「面発光半導体レーザー」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

面発光半導体レーザーとその製造方法例文帳に追加

SURFACE EMISSION SEMICONDUCTOR LASER AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

面発光型半導体レーザー及びその製造方法例文帳に追加

SURFACE EMITTING SEMICONDUCTOR LASER AND MANUFACTURING METHOD THEREOF - 特許庁

面発光型半導体レーザー、面発光型レーザーアレイ素子、光走査装置及び画像形成装置例文帳に追加

SURFACE EMISSION TYPE SEMICONDUCTOR LASER, SURFACE EMISSION TYPE LASER ARRAY ELEMENT, OPTICAL SCANNING DEVICE, AND IMAGE FORMING DEVICE - 特許庁

面発光型半導体レーザーアレイおよびその製造方法例文帳に追加

SURFACE EMISSION TYPE SEMICONDUCTOR LASER ARRAY AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

面発光半導体レーザーとその製造方法及び光学装置例文帳に追加

VERTICAL CAVITY SURFACE EMITTING LASER AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND OPTICAL APPARATUS - 特許庁

信頼性が高く、発光効率の良好な面発光型半導体レーザーを提供する。例文帳に追加

To provide a highly reliable surface-emitting semiconductor laser having a high luminous efficiency. - 特許庁

発光部（２１ａ）は半導体レーザーアレイ（２１）の表面に二次元状に配置されている。例文帳に追加

The light emitting parts 21a are two-dimensionally arranged on the surface of the array 21. - 特許庁

大出力の単一横モードが安定的に維持される構成による面発光半導体レーザー（ＶＣＳＥＬ）と、この面発光半導体レーザーから成る光源装置を具備する光学装置を提供する。例文帳に追加

To provide a vertical cavity surface emitting laser which is constructed so that a single transversal mode of a large output can be stably kept and an optical apparatus which is equipped with a light source composed of the vertical cavity surface emitting laser. - 特許庁

面発光型の半導体レーザーチップをレーザー光源とする半導体レーザー装置を結像光学系が搭載される支持構造体に簡単に取り付け、かつ結像光学系に対するレーザー光源の傾き誤差を十分に小さくする。例文帳に追加

To easily mount a semiconductor laser device which has a surface light emitting semiconductor laser chip as a laser light source on a support structure mounted with an imaging optical system and to make the inclination error sufficiently small for the laser light source to the imaging optical system. - 特許庁

レーザービーム走査装置（５３）は発光部（２１ａ）が複数設けられた半導体レーザーアレイ（２１）と、発光部（２１ａ）からのレーザービームを像担持体（５）へ偏向させる回転多面鏡（３）とを有している。例文帳に追加

The scanner 53 is provided with a semiconductor laser array 21 provided with plural light emitting parts 21a and a rotary polygon mirror 3 deflecting the laser beam from the light emitting part 21a to the image carrier 5. - 特許庁

このことにより、キャビティ構成部のうち、より外周部に局在する高次モードの発光レーザーの損失が大とされ、良好な単一モードレーザーを発振する面発光半導体レーザーが構成される。例文帳に追加

Thereby, the loss of the light emitting laser of a higher mode, which is positioned in a further surrounding portion among the cavity compositions, is large, then, the vertical cavity surface emitting laser oscillating a good single mode laser can be made up. - 特許庁

ブロック１０の半導体レーザーＬＤ１〜７を固定する部分よりも前方側に、半導体レーザーＬＤ１〜７の発光軸Ｏに垂直とされた平滑な基準面Ｓを形成する。例文帳に追加

A smooth reference surface S, perpendicular to light-emitting axes O of the semiconductor lasers LD1-LD7, is formed at a forward side from a section for fixing the lasers LD1-LD of a block 10. - 特許庁

レーザー光源としてのマルチビーム半導体レーザーアレイ１１を、発光素子ａ１、ｂ１より放出されるレーザー光が平行且つ同一面内で同一方向に放出され、隣り合うレーザー光を放出する発光素子同士が同一平面内に存在しないように該マルチビーム半導体レーザー１Ａ、１Ｂを固定治具２０を介して配置した構成とした。例文帳に追加

In a multibeam semiconductor laser array 11 as a laser light source, multibeam semiconductor lasers 1A, 1B are arranged via a fixing tool 20 so that laser beams emitted from light-emitting elements a1, b1 can be emitted in the same direction in parallel, and in the same plane and light-emitting elements for emitting adjacent laser beams do not exist in the same plane. - 特許庁

