「高電位」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

レベル変換回路２１ａは、高レベル側電源端子に昇圧電位、低レベル側電源端子に接地電位が与えられる。例文帳に追加

In the level conversion circuit 21a, a boosting potential is given to a high level side power source terminal and a ground potential is given to a low level side power source terminal. - 特許庁

電力変換装置において、ＩＣチップ内部に設けられた低電位系から高電位系への信号伝達手段の絶縁劣化を低減する。例文帳に追加

To reduce an insulation deterioration of a signal transmission means, provided inside an IC chip, from a low-potential system to a high-potential system in a power converter. - 特許庁

信号入力端子のピーク電位が緩やかに変動する場合でもピーク電位を高精度に検出する。例文帳に追加

To detect highly accurately the peak potential of a signal input terminal even when the peak potential changes slowly. - 特許庁

出力バッファの処理ユニットＵ１０ｉには、第２高電源電位ＶＨ２と第２低電源電位ＶＬ２とが供給される。例文帳に追加

The second high power-source electric potential VH2 and the second low power-source electric potential VL2 are applied to an output buffer processing unit U10i of an electro-optics apparatus. - 特許庁

高い感度かつ低残留電位で繰り返し使用時の電位安定性に優れた電子写真感光体を提供する。例文帳に追加

To provide an electrophotographic photoreceptor having high sensitivity, a low residual potential, and excellent potential stability in repetitive use. - 特許庁

バッファ領域の一方の端部には高電位電源線ＬＨ、他方の端部には低電位電源線ＬＳが設けられる。例文帳に追加

A high potential power line LH is provided at one edge and a low potential power line LS is provided at the other edge of each buffer area. - 特許庁

このとき、電解質中で、被膜層の主成分としてのＮｉよりも腐食電位が高電位となる異種金属２２０を剥離液中に配置する。例文帳に追加

In this case, different kinds of metal 220 having higher corrosion potential than Ni as the main constituent of the coating layer are arranged in the removing liquid. - 特許庁

工程(2)における高周波変動電位は、周波数が1KHz〜10MHzの範囲であり、かつ±1.0V(vs Ag/AgCl)またはそれより小さい電位の幅とする。例文帳に追加

The frequency of the high-frequency fluctuating potential in the step (2) is in the range from 1 kHz to 10 MHz, and the potential width is in the range of ±1.0 V (vs Ag/AgCl) or smaller. - 特許庁

第２電磁コイル５３の低電位側と第１電磁コイル５０の高電位側との間は、第２還流ダイオード１５５によって接続されている。例文帳に追加

A second free wheel diode 155 is connected between a low potential side of the second magnetic coil 53 and a high potential side of the first magnetic coil 50. - 特許庁

第１電磁コイル５０の低電位側と第２電磁コイル５３の高電位側との間は第１還流ダイオード１５４によって接続されている。例文帳に追加

A first free wheel diode 154 is connected between a low potential side of the first magnetic coil 50 and a high potential side of the second magnetic coil 53. - 特許庁

高電位および高リチウム挿入容量の両方を示すリチウム貯蔵電池例文帳に追加

LITHIUM STORAGE BATTERY PRESENTING BOTH HIGH ELECTRICAL POTENTIAL AND HIGH LITHIUM INSERTION CAPACITY - 特許庁

ノードＰは、コンデンサＣを介して高圧バッテリＢの高電位側と接続されている。例文帳に追加

The node P is connected to the high potential side of a high voltage battery B via a capacitor C. - 特許庁

この技法の１つの利点は、高電位、高電場を必要としないことである。例文帳に追加

One advantage of this technique is that neither a high potential nor a high electric field is required. - 特許庁

電位変動サイクルを受けても高い耐久性を発揮する固体高分子型燃料電池を実現する。例文帳に追加

To realize a solid polymer fuel cell demonstrating high durability even under influence of potential change cycles. - 特許庁

小型化、高感度化、高信頼性化するのに有効な構成を有する電位測定装置である。例文帳に追加

To provide an electric potential measuring device having a constitution effective to be miniaturized and to have high sensitivity and high reliability. - 特許庁

高炉鉄皮表面に代え、高炉炉底レンガ５に複数個の電位測定点１１を設ける。例文帳に追加

Instead of the surface of the iron shell, a plurality of potential measuring points 11 are arranged at a furnace bottom brick 5 in the blast furnace. - 特許庁

固定電位配線及び固定電位用ボンディングパッドの少なくとも一部は、下層に半導体層及び下層配線層のうち少なくとも一方が形成されることにより、信号電位配線及び前記信号電位用ボンディングパッドの最も高い表面より高く形成されている。例文帳に追加

