「4極スパッタリング」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

ゲート絶縁膜３に接する第１のゲート電極膜４をＡｒよりも大きな原子数の不活性ガスを放電ガスに用いてスパッタリングし、第１のゲート電極膜４上の第２のゲート電極膜５をＡｒガス又はＡｒにＡｒよりも大きな原子数の不活性ガスを５０％以下の割合で混合したガスを放電ガスに用いてスパッタリング成膜する。例文帳に追加

A method is constituted by sputtering a first gate electrode film 4 adjacent to a gate insulation film 3 with use of an inert gas having an atomic number larger than Ar as discharge gas and sputtering a second gate electrode film 5 on the first gate electrode film 4 with an Ar gas or Ar gas mixed with the inert gas having a larger atomic number than Ar 50% or less. - 特許庁

陰極１とベイン３を備える陽極２とを有するマグネトロンは、絶縁表面４を有し、該表面は、陰極と対面し、陰極でのスパッタリングによる陰極からの材料を受け取る。例文帳に追加

The magnetron provided with a cathode 1 and an anode 2 having vanes 3 has an insulated surface 4 which opposes to the cathode and receives a material from the cathode due to sputtering at the cathode. - 特許庁

さらに、有機発光層３の上面に、陰極用物質からなる薄膜を蒸着やスパッタリングなどの方法により形成させ、陰極４を作製する。例文帳に追加

Further, a thin film made from a cathode material is formed on the upper surface of the organic light emitting layer 3 by deposition or sputtering to produce a cathode 4. - 特許庁

電極２ａおよび電極４として、それぞれ、基板１および５の上にＦＴＯ（フッ素がドープされた酸化スズ）などの透明導電層をスパッタリング法などによって形成する。例文帳に追加

The electrode 2a and the electrode 4 are formed by a sputtering method of sputtering a transparent conductive layer such as FTO (tin oxide doped with fluorine) respectively on substrates 1 and 5. - 特許庁

絶縁放熱基板１上に電極層６で配線パターンを形成、ニッケル合金を用いてスパッタリングにより抵抗体を形成し突入電流抑制抵抗器４、回生抵抗器５とする。例文帳に追加

A wiring pattern is formed from an electrode layer 6 on an insulating heat-radiation substrate 1 and a resistor is formed by sputtering using nickel alloy to provide an inrush current suppression resistor 4 and a regeneration resistor 5. - 特許庁

アノード電極４で飛行方向が曲げられたスパッタリング粒子３０の軌道が修正され、基板台１６上の基板１７表面に垂直に入射する。例文帳に追加

The orbit of sputtering particles 30 whose flying direction is bent by the anode electrode 4 is corrected, and the particles are vertically made incident on the surface of a substrate 17 on the substrate stand 16. - 特許庁

本体部２には冷却水を循環させるための水路４が設けられ、電極用プレート２Ｃがスパッタリングターゲット３を保持する側に配置されている。例文帳に追加

The main body part 2 has a water channel 4 placed therein for circulating a cooling water, and has the plate 2C for the electrode arranged on a side on which the sputtering target 3 is held. - 特許庁

太陽電池１０は、透明基板１と、透明導電膜２と、スパッタリングによって形成されたｐ層３及びｎ層４と、金属電極５とからなる。例文帳に追加

The solar battery 10 comprises a transparent substrate 1, a transparent conductive film 2, a p-layer 3 and an n-layer 4 which are formed by sputtering, and a metal electrode 5. - 特許庁

グレーズ層２上に発熱体３を薄膜形成した後に、スパッタリング法または蒸着法にて電極４と導通部５とを同時に形成し、更に保護膜６をその上に形成する。例文帳に追加

After a thin film of heating element 3 is formed on a glaze layer 2, an electrode 4 and a conductive part 5 are formed simultaneously by sputtering or deposition and a protective film 6 is formed thereon. - 特許庁

円筒形ターゲットの内部にマグネットを搭載し、この円筒形ターゲットを複数配置したスパッタリング装置において、円筒形ターゲットを一対の電極間に概ね平行に、かつ概ね等間隔に配置する。例文帳に追加

In a sputtering device in which the inside of a cylindrical target 4 is mounted with a magnet, and the cylindrical targets are plurally arranged, the cylindrical targets are arranged approximately parallel to a space between a pair of electrodes and also approximately at equal intervals. - 特許庁

