「電位場」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

例えば、データ信号がＨレベルの電位（３Ｖ）である場合には、それが入力される前にＬレベルの電位（０Ｖ）の電位を入力する。例文帳に追加

For example, when the data signals have a potential of H level (3 V), a potential having a potential of L level (0 V) is input before the data signals are input. - 特許庁

トランスファーＭＯＳがＮＭＯＳの場合には、ドレイン又はソース電位のどちらか低い電位を基板電位にし基板効果影響を無くす。例文帳に追加

When transfer MOS is NMOS, lower one of drain and source potentials is employed as a substrate potential thus eliminating body effect. - 特許庁

第1のゲート線には画素電極電位が正極性に保持されている場合に画素電荷の最小漏洩となる電位近傍の電位が与えられ、第２のゲート線には画素電極電位が負極性に保持されている場合に画素電荷の最小漏洩となる電位近傍の電位が与えられる。例文帳に追加

A potential is imparted to a first gate line, the potential near the potential of causing minimum leakage of pixel charges when the pixel electrode potential is held in positive polarity; and a potential is imparted to a second gate line the potential near the potential of causing minimum leakage of pixel charges when the pixel electrode potential is held in negative polarity. - 特許庁

どちらのセンサに接続された場合も、比較器４は特定点Ａの電位を基準電位と比較して、特定点Ａの電位が基準電位よりも高いときに第１のレベルの信号を、特定点Ａの電位が基準電位よりも低いときに第２のレベルの信号を出力する。例文帳に追加

Even in cases connected to either of the sensors, a comparator 4 compares the electric potential of the specific point A with the reference electric potential and will output the first level signal, when the electric potential of the specific point A is higher than the reference electric potential, and the second level signal is output, when the electric potential of the specific point A is lower than the reference electric potential. - 特許庁

検出イオンが＋イオンの場合、第１のメッシュ５１にはグランド電位に対して−の電位を印加し、第２のメッシュ５２にはグランド電位に対して＋の電位を印加する。例文帳に追加

When detected ions are plus ions, the first meshes 51 are applied with a potential which is minus based upon a ground potential, and the second meshes 52 are applied with a potential which is plus based upon the ground potential. - 特許庁

直流電位、交流電位のいずれが供給された場合であっても正電位と負電位を出力することが可能な整流回路等を提供する。例文帳に追加

To provide a rectifier circuit or the like which can output positive potential and negative potential no matter which of DC potential and AC potential may be supplied. - 特許庁

第２電位生成回路６４は、ＤＥＶ端子５６に接地電位とバイアス電位が印加されない場合に、ＤＥＶ端子５６に第２電位を印加する。例文帳に追加

A second potential generation circuit 64 applies a second potential to a DEV terminal 56 when the ground potential and the bias potential are not applied to the DEV terminal 56. - 特許庁

しかも、サブモータ２０の出力電位がバッテリー６１の出力電位より低電位となった場合にも昇圧回路６５によりサブモータ２０の出力電位を昇圧してバッテリー６１を充電することができる。例文帳に追加

The battery 61 can be charged by boosting the output potential of the sub-motor 20 by using a boosting circuit 65 even if the output potential of the sub-motor 20 becomes lower than the output potential of the battery 61. - 特許庁

参照電位Ｖｒｅｆと終端電位Ｖｔｔが異なる場合でも、データ入出力端子３５の電位が「Ｌ」レベルまたは「Ｈ」レベルから参照電位Ｖｒｅｆに到達するまでの時間を一定にすることができる。例文帳に追加

Even when the reference potential Vrerf is different from the terminal potential Vtt, a time required for reaching to the reference potential Vref from a 'L' level or a 'H' level of a potential of the data input/ output terminal 35 can be made constant. - 特許庁

このとき、ワード線ＷＬの電位は、従来の場合のように電位Ｖｐｐまで上昇させるのではなく、電位Ｖｐｐより低い電位Ｖｄｄで所定の期間保持される。例文帳に追加

At such a time, the potential is not increased to a potential Vpp like conventional cases but the potential is kept at Vdd lower than Vpp for a predetermined period of time. - 特許庁

この際、上記共振パルス電源電位の共振振幅の中間電位が所定の基準電位よりも大となった場合には、共振パルス電源電位の低下期間中において電源ラインを強制的に接地する。例文帳に追加