At least one of the semiconductor layer and lower wiring layer is formed below at least a portion of the fixed potential wiring and the bonding pad for fixed potential to be higher than the highest surface of the signal potential wiring and the bonding pad for signal potential. - 特許庁

支持台は、給電可能な支持台側コネクタと、コネクタの高電位側のピンと低電位側のピンとの間に接続された冷却機構と、コネクタの高電位側のピンと低電位側のピンに接続された支持台側端子と、を備える。例文帳に追加

The supporting board includes a supporting board side connector that can be electrically fed, a cooling mechanism connected between pins in the high voltage side of a connector and pins in the low voltage side, and a supporting board side terminal connected between pins in the high voltage side of the connector and pins in the low voltage side. - 特許庁

低電位に設定される電源ラインに対しては、高電位に設定された導電体を上方の近傍に離れて配置し、高電位に設定される電源ラインに対しては、低電位に設定された導電体を上方の近傍に離れて配置する。例文帳に追加

To a power line set to low potential, a conductor set to high potential is arranged apart in its upper vicinity, and to a power line set to high potential, a conductor set to low potential is arranged apart in its upper vicinity. - 特許庁

補正信号は、信号ラインへのプリチャージ信号の供給開始タイミングと略同時に高レベル電位から低レベル電位へと変化し、信号ラインへのプリチャージ信号の供給終了タイミングから徐々に低レベル電位から高レベル電位へと変化する。例文帳に追加

The correction signal varies from a high level potential to a low level potential almost concurrently with timing of the start of supply of the precharge signal to the signal line and also begins to gradually vary from the low level potential to the high level potential from timing of the end of supply of the precharge signal to the signal line. - 特許庁

低電位基準回路と高電位基準回路とを混載させた半導体装置であって，低電位基準回路と高電位基準回路との間でレベルシフトを行うことができ，コンパクトであるとともに耐圧に優れた半導体装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor device in which a low-potential reference circuit and a high-potential reference circuit are mixedly loaded and the level shift between the low-potential reference circuit and the high-potential reference circuit can be preformed, and which is compact and is superior in breakdown voltage. - 特許庁

さらに、基板１は、低い方の電位をより低くして、かつ、高い方の電位をより高くして信号線に出力する差動増幅器４ａからなる表示データ読み出し回路部４と、第１の電位信号と基準となる第２の電位信号を読み出すトランスミッションゲート部６とビデオ線７とを有する。例文帳に追加

The substrate 1 further includes a display data reading circuit portion 4 having a differential amplifier 4a for lowering a lower potential and heightening a higher potential and outputting it to the signal line and a transmission gate portion 6 and video line 7 for reading the first potential signal and a reference second potential signal. - 特許庁

高電位側ダイオードＤｐ（低電位側ダイオードＤｎ）に順方向電流が流れているときにこれに逆並列に接続された高電位側スイッチング素子Ｓｗｐ（低電位側スイッチング素子Ｓｗｎ）がオン状態とされることで、電力損失が増大すること。例文帳に追加

To solve the problem that power loss increases by a switching element Swp on the high potential side (a switching element Swn on the low potential side), which is connected in parallel with a diode Dp on the high potential side (a diode Dn on the low potential side), being switched on, when a forward current is flowing to the diode Dp. - 特許庁

保護回路は、バスにおける電位によって制御され保護されるべき出力回路の高電位供給レールによって給電される第１の保護分岐（６０）と、高電位供給レールによって制御されバス上の電位によって給電される第２の保護分岐（７０）とを有する。例文帳に追加

The protection circuit has a first protection branch (60) to be supplied with power through the high potential supply rail of the output circuit which has to be controlled and protected by the potential in a bus and a second protection branch (70) to be controlled by the high potential supply rail and supplied with power by the potential on the bus. - 特許庁

高電位側スイッチング素子４ａと低電位側スイッチング素子４ｂとを積層し、その間に出力端子板３を設けるとともに、これら高電位側スイッチング素子４ａと低電位側スイッチング素子４ｂと出力端子板３とを一対の電極板２ａ，２ｂで挟持した。例文帳に追加

A high potential-side switching element 4a and a low potential-side switching element 4b are stacked, an output terminal plate 3 is provided therebetween, and those high potential-side switching element 4a, low potential-side switching element 4b, and output terminal plate 3 are sandwiched between a pair of electrode plates 2a, 2b. - 特許庁

分離部２０は、抵抗部３０の高電位側接続部位３０Ｈに隣接する第１部位２０Ｈが高電位側に接続され、抵抗部３０の低電位側接続部位３０Ｌに隣接する第２部位２０Ｌが低電位側に接続される。例文帳に追加

