「非結晶性」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

基材層４には、非結晶性合成樹脂が主成分として用いられている。例文帳に追加

A non-crystalline synthetic resin is mainly used for the base material layer 4. - 特許庁

非極性面ＩＩＩ族窒化物１０を種結晶膜６上にフラックス法によって育成する。例文帳に追加

A nonpolar group-III nitride 10 is grown on the seed crystal film 6 by a flux method. - 特許庁

非極性面上に低抵抗な半導体結晶が形成された半導体を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor with a low-resistance semiconductor crystal formed on a nonpolar surface. - 特許庁

ファイバ接続部材８は、繊維状フィラーが添加された非結晶性樹脂で形成されている。例文帳に追加

The fiber connecting member 8 is made of an amorphous resin to which a fibrous filler has been added. - 特許庁

非晶質または微結晶磁性金属薄帯からなる積層体の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING LAMINATE COMPRISING AMORPHOUS OR MICROCRYSTALLINE MAGNETIC METAL THIN STRIP - 特許庁

非単結晶半導体薄膜素子の製造プロセスにおける特性改善方法例文帳に追加

CHARACTERISTIC IMPROVEMENT METHOD IN MANUFACTURE PROCESS OF NON-SINGLE CRYSTALLINE SEMICONDUCTOR THIN FILM ELEMENT - 特許庁

非磁性基体１としては、Ａｌ合金や強化ガラス、結晶化ガラス等を用いることができる。例文帳に追加

As a non-magnetic base 1, aluminum alloy, tempered glass, crystallized glass, etc., can be used. - 特許庁

非結晶性樹脂用再生処理液およびこれを用いる成形体の製造方法例文帳に追加

REGENERATION TREATMENT SOLUTION FOR NON-CRYSTALLINE RESIN AND PREPARATION OF MOLDING USING THE SAME - 特許庁

非透明性を有する膜は、低圧気相成長法で形成された多結晶Ｓｉ膜である。例文帳に追加

The film with non-transparency is a polycrystalline Si film which is formed by the low-pressure vapor phase growth method. - 特許庁

第２の結晶層１３の表面は非常に平滑であり、発光素子の特性向上に寄与する。例文帳に追加

The surface of the crystal layer 13 is extremely smooth, and contributes to the improvement of characteristics in a light-emitting device. - 特許庁

これにより、優れた結晶品質の非極性発光セルを有する発光素子が提供される。例文帳に追加

Accordingly, a light emitting device having non-polar light emitting cells with superior crystal quality is provided. - 特許庁

活性化熱処理で結晶化しない非晶質高誘電体膜を提供する。例文帳に追加

To provide an amorphous high dielectric film without being crystallized in activation heat treatment. - 特許庁

これにより、優れた結晶品質の非極性発光セルを有する発光素子が提供される。例文帳に追加

Accordingly, there is provided a light emitting device having non-polar light emitting cells with superior crystal quality. - 特許庁

ガラスなどの耐熱性の低い材料を基板として用いながらも、非晶質半導体膜を結晶化して得られる結晶質半導体膜の配向率を高め、単結晶に匹敵する高品質の結晶質半導体膜を用いた半導体装置を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a semiconductor device which uses a crystalline semiconductor film whose quality is so high as to be comparable to that of a single crystal by enhancing orientation rate of the crystalline semiconductor film obtained by crystallizing an amorphous semiconductor film, which uses even a low heat- resistant material such as glass or the like for the substrate. - 特許庁

非単結晶Ｓｉ薄膜と単結晶Ｓｉ薄膜デバイスとを形成し、高性能なシステムを集積化した半導体装置およびその製造方法、ならびに該半導体装置の単結晶Ｓｉ薄膜デバイスを形成するための単結晶Ｓｉ基板を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device, in which a non-single crystal Si thin film and a single crystal Si thin-film device are formed and a high-performance system is integrated, to provide a method for manufacturing it, and to provide a single-crystal Si substrate for forming the single crystal Si thin-film device of the semiconductor device. - 特許庁

