成長させるの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 3602件
成長基板上に半導体膜をエピタキシャル成長させる。例文帳に追加
The semiconductor film is formed on a growth substrate through epitaxial growth. - 特許庁
成長用基板上に半導体膜をエピタキシャル成長させる。例文帳に追加
A semiconductor film is grown epitaxially on a growth substrate. - 特許庁
埋め込み半導体層は例えば520〜760℃の成長温度で成長させる。例文帳に追加
The burying semiconductor layer is grown in temperatures of 520-760°C, for example. - 特許庁
横方向成長層の上にデバイス機能層をエピタキシャル成長させる。例文帳に追加
A device function layer is epitaxially grown on the lateral growth layer. - 特許庁
次いで、成長面に対して垂直な方向の成長速度が10μm/h以下となるように第2の成長層22を成長させる。例文帳に追加
A second growth layer 22 is then grown in such a manner that the growth velocity in the direction perpendicular to the growth surface is not higher than 10 μm/h. - 特許庁
次いで、成長面に対して垂直な方向の成長速度が10μm/h以下となるように第2の成長層22を成長させる。例文帳に追加
Then, a second growth layer 22 is grown so that the growth rate in the perpendicular direction to the growth face is ≤10 μm/h. - 特許庁
大きな成長速度で成長した第1の成長層21の表面は荒れたものとなるが、それよりも小さな成長速度で第2の成長層22を成長させることにより、第1の成長層21の表面の窪みが埋められ、第2の成長層22の表面を平坦にすることができる。例文帳に追加
The surface of the first layer 21 grown at the faster growth rate becomes rough, but, since the second layer 22 is grown at the lower growth rate, the recessed parts on the surface of the layer 21 are filled up and the surface of the second layer 22 can be formed in a flat surface. - 特許庁
横成長CGシリコン膜を成長させる際の触媒金属元素の添加濃度を低減させる。例文帳に追加
To reduce the additive concentration of catalytic metal element at the time of growing a CG silicon film laterally. - 特許庁
SiをGe上で選択的に成長させる間に、GeをSi上で選択的に成長させる。例文帳に追加
Ge is selectively grown on Si while Si is selectively grown on Ge. - 特許庁
最初にn型層を成長させ、続いてp型層を成長させる通常の方式で、基板上にエピタキシャル層を成長させる。例文帳に追加
An epitaxial layer is grown on a substrate based on such an ordinary method that an n-type layer is initially grown and then a p-type layer is grown. - 特許庁
脂肪族ケトン化合物のガスの供給を、銅薄膜を成長させる前、成長させる時、又は一部を成長させた後に行う。例文帳に追加
It also comprises supplying gas of an aliphatic ketone compound before growing the copper thin film, during growing it, or after growing a part. - 特許庁
ここで前記シード層を原子層堆積法又は化学気相成長法によって成長させることによって、高品質の層を成長させることができる。例文帳に追加
By now growing this seed layer with atomic layer deposition (ALD) or chemical vapor deposition (CVD), a high quality layer can be grown. - 特許庁
窒化ガリウム単結晶基板の表面にエピタキシャル成長させる際に裏面に成長させない。例文帳に追加
To prevent growth on the rear side, when making epitaxial grow on the surface of a gallium nitride single-crystal substrate. - 特許庁
成長志向の更なる改革が、成長を高め、雇用及び所得を増加させるために重要。例文帳に追加
Additional pro-growth reforms are essential to deliver stronger and more balanced global growth, boost employment, and raise incomes. - 財務省
トリメチルガリウムとアンモニアガスを成長ガスとして使用し、窒化ガリウム層13を成長させる。例文帳に追加
Trimethyl gallium and ammonia gas are used as growth gas and a gallium nitride layer 13 is grown. - 特許庁
得られる膜は、種々の成長技術によって素子を順次再成長させるのに適している。例文帳に追加
The obtained film is suitable for regrowing elements sequentially by various growth techniques. - 特許庁
彼らは会社を大きく成長させる。例文帳に追加
They make the company grow greatly. - Weblio Email例文集
受精を行わずに胚を成長させること例文帳に追加
development of an embryo without fertilization - 日本語WordNet
子供を育てて一人前に成長させる例文帳に追加
an act of bringing up a child so as to become independent - EDR日英対訳辞書
新しい血管の成長を低下させること。例文帳に追加
having to do with reducing the growth of new blood vessels. - PDQ®がん用語辞書 英語版
フッ化カルシウム単結晶を成長させる方法例文帳に追加
METHOD FOR GROWING CALCIUM FLUORIDE SINGLE CRYSTAL - 特許庁
半導体多層構造を成長させる方法例文帳に追加
METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MULTILAYER STRUCTURE - 特許庁
そののち、溝12にカーボンナノチューブを成長させる。例文帳に追加
Then, the carbon nano-tube is grown up in the groove 12. - 特許庁
多結晶材料から単結晶を成長させる方法例文帳に追加
METHOD FOR GROWING SINGLE CRYSTAL FROM POLYCRYSTAL MATERIAL - 特許庁
溝8内にSiGe層9を選択成長させる。例文帳に追加
An SiGe layer 9 is selectively grown in the groove 8. - 特許庁
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