「AL layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

The iron oxide particles are coated with a compound iron oxide layer of Al and Fe and then coated with an Al component.例文帳に追加

ＡｌとＦｅの複合酸化鉄層にて被覆した後、Ａｌ成分にて被覆したことを特徴とする酸化鉄粒子。 - 特許庁

The molten Al plating layer can comprise Si by 0-12 mass%, and the remainder comprises Al and impurities.例文帳に追加

溶融Ａｌめっき層は、Ｓｉ：０〜１２質量％、残部Ａｌおよび不純物からなるものとすることができる。 - 特許庁

The surface of steel is coated with a rust layer of Al-substituted goethite of ≥0.1 atomic % Al content.例文帳に追加

鋼材表面がＡｌ含有量で０．１原子％以上のＡｌ置換ゲーサイトのさび層で覆われている鋼材。 - 特許庁

Also, the active layer 8 including Al is not etched when the window structure is formed so that the oxidization of Al can be prevented from being generated.例文帳に追加

また、窓構造を形成する際に、Ａｌを含む活性層８をエッチングしないので、Ａｌの酸化も生じない。 - 特許庁

The outermost layer is formed of nitride, carbonic nitride nitrided oxide or carbonic oxide of Al, and has a hexagonal crystal structure.例文帳に追加

最表層は、Alの窒化物、炭窒化物、窒酸化物または炭窒酸化物からなり、六方晶の結晶構造を持つ。 - 特許庁

When forming the Al wiring layer ML, energy of a Al ion incident to a substrate WA is set in 30 to 90 eV.例文帳に追加

Ａｌ配線層ＭＬの成膜に際して、基板ＷＡに入射するＡｌイオンのエネルギーを３０〜９０ｅＶとする。 - 特許庁

The intermediate layer 14 is constituted of a non-magnetic alloy consisting essentially of Co and Cr and oxides of Al, Cr, Hf, Mg, Nb, Si, Ta, Ti, Zn and the like.例文帳に追加

中間層14はCoおよびCrを主原料とする非磁性合金と、Al, Cr, Hf, Mg, Nb, Si, Ta, Ti, Zr等の酸化物で構成される。 - 特許庁

The layer 25 is formed into an Al oxide layer 28 formed by oxidizing selectively the Al in the layer 25 from the center region of the layer 25 to the side surface of the laminated structure excepting the center region.例文帳に追加

ＡｌＩｎＡｓ層は、中央領域を残し、中央領域から積層構造側面まで、ＡｌＩｎＡｓ層中のＡｌが選択的に酸化されたＡｌ酸化層２８となっている。 - 特許庁

Here, the TiN barrier layer 14 which is slower in etching rate than for the Al-Si wiring material layer 16 is capped between than the Al-Si wiring material layer 16 and the Ti adhered layer 12.例文帳に追加

ここで、Ａｌ−Ｓｉ配線材層１６とＴｉ密着層１２との間に、Ａｌ−Ｓｉ配線材層１６よりもエッチング速度が遅いＴｉＮバリア層１４がキャッピングされている点に特徴がある。 - 特許庁

A buffer layer 44 composed of an AlN layer 47, a first AlGaN layer 48 (the average Al composition is 50%), and a second AlGaN layer 49 (the average Al composition is 20%) is formed on a substrate 41.例文帳に追加

基板４１上に、ＡｌＮ層４７、第１ＡｌＧａＮ層４８（平均Ａｌ組成５０％）および第２ＡｌＧａＮ層４９（平均Ａｌ組成２０％）からなるバッファ層４４を形成する。 - 特許庁

Then a buffer layer 9, comprising a high melting-point metal oriented with a plane almost equal, in plane interval, to an Al (111) plane, is deposited on the barrier metal layer 6.例文帳に追加

次にバリアメタル層６上にAl（１１１）面と面間隔がほぼ等しい面に配向する高融点金属からなるバッファー層９を堆積する。 - 特許庁

The process for producing free-standing III-N layer comprises depositing at least one first III-N layer 15 by means of molecular beam epitaxy on an Li(Al, Ga)O_x substrate 7, where 1≤x≤3.例文帳に追加

