「AL layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

Consequently, soldering can be made to a Cu cathode electrode composed of a dissimilar metal of Al on the Sn layer 23 or Sn alloy layer, and joint strength of the Al anode electrode and Cu cathode electrode can be enhanced.例文帳に追加

これにより、Sn層２３又はSn合金層上でAlの異種金属からなるCu陰極電極とはんだ付けできるようになり、Al陽極電極とCu陰極電極との接合強度を向上することができる。 - 特許庁

A conductive layer for shielding, i.e. a fifth Al layer 38, is formed on the fourth Al interconnect line 35 through an interlayer insulating film 36.例文帳に追加

第４Ａｌ配線３５上に層間絶縁膜３６を介してシールド用の導電層である第５Ａｌ層３８を形成する。 - 特許庁

The connection material is composed of: an Mg-containing Al-based alloy layer 2; and Zn layers 3, 4 adjacent to both the sides of the Al based alloy layer 2.例文帳に追加

Ｍｇを含有するＡｌ系合金層２と、Ａｌ系合金層２の両面に隣接するＺｎ層３，４とからなるものである。 - 特許庁

A wiring layer 8 comprising Al film is formed continuously on the buffer layer 9 in vacuum without exposed to the atmosphere containing oxygen.例文帳に追加

さらに酸素を含む雰囲気にさらすことなく真空中連続でバッファー層９上にAl膜からなる配線層８を形成する。 - 特許庁

The sealing treatment to the Al layer 3 is performed by dipping the metal member 2C formed with the Al layer 3 into hot water.例文帳に追加

Ａｌ層３に対する封孔処理は、Ａｌ層３が形成された金属部材２Ｃを、熱水中に浸漬することにより行う。 - 特許庁

The mirror 1 comprises a three-layer film in the entire region, comprising an Al layer 11, a SiN layer 12, and an Al layer 13 successively layered from one side and is configured into a planar state.例文帳に追加

ミラー１は、その全体の領域が、一方側から順に積層されたＡｌ層１１、ＳｉＮ層１２及びＡｌ層１３の３層からなる膜で、平板状に構成される。 - 特許庁

The n-type absorption reducing layer 4 has a larger Al composition ratio than the n-type clad layer 5, and the p-type absorption reducing layer 12 has a larger Al composition ratio than the p-type second clad layer 11.例文帳に追加

ｎ型吸収低減層４はｎ型クラッド層５よりもＡｌ組成比が大きく、ｐ型吸収低減層１２はｐ型第２クラッド層１１よりもＡｌ組成比が大きい。 - 特許庁

The ratio of Al in the p-type AlGaInP upper cladding layer 40 is higher than the ratio of Al of AlGaInP that is a material of the barrier layer and the guide layer of an active layer 38.例文帳に追加

ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ上クラッド層４０のＡｌ組成比は、活性層３８のバリア層及びガイド層の構成材料であるＡｌＧａＩｎＰのＡｌ組成比よりも高い。 - 特許庁

The structure of the semiconductor switch comprises Al electrode/p-type single crystal silicon carbide layer, gradient composition layer/n-type single crystal silicon substrate/Al electrode (Al/p-SiC/GCL/n-Si/Al) while the gradient composition layer is a buffer layer between p-SiC and n-Si.例文帳に追加

前記半導体スイッチの構造は、Ａｌ電極／ｐ型単結晶炭化シリコン層／勾配組成物層／ｎ型単結晶シリコン基板／Ａｌ電極（Ａｌ/ｐ−ＳｉＣ／ＧＣＬ／ｎ−Ｓｉ／Ａｌ）を含み、前記勾配組成物層はｐ−ＳｉＣとｎ−Ｓｉの間の緩衝層である。 - 特許庁

A source drain electrode 34 is composed of a nitrogen containing layer and a thin film of pure Al or Al alloy.例文帳に追加

本発明のソース−ドレイン電極３４は、窒素含有層と純ＡｌまたはＡｌ合金の薄膜とからなる。 - 特許庁

To provide an Al alloy bearing, which has an Al-based bearing alloy layer containing Sn, and has superior seize resistance.例文帳に追加

Ｓｎを含むＡｌ基軸受合金層を備え、非焼付性に優れるＡｌ合金軸受を提供する。 - 特許庁

An Al layer 24 comprising Al or an Al alloy is formed in the upper surface of the plate base 21 and the inner surface of the sidewall 21a by plating or the like.例文帳に追加

板状基部２１の上面および側壁２１ａの内面には、ＡｌまたはＡｌ合金によるＡｌ層２４が、めっき等により設けられている。 - 特許庁

An Al layer 24 by Al or an Al alloy is formed on the upper surface of the flat base 21 and on the inner surface of the sidewall 21a by plating or the like.例文帳に追加

