「原薄」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

リチウム金属、硫化物系の無機固体電解質薄膜の原料および無機固体電解質薄膜を形成した負極が大気により劣化しないようなリチウム二次電池用負極の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a negative electrode for a lithium secondary battery wherein lithium metal, a raw material for sulfide series inorganic solid electrolyte thin film and the negative electrode where the inorganic solid electrolyte thin film has been formed are not deteriorated by an atmospheric air. - 特許庁

さらにエピタキシャル薄膜を形成する方法は、中間領域５ｂの流量でガス原料を供給して半導体基板上にエピタキシャル薄膜を形成する工程を備える。例文帳に追加

Furthermore, the method for forming the epitaxial thin film has a process for forming the epitaxial thin film on the semiconductor substrate by supplying the gas raw material at a flowrate in the intermediate region 5b. - 特許庁

例えば、多孔質表面構造や、極薄の薄膜を支持する構造、又は、反射回折格子の島状部（反射面）を狭くした構造などによって、反射表面の見かけ上の原子密度を少なくすることができる。例文帳に追加

For example, with a porous surface structure, a structure supporting a very thin film or a structure with narrowed island part (reflection surface) of a reflection diffraction grating, the apparent atomic density on the reflection surface can be reduced. - 特許庁

複雑な工程を必要とせず、安価な原料を用いて、誘電率が高く、しかも信頼性の高い複合酸化物薄膜を効率よく製造することが可能な複合酸化物薄膜の製造方法及び製造装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method and an apparatus for manufacturing a compound oxide thin film, which can efficiently manufacture a compound oxide thin film with high reliability besides high dielectric constant, using a cheap material without requiring a complicated process. - 特許庁

有機多層薄膜材料を構成する原子と入射電子線の相互作用を増大させることにより有機多層薄膜材料中における入射電子線の散乱効果を大きくする。例文帳に追加

By increasing interaction of an atom constituting the organic multi-layered thin film material and an incident electron beam, a scattering effect of the incident electron beam in the organic multi-layered thin film material is increased. - 特許庁

原子層蒸着法（ＡＬＤ法）において、膜界面の欠陥が少なく、膜特性の良好な薄膜を形成することができる薄膜形成方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for forming a thin film in which a thin film having good film characteristics can be formed while suppressing defects on the film interface by atomic layer deposition (ALD method). - 特許庁

その後、薄膜原料の溶解した流体を基板表面上に導入し、その溶媒の密度を制御することによって溶質の溶解度を低下させ、過飽和状態を実現することによって薄膜を作製する。例文帳に追加

Thereafter, a fluid in which the thin film raw material is dissolved is spread over the surface of a substrate and the density of the solvent is controlled to lower the solubility of the solute and the supersaturated state is realized to form a thin film. - 特許庁

本発明によれば、強誘電体薄膜を製造するために用いられる原料溶液の安定性と耐久性とが高められ、しかも膜質が大きく向上された強誘電体薄膜を製造することができる。例文帳に追加

According to this method, stability and durability of raw solution used for manufacturing a ferrodielectric thin film are raised, and a ferrodielectric thin film whose film quality is largely improved can be manufactured. - 特許庁

ＣＶＤ法による薄膜の製造に適した４族元素であるチタニウム、ジルコニウム及びハフニウム原料及びこれを用いた薄膜の製造方法を提供する。例文帳に追加

To obtain a raw material including group 4 elements such as titanium, zirconium and hafnium suitable for producing a thin film by a CVD method, and also provide a method for producing the thin film using the material. - 特許庁

この極薄膜３５の成膜反応を所定サイクル数繰り返して、多孔質アモルファス絶縁膜３１の空孔３３の内壁全体に所定厚を有するＷ原子の結晶性薄膜を形成する。例文帳に追加

The film formation reaction of the film 35 is repeated in the prescribed number of cycles, and a crystalline thin film by the W atoms in a prescribed thickness is formed on the whole inner wall of the vacancy 33 on the film 31. - 特許庁

基板３０上に中間層材料の薄膜を形成し、該薄膜にマイクロレンズ原版１０を押し付けて成形して透明な中間層を形成してから、レンズ材料を充填しても良い。例文帳に追加

Otherwise a thin film of an intermediate layer material is formed on the substrate 30, a transparent intermediate layer may be formed by molding while pressing the microlens original plate 10 to the thin film and then the lens materials may be charged. - 特許庁

化合物半導体薄膜積層ウエハのエピタキシャル結晶成長における中間反応を抑制する原料供給工程と、熱分解工程、化学反応工程により、高い電子移動度のInP薄膜を結晶成長させる。例文帳に追加

A high electron mobility InP thin film is grown epitaxially by a material supply process for suppressing intermediate reaction in epitaxial growth of a compound semiconductor thin film multilayer wafer, a thermal decomposition process, and a chemical reaction process. - 特許庁