At this time, when the middle potential of the resonance amplitude of the resonance pulse power source-potential becomes larger than a prescribed reference potential, the driving device forcibly grounds the power source line in a period when the resonance pulse power source-potential is lowered. - 特許庁

基板Ｓに対してプラズマ処理を施す場合、下部電極１０の電位を、上部電極２０の電位に対して負とし、補助電極３０の電位を、上部電極２０の電位に対して負とする。例文帳に追加

When applying a plasma treatment to the substrate S, the potential of the lower electrode 10 is set negative with respect to the potential of an upper electrode 20, and the potential of the auxiliary electrode 30 is set negative with respect to the potential of the upper electrode 20. - 特許庁

なお、刺激源としては、化学物質，電位，磁場，光，および重力などがある。例文帳に追加

The stimulation sources include chemical substances, potentials, magnetic fields, light and gravity. - 特許庁

この場合、上記オペアンプの出力電位は時間とともに変化する。例文帳に追加

In this case, the output potential of the operational amplifier changes over a time. - 特許庁

大地の電位を調整して環境を改善した住宅、工場、農地等例文帳に追加

RESIDENCE, FACTORY AND FARMLAND OR THE LIKE FOR IMPROVING ENVIRONMENT THROUGH ADJUSTING ELECTRIC POTENTIAL OF GROUND - 特許庁

発光素子への電流の供給を制御するトランジスタがｐチャネル型の場合、発光素子の各色に対応した電源電位が、ビデオ信号が有する２値の電位のうちの高電位側の電位と、前記電源線の電位として用いる。例文帳に追加

When a transistor controlling the supply of a current to a light emitting element is a p channel type, a power source potential corresponding to each color of the light emitting element is used as a high potential of the binary potential that a video signal has and the potential of a power supply line. - 特許庁

逆に発光素子への電流の供給を制御するトランジスタがｎチャネル型の場合、発光素子の各色に対応した電源電位が、ビデオ信号が有する２値の電位のうちの低電位側の電位と、前記電源線の電位として用いる。例文帳に追加

When the transistor controlling the supply of the current to the light emitting element is an n channel type to the contrary, the power source potential corresponding to each color of the light emitting element is used as a low potential of the binary potential that the video signal has and the potential of the power supply. - 特許庁

一対の偏向電極51には、フィラメント32の電位Ｖ１と陽極ターゲット27の電位Ｖ２との電位差Ｖ２−Ｖ１をＶとした場合、接地電位に対して＋Ｖ／３から−Ｖ／３の範囲の電位差を与えれば、電子を偏向できる。例文帳に追加

As for the pair of deflecting electrodes 51, in the case a potential difference V2-V1 between a potential V1 of the filament 32 and a potential V2 of the anode target 27 is made V, if a potential difference within a range of +V/3 to -V/3 is given against a ground potential, the electron can be deflected. - 特許庁

この場合に、階調電位が正極性の周期に前記第２の信号駆動部が信号線に印加する第１電位を、階調電位が負極性の周期に印加する第１電位とコモン電位との中間範囲に設定する。例文帳に追加

The first potential to be applied to a signal line by the second signal driving section in a period when the grayscale potential is in a positive polarity is set in a middle range between the common potential and the first potential to be applied in a period when the grayscale potential is in a negative polarity. - 特許庁

第１断線検出回路Ａ２は、出力端子ＡＴの電位が上限電位よりも高くなった場合、または、下限電位よりも低くなった場合に、配線Ｚが断線状態であることを検出する。例文帳に追加

A first disconnection detection circuit A2 detects that a wire Z is in a disconnected state in the case that the electric potential of an output terminal AT gets higher than an upper-bound electric potential or lower than an lower-bound electric potential. - 特許庁

高電位側導電体は、傾斜磁場電源２０の高電位側端子に接続されたケーブルと傾斜磁場コイル１３の高電位側端子とを接続する。例文帳に追加

The high-potential side conductor connects a cable connected to a high-potential side terminal of the gradient magnetic field power supply 20 to a high-potential-side terminal of the gradient magnetic field coil 13. - 特許庁