板状基部２１の上面および側壁２１ａの内面には、ＡｌまたはＡｌ合金によるＡｌ層２４が、めっき等により設けられている。 - 特許庁

At least an Al containing semiconductor layer is laminated on a semiconductor substrate, and the Al containing layer is partially removed, and a sacrificial layer is embedded in the removed area, and a semiconductor joint layer is laminated on the Al including layer and the sacrificial layer, and the sacrificial layer is selectively removed, and the Al including layer is selectively oxidized in this method for manufacturing this semiconductor element.例文帳に追加

その製造方法は、半導体基板上に、少なくともＡｌ含有半導体層を積層し、該Ａｌ含有層を部分的に除去し、該除去された領域に犠牲層を埋め込み、前記Ａｌ含有層および犠牲層上に半導体接合層を積層し、前記犠牲層を選択的に除去した後、前記Ａｌ含有層を選択的に酸化する工程を含む - 特許庁

Further, a low Al composition AlGaAs layer 51, a current constriction layer 31, and a low Al composition AlGaAs layer 52 are formed sequentially between the active layer 21 and the p type DBR layer 22 from the DBR layer 22 toward the active layer 21.例文帳に追加

また、活性層２１と、ｐ型ＤＢＲ層２２との間に、ＤＢＲ層２２側から活性層２１側に向けて、低Ａｌ組成ＡｌＧａＡｓ層５１、電流狭窄層３１、及び低Ａｌ組成ＡｌＧａＡｓ層５２を順に形成する。 - 特許庁

The composite layer coating member 10 includes a metallic base material 11, an Al layer 12 formed on the surface of the metallic base material 11, an Al diffused layer 12 of 12 to 28 mass% in Al concentration on the surface formed on the surface of the metallic base material 11, and an AlN layer 13 formed by nitriding the aluminum included in the Al diffused layer 12.例文帳に追加

複合層被覆部材１０は、金属製基材１１と、この金属製基材１１の表面に形成された表面のＡｌ濃度が１２〜２８質量％のＡｌ拡散層１２と、このＡｌ拡散層１２に含まれるアルミニウムを窒化させて形成されたＡｌＮ層１３とを備えてなる。 - 特許庁

In the ceramic substrate 10, an insulating layer, that is, a highly Al-concentrated layer 12 is formed on a surface of the ceramic substrate 10, wherein the insulating layer is high in Al concentration than the inside thereof.例文帳に追加

本発明のセラミックス基板１０は、セラミックス基板１０の表面に、Ａｌ濃度が内部よりも高い絶縁体層（=Ａｌ高濃度層１２）を構成する。 - 特許庁

An Al oxide film formed on the surfaces of the lower light lockup layer 16, the multiple quantum well active layer 18 and a lower lockup layer 20 including Al is removed by etching.例文帳に追加

Ａｌを含む下光閉込層１６、多重量子井戸活性層１８及び上光閉込層２０の表面に形成されたＡｌ酸化膜をエッチング除去する。 - 特許庁

The Al layer 12 is formed by a hot dip coating process or vapor deposition, such as a PVD process, and the AlN layer 13 is formed by subjecting the Al layer 12 to a nitriding treatment.例文帳に追加

Ａｌ層１２は、溶融めっき法やＰＶＤ法等の蒸着により形成され、ＡｌＮ層１３は、Ａｌ層１２を窒化処理することにより形成される。 - 特許庁

The clad material is provided with a base material layer 2 formed of pure Al or an Al alloy and a welding layer 3 diffusion-joined to the base material layer.例文帳に追加

純ＡｌあるいはＡｌ合金によって形成された基材層２と、前記基材層に拡散接合された溶接層３とを備えたクラッド材が提供される。 - 特許庁

By applying anodic oxidation processing to the Al layer 5 (alumite treatment), a part from a surface of the Al layer 5 to designated depth is changed to an alumite layer 6 in which pore 6a exists.例文帳に追加

Ａｌ層５の陽極酸化処理（アルマイト処理）を行うことにより、Ａｌ層５の表面から所定の深さまでを、ポア６ａが存在するアルマイト層６に変化させる。 - 特許庁

A negative electrode body 1 used in a lithium ion battery 100 includes: a negative electrode collector 11 comprising Al or an Al alloy; a negative electrode layer 12 including mixed powder of a negative electrode active material particle and a sulfide solid electrolyte particle; and an alloying prevention layer 13 interposed between the negative electrode collector 11 and the negative electrode layer 12 and preventing alloying between Li and Al.例文帳に追加

