducing the material consumption unit of the sub-material. - 特許庁

従来技術において使用された電磁分離法やシランガスを原料として用いることなく、原料と同等の同位体組成を持つ平滑なシリコンおよび同位体濃縮シリコン薄膜を製造する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a smooth silicon and isotopically enriched silicon thin film each having an isotopic composition equivalent to a raw material without using an electromagnetic separation process and a silane gas as a raw material which are used in the prior art. - 特許庁

ポリエステルやレーヨン繊維等を原料とする不織布、又はポリエチレンやポリプロピレン等を原料とするフィルムが加熱により収縮する性質を利用し、反らない極薄畳を提供する。例文帳に追加

To provide an unwarping extremely thin tatami mat, by use of a characteristic that a non-woven fabric made of poly-esther, rayon fiber, etc. or a film made of polyethylene, poly-propylene, etc. contracts by heating. - 特許庁

有機金属化学気相成長法用原料溶液、Ｐｂ（ｄｐｍ）２錯体の精製方法並びに該原料溶液を用いた誘電体薄膜の成膜方法例文帳に追加

RAW MATERIAL SOLUTION FOR ORGANO-METALLIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION METHOD, METHOD FOR REFINING Pb(dpm)2 COMPLEX, AND METHOD FOR DEPOSITING DIELECTRIC THIN FILM USING THE RAW MATERIAL SOLUTION - 特許庁

ペーパースラッジを原料とする固形燃料の製造方法及びペーパースラッジを原料とする固形燃料を用いた衛生薄葉紙の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCING SOLID FUEL USING PAPER SLUDGE AS RAW MATERIAL, AND METHOD FOR PRODUCING SANITARY TISSUE PAPER USING SOLID FUEL USING PAPER SLUDGE AS RAW MATERIAL - 特許庁

超臨界状態の流体又は液体に成膜原料を混合した原料流体を用いて薄膜を成膜する成膜装置及び成膜方法を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus and method for forming a thin film by using a raw material fluid obtained by mixing a film forming raw material with a fluid or a liquid in a supercritical state. - 特許庁

黒鉛原料としての薄片状黒鉛が、複数個で集合一体化しており、且つ、この集合体中には耐火性原料粒子を内在しない状態で、塊状となって耐火物中に分布する。例文帳に追加

Plural sheets of the flaky graphite as a graphite raw material are aggregated and integrated, and the aggregate in which a raw material particle for the refractory is not included, is dispersed in the refractory to form a lump shape. - 特許庁

ここで、積層膜の膜厚は現在、原理的には原子層程度まで薄くすることができることから、電子線等の描画用ビームの最小スポット径よりも小さい幅のマスク開口Ｃを有するマスクが作製される。例文帳に追加

Here, the film thickness of a laminated film is reducible almost to an atom layer in principle at present, so a mask having a mask opening C whose width is smaller than the minimum spot diameter of the drawing beam such as an electron beam can be formed. - 特許庁