例文 (437件) |
書込特性の部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 437件
薄膜磁気ヘッドの書き込み素子の特性評価方法例文帳に追加
CHARACTERISTIC EVALUATION METHOD FOR WRITING ELEMENT OF THIN-FILM MAGNETIC HEAD - 特許庁
書込み特性及びデータ保持特性に優れた半導体記憶装置を提供する。例文帳に追加
To provide a semiconductor storage device which has superior writing characteristics and data holding characteristics. - 特許庁
強誘電体記憶装置の読み出し特性又は書き込み特性を向上させる。例文帳に追加
To improve reading or writing characteristics of a ferroelectric storage device. - 特許庁
スタティックメモリセルのデータ保持特性およびデータ書き込み特性を向上する例文帳に追加
To improve data holding characteristic and data write-in characteristic in a static memory cell. - 特許庁
データ保持特性及び書き込み特性に優れ、簡単な回路で構成し得るメモリセルを提供する。例文帳に追加
To provide a memory cell excellent in data holding characteristics and writing characteristics and configurable with a simple circuit. - 特許庁
書込み時等における磁化特性を均質化して、効率的に書込み作業を実行できるようにする。例文帳に追加
To make magnetization characteristics in writing or the like uniform for effective writing. - 特許庁
書込み時等における磁化特性を均質化して、効率的に書込み作業を実行できるようにする。例文帳に追加
To perform writing work efficiently by homogenizing the magnetic characteristics at the time of writing, or the like. - 特許庁
書込み時等における磁化特性を均質化して、効率的に書込み作業を実行できるようにする。例文帳に追加
To allow efficient writing operations by homogenizing magnetizing characteristics at writing etc. - 特許庁
書き込み特性を向上させ、安定した書き込み特性を維持する不揮発性半導体記憶装置を提供すること。例文帳に追加
To provide a nonvolatile semiconductor memory apparatus in which writing characteristics is improved and a stable writing characteristics are maintained. - 特許庁
リテンション特性を維持し、かつ、書き込みに要する時間を短くする。例文帳に追加
To maintain retention characteristics and reduce the time required for writing. - 特許庁
プラスチック材の特性を測定し、その結果を電子タグに書き込みむ。例文帳に追加
The property of plastic material is measured, and its result is written in the electronic tag 1. - 特許庁
書込系のfθ特性誤差による画質への影響を低減する。例文帳に追加
To reduce influence on image quality due to fθ characteristic error in a writing system. - 特許庁
書込素子から発生する磁束の立ち上がり特性を精度よく評価する。例文帳に追加
To accurately evaluate rising characteristics of a magnetic flux generated from a write element. - 特許庁
メモリセルに対する書き込み/消去特性のばらつきの抑制。例文帳に追加
To suppress variations in writing/erasing characteristics into/from a memory cell. - 特許庁
短チャネル特性に優れ、書き込み特性及び保持特性に優れる不揮発性半導体記憶装置及び製造方法。例文帳に追加
To provide a nonvolatile semiconductor storage device which is superior in short channel characteristic, writing characteristic and retention, and to provide its manufacturing method. - 特許庁
微細化を行っても、書き込み/消去特性、繰り返し特性、およびリテンション特性に優れたMONOS型メモリセルを提供する。例文帳に追加
To provide a MONOS type memory cell which is excellent in writing/elimination characteristics, repetition characteristics, and retention characteristics even when it is microfabricated. - 特許庁
消去特性推定手段はメモリセルの書き込み特性に基づき、例えば、予め取得した書き込み特性と消去特性との相関関係に応じて消去特性を推定し、得られた消去特性情報を記憶手段に記憶する。例文帳に追加
An erasion characteristic predicting means predicts an erasion characteristic in accordance with correlation between a write-in characteristic previously obtained and an erasion characteristic based on a write-in characteristic of a memory cell, and stores obtained erasion characteristic information in a storage means. - 特許庁
データの書き込みと消去で電荷の注入を位置的および電荷量的に揃え、データの書き換え特性および保持特性を向上させる。例文帳に追加
To uniform the injection of charges positionally and quantitatively by wiring and deleting data, and to improve data rewriting characteristic and holding characteristic. - 特許庁
書き込み特性や読み込み特性に優れ、かつ製造が容易な不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供すること。例文帳に追加
To provide a nonvolatile semiconductor memory device that is excellent in write and read characteristics and is easy to manufacture; and to provide a method of manufacturing the same. - 特許庁
この結果、特別の制御回路を新たに形成することなく、データ保持特性およびデータ書き込み特性を共に向上できる。例文帳に追加
As a result, both data holding characteristic and data write-in characteristic can be improved without newly forming a special control circuit. - 特許庁
ダミーワード線DWLと通常の書き込み遅延特性にほぼ等しい遅延特性を有するタイミング調整回路5とを設ける。例文帳に追加
The semiconductor storage device is provided with a dummy wordline DWL and a timing adjusting circuit 5 having delay characteristics nearly equal to usual writing delay characteristics. - 特許庁
スタティック型メモリセルの書込特性動作を改善、および下限電圧特性および安定性を向上する。例文帳に追加
To improve write-in characteristic operations of a static type memory cell and to improve the lower limiting voltage characteristic and stability. - 特許庁
フローティングゲート周囲の寄生容量を低減すると共に、書き込み特性、電荷保持特性を向上させる。例文帳に追加
To reduce parasitic capacitance in the periphery of a floating gate and improve writing characteristic and charge holding characteristic. - 特許庁
書き込み特性及び電荷保持特性に優れた不揮発性半導体記憶装置を提供することを目的とする。例文帳に追加