リチウムイオン電池100に利用される負極体1であって、Al又はAl合金からなる負極集電体11と、負極活物質粒子と硫化物固体電解質粒子との混合粉末を含む負極層12と、負極集電体11と負極層12との間に介在されて、LiとAlとの合金化を防止する合金化防止層13とを備える。 - 特許庁

An Al composition x in the n-type clad layer 13, an Al composition y in the p-type clad layer 19, and an Al composition z in the n-type reflection retarding layer 12 satisfy a relationship of x<z and y<z.例文帳に追加

ｎ型クラッド層１３におけるＡｌ組成ｘ、ｐ型クラッド層１９におけるＡｌ組成ｙ及びｎ型反射抑制層１２におけるＡｌ組成ｚは、ｘ＜ｚで且つｙ＜ｚの関係を満たす。 - 特許庁

The Al composition of the first AlGaN layer 25 is largest in the first conductive type clad region 13, and the Al composition of the second AlGaN layer 27 is smaller than the Al composition of the first AlGaN layer 25.例文帳に追加

第１のＡｌＧａＮ層２５のＡｌ組成は第１導電型クラッド領域１３において最も大きく、第２のＡｌＧａＮ層２７のＡｌ組成は第１のＡｌＧａＮ層２５のＡｌ組成よりも小さい。 - 特許庁

To make it possible to prevent an increase in wiring resistance caused by Cu-Al counter diffusion generated when Cu layer and Al-containing layer are connected.例文帳に追加

Ｃｕ層とＡｌ含有層とを接続する際に生じるＣｕ−Ａｌ相互拡散による配線抵抗上昇を防止できるようにする。 - 特許庁

A Sn-based layer 11a is formed by cladding or press forming as an outermost layer of an alloy foil 13 which comprises Sn 11b and Al 12 as major components and which has an Al content of 40 mass% or less, thereby removing an oxide film from the alloy surface layer.例文帳に追加

Sn１１bとAl１２を主成分とする合金箔１３でありAl含有率が40mass%以下の合金箔１３の最表層にSn系層１１aをクラッドまたは加圧成形して、合金表層の酸化膜を除去する。 - 特許庁

Through these procedures, the reflow capacity of the Al alloy layer 18 can be improved by using a TiON film 16 as a base film of the Al alloy layer 18.例文帳に追加

Ａｌ合金層１８の下地膜としてＴｉＯＮ膜１６を用いることでＡｌ合金層１８のリフロー性能が向上する。 - 特許庁

Al contained in the optical guide layer can be increased in compositional ratio.例文帳に追加

また光ガイド層中に含まれるＡｌの比率を上げることもできる。 - 特許庁

In the packaging material (10) using cardboard (11) as the base material, having the heat-sealable thermoplastic resin layer (12) as the innermost layer and having the Al foil (13) inside the thermoplastic resin layer, the Al foil is a degreased Al foil.例文帳に追加

板紙（１１）を基材とし最内層にヒートシール可能な熱可塑性樹脂層（１２）を、その内側にはＡｌ箔（１３）をそれぞれ備えた包装材料（１０）において、Ａｌ箔が脱脂Ａｌ箔であること。 - 特許庁

The substrate layer has a thickness of 2 nm or more and 100 nm or less and includes an Al-containing intermediate layer that contains a nitride semiconductor containing Al.例文帳に追加

下地層は、２ｎｍ以上１００ｎｍ以下の厚さを有し、Ａｌを含む窒化物半導体を含むＡｌ含有中間層を含む。 - 特許庁

The Al-based bearing alloy layer 23 includes a surface layer 27 comprising Al and 30-70% by mass of Sn on a sliding surface 28 side.例文帳に追加

Ａｌ基軸受合金層２３は、摺動表面２８側にＡｌと３０〜７０質量％のＳｎとを含む表面層２７を有している。 - 特許庁

To form a Zn-Al-Mg alloy plated layer having high workability.例文帳に追加

加工性の高いＺｎ−Ａｌ−Ｍｇ合金めっき層を形成する。 - 特許庁

The lower end layer 2a is formed of AlGaN richer in Al than it.例文帳に追加

下端層２ａは、これよりもＡｌリッチなＡｌＧａＮにて形成する。 - 特許庁

An Al base structure 50 having a hard built-up layer is of the structure in which a hard built-up layer 53 is joined with a structure 10 consisting mainly of Al or Al alloy through a joining layer 54.例文帳に追加

硬質肉盛層付きＡｌ系構造体５０は、Ａｌ又はＡｌ合金を主体に構成された構造体本体１０に対し、硬質肉盛層５３が接合層５４を介して接合された構造を有する。 - 特許庁

The contact portion 15B has a multilayer structure of a Ti layer 15B1 (a first conductive layer) as a bottom layer, an Al layer 15B2 (a second conductive layer) as a middle layer, and an Mo layer 15B3 (a third conductive layer) as a top layer.例文帳に追加