本発明の分散型ＥＬ素子では、発光層３の膜厚は８０〜１００μｍであり、背面電極５は誘電体層４上に圧着、蒸着もしくはスパッタリングにより形成される。例文帳に追加

In the dispersion type EL element of the present invention, a film thickness of the light-emitting layer 3 is 80 to 100 μm, and the back electrode 5 is formed on the dielectric layer 4 by pressure bonding, vapor deposition, or sputtering. - 特許庁

バリアメタル４をスパッタリング等で形成後にウェハ１のバックグラインドを実施し、その後、半導体電極２上を開口したバンプレジスト５を形成し、めっき工程でバンプ６を形成する。例文帳に追加

The rear surface of a wafer 1 is subjected to grinding after a barrier metal 4 is formed through sputtering or the like, thereafter a bump resist 5 with an opening located on the semiconductor electrode 2 is formed, and a bump 6 is formed through a plating process. - 特許庁

チタン酸バリウム系強誘電体セラミックスからなる板状のセラミック素子１の両面にスパッタリングにより電極膜２を形成し、電極膜２を２５０〜４００℃の温度で熱処理した後、電極膜２にリード端子４を接合する、セラミック電子部品の製造方法。例文帳に追加

In the method for manufacturing the ceramic electronic component, electrode films 2 are formed by sputtering on both the surfaces of a plate type ceramic element 1 made of barium-titanate based dielectric ceramic and heat-treated at a temperature of 250 to 400°C, and then lead terminals 4 are joined with the electrode films 2. - 特許庁

ポリアミド系樹脂からなる絶縁性基材４にＤＣスパッタリングによりメッキ下地層を形成する際の前処理において、絶縁性基材４を電極２に取り付けるとともに逆スパッタガスに窒素ガスを用いて絶縁性基材４の表面にプラズマボンバードを施す。例文帳に追加

In pretreatment at the time of forming a plating substrate by DC sputtering on an insulating base material 4 composed of a polyamide resin, the insulating base material 4 is fitted to an electrode 2, and moreover, plasma bombardment is applied on the surface of the insulating base material 4 by using gaseous nitrogen as reverse sputtering gas. - 特許庁

下部電極層２と上部電極層４との間に配置された薄膜誘電体層３を、薄膜誘電体層の組成と実質に同一のターゲットを用いて、アルゴンガス、オゾンガス雰囲気中で高周波スパッタリングにより成膜した。例文帳に追加

A thin-film dielectric layer 3 arranged between a lower electrode layer 2 and an upper electrode layer 4 is formed by high-frequency sputtering in an argon gas/ozone gas atmosphere by using substantially the same target with the composition of the thin-film dielectric layer. - 特許庁

下部電極層２と上部電極層４との間に配置された薄膜誘電体層３を、薄膜誘電体層の組成と実質に同一のターゲットを用いて、アルゴン−オゾン混合ガスの雰囲気中で高周波スパッタリングにより成膜した。例文帳に追加

A thin-film dielectric layer 3 arranged between a lower electrode layer 2 and an upper electrode layer 4 is formed through high-frequency sputtering of argon-ozone mixed gas in an atmosphere by using substantially the same target with the composition of the thin-film dielectric layer 3. - 特許庁

この圧電薄膜素子１は、ＭｇＯ基板２Ａ上に、ＲＦマグネトロンスパッタリング法により、白金下部電極３、第１のＳｒＴｉＯ_３薄膜４、（Ｎａ，Ｋ，Ｌｉ）ＮｂＯ_３圧電薄膜５、第２のＳｒＴｉＯ_３薄膜６および白金上部電極７を順次形成した構造を有する。例文帳に追加

The piezoelectric thin film element 1 has such a structure that a platinum lower electrode 3, a first SrTiO_3 thin film 4, an (Na, K, Li)NbO_3 piezoelectric thin film 5, a second SrTiO_3 thin film 6, and a platinum upper electrode 7 are formed on an MgO substrate 2A in sequence by an RF magnetron sputtering method. - 特許庁

太陽電池１０は、透明な高分子基材１と、この高分子基材１上に設けられた透明導電膜２と、この透明導電膜２上にスパッタリングによって形成されたｐ層３及びｎ層４と、このｎ層４上に設けられた金属電極５とからなる。例文帳に追加

The solar cell 10 is formed of a transparent polymer base material 1, a transparent conductive film 2 provided on this polymer base material 1, a p-type layer 3 and an n-type layer 4 formed on the transparent conductive film 2 with the sputtering, and a metal electrode 5 provided on this n-type layer 4. - 特許庁