発光部１は半導体レーザー４と、紙面に直角に偏光軸を設定した偏光フィルター５と、レンズ６とによって構成する。例文帳に追加

The light emitting part 1 is constituted of a semiconductor laser 4, a polarization filter 5 having polarization axis set perpendicularly to the page space, and a lens 6. - 特許庁

垂直共振器表面発光半導体レーザー素子１１と、前記垂直共振器表面発光半導体レーザー素子１１の出力側に同軸に配設されるマイクロレンズ２１と、前記マイクロレンズと同軸にセルフアライメントにより形成される近接場光プローブ２２とにより構成される。例文帳に追加

The device comprises a vertical cavity surface emitting laser element 11, a micro lens 21 arranged coaxially at the output side of the vertical cavity surface emitting laser element 11, and the near field light probe 22 formed coaxially with the micro lens by a self alignment. - 特許庁

レーザー光源として、端面発光型の半導体レーザーを用いた場合であっても光の利用効率が低下してしまうことのないプロジェクターを提供する。例文帳に追加

To provide a projector that prevents efficiency of using light from lowering even when an end face light emission type semiconductor laser is used as a laser beam source. - 特許庁

レーザー結晶化法を基板上に非晶質シリコン半導体膜を形成する工程と、非晶質半導体膜の表面に光吸収剤を塗布して光吸収剤膜を形成する工程と、光吸収剤膜に半導体発光素子からの線状のレーザー光を照射すると共に、当該線状レーザー光の走査により非晶質シリコン半導体膜を加熱してこれを結晶シリコン半導体膜とする結晶化工程とから構成する。例文帳に追加

The laser crystallization method includes the steps of: forming the amorphous silicon semiconductor film on a substrate; forming a light absorptive agent film by applying a light absorption agent on the surface of the amorphous semiconductor film; and crystallizing the crystal silicon semiconductor film by irradiating a linear laser beam from a semiconductor light-emitting element to the light absorptive agent film and heating the amorphous semiconductor film with the scanning of the linear laser beam. - 特許庁

紫外発光体１はサファイア（α−Ａｌ_2 Ｏ_3 ）基板２の（００１）面上に形成された酸化亜鉛に基づく半導体混晶４を有しており、この半導体混晶４に室温でＣＷ発振Ｈｅ−Ｃｄレーザー又は電子ビームを全面に照射して紫外光を発生させる。例文帳に追加

An ultraviolet light-emitting body 1 has a semiconductor mixed crystal 4, based on zinc oxide formed on the (001) plane of a sapphire (α-Al2O3) substrate 2, and a CW-oscillated He-Cd laser or an electron beam is irradiated onto the entire surface of the mixed crystal 4 at a room temperature to cause ultraviolet light to be emitted. - 特許庁

活性層７を挟んで垂直方向の共振器が形成された面発光半導体レーザー１であって、共振器のレーザー発振部に孔部２１を設け、少なくとも孔部２１の上部と底部との間に遮光手段２６を設ける構成とする。例文帳に追加

The surface-emitting semiconductor laser 1, having a vertical resonator while sandwiching an active layer 7, includes a hole 21 provided in the laser oscillation of the resonator, and a light-shielding means 26 provided in between at least an upper part of the hole part 21 and a bottom of the same. - 特許庁

半導体レーザー素子の構造を、基板主面に対して傾斜した結晶面に沿って延長される活性層を第１導電型半導体層と第２導電型半導体層で挟む構造とさせ、前記結晶面に略垂直な端面を共振面とさせると共に発光する領域が前記活性層の傾斜した面内における一部領域とさせる。例文帳に追加

In the structure of the semiconductor laser element, an active layer extending along a crystal surface tilted against a principal surface of a substrate is supported between a first conductive semiconductor layer and a second conductive semiconductor layer, and an end surface almost vertical to the crystal surface is made a resonant surface and an emitting area is made a part of an area in a tilted surface of the active layer. - 特許庁

本真贋判定装置は、貴重品包装体を判定する装置であって、遮光性筐体内に半導体レーザー発光器と電源電池を有し、筐体面にスクリーンを有することを特徴とする。例文帳に追加

