「高電位」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

第２のリセット回路部１１ｂは、高電位側電源Ｖddレベルの第２の電位をプリチャージ電位としてリセット動作を行う。例文帳に追加

The section 11b conducts a reset operation making a second potential of the power supply Vdd level as a precharge potential. - 特許庁

ステップ１で、電極１０５ａに高電位、電極１０５ｂに低電位、電極１０５ｃ、１０５ｄに中間の電位を印加する。例文帳に追加

At step 1, a high potential is applied to an electrode 105a; a low potential is applied to an electrode 105b; and an intermediate potential is applied to electrodes 105c, 105d. - 特許庁

第１のリセット回路部１１ａは、高電位側電源Ｖddの中間レベル（Ｖdd／２）の第１の電位をプリチャージ電位としてリセット動作を行う。例文帳に追加

The section 11a conducts a reset operation making a first potential of an intermediate level (Vdd/2) of a high potential side power supply Vdd as a precharge potential. - 特許庁

その反転により各画素の絶対的な電位が上がっても、その電位は反転時の電位差よりも高くならない。例文帳に追加

Even when the implicit potential of each pixel is raised by the inversion, the potential does not become higher than an electric potential difference at the time of the inversion. - 特許庁

電圧発生回路５０４によって、端子Ｔ２の電位は、車両アース電位よりも高い電位に設定される。例文帳に追加

A voltage-generating circuit 504 sets the terminal T2 at potential higher than vehicle ground potential. - 特許庁

第３手法は、ノズル組立体４０にバイアス電位５２を加えてノズル組立体４０の電位をアークの電位まで高めることを含む。例文帳に追加

A third solution includes increasing a potential of the nozzle assembly 40 to that of the arc by applying a bias voltage 52 to the nozzle assembly 40. - 特許庁

ツェナーダイオード23の保持電位は、各色の黒レベルと判断される電位であって可及的に高い電位である。例文帳に追加

The hold potential of the diode 23 is the potential which is judged to be the black level of each color and is made higher as much as possible. - 特許庁

前記第１の低電位（Ｖｄｄ/２＋ａ）は前記第２の高電位（Ｖｄｄ/２−ａ）以上の電位に設定されている。例文帳に追加

The first low potential (Vdd/2+2) is set to a potential which is equal to or higher than the second high potential (Vdd/2-a). - 特許庁

時刻Ｔ１から時間Δｔだけ遅れて走査線電位Ｖ１は低電位ＶＳＳＬから高電位ＶＳＳＨへ向けて立ち上がる。例文帳に追加

A scanning line potential V1 rises from a low potential VSSL to a high potential VSSH with a time Δt behind time T1. - 特許庁

その結果、充電器プラグ離脱判定部４４の入力部の電位は、車体ボディ接地端GNDの電位よりも高電位となる。例文帳に追加

As a result, the electric potential at an input part of a charger plug separation-determining part 44 comes to be the potential higher than the electric potential of a car body ground terminal GND. - 特許庁

画素電極３５にスイッチング素子３４を介して対向電極電位に対する高電位と低電位とが交互に印加される。例文帳に追加

A high potential and a low potential relative to an opposing electrode potential are alternately applied to the pixel electrodes 35 through the switching elements 34. - 特許庁

高電位電池Ｂ１と低電位電池Ｂ２とをそれぞれ収容できる電池共通収容部１１と低電位電池収容部１２とを備える。例文帳に追加

This holder includes a common storage part 11 for a high- potential battery (B1) and low-potential battery (B2) and a low-potential battery storage part 12. - 特許庁

被充電部１２は、端子１２１，１２２を有し、端子１２１に基準電位を与え、端子１２２に基準電位よりも高い電位を与えて充電される。例文帳に追加

The charged portion 12 includes terminals 121, 122, applies reference potential to the terminal 121 and is charged applying higher potential than the reference potential to the terminal 122. - 特許庁

ＭＯＳＦＥＴ（P4）は、下アーム側のＭＯＳＦＥＴ（N1）によって前記出力（Vout）の電位が高電位から低電位に変化する際にオンする。例文帳に追加

The MOSFET (P4) is turned on when the potential of the output (Vout) is changed from high potential to low potential by a MOSFET (N1) arranged on the lower arm side of the circuit (10). - 特許庁

