「高電位」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

電源回路１００は、対向電極に供給するための高電位側電圧を生成する高電位側電圧生成回路と、前記対向電極に供給するための低電位側電圧を生成する低電位側電圧生成回路と、前記高電位側電圧及び前記低電位側電圧の１つを対向電極電圧として交互に前記対向電極に供給する切替回路１３０とを含む。例文帳に追加

A power supply circuit 100 includes a high potential side voltage generating circuit which generates a high potential side voltage to be supplied to the opposing electrodes, a low potential side voltage generating circuit which generates a low potential side voltage to be supplied to the opposing electrodes, and a switching circuit 130 which alternately supplies one of the high potential side voltage and the low potential side voltage to the opposing electrodes as an opposing electrode voltage. - 特許庁

電源回路１００は、高電位側電圧を生成する高電位側電圧生成回路と、低電位側電圧を生成する低電位側電圧生成回路と、高電位側電圧及び低電位側電圧の１つを対向電極電圧として交互に対向電極に供給する切替回路１３０とを含む。例文帳に追加

The power circuit 100 comprises: a high potential side voltage generation circuit for generating a high potential side voltage; a low potential side voltage generation circuit for generating a low potential side voltage; and a change-over circuit 130 for supplying one of the high potential side voltage and the low potential side voltage alternately to a counter electrode as a counter electrode voltage. - 特許庁

発光素子への電流の供給を制御するトランジスタがｐチャネル型の場合、発光素子の各色に対応した電源電位が、ビデオ信号が有する２値の電位のうちの高電位側の電位と、前記電源線の電位として用いる。例文帳に追加

When a transistor controlling the supply of a current to a light emitting element is a p channel type, a power source potential corresponding to each color of the light emitting element is used as a high potential of the binary potential that a video signal has and the potential of a power supply line. - 特許庁

ここで、電位差生成手段により、第１電極の電位が第２電極の電位に比べ高電位となる電位差が作られると、第１電極において水の酸化反応が生じて水が分解する一方で、第２電極において、酸素の還元反応が生じて水が生成する。例文帳に追加

When a voltage difference is made by a voltage difference generating means where a voltage of the first electrode is higher than that of the second electrode, an oxidation reaction of water occurs at the first electrode resulting in decomposition of water, while, on the other hand, water generates at the second electrode by reduction reaction of oxygen. - 特許庁

第２素子用の配置領域では、その配置領域を形成する一対の第３固定電位線間に、その配置領域を形成する一対の高電位側固定電位線群にそれぞれ含まれる、一対の第２固定電位線間が結ばれて第２固定電位線が配線されている。例文帳に追加

In a layout region used for second elements, a second fixed potential line connecting a pair of second fixed potential lines contained respectively in a pair of groups of high-potential-side fixed potential lines that form the layout region is wired between a pair of third fixed potential lines that form the layout region. - 特許庁

低電位レベルから高レベル高電位までの振幅を有する入力信号を、低レベル高電位から上記低電位レベルまでの振幅を有する信号にレベル変換する場合、素子の耐圧よりも高い高レベル高電位を入力することができるレベル変換回路を提供することを目的とするものである。例文帳に追加

To obtain an input level conversion circuit that can receive a high level high potential input higher than a withstanding voltage of components in the case that a level of an input signal having an amplitude ranging from a low potential level to a high level high potential is converted into a level of a signal having an amplitude ranging from a low level high potential to the low potential level. - 特許庁

第１のＰチャネルＭＯＳトランジスタ１５のゲート端子に印加するゲートバイアス電位ＶＲＥＦを、レギュレータ２の第６のＮチャネルＭＯＳトランジスタ５２から出力される、低電位側電源電位ＶＳＳとＮチャネルＭＯＳトランジスタのしきい値との電位差分だけ高電位側電源電位ＶＤＤから降下した電位とする。例文帳に追加

A gate bias potential VREF to be applied to the gate terminal of the MOS transistor 15 is set at a potential to be outputted from the sixth n-channel MOS transistor 52 of a regulator 2, and fallen from a high-potential side power supply potential VDD by the potential difference between a low-potential side power supply potential VSS and the threshold of the n-channel MOS transistor. - 特許庁

差動増幅回路１５を構成するＴＦＴは、単結晶シリコン層を有しているため、例えば高温ポリシリコン層をチャネル層として備えるＴＦＴに比べて、第１電位信号及び第２電位信号を高速で処理し、高電位信号及び低電位信号を迅速に出力できる。例文帳に追加