レーザー結晶化法において、多結晶Ｓｉ薄膜の平均結晶粒径と結晶粒径ばらつきは、非晶質Ｓｉ薄膜の膜厚と相関があるので、膜厚制御により所望の特性を有する薄膜トランジスタを形成すること。例文帳に追加

To form a thin-film transistor having a desired characteristic by controlling a film thickness because, in a laser crystallization method, the mean crystal particle size of a polycrystalline Si thin film and irregularity in the crystal particle size of the thin film are correlated with the film thickness of an amorphous Si thin film. - 特許庁

結晶性ブロック構造と非晶性ブロック構造を有する重量平均分子量１００００〜５００００の結晶性樹脂Ｂと、樹脂Ａからなるトナーにおいて、前記樹脂Ａの分子量を前記結晶性樹脂Ｂの非晶性ブロックの分子量の２倍以上とするトナー。例文帳に追加

In the toner comprising a resin A and a crystalline resin B having a crystalline block structure, an amorphous block structure and a weight average molecular weight of 10,000-50,000, the molecular weight of the resin A is ≥2 times that of an amorphous block of the crystalline resin B. - 特許庁

その後、非晶質性領域１３ａの上部及び下部に存する結晶性領域１３ｂ及びシリコン結晶領域１０をシード層として固相エピタキシャル成長を生じさせ、非晶質性領域１３ａを結晶性領域１３ｂに変化させる。例文帳に追加

Thereafter, a solid-phase epitaxial growth is caused to occur with the crystalline regions 13b existing on and under the amorphous region 13a and a silicon crystal region 10 as a seed layer to turn the amorphous region 13a into a crystalline region 13b. - 特許庁

コーニング７０５９（歪点５９３℃）等のガラス基板上に窒化珪素膜が設けられ、その窒化珪素膜上に接して設けた非晶質珪素膜にニッケル等の非晶質珪素膜の結晶化を助長する元素を添加したのち、その非晶質珪素膜を結晶化させて結晶性珪素膜を得る。例文帳に追加

A silicon nitride film is formed on a glass substrate of coning 7059 (distortion point 593°C), an element such as nickel or the like promoting the crystallization of an amorphous silicon film is added to an amorphous silicon film provided on the silicon nitride film, and then the amorphous silicon film is crystallized into a crystalline silicon film. - 特許庁

この結晶性樹脂の分子鎖と非晶性樹脂の分子鎖間の化学結合１ｍｏｌあたりの、結晶性樹脂と非晶性樹脂合計質量が、３００，０００ｇ以下であるシームレスベルト。例文帳に追加

The total mass of the crystalline resin and the amorphous resin per one mole of the chemical bond between the molecular chains of the crystalline and amorphous resins is not more than 300,000 g. - 特許庁

また、本発明の静電荷像現像用トナーは、結晶性ポリエステル樹脂、非結晶性樹脂、及びα−オレフィンと無水マレイン酸とを重合してなる共重合体を含有するコア粒子表面に、前記非結晶性樹脂を含有するシェル層を有する態様が好ましい。例文帳に追加

Also, the electrostatic charge image developing toner is preferably the embodiment, having a shell layer containing the crystalline polyester resin on the surface of a core particle surface containing the crystalline polyester resin, the non-crystalline resin, and the copolymer prepared by polymerizing the the α-olefin and maleic anhydride. - 特許庁

非結晶性樹脂及び着色剤を含有するコア層と、該コア層を被覆するシェル層を有するコアシェル構造の静電荷現像用トナーであって、前記シェル層が結晶性ポリエステル樹脂及び非結晶性樹脂を含有する複合樹脂粒子を含む静電荷像現像用トナー。例文帳に追加

The electrostatic charge image developing toner has a core-shell structure comprising a core layer containing an amorphous resin and a colorant and a shell layer covering the core layer, wherein the shell layer contains composite resin particles containing a crystalline polyester resin and an amorphous resin. - 特許庁

製造方法は、耐火性容器内の一面側から第一非晶質ガラス材料、結晶性ガラス小体、第二非晶質ガラス材料を順に配置し、軟化点以上で熱処理して融着一体化させると共に、結晶性ガラス小体を結晶化させる。例文帳に追加