高電位出力から低電位出力に自動的に移行する動作モードを具える電位治療装置を提供する。例文帳に追加

To provide an electric potential therapeutic apparatus equipped with an operation mode shifting automatically from a high electric potential output to a low electric potential output. - 特許庁

前記内部電位生成回路部は、電源線に接続され、入力電位よりも高い第１の電位を生成する。例文帳に追加

The internal potential generating circuit is connected to a power line and generates a first potential higher than an input potential. - 特許庁

こうして形成された電位固定領域１４に高電位を付与することで、ｎウェルの電位固定が行われる。例文帳に追加

The potential at the n-well is fixed by imparting a high potential to a potential fixing region 14 thus formed. - 特許庁

V-ドライバ14b から受光素子に基板電位として供給される所定の電位には、より高い電位が供給される。例文帳に追加

A prescribed potential supplied from the V-driver 14b to the light receiving element as a base potential is set higher. - 特許庁

データドライバ回路を、低電位領域Ａ、中間電位領域Ｂ，高電位領域Ｃに分割し、それぞれの相対的な耐圧を等しくする。例文帳に追加

The data driver circuit is divided into a low potential area A, a middle potential area B and a high potential area C, wherein respective relative breakdown strengths are made equal to one another. - 特許庁

ハンドルボリューム４２の低電位側端子および高電位側端子における各電位は、それぞれ電圧Ｖ_Ｔだけオフセットされる。例文帳に追加

Respective potentials at the low potential side terminal and the high potential side terminal of a handle volume 42 are off-set respectively by voltage VT. - 特許庁

このとき、電源電圧のローレベル電位ＶｄｄＣ＿Ｌを、ゼロ電位より高い所定の電位とする。例文帳に追加

At such a time, a low level potential VddC-L of the power supply voltage is defined as a predetermined potential higher than zero potential. - 特許庁

駆動回路３０〜３６では、高電位側信号線Ｌ１及び低電位側信号線Ｌ２間の電位差に基づき、許可信号ＰＳを検出する。例文帳に追加

The driver circuits 30 to 36 detect the permission signal PS on the basis of a potential difference between the high-potential side signal line L1 and the low-potential side signal line L2. - 特許庁

ボンドワイヤレス電源モジュールはまた高電位側素子のコレクタ２２０ａを高電位側素子のカソード２２４ａに接続させ、高電位側導電性クリップ２１８ａを介して別の電源モジュールの別の高電位側導電性クリップに電流を流す高電位側導電性クリップを備える。例文帳に追加

The bondwireless power module also includes a high potential-side conductive clip connecting a collector 220a of the high potential-side device to a cathode 224a of the high potential-side device, and supplying current through a high potential-side conductive clip 218a to another high potential-side conductive clip in another power module. - 特許庁

これらの電極の電位は、イオン閉じ込め電極２２の電位が、第１段ダイノード２４ａの電位よりも高く、イオントラップ電極２３の電位が、光電陰極２０の電位よりも高いかもしくは等しく、かつ、第１段ダイノード２４ａの電位よりも低く設定されている。例文帳に追加

Potential of the ion confinement electrode 22 is set higher than that of the first stage dynode electrode 24a, and the potential of the ion trap electrode 23 is set higher than or equal to that of the photocathode 20, while it is set lower than that of the first stage dynode 24a. - 特許庁

この構造において、低電位側電極３を基準にして、高電位側電極２に正電位Ｖ_S を印加すると、渦巻き状の薄膜層６の高電位側電極２と接続する端にも電位Ｖ_S が印加され、この渦巻き状の薄膜層には均一な電位分布が形成される。例文帳に追加

In this structure, when positive potential V_S is applied to a high potential electrode 2 with reference to a low potential electrode 3, then the potential V_S is also applied to the end of the spiral thin film layer 6 connected to the high potential electrode 2, thereby forming uniform potential distribution over the spiral thin film layer. - 特許庁

電位Ｖ２を電位Ｖ３より高く設定し、電位Ｖ１からトランジスタＱ１の閾値電圧Ｖｔ１を引いた所定電位が電位Ｖ３より低く、かつ低電位より高くなるように設定することで、読み出し動作の動作マージンが向上する。例文帳に追加

By setting the potential V2 higher than the potential V3, and setting a predetermined potential obtained by subtracting threshold voltage Vt1 of the transistor Q1 from the potential V1 lower than the potential V3 and higher than a low potential, an operation margin of a reading operation is improved. - 特許庁