機能性薄膜を形成させるための有用な原料である含フッ素β−ジケトン金属錯体を用い、低温で気相化学反応法（ＣＶＤ）による酸化物薄膜の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a thin oxide film by a chemical vapor deposition (CVD) method at a low temperature by using a fluorine-containing β-diketone metal complex which is a raw material useful for forming a functional thin film. - 特許庁

基板上に、少なくとも２種類の強誘電性酸化物薄膜が積層されてなり、各層の前記酸化物薄膜が奇数枚の原子層からなる常温磁性強誘電性超格子とする。例文帳に追加

The normal temperature magnetic ferroelectric superlattice is constituted by layering at least two kinds of ferroelectric oxide thin films on a substrate, wherein the oxide thin film of each layer is composed of an odd number of atomic layers. - 特許庁

少ない高純度の融液原料で、低コストで、良質で、低欠陥の半導体結晶薄膜を得る半導体結晶薄膜の作製方法の技術を提供する。例文帳に追加

To provide a technique of a manufacturing method of a semiconductor crystal thin film obtaining an inexpensive, high-quality and low-defect semiconductor crystal thin film with a small quantity of high-purity melt material. - 特許庁

この化合物をＣＶＤ法の原料として用いることにより、半導体装置用のＳｒＢｉ_２Ｔａ_２Ｏ_９薄膜や（Ｓｒ_０．７５Ｂａ_０．２５）Ｎｂ_２Ｏ_６薄膜を製造できる。例文帳に追加

A SrBi2Ta2O9 thin film and a (Sr0.75Ba0.25)Nb2O6 thin film for a semiconductor device can be produced by using the compound as a raw material for a CVD method. - 特許庁

導電性薄膜４のテクスチャー構造を形成するに当たり、窒化アルミニウムを含有したＡｇを原材料として用い、かつ真空成膜プロセスを使用する導電性薄膜の形成方法である、例文帳に追加

In the method of forming the conductive thin film, when a texture structure of a conductive thin film 4 is formed, Ag containing aluminum nitride is used as the raw material, and a vacuum deposition process is used. - 特許庁

露点が−４０℃以下の環境において、薄膜作製のための原料や基材あるいは製造した薄膜を取り扱えば、リチウム金属や硫化物系の無機固体電解質の劣化を効果的に防止できる。例文帳に追加

By treating the raw material for thin film manufacturing, a base material or a produced thin film in an atmosphere having a dew point of ≤-40°C, deterioration in the inorganic solid electrolyte of lithium metal or sulfide series can be effectively prevented. - 特許庁

容易に分解し、かつ、緻密で高炭素比率の導電性フルオロカーボン薄膜を効率的に形成できる原料ガスを用いた導電性フルオロカーボン薄膜の形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for forming a conductive fluorocarbon thin film using a raw material gas that can be easily decomposed and efficiently formed into a dense conductive fluorocarbon thin film having a high carbon ratio. - 特許庁

ＡＬＤ（原子層成長法）により膜を形成する際、従来の薄膜形成装置のように排気部に反応生成物が形成されることが殆ど無く、メンテナンスのし易い薄膜形成装置を提供する。例文帳に追加

To provide a thin film-forming device that hardly has reaction products formed at an exhaust portion unlike a conventional thin film-forming device when a film is formed by ALD (atomic layer deposition), and is easy to maintain. - 特許庁

原料となる有機金属化合物のロスがなく、金属又は金属酸化物薄膜の製造コストを低減することのできるＣＶＤプロセスと、それを可能とするＣＶＤ薄膜製造装置とを提供する。例文帳に追加

To provide a CVD process which reduces a manufacturing cost for a thin film of metal or metallic oxide without loss of organometallic compounds of raw material, and to provide a manufacturing apparatus of a CVD thin film. - 特許庁

基板１１の一方面にＣＶＤ法によりＴＥＯＳを原料とするシリコン酸化膜やＮＳＧからなる薄膜１３を形成し、基板１１の他方面側から薄膜１３が残るように空間１２をエッチングで形成する。例文帳に追加

A silicon oxide membrane made of TEOS with a CVD method and thin membrane 13 made of NSG are formed on one surface of a substrate 11, and a space 12 is formed from the other surface side of the substrate 11 by etching so as to remain the thin membrane 13. - 特許庁

薄膜キャパシタにおける諸特性低下の原因となるヒロックを抑制し、リーク電流特性及び絶縁耐圧特性に優れた薄膜キャパシタを製造する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a thin film capacitor excellent in a leakage-current property and a dielectric strength voltage property by suppressing hillock causing deterioration of various properties of the thin film capacitor. - 特許庁