In the separation part 20, a first part 20H adjacent to the high potential-side connection part 30H of the resistance part 30 is connected to the high-potential side, and a second part 20L adjacent to the low potential-side connection part 30L of the resistance part 30 is connected to the low-potential side. - 特許庁

ハイサイド出力トランジスタ(2H)がオンのとき、フローティング電源端子(2F)の電位は高電位電源端子(21)の電位と等しく、ハイサイド電源端子(2H)の電位はそれよりコンデンサ(33)の両端電圧、すなわち定電圧源(31)の電圧だけ高い。例文帳に追加

When a high side output transistor (2H) is ON, potential of a floating power terminal (2F) is equal to potential of a high potential power terminal (21) and potential of a high side power terminal (2H) is higher than it by voltage between both terminals of a capacitor (33) that is equal to voltage of a regulated voltage source (31). - 特許庁

すなわち、最も電位の高い変換器用変圧器一次巻線３Ａが最も電位の低い変換器用変圧器二次巻線２Ａに対応し、逆に、最も電位の低い変換器用変圧器一次巻線３Ｄがつまり最も電位の高い変換器用変圧器二次巻線２Ｄに対応している。例文帳に追加

That is, the primary winding 3A of the transformer of the highest potential corresponds to the secondary winding 2A of the transformer of the lowest potential, while the primary winding 3D of the transformer of the lowest potential corresponds to the secondary winding 2D of the transformer of the highest potential. - 特許庁

上記課題を解決するために、エンコーダ電源と、エンコーダ電源より高い電位を持つ電源と、エンコーダ側の過電圧防止用ダイオードを利用し、OUT電線が断線状態となると、エンコーダのOUT電線がエンコーダの電源電位より高い電位を持つ電位（+Vcc+α）となる。例文帳に追加

An encoder power supply, a power supply having a potential higher than that of the encoder power supply, and an overvoltage prevention diode on the encoder side are utilized and when an OUT wire is disconnected, the OUT wire of the encoder has a potential (+Vcc+α) higher than that of the encoder power supply. - 特許庁

スイッチ素子は、その出力素子が終段増幅回路内において、高電位側又は低電位側のいずれに配置されているかに対応して、入力信号の高電位期間又は低電位期間に限り選択的にオン状態となるようにスイッチング制御される。例文帳に追加

The switching elements are switched so that the switching elements are selectively turned on only in the high-potential period of an input signal or a low-potential one according to whether the output element is arranged at the high-potential side or the low-potential one in the final amplification circuit. - 特許庁

半導体装置６２Ａは、高電位側電源端子６と、低電位側電源端子１１と、高電位と低電位との間で変化するパルス状の駆動波形が印加される電力充放電端子６６と、容量性負荷７が接続される出力端子６４とを有する。例文帳に追加

The semiconductor device 62A is provided with a high potential side source terminal 6, a low potential side source terminal 11, a power charge/ discharge terminal 66 applied with a pulse-shaped drive waveform changed between the high potential and the low potential and an output terminal 64 connected with the capacitive load 7. - 特許庁

制御回路２０は、第２のオーミック電極１７の電位が第１のオーミック電極１６の電位よりも高い場合には、第１のオーミック電極１６の電位を基準としてバイアス電圧を印加し、第２のオーミック電極１７の電位が第１のオーミック電極１６の電位よりも低い場合には、第２のオーミック電極１７の電位を基準としてバイアス電圧を印加する。例文帳に追加

The control circuit 20 applies the bias voltage with a potential of the first ohmic electrode 16 as a reference when a potential of the second ohmic electrode17 is higher than the potential of the first ohmic electrode 16, and applies the bias voltage with the potential of the second ohmic electrode 17 as a reference when the potential of the second electrode 17 is lower than the potential of the first ohmic electrode 16. - 特許庁

第４トランジスタＴｒ４は、ドレインが第１高電位Ｖｃｃ１と第１トランジスタ閾電圧との和よりも高い第２高電位Ｖｃｃ２側に接続し、ソースが中間ノードＢに接続し、ゲートが第２高電位Ｖｃｃ２と第４トランジスタ閾電圧との和より高い第３高電位Ｖｃｃ３側に接続している。例文帳に追加

The drain of the fourth transistor TR 4 is connected to a second high level Vcc 2 higher than the sum of the first high level Vcc 1 and a threshold voltage of the first transistor, the source is connected to the intermediate node B, and the gate is connected to a third high level Vcc 3 higher than the sum of the second high level Vcc 2 and a threshold voltage of the fourth transistor. - 特許庁