Regarding its production method, a first amorphous glass material, crystalline glass small bodies and a secondary amorphous glass material are arranged in order from one side in a refractory vessel, and are heat-treated at a softening temperature or above, so as to be fused and integrated, and further, the crystalline glass small bodies are crystallized. - 特許庁

粒径の均一性が高く、且つ高い結晶性を有する混相粒を低い粒密度で与える第１の条件により、非晶質シリコン領域と、単結晶とみなせる微小結晶である結晶子とを含む混相粒を有する種結晶を絶縁膜上にプラズマＣＶＤ法により形成した後、当該種結晶上に、混相粒を成長させて混相粒の隙間を埋める第２の条件で、種結晶上に微結晶半導体膜をプラズマＣＶＤ法により積層形成する。例文帳に追加

Under a second condition for filling the space between the mixed phase grains by growing the mixed phase grains on the seed crystal, a microcrystalline semiconductor film is stacked on the seed crystal by a plasma CVD method. - 特許庁

下部ポリシリコンゲルマニウム層２３上に非晶質シリコン層を形成し、非晶質シリコン層を結晶化することによって、非方向性結晶構造を有する上部ポリシリコン２４層を得ることができる。例文帳に追加

An amorphous silicon layer is formed on the lower polysilicon germanium layer 23 and then crystallized thus obtaining the upper polysilicon layer 24 having a nondirective crystal structure. - 特許庁

非線形光学材料として使用する光学材料の研磨方法において、特にイオン性有機非線形光学材料などの軟脆弱材料の精密研磨方法に関し、被研磨材料であるイオン性有機結晶の特性劣化がなく、平坦性の良好なイオン性有機結晶の研磨方法及び該イオン性有機結晶の研磨方法により研磨したイオン性有機結晶を提供する。例文帳に追加

To provide a method of polishing ionic organic crystal, and the ionic organic crystal polished by the method of polishing the ionic organic crystal having excellent flatness with no characteristic degradation of the ionic organic crystal which is a polished material in a precision polishing method of a soft fragile material such as an ionic organic nonlinear optical material in a method of polishing an optical material used as a nonlinear optical material. - 特許庁

結晶性ポリマー微孔性膜は、非対称孔構造を有する結晶性ポリマー微孔性膜であって、前記結晶性ポリマー微孔性膜の露出表面の少なくとも一部が、第一の架橋剤により架橋させてなる界面活性剤で被覆されている。例文帳に追加

In the microporous membrane of a crystalline polymer including an asymmetric pore-structure, at least a part of the exposed surface thereof is covered with a surfactant crosslinked by a first crosslinking agent. - 特許庁

ａ）非結晶性絹フィブロインを主成分とする絹タンパク、およびｂ）非結晶性絹フィブロイン以外の界面活性剤を含有する、洗浄剤組成物を提供する。例文帳に追加

The detergent composition comprises (a) a silk protein consisting essentially of noncrystalline silk fibroin and (b) a surfactant other than the noncrystalline silk fibroin. - 特許庁

結晶性の酸化チタン粒子と非晶性の酸化チタン粒子とを含有し、有機系基材の表面に塗布される親水性塗料組成物において、前記結晶粒子と前記非晶粒子のそれぞれにバナジウムが含有されている。例文帳に追加

In the hydrophilic coating composition coated on the surface of the organic system substrate which contains crystalline titanium oxide particles and amorphous titanium oxide particles, vanadium is contained in each of the crystal particles and the amorphous particles. - 特許庁

少なくとも非結晶性ポリエステル樹脂、結晶性ポリエステル樹脂、離型剤及び着色剤を含有し、前記非結晶性ポリエステル樹脂をマトリクスとし、前記結晶性ポリエステル樹脂及び／又は前記離型剤がドメインを形成するドメインマトリクス構造を有するトナーにおいて、前記非結晶性ポリエステル樹脂のマトリクス中に、前記離型剤を内包する前記結晶性ポリエステル樹脂のドメインが存在する。例文帳に追加