Li(Al, Ga)O_X基板（１≦ｘ≦３）７上に、分子線エピタキシ法により少なくとも１つの第一のIII-N層１５を堆積させる工程を備える。 - 特許庁

An Al layer 17 is formed on the surface of the Ti oxide 16 (c).例文帳に追加

Ｔｉ酸化物１６の表面にＡｌ層１７を形成する（図１（ｃ））。 - 特許庁

An upper layer Al film 7 for the pat of a test element group TEG1 is arranged to overlap the lower layer Al interconnect 5b of the test element group TEG1.例文帳に追加

テストエレメントグループＴＥＧ１のパット用上層Ａｌ膜７を、テストエレメントグループＴＥＧ１の下層Ａｌ配線５ｂと重なるように配置する。 - 特許庁

The Al layer 210 contains intrinsic group 10 metal arranged therein.例文帳に追加

このＡｌ層２１０は、中に配置された真性の１０族の金属を含む。 - 特許庁

An Al film of the second layer is formed on the surface of the silicon oxide film 48.例文帳に追加

第２層のＡｌ膜はシリコン酸化膜４８の表面に形成する。 - 特許庁

Thus, the Al layer 16 is prevented from peeling off from the base material 12.例文帳に追加

このため、Ａｌ層１６が基材１２から剥離することが防止される。 - 特許庁

Al COMPOSITE MATERIAL WITH CERAMIC POWDER LAYER INTERPOSED AND ITS PRODUCTION METHOD例文帳に追加

セラミック粉末層を介在させたＡｌ複合材及びその製造方法 - 特許庁

Direct contact between Al and Cu is avoided by the passivation layer 32.例文帳に追加

このパッシベーション層３２がＡｌとＣｕとの直接接触を回避させる。 - 特許庁

At least aluminum (Al) is included as a constitution atom of the barrier layer.例文帳に追加

障壁層の構成原子として少なくともアルミニウム（Ａｌ）が含まれる。 - 特許庁

Inclination in the Al composition in the AlGaN thin layer crosses the base layer (28) for inducing an electrostatic field, thus increasing a carrier speed, and hence reducing the carrier traveling time.例文帳に追加

AlGaN薄層中のAl組成の傾斜がベース層（２８）を横切って静電界を誘起し、それがキャリア速度を増加させ、従ってキャリア走行時間を低下させる。 - 特許庁

An upper layer light shielding Al film 9a formed by patterning an Al film being used in the upper layer Al film 9b for the pat of a TEG is provided on the source-drain regions 5a and 5b of the monitor transistor.例文帳に追加

ＴＥＧのパット用上層Ａｌ膜９ｂに用いられるＡｌ膜をパターニングして形成された遮光用上層Ａｌ膜９ａを、モニタ用トランジスタのソース／ドレイン領域５ａ、５ｂ上に設ける。 - 特許庁

The layer 44 is constituted by an Al-Cu alloy layer which constitutes a wiring main body, a Ti layer 44b, and a TiN layer 44c.例文帳に追加

下層配線は、配線本体を構成するＡｌ−Ｃｕ合金層４４ａと、Ｔｉ層４４ｂと、ＴｉＮ層４４ｃとから構成される。 - 特許庁

Continuously, hydrogen annealing is performed to alloy Al of the Al layer 3 with Ti of a Ti layer, a Ti/TiN layer 4 and the Ti/TiN film 13, such that a coating 14 composed of TiAl_3 is formed around the Al wiring 6.例文帳に追加

続いて、水素アニールを行い、Ａｌ層３のＡｌと、Ｔｉ層、Ｔｉ／ＴｉＮ層４及びＴｉ／ＴｉＮ膜１３のＴｉとを合金化させ、Ａｌ配線６の周囲にＴｉＡｌ_３からなる被覆膜１４を形成する。 - 特許庁

The formation of the Al electrode layer 4 by the low temperature film forming can prevent inter-diffusion between the Al and Ti or the like included in the underlying electrode layer 5 and prevent the deterioration in the crystallinity of the Al electrode layer 4.例文帳に追加