To provide a nonvolatile semiconductor memory device excellent in writing characteristics and charge retention characteristics. - 特許庁
これにより、データ書き込み特性の高速動作性とデータ保持特性の長期信頼性との両立を図る構成となっている。例文帳に追加
This provides a constitution which ensures both a high-speed operability with data write characteristics and a long reliability of data holding characteristics. - 特許庁
消去特性やデータ保持特性を損なうことなく書き込み時のセルリーク電流を低減できる半導体装置を提供する。例文帳に追加
To provide a semiconductor device, wherein a cell leakage current at the write-in is reduced without impairing an erase property or a data holding property. - 特許庁
光学格納媒体への書き込みに関する書き込み特性の較正を行うための方法、ソフトウェア、および装置を開示する。例文帳に追加
The present invention relates to a method, software, and device for calibrating write characteristics associated with writing to an optical storage medium. - 特許庁
書き込み期間において、書き込み特性が悪化する表示行における維持電極の電圧を、走査パルスの極性と逆の方向に変化させる。例文帳に追加
In a write period, the voltage of a maintaining electrode in a display line where the write characteristics become worse is varied reversely to the polarity of scanning pulses. - 特許庁
書込及び消去の効率向上と共に、書込/消去反復特性を改善するスプリットゲート型フラッシュメモリを提供する。例文帳に追加
To provide a split gate flash memory which improves efficiency in write and erase and in repeated write/erase. - 特許庁
メモリセルの書き込みレベルを改善することによって、安定したメモリセル特性を持たせる。例文帳に追加
To provide stable memory cell characteristics by improving the write level of a memory cell. - 特許庁
このブロック番号は、記録ヘッドの製造工程においてその吐出特性を考慮して書き込まれる。例文帳に追加
This block number is written by taking the delivering characteristics into consideration in a manufacturing process of the recording head. - 特許庁
短い書き込み時間と良好な表示特性を同時に実現可能な液晶表示素子を提供する。例文帳に追加
To provide a liquid crystal display element that reduces writing time and ensures satisfactory display characteristics. - 特許庁
抵抗変化型の記憶装置において、書き込み時のデータ保持特性を向上させる。例文帳に追加
To improve data retaining characteristic at writing, in a memory device of resistance varying type. - 特許庁
データ保持特性を向上させる半導体装置のデータ書き込み方法を提供する。例文帳に追加
To provide a data write method for a semiconductor device in which a data holding characteristic is improved. - 特許庁
データ書き込み時に、電流値が低下して、電荷保持特性が著しく低下することを防止する。例文帳に追加
To prevent marked degradation in charge retention characteristics due to a reduction in current value upon writing of data. - 特許庁
書き込み特性にバラツキが少なく且つ微細化に適した半導体メモリを提供する。例文帳に追加
To provide a semiconductor memory which has less dispersion in writing characteristics and is also suitable for miniaturization. - 特許庁
飽和特性が著しく不完全なTFTを用いても正確な画像信号書込みを可能とする。例文帳に追加
To make it possible to accurately write an image signal even when a TFT having significantly insufficient saturation characteristics is used. - 特許庁
特に書込時のリーク電流を抑制でき、特性改善を図ることができる。例文帳に追加
This can control leakage current especially at a write time, and can achieve characteristic improvement. - 特許庁
非定常状態における書き込み特性の低下に適切に対応できるようにする。例文帳に追加
To appropriately cope with a deterioration in writing characteristics in an unsteady state. - 特許庁
データ書き込み/消去時の動作特性を改善した不揮発性半導体記憶装置を提供する。例文帳に追加
To provide a nonvolatile semiconductor storage device having improved performance characteristics during data write/erase. - 特許庁
メモリセルの書き込みレベルを改善することによって、安定したメモリセル特性を持たせる。例文帳に追加
To give a stable memory cell property by improving a write-in level of the memory cell. - 特許庁
書込み特性の低下及びオフリーク電流の増大を起こすことなく、セルサイズを縮小する。例文帳に追加
To reduce a cell size without deteriorating a writing characteristic and increasing off-leak current. - 特許庁
ワード線の抵抗値を低減することができ、信号遅延に伴う書込特性の悪化を防ぐ。例文帳に追加
To reduce the resistance value of a word line and to prevent deterioration of writing characteristics due to signal delay. - 特許庁
改善された、スイッチング特性、同相モード電圧、とヘッド電流制御を持つ書き込み増幅器例文帳に追加
WRITE-IN AMPLIFIER HAVING IMPROVED SWITCHING CHARACTERISTIC, IN-PHASE NODE VOLTAGE, AND HEAD CURRENT CONTROL - 特許庁
スタティックランダムアクセスメモリの、メモリセルのデータの書き込み特性のばらつきを抑制する。例文帳に追加
To suppress variation in data writing characteristics of a memory cell in a static random access memory. - 特許庁
データリテンションの特性を向上しつつ消去動作や書き込み動作に要する時間を短縮する。例文帳に追加
To reduce time required for erasing operation and write operation while improving a data retention characteristic. - 特許庁
高性能な書き込み消去特性を有する不揮発性半導体記憶装置を提供する。例文帳に追加
To provide a nonvolatile semiconductor storage device with a high performance write deleting characteristic. - 特許庁
書込みを実施する際に書込みデータによる書込み特性差を低減し、メモリセルへの書き換えストレスを均一化できる不揮発性半導体記憶装置を提供する。例文帳に追加
To provide a nonvolatile semiconductor memory in which difference of write characteristics by write data at write is reduced and rewriting stress for a memory cell can be uniformalized. - 特許庁
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