感知回路は、標準的な高電位電源の電位とこのバス・ホールド回路の入力ノードに加えられる信号の電位とを比較するように設計されたコンパレータを含む。例文帳に追加

The sense circuit includes a comparator so designed as to compare the potential of a standard high-potential power source with the potential of a signal applied to an input node of the bus hold circuit. - 特許庁

負極２２の負極活物質は、リチウム電位に対して１．０Ｖ以上の電位においてリチウムイオンを吸蔵および放出する負極材料（高電位材料）を含む。例文帳に追加

A negative electrode active material of the negative electrode 22 includes a negative electrode material (high electrical potential material) which occludes and emits lithium ions at an electrical potential of 1.0V or more to a lithium potential. - 特許庁

たとえば、センス動作時にビット線にリストア電位よりも高いオーバードライブ電位を印加するためのオーバードライブ電位生成回路１２は、スイッチ回路１３を介して、センスアンプ１５のドライブノードに接続する。例文帳に追加

For instance, an overdrive potential generation circuit 12 for applying overdrive potential that is higher than restoration potential to the bit line when sense operation is performed is connected to the drive node of a sense amplifier 15 through a switching circuit 13. - 特許庁

走査信号供給回路は、ＴＦＴをオン状態にする高電位とオフ状態にする低電位との途中に、走査信号を中間電位に所定時間だけ固定する。例文帳に追加

The scanning signal supply circuit fixes the scanning signals to intermediate potential between high potential for turning on the TFT and low potential for turning off the TFT just for a prescribed time. - 特許庁

入力保護回路１０１第１高電位電源ＶＤＤＹおよび第１低電位電源ＶＳＳＹの給電を受け、Ｙシフトレジスタ１０２との接続点の電位をＶＤＤＹ−ＶＳＳＹの範囲に制限する。例文帳に追加

The input protective circuit 101 limits the potential of connection points with the Y shift register 102 within the range of VDDY-VSSY. - 特許庁

電位制御手段３０，６０，８０は、燃料電池１０の空気極電位を、可逆水素電極に対して０．６Ｖよりも高い電位まで低下させることにより、燃料電池１０の発電性能を回復させる。例文帳に追加

The potential control means 30, 60, 80 recover the power generation performance of the fuel cell 10 by lowering the air electrode potential of the fuel cell 10 to potential higher by 0.6 V with respect to that of a reversible hydrogen electrode. - 特許庁

Ｖ−ブランキング期間の時刻ｔ_21において、電源供給部は、全画素に共通な電源線ＤＳＬ２１２に供給する電位を高電位Ｖｃｃから低電位Ｖｓｓに切換える。例文帳に追加

At time t_21 during a vertical blanking period, a power supply section changes over a potential to be supplied to a power supply line DSL212 common to all pixels from a high potential Vcc to a low potential Vss. - 特許庁

金属板２と空間電位設定電極３の間には、プラズマ生成電源７が接続され、空間電位設定電極３側が高電位になるように電圧が印加されている。例文帳に追加

A plasma generation power source 7 is connected between the metal plate 2 and the space potential setting electrode 3 while a voltage is applied between them so as to make the side of the space potential setting electrode 3 have a higher potential. - 特許庁

その際、制御信号の高電位側と低電位側の中間レベルが、信号電位の最大レベルにサンプリング用トランジスタＴ１の閾電圧を加算したレベルと一致するように設定する。例文帳に追加

In this case, an intermediate potential level between the higher potential and the lower potential of the control signal is set to a level obtained by adding a threshold voltage of the sampling transistor T1 to the highest level of the signal potential. - 特許庁

高電位電源配線と低電位電源配線との間の電位差の平面分布を小さくすることが可能な半導体集積回路装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor integrated circuit device reducing the size of a planar distribution of a potential difference between high-potential power wiring and a low-potential power wiring. - 特許庁

これら可変抵抗器ＶＲ１，ＶＲ２は、電位が高電位電源Ｖｃｃ及び低電位電源Ｖｓｓに切替可能なマイコン１２の出力ポートＰｏ４，Ｐｏ５に接続されている。例文帳に追加

These variable resistors VR1, VR2 are connected to output ports Po4, Po5 of a microcomputer 12 capable of changing over potentials between the high-potential power source Vcc and a low-potential power source Vss. - 特許庁

抵抗Ｒ１〜Ｒ８は、高電位電源ＶＤと低電位電源ＧＮＤとの間に直列接続され、それら電源間の電位差を等分割する分圧抵抗として作用する。例文帳に追加

The resistances R1-R8 are serially connected between a high potential power source VD and a low potential power source GND, and allowed to act as a voltage-dividing resistances for equally dividing a potential difference between those power sources. - 特許庁