この構造において、低電位側電極３を基準にして、高電位側電極２に正電位Ｖ_S を印加すると、渦巻き状の薄膜層６の高電位側電極２と接続する端にも電位Ｖ_S が印加され、この渦巻き状の薄膜層には均一な電位分布が形成される。例文帳に追加

When in this structure a positive potential Vs is applied to a high potential electrode 2 with reference to a low potential electrode 3, the potential Vs is also applied to the end of the spiral layer 6 connected to the high potential electrode 2, thus forming a uniform potential distribution over the spiral layer 6. - 特許庁

固体高分子形燃料電池用高電位安定担体および電極触媒例文帳に追加

HIGH POTENTIAL STABLE CARRIER FOR POLYMER ELECTROLYTE FUEL CELL, AND ELECTRODE CATALYST - 特許庁

ストア動作においてプレート線電位を負電位と電源電位より高い高電位の間でスイングすることにより強誘電体容量の残留分極を大きくする。例文帳に追加

Residual polarization of a ferroelectric capacitor is enlarged by swinging a plate line potential between a negative potential and a high potential being higher than a power source potential in store operation. - 特許庁

次いで、スイッチングトランジスタ２５が導通状態にあるときに、電源電位ＤＳを高電位Ｖｃｃから低電位Ｖｓｓに、その後再び高電位Ｖｃｃに切り替える。例文帳に追加

Next, when the switching transistor 25 is in conduction state, the power source potential DS is switched from a high potential Vcc to a low potential Vss, and then again to the high potential Vcc. - 特許庁

外部直流電源の逆接続状態でも、整流器１２は高電位側ノード１３に高電位を発生し、低電位側ノード１４に低電位を発生する。例文帳に追加

Even when the polarity of the external DC power supply is reversed, the rectifier 12 generates a high electrical potential at the high electrical potential side node 13 and a low electrical potential at the low electrical potential side node 14. - 特許庁

パワーデバイス駆動回路において、高電位側基準電位（仮想接地電位ＶＳ）に発生する負電圧のアンダーシュートによる高電位側電源電圧の低下を確実に抑制する。例文帳に追加

To reliably suppress a decrease in high potential-side power supply voltage due to an undershoot of a negative voltage generated at a high potential-side reference potential (virtual ground potential VS) in a power device driving circuit. - 特許庁

抵抗部３０は、高電位側に接続される高電位側接続部位３０Ｈと、低電位側に接続される低電位側接続部位３０Ｌを有する。例文帳に追加

The resistance part 30 includes a high potential-side connection part 30H connected to a high-potential side, and a low potential-side connection part 30L connected to a low-potential side. - 特許庁

電位センサを用いて感光体の表面電位を測定する際、帯電手段や現像手段に印可した高電圧の電位測定への影響を取り除き、より精度の高い電位測定を実現する。例文帳に追加

To achieve more accurate potential measurement by removing influence on the potential measurement of high voltage applied to an electrifying means and a developing means when measuring surface potential of a photoreceptor by using a potential sensor. - 特許庁

コンデンサ素子９３の高電位側端子１００および低電位側端子１０１は封止用樹脂９５から露出しており、高電位側端子１００と低電位側端子１０１の間には仕切板９６が設けられている。例文帳に追加

The high-potential side terminal 100 and the low-potential side terminal 101 of the capacitor element 93 are exposed from the sealing resin 95, and a partition board 96 is arranged between the high-potential side terminal 100 and the low-potential side terminal 101. - 特許庁

さらに、高電位基準回路部ＨＶと支持基板２との間および低電位基準回路部ＬＶと支持基板２との間の双方、もしくは、少なくとも高電位基準回路部ＨＶと支持基板２との間を同電位にする。例文帳に追加

Furthermore, both the high-potential reference circuit HV and support substrate 2 and the low-potential reference circuit LV and the support substrate 2, or at least the high-potential reference circuit HV and the support substrate 2 are held at the same potential. - 特許庁

制御部ＣＴＵは、消去動作の際に、配線を第１電位に設定しつつ、電極膜ＷＬを第１電位よりも低い第２電位に設定する第１動作の後に、配線を第３電位に設定しつつ、電極膜ＷＬを第３電位よりも高い第４電位に設定する第２動作を実施する。例文帳に追加