A TFT for composing a differential amplification circuit 15 has a single-crystal silicon layer, thus speedily processing first and second potential signals and rapidly outputting high-potential and low-potential signals as compared with a TFT having, for example, a high-temperature polysilicon layer as a channel layer. - 特許庁

フォトダイオードからメモリ部への電荷の転送を終了するとき、転送ゲートＴＲＸをオフし、ＴＲＸバリアの高さがＰＤ空乏電位より高くなった後、電源ＶＤＡの電位をＶＤＡ（Ｌ）に設定し、フォトダイオードの電位を、ＴＲＸバリアの電位とＰＤ空乏電位との間の電位に設定する。例文帳に追加

When ending the transfer of the charges from the photodiode to the memory part, a transfer gate TRX is turned off, and when the height of the TRX barrier becomes higher than a PD depletion potential, the potential of a power supply VDA is set to VDA(L), and the potential of the photodiode is set to a potential between the potential of the TRX barrier and the PD depletion potential. - 特許庁

セグメント信号ＳＥＧｊについても、同様であり、セグメント信号ＳＥＧｊが低電位ＶＳＳから高電位ＶＬＣＤに変化する時、セグメント信号ＳＥＧｊを、低電位ＶＳＳ→第２の中間電位ＶＬＣＤ２→第１の中間電位ＶＬＣＤ１→高電位ＶＬＣＤ、というように階段状に変化させる。例文帳に追加

A segment signal SEGj is varied similarly in a stepped manner in such a way that the low potential VSS → the second intermediate potential VLCD2 → the first intermediate potential VLCD1 → the high potential VLCD, when the segment signal SEGj is changed from the low potential VSS to the high potential VLCD. - 特許庁

外部電源電位ＥＸＶＤＤが所定の規格範囲を超える高い電位である場合には、テストモードに設定する信号ＳＶＩＨを高電位にすることなくテストモードへのエントリが可能となる。例文帳に追加

When the external power source potential EXVDD exceeds the prescribed standard range, entry for a test mode can be performed without making a signal SVIH set to a test mode have a high potential. - 特許庁

電位窓が広くて高い電位においても電解液が分解し難く、充放電が高い正電位の領域にまで及ぶ物質を正極活物質として利用することが可能なリチウムイオン電池用電極を提供する。例文帳に追加

To provide an electrode for a lithium ion battery capable of using a substance as a cathode active material, with its electrolyte hardly decomposed even at high potential with a wide potential window, and reaching a region with a high positive potential of charging and discharging. - 特許庁

発光素子に流れる電流を制御するトランジスタのゲートに与えられるビデオ信号の２値の電位のうちのいずれか一方の電位の高さと、電源線の電位の高さとを、対応する色毎に異ならせる。例文帳に追加

Either the potential level of binary potential values of a video signal which is given to a gate of a transistor for controlling current flowing to a light emitting element, and the potential level of a power line are made different from each other on a corresponding color basis. - 特許庁

具体的には、発光素子への電流の供給を制御するトランジスタがｐチャネル型の場合、ゲートに与えられる低電位側の電位の高さと、前記電源線の電位の高さとを、対応する発光素子の色毎に変える。例文帳に追加

Concretely, the potential level on the low-potential side provided to the gate and the potential level of the power line are changed on the basis of a corresponding color of the light emitting element when a transistor which controls current supplied to the light emitting element is a p-channel type. - 特許庁

感光体の帯電電位の高い部分の電位を下げる手段として、コロナ帯電器のシールドケースと感光体の間の帯電電位が高い領域にコロナイオン流の一部を逃がすための導電性部材を設ける。例文帳に追加

This device is provided with a conductive member for discharging a part of a corona ion current to an area where potential by electrification is high between the shielding case of the corona electrifier and the photoreceptor as a means for lowering the potential of a part where the potential by electrification is high on the photoreceptor. - 特許庁

低電位計測ＬＳＩチップ２０にＮ個のバッテリセルＢ１〜Ｂ５が接続され、高電位計測ＬＳＩチップ３０にバッテリセルＢ１〜Ｂ５よりも高い電位を有する複数のバッテリセルＢ６〜Ｂ８が接続される。例文帳に追加

N battery cells B1 to B5 are connected to a low potential measuring LSI chip 20, and a plurality of battery cells B6 to B8 having potential higher than that of the battery cells B1 to B5 are connected to a high potential measuring LSI chip 30. - 特許庁