Ａｌ電極層４を低温成膜によって形成することにより、Ａｌと下地電極層５に含まれるＴｉ等との相互拡散が防止され、Ａｌ電極層４における結晶配向性が阻害されることを防止する。 - 特許庁

This method is provided with a stripe-type ridge or mesa-post structure comprising a semiconductor layer 15 which contains Al and an InP layer 16, and a confinement structure is constituted of an Al oxide layer herein and Al of a semiconductor layer comprising Al is selectively oxidized.例文帳に追加

本半導体素子の作製方法は、Ａｌを含む半導体層１５とＩｎＰ層１６とを有するストライプ状のリッジ又はメサポスト構造を備え、かつＡｌを含む半導体層のＡｌを選択的に酸化させてなるＡｌ酸化層により閉じ込め構造を構成する半導体素子の作製方法である。 - 特許庁

In the Al-Mn alloy coating layer 2, an Al-Mn intermetallic compound is dispersed and precipitated, and elements of Al, Mn, Fe, Si, Zn, Cu, etc., are included.例文帳に追加

Ａｌ−Ｍｎ合金被覆層２には、Ａｌ−Ｍｎ系金属間化合物が分散析出しており、Ａｌ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｓｉ、Ｚｎ、Ｃｕ等の元素が含有されている。 - 特許庁

A stacked structure composed of Ti/Al/TiN/Al-Cu/TiN is employed as the upper wiring layer 5 on the interlayer insulating film 3, whereby an eutectic crystal of Ti and Al is produced.例文帳に追加

層間絶縁膜３上の上層配線層５として、Ｔｉ／Ａｌ／ＴｉＮ／Ａｌ−Ｃｕ／ＴｉＮからなる積層構造を用いることにより、ＴｉとＡｌとの共晶を生成する。 - 特許庁

A plating metal layer containing at least 4 mass% Al and containing an Al-based intermetallic compound in or at the side of an Al phase is formed on the surface of a steel material.例文帳に追加

Ａｌ４質量％以上からなり、かつ、Ａｌ相の中または横にＡｌ系金属間化合物を含有するめっき層を鋼材表面に形成させる。 - 特許庁

The light transmitting layer 3 has an Al alloy ratio higher than that of the p-type AlGaAs active layer 4.例文帳に追加

透過層３は，Ａｌ混晶比が，p型ＡｌＧａＡｓ活性層４よりも高い組成を有している。 - 特許庁

The circuit 14 is adhesively layered on the silica-coated layer 13a with a Al-based brazing material layer 16.例文帳に追加

また回路１４はシリカコーティング層１３ａにＡｌ系のろう材層１６により積層接着される。 - 特許庁

A side of the n-side electrode in contact with the n-type layer is composed of an Al layer 11a.例文帳に追加

このｎ側電極のｎ形層との接触面側が、Ａｌ層１１ａにより形成されている。 - 特許庁

The Ti layer 6 and the first Al layer 7 are adjacent each other and joined through rolling and cladding.例文帳に追加

Ｔｉ層６と第１のＡｌ層７とが互いに隣接してクラッド圧延により接合されている。 - 特許庁

A cladding material 1A comprises: a Ni layer 4 formed of Ni or Ni alloy; a Ti layer 6 which is arranged on one side of the Ni layer 4 and formed of Ti or Ti alloy; and a first Al layer 7 which is arranged on the Ti layer 6 at a side opposed to the Ni layer 4 and formed of Al or Al alloy.例文帳に追加

クラッド材1Aは、Ｎｉ又はＮｉ合金で形成されたＮｉ層４と、Ｎｉ層４の片側に配置されたＴｉ又はＴｉ合金で形成されたＴｉ層６と、Ｔｉ層６のＮｉ層４配置側とは反対側に配置されたＡｌ又はＡｌ合金で形成された第１のＡｌ層７と、を備える。 - 特許庁

The insulating barrier layer 5 made of Al-O is formed on the second fixed magnetic layer 4c.例文帳に追加