The genuineness determination device determines the treasure package and has a semiconductor laser light emitter and a power source battery in a light-shielding enclosure and has the screen on an enclosure surface. - 特許庁

発光波長が異なる複数の半導体レーザー１０ａ，１０ｂから発した光束は、ポリゴンミラー１４により同時に偏向され、ｆθレンズ２０を介して走査対象面１５上に結像する。例文帳に追加

Beams emitted from a plurality of semiconductor lasers 10a and 10b having different emitted light wavelength are deflected simultaneously by the polygon mirror 14, and form an image on a scanning object surface 15 through an fθ lens 20. - 特許庁

面発光半導体レーザーにおいて、横モード制御のための空孔を設ける場合においても、戻り光が活性層に到達しにくい構造を提案することを目的とする。例文帳に追加

To provide the structure of a surface-emitting semiconductor laser, wherein the returning light is unlikely to reach an active layer, even when vacancy is provided for controlling the transverse mode. - 特許庁

可干渉光源１２２は例えば単体の面発光レーザーであり、例えば、光検出器１２４と光検出器１２６が形成された半導体基板１２０に、接着等の手段によって固定されている。例文帳に追加

The coherent light source 122 is a surface luminous laser of a single body, as an example, and it is fixed to a semiconductor substrate 120 where the optical detectors 124 and 126 are formed by such means as with an adhesive, as an example. - 特許庁

AlGaInP系のレゾナントキャビティー型ＬＥＤまたは面発光レーザーにおいて、AsとPのＶ族元素の切り換えによる結晶性の低い界面から活性層までの距離を大きくして活性層の結晶性低下を抑制することにより、高効率な発光が可能な半導体発光素子を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor light emitting element capable of emitting light with high efficiency by increasing the distance from an interface having lower crystallinity to an active layer by switching V group elements of As and P and suppressing decrease in the crystallinity of the active layer in an AlGaInP resonant cavity LED or a surface emitting laser. - 特許庁

製造方法の発明は、サファイア基板と、該基板上に積層された発光層を含む窒化物半導体層とを有する窒化物半導体発光素子の製造方法において、サファイア基板の表面は凹凸が形成された面であり、窒化物半導体層の各素子に分割する部位の少なくとも一部をレーザーで除去する第１の工程と、該窒化物半導体層の側面を湿式エッチングする第２の工程からなる。例文帳に追加

The method for manufacturing the nitride semiconductor element having the sapphire substrate on whose surface unevenness is formed and the nitride semiconductor layer containing the light emitting layer laminated on the substrate includes a first step that removes at least a part of a region for dividing the nitride semiconductor layer into each element with laser and a second step that performs wet etching on the side surface of the nitride semiconductor layer. - 特許庁

熱アシスト記録（ＴＡＲ）ヘッド構造は、前面に垂直空洞面発光レーザー（ＶＣＳＥＬ）、ＶＣＳＥＬに直接形成されたＴＡＲヘッド、および後面に高い反射性能を有する第３の鏡を備えた半導体基板を有している。例文帳に追加

The heat-assisted recording (TAR) head structure has a semiconductor substrate including a vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) at a front face, a TAR head formed directly to the VCSEL, and a third mirror having high reflection performance at a rear face. - 特許庁

そして複数の半導体レーザーＬＤ１〜７をそれぞれ、対応するコリメーターレンズ１１〜１７の焦点距離測定情報に基づいて発光軸方向に位置調整してブロック１０に固定し、その後複数のコリメーターレンズ１１〜１７を、基準面Ｓに倣って位置調整する。例文帳に追加

The plurality of the lasers LD1-LD7 are fixed to the block 10, by position-regulating the emitting axis direction based on focal distance measuring information of the corresponding lenses 11-17, and thereafter the plurality of the collimator lenses 11-17 are position-regulated to copy the reference surface S. - 特許庁

面発光半導体レーザーにおける主たる電流の通路すなわちキャビティ構成部の周囲に低屈折領域から成る散乱損失構造部が配置された構成とし、その低屈折率領域は間歇的に配置され、かつ中心部に向かう先端部の形状が先細例えば鋭角とする。例文帳に追加

A scattering loss structure made up of low refraction areas are located around a main current passage in the vertical cavity surface emitting laser, i.e. a cavity composition, and the low refraction index areas are intermittently located, and the shape of the tip toward the center is tapered, e.g. an acute angle. - 特許庁