具体的には、発光素子への電流の供給を制御するトランジスタがｐチャネル型の場合、ゲートに与えられる低電位側の電位の高さと、前記電源線の電位の高さとを、対応する発光素子の色毎に変える。例文帳に追加

Specifically, when the transistor controlling the supply of the current to the light emitting element is a p-channel type, the level of a lower potential supplied to the gate and the level of the potential of the power supply line are made different by colors of corresponding light emitting elements. - 特許庁

ボディ電位引出し領域は低濃度領域１３２と高濃度領域１３１に分かれ、高濃度ボディ電位引出し領域は低濃度ボディ電位引出し領域を介してドレイン領域と接している。例文帳に追加

The body potential pulling out area is divided into a low concentration area 132 and a high concentration area 131, and the high concentration body potential pulling out area is contact with the drain area via the low concentration body potential pulling out area. - 特許庁

高感度かつ高精度で試料の微少部分の表面電位を測定することができる表面電位測定方法、表面電位測定装置、及び記録媒体を提供する。例文帳に追加

To provide a surface potential measuring method, a surface potential measuring apparatus and a recording medium which enable measuring of surface potential at a minute part of a sample, with higher sensitivity and accuracy. - 特許庁

出力が高電位側にある時に主電源の高電位点にゼロ電位を接続した電源からブートストラップコンデンサを充電する回路を設ける。例文帳に追加

When the output is on the high side, a circuit is provided which charges a boostrap capacitor through a power source of which the zero potential point is connected to the high potential point of a main power source. - 特許庁

発光素子に流れる電流を制御するトランジスタのゲートに与えられるビデオ信号の２値の電位のうちのいずれか一方の電位の高さと、電源線の電位の高さとを、対応する色毎に異ならせる。例文帳に追加

One of levels of the binary potential of a video signal supplied to the gate of a transistor controlling a current flowing to a light emitting element and the level of the potential of a power supply line are made different by corresponding colors. - 特許庁

中間電位ＶＭは、き電線の電位ＶＬよりも高く保つように制御され、かつ、蓄電池の＋極の電位ＶＢＡＴよりも高くなるように制御される。例文帳に追加

The intermediate potential VM is controlled so as to be kept at a value higher than a potential VL of the feeder, and controlled so as to be made higher than the potential VBAT of a positive electrode for the battery. - 特許庁

また、バルク重合ポリフルオレンと同様に、ｐ−ドーピングの酸化還元電位が高く、ｎ−ドーピングの酸化還元電位が低い。例文帳に追加

In the same way as the bulk polymerization polyfluorene, p-doped oxidation-reduction potential is high, and n-doped oxidation-reduction potential is low. - 特許庁

前記コンパレーターの出力端子を、高電位側の電源電位にプルアップするプルアップ用トランジスター４４を含む。例文帳に追加

A pull-up transistor 44 is provided to pull up an output terminal of the comparator to a high potential side supply potential. - 特許庁

半導体モジュール２は、高電位側と低電位側とにそれぞれ少なくとも一つずつ配設され、半導体素子２１とダイオード２２とを有する。例文帳に追加

The semiconductor modules 2 are arranged at a high-potential side and a low-potential side one by one, respectively, and have semiconductor elements 21 and diodes 22. - 特許庁

共通電極駆動回路６００は、１水平走査期間毎に高電位と低電位とが交互に現れるように共通電極５３を駆動する。例文帳に追加

A common electrode driving circuit 600 drives common electrodes 53 so that high potential and low potential alternately appear in each horizontal scanning period. - 特許庁

パルス電源は、線順次走査に同期して高電位Ｖｃｃと低電位Ｖｓｓｐの間で遷移する電源パルスを逐次生成する。例文帳に追加

The pulse power source sequentially generates a power source pulse that performs transition between the high potential Vcc and a low potential Vssp in synchronization with the line sequential scanning. - 特許庁

回折型ライトバルブ（ＧＬＶ）の場合は、第１の電極５に低電位、第２の電極２に高電位となる駆動電圧を印加する。例文帳に追加

For a diffraction type light valve (GLV), such a driving voltage that the first electrode 5 has a low potential and the second electrode 2 has a high potential is applied. - 特許庁

優れた電位平坦性を有し、かつ、高電位部分の充放電特性が優れるスピネル型複合酸化物正極材を提供する。例文帳に追加

To provide a spinel composite oxide positive electrode material having superior potential flatness and superior charging and discharging characteristics at a high-potential portion. - 特許庁