前記第２固定磁性層４ｃ上にＡｌ−Ｏから成る絶縁障壁層５が形成されている。 - 特許庁

SOLAR CELL HAVING CONSTITUENT LAYER OF (Zn, Al)O-BASED TRANSPARENT ELECTRODE LAYER AND ZnO-Al2O3-BASED SPUTTERING TARGET USED FOR FORMING THE (Zn, Al)O-BASED TRANSPARENT ELECTRODE LAYER例文帳に追加

（Ｚｎ，Ａｌ）Ｏ系透明電極層を構成層とする太陽電池および前記（Ｚｎ，Ａｌ）Ｏ系透明電極層の形成に用いられるＺｎＯ−Ａｌ２Ｏ３系スパッタリングターゲット - 特許庁

An Ti layer, an Al layer, a Mo layer, a Pt layer, and an Au layer are sequentially laminated on the surface of an n-type GaN contact layer (102) to form an electrode structure (112).例文帳に追加

ｎ型ＧａＮコンタクト層（１０２）に対して、コンタクト層表面からＴｉ層、Ａｌ層、Ｍｏ層、Ｐｔ層、Ａｕ層を順次積層して電極構造（１１２）を作製する。 - 特許庁

For the Al oxide layer and p-InP protective layer, a part of them is so removed in a channel as to form an electric opening part 35 at the center in the width direction of ridge, and the Al oxide layer is obtained by selectively oxidizing the Al of the Al1nAs layer.例文帳に追加

Ａｌ酸化層及びｐ−ＩｎＰ保護層は、チャンネル状の電気的開口部３５を形成するように、リッジの幅方向中央で、チャンネル状に除去されており、Ａｌ酸化層はＡｌＩｎＡｓ層のＡｌが選択的に酸化されてなるＡｌ酸化層である。 - 特許庁

An Al alloy layer 1011 and a MoCr alloy layer 1012 are laminated on a substrate 100, a resist 50 is formed on the MoCr alloy layer 1012, and the MoCr alloy layer 1012 and Al alloy layer 1011 are wet-etched in order thereof.例文帳に追加

基板１００にＡｌ合金層１０１１とＭｏＣｒ合金層１０１２を積層し、ＭｏＣｒ合金層１０１２にレジスト５０を形成し、ＭｏＣｒ合金層１０１２、Ａｌ合金層１０１１の順にウェットエッチングする。 - 特許庁

Then a second AlGaN layer 14 containing Al at a concentration lower than that of the first AlGaN layer 13 is formed on the layer 13.例文帳に追加

さらにこの上に、第一のＡｌＧａＮ層１３よりも低いＡｌ組成の第二のＡｌＧａＮ層１４を形成する。 - 特許庁

The beam component 8 is formed out of a SiN membrane 13 on the lower layer, the Al membrane 11 on the intermediate layer, SiN membrane 14 on the upper layer.例文帳に追加

梁構成部８は、下層のＳｉＮ膜１３、中間層のＡｌ膜１１及び上層のＳｉＮ膜１４からなる。 - 特許庁

The high resistance layer 19 is composed of an oxide layer or a nitride layer, of Si, Zr, Al, Ti or Cr, and different from a conventional rare earth oxide film.例文帳に追加

高抵抗層１９は、Ｓｉ，Ｚｒ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｃｒの酸化層または窒化層により構成されており、従来の希土類酸化膜とは異なる。 - 特許庁

An AlGaN barrier layer/InGaN well layer/AlGaN barrier layer is used as the active layer 22, and a difference in an Al composition of the barrier layer is set to ≤3% to make the barrier symmetrical.例文帳に追加

活性層２２としてＡｌＧａＮバリア層／ＩｎＧａＮ井戸層／ＡｌＧａＮバリア層を用い、バリア層のＡｌ組成の差を３％以下にしてバリアを対称とする。 - 特許庁

The average composition of Al content contained in the clad layer is set at 0.02 to 0.04.例文帳に追加

このクラッド層中に含まれるＡｌの平均組成を０．０２〜０．０４とする。 - 特許庁

This method can be applied to the formation of a semiconductor layer whose Al ratio is 0.4 or smaller.例文帳に追加

Ａｌ混晶比が０．４以下の半導体層についても適用可能である。 - 特許庁