放電室１とこれと隘路を介して隣接し加速電極２１と試料台３が設置されたプロセス室２とを備える電子ビーム励起プラズマ装置において、プロセス室２にターゲット４を配置して反応プラズマを作用させてスパッタリングするようにしたことを特徴とする。例文帳に追加

In an electron beam exciting plasma system provided with a discharge chamber 1 and a process chamber 2 adjacent thereto via a bottleneck and installed with an accelerating electrode 21 and a sample stand 3, target 4 is arranged at the process chamber 2, reaction plasma is acted, and sputtering is performed. - 特許庁

太陽電池１０は、透明導電性基板１と、基板１上にスパッタリングによって形成された、Ｃｕ_２Ｏよりなるｐ層２及びアモルファス状態のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏｎ層３と、このｎ層３上に設けられた金属電極４とからなる。例文帳に追加

The solar battery 10 consists of a transparent conductive substrate 1, a p-layer 2 made of Cu_2O and an amorphous In-Ga-Zn-O n-layer 3 formed on the substrate 1 by sputtering, and a metallic electrode 4 provided on the n-layer 3. - 特許庁

絶縁被膜４との接着強度が非常に強い金属を絶縁被膜４の縁部とガードリング３と一導電型エピタキシャル層２上に覆うように蒸着，スパッタリング等の手段で形成した後、その上にはんだや金とのぬれ性が良い金属でアノード電極層６を構成している。例文帳に追加

A metal very high in adhesion to the insulating film is formed so as to cover the edge of the insulating film 4, the guard ring 3, and the certain conductivity epitaxial layer 2 through a means such as evaporation or sputtering, and an anode electrode layer 6 formed of metal superior in wettability by solder or gold is provided thereon. - 特許庁

カソード電極１に設けたターゲット２からスパッタさせた金属原子を基板３の表面に堆積させるスパッタリング法で、基板３に回路形成用の導体膜４を形成する工程を有する導電性回路形成方法に関する。例文帳に追加

The conductive circuit formation method is a sputtering method where metal atoms sputtered from a target 2 provided in a cathode electrode 1 are deposited on the surface of a substrate 3, relating to the conductive circuit formation method having a process for forming a conductive film 4 to form a circuit on the substrate 3. - 特許庁

各電極において、第１の電極３と第３の電極１１の間にグロー放電を生成する高周波電力を供給することによってグロープラズマの生成及び維持を行い、第２の電極４と第３の電極１１の間に直流のバイアス電圧を印加することによって、第１の電極と第２の電極との間に配置した絶縁物バルク試料Ｓのスパッタリングを行う。例文帳に追加

In the respective electrodes, glow plasma is formed and kept by supplying high frequency power forming glow discharge between the first and third electrodes 3, 11 and the sputtering of the insulating object bulk sample S arranged between the first and second electrodes is performed by applying DC bias voltage across the second and third electrodes 4, 11. - 特許庁

基板１上に、第１透明電極層２と、光電変換層３と、第２透明電極層５と、金属膜からなる裏面電極層４と、が順に積層される光電変換装置１００の製造方法であって、水蒸気分圧を０．６％以下に制御した製膜室内で、スパッタリング法により第２透明電極層５を形成する光電変換装置１００の製造方法である。例文帳に追加

In the method of manufacturing a photoelectric conversion device 100 where a first transparent electrode layer 2, a photoelectric conversion layer 3, a second transparent electrode layer 5, and a back electrode layer 4 consisting of a metal film are laminated sequentially on a substrate 1, the second transparent electrode layer 5 is formed by sputtering in a film deposition chamber where the partial water vapor pressure is controlled below 0.6%. - 特許庁

Ｓｉ基板２の主面にダイヤモンド層３とＺｎＯの圧電体層４と交差指電極からなるＩＤＴ６，８とＳｉＯ_２ の絶縁保護膜１１とを積層してＳＡＷ素子１を形成し、その表面にＡｕ粒子１２をスパッタリングで均一に被着させて、ＳＡＷ素子の周波数を調整する。例文帳に追加

The SAW element 1 is formed by laminating a diamond layer 3, a ZnO piezoelectric layer 4, the IDTs 6, 8 comprising interdigital electrodes, and an SiO_2 insulation protection film 11 on a principal side of an Si substrate 2, Au particles 12 are uniformly coated to the surface of the SiO_2 substrate by sputtering to adjust the frequency of the SAW element. - 特許庁