また、プライミング消去期間４の終了時点における走査電極電位をデータ電極電位よりも約２０Ｖ高くする。例文帳に追加

Moreover, the scanning electrode potential at the time of ending the priming elimination period is made higher than a data electrode potential by 20 V. - 特許庁

冷却管３の長手方向に高電位側の半導体モジュール２Ｈと低電位側の半導体モジュール２Ｌとが並べて配置されている。例文帳に追加

The high-potential side semiconductor module 2H and the low-potential side semiconductor module 2L are aligned in the longitudinal directions of the cooling pipes 3. - 特許庁

従来のＲ・Ｃ積分回路を用いた表面電位計と比較し、より高速の応答性能を有する表面電位計を得る。例文帳に追加

To provide a surface electrometer having the responsive performance faster than that of a conventional surface electrometer using a R.C integration circuit. - 特許庁

トナー層電位差と現像コントラスト電位差との比率に基づいて現像条件を変更し、高画質化を実現すること。例文帳に追加

To attain high image quality by altering development conditions based on the proportion of a toner layer potential difference to a development contrast potential difference. - 特許庁

電源回路（Ｕ１，Ｕ２）は出力段（１，２）に対する高い電源電位（Ｖｂｈ）および低い電源電位（Ｖｂｌ）を供給する。例文帳に追加

Power source circuits U1 and U2 supply a high power supply potential Vbh and low power supply potential Vb1 to the output steps 1 and 2. - 特許庁

液晶に高い電位を印加し続けた場合に、定期的、あるいは不定期に瞬間的に電位を下げると、不可逆変化（劣化）は生じ難くなる。例文帳に追加

When a high potential is continued to be applied to the liquid crystal, but the potential is periodically or irregularly lowered momentarily, the irreversible change (deterioration) is reduced to be caused. - 特許庁

入力電圧の低電位側のトランスコンダクタンスと入力電圧の高電位側のトランスコンダクタンスの値を一定に合わせる。例文帳に追加

To set the low potential-side transconductance of an input voltage to be equal to the high potential-side transconductance of the input voltage. - 特許庁

電位開始信号が入力されたときはリレー７を電位出力回路６に切換えて高電圧を出力する。例文帳に追加

When a potential start signal is inputted, the relay 7 is switched over to the potential output circuit 6 to output a high voltage. - 特許庁

チャージポンプ回路４２が発生する昇圧電位ＶＰＰを変動させるよりも高速に出力電位Ｖｏｕｔを変化させることができる。例文帳に追加

The output potential VOUT can be varied at higher speed than varying a boosting potential VPP generated by the charge pump circuit 42. - 特許庁

第１の部分１１を構成する金属の自然電位は、第２の部分１２を構成する金属の自然電位よりも高い。例文帳に追加

A spontaneous potential of metal composing the first portion 11 is higher than a spontaneous potential of metal composing the second portion 12. - 特許庁

スイッチング信号出力回路３０は、高電位側スイッチング信号と低電位側スイッチング信号を出力する。例文帳に追加

The switching signal output circuit 30 outputs a high potential side switching signal and a low potential side switching signal. - 特許庁

その結果、センスノードＮ１の電位を高電位電源Ｖｄｄ１レベルに上昇させ、センスノードＮ１をリセットする。例文帳に追加

As this result, the potential of the sense node N1 is increased to the level of the high-potential power source Vdd1 to reset the sense node N1. - 特許庁

共通電極ＣＯＭには高電位電圧ＶＤＤと低電位電圧ＶＳＳとを所定の周期で交互に反転して印加する。例文帳に追加

The high potential voltage VDD and the low potential voltage VSS are alternately inverted and applied to a common electrode COM periodically. - 特許庁

半導体装置は、低電位回路領域１０と高電位回路領域３０の双方から絶縁分離されている分離領域２０を有している。例文帳に追加

The semiconductor device has an isolation region 20, that is insulated from both a low potential circuit region 10 and a high potential circuit region 30. - 特許庁

トレンチ４は，その内部が絶縁物にて充填されており，低電位基準回路領域１と高電位基準回路領域２とを絶縁している。例文帳に追加

The inside of the trench 4 is filled with an insulator to mutually insulate the low-potential reference circuit region 1 and the high-potential reference circuit region 2. - 特許庁

論理ゲートＧ２の入力電位が、スレッショルドの電位より高い場合は、トランジスタＴｒ１をオンにする。例文帳に追加

When the input potential of the logic gate G2 is higher than a threshold potential, a transistor Tr1 is turned on. - 特許庁