原料費と製造コストが安く、かつ歩留まりが良い半導体薄膜と、この半導体薄膜を用いた発光素子、並びに受光素子と、これらの製造方法を開発することが課題である。例文帳に追加

To develop a semiconductor thin film which is produced at low raw material cost and production cost with high yield, and to develop a light-emitting element and a light-receiving element using the semiconductor thin film, and manufacturing methods therefor. - 特許庁

液体または固体材料を気化して反応室内へ供給し、薄膜を形成する薄膜の形成方法において、原料ガス供給用通路や反応室内のパーティクルを低減する。例文帳に追加

To reduce particles in a reaction chamber and in a supply passage for a raw material gas in a method for forming a thin film by vaporizing liquid or a solid material and supplying it into the reaction chamber. - 特許庁

ウエハに凹凸があっても薄膜原料をウエハ均一に塗布し、塗布不良を発生させないで、またコストの高い樹脂膜やレジストなどの使用量を、比較的少量にできるの薄膜コーティング方法を得る。例文帳に追加

To obtain a method for coating a thin film by which a thin film raw material can be uniformly applied onto a wafer even when the wafer has unevenness to occur no application inferiority and used amount of a resin film and a resist of high cost can be suppressed to a relatively small amount. - 特許庁

電力変換トランスにおいて、導電体薄板を用いたコイルを、うなりの発生原因となる積層導電体薄板間の隙間のない高占積率で取扱容易なものとする。例文帳に追加

To enable a coil employing a conductor thin plate to be easily handled at a high space factor having no gap between laminate conductor thin plates causing a beat, in a power conversion transformer. - 特許庁

基板の面内の温度の最高値と最低値との差が０．７×ΔＱ_ＭＡＸ〔°〕以下になるように制御された状態で、基板上に薄膜の原料ガスを供給し、該薄膜を形成する。例文帳に追加

Then the ferroelectric thin film is formed on the substrate by supplying source gas of the thin film onto the substrate while the heating the substrate is controlled so that the difference between the highest and the lowest values of the in-plane temperature of the substrate becomes ≤0.7×ΔQ_MAX (°). - 特許庁

原型１、ゴム型５、鋳型、鋳物の注型反転工程を経る鋳造法でタイヤ成形用金型を製造する工程において、金属薄板材であるサイプブレードを鋳包み、金型に薄肉突起形状を形成させる。例文帳に追加

In a process for manufacturing a tire mold by a casting method through an original mold 1, the rubber mold 5, a casting mold and a casting reversal process of a casting, the sipe blade 6 being a metal sheet material is wrapped by casting to form a thin-walled projection shape to the mold. - 特許庁

ＡＬＤ法による薄膜形成工程のパージ効率を高めることで、原料ガスおよび酸化性ガスの残留を防ぐとともに、パージ時間を短縮可能な薄膜の形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a forming method of a thin film wherein the purge efficiency in the thin film forming process according to ALD method is increased to be able to prevent the remaining of a raw material gas and an oxidizing gas and to reduce the purge time. - 特許庁

原子層制御薄膜成長法（以下ＡＬＤ）に於いて、反応炉容量に依らず品質及び生産性を向上することができる薄膜形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for forming a thin film which can enhance the quality and productivity not depending upon a reaction furnace capacity, in a method for growing the thin film controlling an atomic layer (hereinafter referred to as the ALD). - 特許庁

原盤のリソグラフィ工程において、予め無機レジスト層の表面上へ保護薄膜を形成し、露光後に保護薄膜を剥離した上で現像を行う。例文帳に追加

In a lithography step of a master disk, a protective thin film is formed on a surface of an inorganic resist layer in advance, and subsequent to exposure, the protective thin film is removed and then development is conducted. - 特許庁

成膜速度が速く、安価な原料を用いることができ、薄膜に不純物が残留しない貴金属薄膜の作製方法及びその作製装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method for preparing a noble metal thin film, which has a fast deposition rate, can use cheap raw materials and does not leave impurities on the thin film. - 特許庁

爆発性の原料ガスを用いながら、高価な真空排気装置を必要としない常圧に近い減圧下で、かつ安全な環境下で、シリコンなどの半導体薄膜やシリコン窒化膜などの絶縁体薄膜を堆積可能にする。例文帳に追加

To deposit a thin insulating film, such as a semiconductor film of silicon, etc., or silicon nitride film, etc., in a safe environment under a reduced pressure which is close to the atmospheric pressure and at which no expensive vacuum evacuation device is required, while an explosive gaseous raw material is used. - 特許庁

そのために、前記薄膜形成領域に、薄膜形成材料を構成する分子と共通の原子団を有する自己組織化膜５を形成する。例文帳に追加

A self-assembled film 5 including an atomic group common to the molecule constituting the thin film forming material is formed on the area for forming the thin film so as to convert the area for forming the thin film into such a surface state. - 特許庁