低電位側導電体は、傾斜磁場電源２０の低電位側端子に接続されたケーブルと傾斜磁場コイル１３の低電位側端子とを接続する。例文帳に追加

The low-potential side conductor connects a cable connected to a low-potential side terminal of a gradient magnetic field power supply 20 to a low-potential side terminal of the gradient magnetic field coil 13. - 特許庁

制御回路２０は、第２のオーミック電極１７の電位が第１のオーミック電極１６の電位よりも高い場合には、第１のオーミック電極１６の電位を基準としてバイアス電圧を印加し、第２のオーミック電極１７の電位が第１のオーミック電極１６の電位よりも低い場合には、第２のオーミック電極１７の電位を基準としてバイアス電圧を印加する。例文帳に追加

The control circuit 20 applies the bias voltage with a potential of the first ohmic electrode 16 as a reference when a potential of the second ohmic electrode17 is higher than the potential of the first ohmic electrode 16, and applies the bias voltage with the potential of the second ohmic electrode 17 as a reference when the potential of the second electrode 17 is lower than the potential of the first ohmic electrode 16. - 特許庁

初期値設定回路３４は、第２の高電位電源ＶＤＥが所定レベル以下の場合には該ＭＯＳトランジスタＴｐ４のゲート電位を第２の高電位電源ＶＤＥとグランドとの間の中間電位に制御し、第２の高電位電源ＶＤＥが所定レベルより高い場合には該ＭＯＳトランジスタＴｐ４をオンするようそのゲート電位をグランドレベルに制御する。例文帳に追加

The initial value setting circuit 34 controls the gate potential of the MOS transistor Tp4 at an intermediate potential between a second high potential power supply VDE and the ground when the second high potential power supply VDE is a predetermined level or lower, and controls the gate potential at the ground level to turn on the MOS transistor Tp4 when the second high potential power supply VDE is higher than the predetermined level. - 特許庁

初期値設定回路３４は、第２の高電位電源ＶＤＥが所定レベル以下の場合には該ＭＯＳトランジスタＴｐ４のゲート電位を第２の高電位電源ＶＤＥとグランドとの間の中間電位に制御し、第２の高電位電源ＶＤＥが所定レベルより高い場合には該ＭＯＳトランジスタＴｐ４をオンするようそのゲート電位をグランドレベルに制御する。例文帳に追加

The initial value setting circuit 34 controls a gate potential of the MOS transistor Tp4 to an intermediate potential between a second high potential power source VDE and the ground when the second high potential power source VDE is below a predetermined level, and controls the gate potential to a ground level so as to turn on the MOS transistor Tp4 when the second high potential power source VDE is above the predetermined level. - 特許庁

回折型ライトバルブ（ＧＬＶ）の場合は、第１の電極５に低電位、第２の電極２に高電位となる駆動電圧を印加する。例文帳に追加

For a diffraction type light valve (GLV), such a driving voltage that the first electrode 5 has a low potential and the second electrode 2 has a high potential is applied. - 特許庁

流体が水である場合には、流体収容容器に水の酸化還元電位を計測する酸化還元電位計測手段を設ける。例文帳に追加

When the fluid is water, an oxidation-reduction potential measurement means for measuring oxidation-reduction potential of water is provided in the fluid storage container. - 特許庁

個別電極３２の電位を所定電位とした場合には、選択的通過領域をインクが通過する。例文帳に追加

In the case where the potential of the discrete electrode 32 is made the predetermined potential, the ink passes the selective pass region. - 特許庁

液晶に高い電位を印加し続けた場合に、定期的、あるいは不定期に瞬間的に電位を下げると、不可逆変化（劣化）は生じ難くなる。例文帳に追加

When a high potential is continued to be applied to the liquid crystal, but the potential is periodically or irregularly lowered momentarily, the irreversible change (deterioration) is reduced to be caused. - 特許庁

ダイオードＤ３はＴ１が十分オンしない場合にＴ１，Ｔ２の接続点の電位ＣＬＫ１Ｐの電位をＶＤＤに引き上げる。例文帳に追加

When the T1 is not turned on sufficiently, the diode D3 elevates the potential CLK1P at the joint of T1 and T2 to VDD. - 特許庁

電位Ｖｂｉ’でベリファイ動作をする場合、電位Ｖａｉ＋１でセルのデータを予備リードし、この状態をラッチ回路に記憶する。例文帳に追加

When verification operation is performed at a potential Vbi', data of a cell are preliminarily read at a potential Vai+1, and this state is stored in a latching circuit. - 特許庁