In erasing operation, the control unit CTU executes a second operation for setting the electrode film WL at fourth potential higher than third potential while setting the wiring at third potential after a first operation for setting the electrode film WL at second potential lower than first potential while setting the wiring at the first potential. - 特許庁

前記要素回路の信号入力端子の直流電位は高電位側の電源又は接地から定電位差で与えられ、前記電流制御端子３の直流電位は低電位側の電源又は接地から定電位差で与えられる。例文帳に追加

A DC potential of respective signal input terminals of the constituent circuits is supplied by constant voltage difference from a power source or a ground of a high potential side, and a DC potential of the terminal 3 is supplied by constant voltage difference from a power source or a ground of a low potential side. - 特許庁

このコモン電位ＬＣcomを調整するとき、第１に、特定の画像の表示に伴なって液晶装置１００から出射される光量の変動量が最小となる電位Ｖcom´にコモン電位ＬＣcomを調整し、第２に、コモン電位ＬＣcomを電位Ｖcom´よりも高い電位Ｖ0に設定する。例文帳に追加

When the common potential LCcom is adjusted, firstly, it is adjusted to a potential Vcom' that minimizes fluctuations of a light quantity emitted from the liquid crystal 100 accompanied by displaying a specific image, and secondly, the common potential LCcom is set to a potential VO higher than the potential Vcom'. - 特許庁

また、定電流素子１８の出力電位と所定の電位Ｖrefとを入力とし、２つの入力電位の高低により出力電位を変化させる比較器２０を有し、電位供給源によってコントロールゲートに供給される電位を、比較器２０の出力により制御する。例文帳に追加

A comparator 20 is provided for varying the output potential with inputs of the output potential of the constant current element 18 and a prescribed potential Vref according to the two input potentials levels, and the potential to be fed to control gates from a potential feed source is controlled by the output of the comparator 20. - 特許庁

どちらのセンサに接続された場合も、比較器４は特定点Ａの電位を基準電位と比較して、特定点Ａの電位が基準電位よりも高いときに第１のレベルの信号を、特定点Ａの電位が基準電位よりも低いときに第２のレベルの信号を出力する。例文帳に追加

Even in cases connected to either of the sensors, a comparator 4 compares the electric potential of the specific point A with the reference electric potential and will output the first level signal, when the electric potential of the specific point A is higher than the reference electric potential, and the second level signal is output, when the electric potential of the specific point A is lower than the reference electric potential. - 特許庁

隣接する一対の第３固定電位線と、隣接する一対の高電位側固定電位線群とで囲まれ、第１素子または第２素子が配置される配置領域において、一対の第３固定電位線間に、第１固定電位線または第２固定電位線のいずれかが配線されている。例文帳に追加

In a layout region, surrounded by a pair of adjacent third fixed potential lines and a pair of groups of adjacent high-potential-side fixed potential lines, where a first element or a second element is arranged, either one of the first fixed potential line and the second fixed potential line is wired between the pair of third fixed potential lines. - 特許庁

高耐圧ＭＯＳトランジスタ構造において、基板電位がソース電位よりも高くなり難くして、サステイン耐圧を高める。例文帳に追加

To make a sustaining breakdown voltage higher in a high-breakdown voltage MOS transistor structure by constituting so that a substrate potential is less likely to become higher than the source potential. - 特許庁

回路部２２は選択期間が終って非選択期間に戻る時二本のうち少くとも一本の電極Ｋをアノード電位より高い所定電位に切り換えて基材４の表面電位ＶＧをアノード電位と所定電位の間まで高め、次の選択期間における放電の立上りを加速する。例文帳に追加

When the selection period ends and returns to the non-selection period, the circuit part 22 changes over at least one electrode K of the two to a prescribed potential higher than the anode potential to raise the surface potential VG of the substrate 4 up to the level between the anode potential and the prescribed potential, and accelerates the rise of the discharge in the next selection period. - 特許庁

出力端子ＰＯと高電位電源ＡＶＤ３との間に接続されたトランジスタＴＰ２は、そのバックゲートの電位が制御部４３により、高電位電源ＡＶＤ３のオフ時にバックゲートの電位を出力端子ＰＯの電位に制御する。例文帳に追加

In a transistor TP2 connected between an output terminal PO and a high-potential power supply AVD3, the potential of a back gate for the transistor TP2 controls the potential of the output terminal PO in the off-case of a high-potential power supply AVD3 by a control unit 43 at the potential of the back gate. - 特許庁