高い蒸気圧及び高い熱安定性を持ち、チタン含有薄膜を製造するための優れた原料となる新規なチタン錯体、該錯体を用いた薄膜の製法を提供する。例文帳に追加

To provide a novel titanium complex which has a high vapor pressure and high thermal stability and comes to an excellent raw material for the production of a titanium-containing thin film and a method for preparing a thin film using the complex. - 特許庁

また、乾燥魚類を原料とする粉末、薄片又はリボン状物として、鰹節を薄くリボン状に削ったいわゆる花鰹を使用しているが、鰹節及びリボン状の形状に限定するものではない。例文帳に追加

The powdery, thin-sliced or ribbon-like material made of dried fish is not limited within dried bonito or the ribbon-like one while comprising the material prepared by shedding the dried bonito into thin-sliced pieces, so-called "Hanakatsuo". - 特許庁

機能性膜の製膜時に、ピンホール故障等の原因となるパーティクルの発生を抑え、高機能な薄膜を高生産性で形成可能な薄膜形成装置を提供する。例文帳に追加

To provide a thin-film-forming apparatus for forming the thin film with a high function at high productivity, by inhibiting the formation of particles which cause a pin hole defect, when the functional film is formed. - 特許庁

比較的容易に薄型化を図ることができ、しかも、薄型化した場合でも、フラットケーブルと原稿載置部との接触を抑制可能な画像読取装置を提供すること。例文帳に追加

To provide an image reading apparatus which can be relatively easily thinned and can suppress contact of a flat cable with a document mounting portion even if it is thinned. - 特許庁

固体撮像装置の薄型化を図るため、回路基板１に凹部１ａを設け、この凹部内に撮像素子２を収納するようにすると、この凹部の部分の板厚が薄くなるため、遮光性低下の原因となっている。例文帳に追加

When a recessed part 1a is provided on a circuit board 1 to contain an imaging element 2 in the recessed part in order to make the profile of the solid-state imaging apparatus small, since the plate of the recessed part is made thin, this causes deterioration in shading. - 特許庁

Ｃｏ−Ｚｒ系にＴｉを添加した非晶質軟磁性薄膜において、前記Ｔｉを２．５ａｔ％（原子％）以上添加したことを特徴とする非晶質軟磁性薄膜を提供する。例文帳に追加

In the amorphous soft magnetic thin film composed of a Co-Zr- based material containing added Ti, the adding rate of the Ti is adjusted to ≥2.5 atom%. - 特許庁

オゾンガスにより原料ガスの成分を酸化することで基板の上に薄膜を形成する薄膜形成装置において、成膜室内を減圧するための排気機構における異物発生を抑制する。例文帳に追加

To suppress the generation of a foreign material in an exhaust mechanism for reducing the pressure within a deposition chamber in a thin film forming apparatus for forming a thin film on a substrate by oxidizing the component of a gaseous raw material by gaseous ozone. - 特許庁

ペロブスカイト型又はＢｉ層状ペロブスカイト型酸化物薄膜形成用原料溶液、ペロブスカイト型又はＢｉ層状ペロブスカイト型酸化物薄膜の形成方法及びペロブスカイト型又はＢｉ層状ペロブスカイト型酸化物薄膜例文帳に追加

SOURCE SOLUTION FOR FORMATION OF REROVSKITE TYPE OR Bi SHEET PEROVSKITE TYPE OXIDE THIN FILM, METHOD OF FORMING PEROVSKITE TYPE OR Bi SHEET PEROVSKITE OXIDE THIN FILM, AND PEROVSKITE TYPE OR Bi SHEET PEROVSKITE TYPE OXIDE THIN FILM - 特許庁

容器１の内面または外面、あるいは両面に酸化亜鉛の薄膜１０がコーティングされ、その薄膜１０がプラズマ助成式ＣＶＤ法により形成され、その薄膜中に０．１atom％以上の炭素原子を含むプラスチック容器１とするものである。例文帳に追加

The plastic container 1 is made up by coating its interior or exterior or both of the interior and the exterior with a zinc oxide film 10 which is formed by plasma chemical vapor deposition method and includes 0.1 atom.% or more of carbon atoms. - 特許庁

リチウム金属薄膜または無機固体電解質薄膜積を製造する方法が提供され、該方法は、薄膜製造工程においてアルカリ金属または無機固体電解質もしくはその原料と接触する雰囲気の露点を−４０℃とすることを特徴とする。例文帳に追加

In the thin film deposition method, the dew point of an atmosphere coming to contact with an alkali metal, an inorganic solid electrolyte or their raw materials is controlled to -40°C. - 特許庁