The toner includes: a noncrystalline polyester resin; a crystalline polyester resin; a release agent; and a coloring agent, wherein the toner has a domain matrix structure in which the noncrystalline polyester resin is served as the matrix and the crystalline polyester resin and/or the release agent forms the domain, and wherein the domain of the crystalline polyester resin including within the release agent is present in the matrix of the noncrystalline polyester resin. - 特許庁

上記の課題を解決するために、非晶質半導体膜形成の前処理として、下地膜と非晶質半導体膜の界面をフッ素化処理することにより、公知の結晶化の処理をして形成した結晶性半導体膜の結晶配向性を制御することができる。例文帳に追加

Crystal orientation of a crystalline semiconductor film, formed by a known crystallization processing, can be controlled by subjecting the interface between the underlying film and the amorphous semiconductor film to fluorination processing, which is a preprocessing for forming an amorphous semiconductor film. - 特許庁

磁性層６の結晶粒径分布を制御するため、非磁性基板１上にスパッタ法で非磁性アモルファス層３を形成する。例文帳に追加

A non-magnetic amorphous layer 3 is formed by a sputtering method on the non-magnetic substrate 1 to control the diameter distribution of the crystal grains in the magnetic layer 6. - 特許庁

基板上に第１の微結晶半導体膜を形成した後、当該第１の微結晶半導体膜の表面を平坦化する処理を行い、次に、平坦化された第１の微結晶半導体膜の表面側の非晶質半導体領域を除去する処理を行って、結晶性が高く、且つ平坦性を有する第２の微結晶半導体膜を形成する。例文帳に追加

After a first microcrystalline semiconductor film is formed on a substrate, the surface of the first microcrystalline semiconductor film is flattened, and then, an amorphous semiconductor region on the surface side of the flattened first microcrystalline semiconductor film is removed and a second microcrystalline semiconductor film with high crystallinity and having flatness is formed. - 特許庁

非晶質軟磁性層と、該非晶質軟磁性層上に設けられ、最密結晶構造を有する非磁性層と、該非磁性層上に設けられ、最密結晶構造を有し、垂直磁気異方性を有する硬磁性層と、を備えたことを特徴とするスピントルク発振子が提供される。例文帳に追加

The spin torque oscillator is provided with: an amorphous soft magnetic layer; a non-magnetic layer having a close-packed crystal structure while being arranged on the amorphous soft magnetic layer; and a hard magnetic layer having the close-packed crystal structure and a perpendicular magnetic anisotropy while being arranged on the non-magnetic layer. - 特許庁

非結晶性ポリエステル樹脂からなる基材シート１上に、非晶状態の結晶性ポリエステル樹脂からなる透明又は半透明の表面シート２を積層してなる化粧シートである。例文帳に追加

In the decorative sheet, a transparent or translucent surface sheet 2 of a crystalline polyester resin in an amorphous state is laminated on a base material sheet 1 of an amorphous polyester resin. - 特許庁

非結晶性ポリエステル樹脂からなる基層１１の少なくとも裏面に、非晶状態の結晶性ポリエステル樹脂からなる裏層１３を有する積層ポリエステル樹脂フィルムを、基材シート１として使用する。例文帳に追加

A laminated polyester resin film having a back layer 13 made of a crystalline polyester resin in an amorphous state at least on the back surface of a base layer 11 made of an amorphous polyester resin is used as a base sheet 1. - 特許庁

結晶性糖質と、非結晶性糖質と、油脂および乳化剤の混合・均質化物であるなじみ成分とを主成分とする飴生地材料の非加熱混練物が、所定形状に成形されている飴菓子である。例文帳に追加

The candy is obtained by forming, into a prescribed shape, a non-heating kneaded product of candy dough the principal ingredients of which are crystalline carbohydrate, noncrystalline carbohydrate, and an affinity component which is a mixed homogenate of oil-and-fat and an emulsifier. - 特許庁

同一の基板内において、半導体膜を選択的に結晶化し非晶質状態と結晶性状態の半導体膜を作り分けること、更に非晶質半導体と微結晶半導体が混在したＴＦＴを得ることが可能となる簡便な方法を得る。例文帳に追加