非侵襲に心筋細胞の膜電位に対応する電位波形を取得できる生体磁場計測技術を提供する。例文帳に追加

To provide a living body magnetic field measuring technique capable of non-invasively obtaining a potential waveform corresponding to the membrane potential of the myocardial cell. - 特許庁

論理ゲートＧ２の入力電位が、スレッショルドの電位より高い場合は、トランジスタＴｒ１をオンにする。例文帳に追加

When the input potential of the logic gate G2 is higher than a threshold potential, a transistor Tr1 is turned on. - 特許庁

インバータ回路１３０は、接続状態検出信号の電位が所定の電位より高い場合に、交流電圧の生成を中止する。例文帳に追加

An inverter circuit 130 stops the generation of an alternate-current voltage, when the potential of the connection state detection circuit signal is higher than the given potential. - 特許庁

その結果、透明抵抗体５に微小な領域の欠陥が抵抗ムラが存在する場合でも、電位ムラが鈍り、電位勾配が均一となる。例文帳に追加

As a result, potential variance is reduced to obtain a uniform potential gradient even in the case that resistance variance exists in the transparent resistors 5 due to defects of minute areas. - 特許庁

内部電源電位が遅れた場合でも、内部電源電位で動作する回路に対して確実にリセットをかけることができる。例文帳に追加

Even when the internal power supply potential is delayed, reset can be surely applied to a circuit operated by the internal power supply potential. - 特許庁

センサからの信号の電位が接地電位に対してドリフトする場合であっても、測定値に誤差が生じないセンサ入力装置を提供する。例文帳に追加

To provide a sensor input device which commits no error in measured value even when the potential of a signal from a sensor drifts from a ground potential. - 特許庁

したがって、外部基準電位ＶＲ２がしきい値電位よりも低下した場合でも、ＤＲＡＭの内部回路が誤動作することがない。例文帳に追加

Therefore, the internal circuit of the DRAM will not produce errors, even if the external reference potential VR2 becomes lower than the threshold potential. - 特許庁

一方、写真領域を含まない場合は、その色に対応する感光体ドラムの表面電位を低電位に設定する。例文帳に追加

Meanwhile, when the photographic area is not included therein, the CPU 91 sets the surface potential of the photoreceptor drum corresponding to the color to low potential. - 特許庁

そして、所定の電位と比較して、配線上の電位と差がある場合は、配線に電荷を供給して、急速に充電して、プリチャージを行う。例文帳に追加

When there is a difference between a predetermined potential and the potential on the wiring, charges are supplied to the wiring to perform rapid charging, and then precharging is performed. - 特許庁

写真領域が含まれる場合は、ＣＰＵ９１は写真領域を含む色に対応する感光体ドラムの表面電位を高電位に設定する。例文帳に追加

When the photographic area is included therein, the CPU 91 sets surface potential of the photoreceptor drum corresponding to the color including the photographic area to high potential. - 特許庁

第３電位生成回路７０は、ＳＲ端子５５と端子５７が接続された場合に、端子５８に接地電位を出力する。例文帳に追加

The third potential generation circuit 70 outputs a ground potential to a terminal 58 when an SR terminal 55 and a terminal 57 are connected. - 特許庁

電位補正手段５４では、第２印刷量６６が第１印刷量６１になった場合に、感光体ドラム１０の表面電位が補正される。例文帳に追加

A potential correcting means 54 corrects the surface potential of the photoreceptor drum 10 when the second printing quantity 66 reaches the first printing quantity 61. - 特許庁

ＡＤＣ４は、アナログ信号ＡＮＳの電位が基準電位ＶＯＬ，ＶＯＨの範囲内にある場合に限定してＡＤ変換を行なう。例文帳に追加

An ADC4 conducts AD-conversion limited to a case where a potential of the analogue signal ANS is within a range of reference potentials VOL, VOH. - 特許庁

表面電位計の応答速度が変化した場合であっても、表面電位を高精度に検出することができる画像形成装置を提供すること。例文帳に追加

To provide an image forming device capable of detecting precisely surface potential even if a response speed of a surface electrometer is varied. - 特許庁