コンタクト部１５Ｂは、最下層のＴｉ層１５Ｂ１（第１導電層）と、中間層のＡｌ層１５Ｂ２（第２導電層）と、最上層のＭｏ層１５Ｂ３（第３導電層）との積層構造を有している。 - 特許庁

The connection pads have an ITO surface layer, Mo/Al/Mo under layer, and an undesirable MoO_3 insulating layer formed between an ITO layer and an Mo layer.例文帳に追加

接続パッドは、ＩＴＯ表面層と、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ下層と、ＩＴＯ層とＭｏ層との間に形成された、望ましくないＭｏＯ_3絶縁層とを有する。 - 特許庁

As the result, the deposition layer changes into an Fe-Al compound layer 3 composed essentially of FeAl2.例文帳に追加

この結果、蒸着層は、ＦｅＡｌ_２を主体とするＦｅ−Ａｌ化合物層３に変わる。 - 特許庁

On the foundation layer 2, an upper layer 3 is formed epitaxially with a second group III nitride rich in Al.例文帳に追加

下地層２の上に、上部層３をＡｌリッチな第２のIII族窒化物にてエピタキシャル形成する。 - 特許庁

In the groove 14, an active layer 15 (a second semiconductor layer) including an Al element is formed.例文帳に追加

溝１４内に、Ａｌ元素を含有する活性層１５（第２の半導体層）を形成する。 - 特許庁

An Al wiring is obtained by subjecting a multi-filmed Al layer made up of an Al film 2a of pure Al and an AlOx film 2b formed on the film 2a and made of Al containing oxygen elements to a photolithograpical patterning process.例文帳に追加

純粋なＡｌによって構成されるＡｌ膜２ａと、その上層に積層された酸素元素を含むＡｌによって構成されるＡｌＯ_x 膜２ｂとからなる多層Ａｌ層３をフォトリソグラフィーによってパターニングし、Ａｌ配線を得る。 - 特許庁

The hot dip coated steel member has a plated layer, the plated layer having a composition comprising, by mass, 8 to 60% Al, 1 to 10% Mg and the balance Zn with inevitable impurities and having, at the boundary between the plating and matrix, an Fe-Al compound layer with an average thickness of 0.1 to 5.0 μm.例文帳に追加

めっき層の組成が、質量%で、Al:8%以上60%以下、Mg:1%以上10%以下、残部がZnおよび不可避的不純物からなり、めっき-地鉄界面に平均厚み0.1μm以上5.0μm以下のFe-Al化合物層を有することを特徴とする溶融めっき鋼材である。 - 特許庁

The semiconductor device includes electrodes 9 and 10 having an Al layer 8, the Au wiring 12, and the barrier metal layer 11 provided between the Al layer 8 and the Au wiring 12 and having a structure wherein a first Ta layer 14, a first TaN layer 15 and a first Pt layer 16 are sequentially laminated from the side of the Al layer 8.例文帳に追加

半導体装置を、Ａｌ層８を含む電極９，１０と、Ａｕ配線１２と、Ａｌ層８とＡｕ配線１２との間に設けられ、Ａｌ層８の側から順に第１Ｔａ層１４、第１ＴａＮ層１５、第１Ｐｔ層１６を積層した構造を有するバリアメタル層１１とを備えるものとする。 - 特許庁

A first wiring layer 2 formed on an insulating substrate 1 and made of an Al layer or an Al alloy layer is covered by a first insulating layer 3 having a contact hole 33 exposing a part of the first wiring layer 2.例文帳に追加

絶縁性基板１上に形成されたＡｌ層またはＡｌ合金層からなる第１配線層２を、第１配線層２の一部を露出させるコンタクトホール３３を持つ第１絶縁層３で覆う。 - 特許庁

Especially, the alloy layer 20 of the cathode 2 preferably contains an Al-Au intermediate phase and is composed of a first layer containing the Al-Au intermediate phase being contact with the surface of the solid electrolyte and a second layer containing the metal Al phase covering the first layer.例文帳に追加

特に、カソードの合金層は、Ａｌ−Ａｕ中間相を含むものがよく、固体電解質表面に接するＡｌ−Ａｕ中間相を含む第１層と、該第１層を覆う金属Ａｌ相を含む第２層とから構成される。 - 特許庁

An n-electrode 30 composed of a Ti layer 31 and an Al layer 32 is formed on the n-type GaN layer 11.例文帳に追加

ｎ型ＧａＮ層１１には、Ｔｉ層３１とＡｌ層３２とから成るｎ電極３０が形成されている。 - 特許庁