To provide a simple method for selectively crystallizing semiconductor film to produce different-state semiconductor film, one amorphous and another crystalline, within the same substrate, as well as for obtaining a TFT where an amorphous semiconductor and a microcrystalline semiconductor coexist. - 特許庁

芯と外殻とを有し、芯が結晶性ポリエステルブロック及び非結晶性ポリエステルブロックよりなるブロック共重合体を含み、外殻に含まれる樹脂のＴｇが、結晶性ポリエステルブロックのＴｇと非結晶性ポリエステルブロックのＴｇとの間の値であることを特徴とする熱圧力定着用の静電荷像現像用トナー。例文帳に追加

The electrostatic charge image developing toner for thermal pressure fixation includes a center core and an outer shell, the center core containing a block copolymer composed of crystalline polyester block and amorphous polyester block, wherein a resin contained in the outer shell has a glass transition temperature (Tg) between Tg of the crystalline polyester block and Tg of the amorphous polyester block. - 特許庁

本発明は、結晶性ポリ乳酸（Ａ）、ジカルボン酸とジオールとから誘導されるポリエステル構造単位（I）と非結晶性ポリ乳酸構造単位（II）とを有する非結晶性ポリヒドロキシカルボン酸共重合体（Ｂ）、及び、クエン酸エステル等の特定の可塑剤（Ｃ）を含有してなる結晶性ポリ乳酸樹脂組成物に関するものである。例文帳に追加

The crystalline polylactic acid resin composition comprises a crystalline polylactic acid (A), a non-crystalline polyhydroxycarboxylic acid copolymer (B) having a polyester structure unit (I) derived from a dicarboxylic acid and a diol and a non-crystalline polylactic acid structure unit (II), and a specific plasticizer (C) such as a citrate or the like. - 特許庁

この成膜方法は、蒸発させた材料の薄膜を蒸着によって基材表面に成膜する成膜方法であって、結晶性材料を蒸発させるステップと、非結晶性材料を蒸発させるステップと、蒸発させる結晶性材料の質量と蒸発させる非結晶性材料の質量との質量比を調整するステップとを有している。例文帳に追加

The film deposition method where a thin film of an evaporated material is deposited on the surface of a base material comprises: a step where a crystalline material is evaporated; a step where a noncrystalline material is evaporated; and a step where the mass ratio between the mass of the crystalline material to be evaporated and the mass of the noncrystalline material to be evaporated is regulated. - 特許庁

変性エチレン系共重合樹脂と非結晶性ポリマーと結晶性ポリマーと導電性物質と溶剤とから導電性インキ組成物を構成し、この導電性インキ組成物を面状発熱体に用いる。例文帳に追加

A conductive ink composition is composed of a denatured ethylene series copolymer resin, non-crystalline polymer, crystalline polymer, conductive material and solvent, used for a plane heating element. - 特許庁

樹脂材料には融点２７０℃以上の導電性結晶性熱可塑性樹脂又はガラス転移点が１９０℃以上の導電性非結晶性熱可塑性樹脂を使用する。例文帳に追加

A conductive crystalline thermoplastic resin (which is) at least 270°C in melting point or a conductive crystalline thermoplastic resin at least 190°C in glass transition temperature is used as a resin material. - 特許庁

本発明によれば、選択的結晶化溶媒は非水性、非腐食性であり、本質的にテレフタル酸と反応しない。例文帳に追加

According to the invention, the selective crystallization solvent is non-aqueous, non-corrosive and essentially non-reactive with terephthalic acid. - 特許庁

無機結晶性化合物成形体をその前駆体である非晶質無機多孔性成形体から製造するに際し、結晶化度が高く、均一性が高く、しかも強度の強い無機結晶性化合物成形体を大量に、かつ効率よく製造する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing an inorganic crystalline compound compact having high crystallinity, high uniformity and also high strength in large quantity and also efficiently when the inorganic crystalline compound compact is manufactured from an amorphous inorganic porous compact being its precursor. - 特許庁