「AL layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

The joining material has a Zn-based alloy layer 101 on the top surface of an Al-based alloy layer 102.例文帳に追加

接続材料として、Ａｌ系合金層１０２の最表面にＺｎ系合金層１０１を設けたものである。 - 特許庁

The first junction electrode 24 and the second junction electrode 26 are formed from an Al wiring layer and a solder layer.例文帳に追加

第１接合電極２４及び第２接合電極２６は、Ａｌ配線層とはんだ層とから形成されている。 - 特許庁

An inner layer is made of nanoparticles coated with Cu or Al, and an outer layer is made of nanoparticles coated with Cr.例文帳に追加

内層は、銅（Ｃｕ）あるいはアルミ（Ａｌ）で覆われたナノ粒子で、外層は、クローム（Ｃｒ）に覆われたナノ粒子である。 - 特許庁

It is further preferable that the brazing foil 12 is an Al-Si foil and the metal layer 13 is an aluminum layer.例文帳に追加

更にろう付け用箔１２がＡｌ−Ｓｉ系箔であり、金属層１３がアルミニウム層であることが更に好ましい。 - 特許庁

Since Al and N are strongly joined with each other after annealing, electric conductivity is lowered, and a band gap is increased because of the crystal mixing effect of guide layers 3 and 5 and the quantum well layer 4 so as to form a current block layer.例文帳に追加

アニール後にAlとNが強く結合するために電気伝導率が低下し、さらにガイド層3,5と量子井戸層4との混晶効果によりバンドギャップが増大し、電流ブロック層となる。 - 特許庁

The wiring material of an uppermost wiring layer of wiring layers is formed of Al or an Al alloy, and the wiring in the lower layer is formed of Co or a Co alloy.例文帳に追加

配線層のうちの最上の配線層の配線材料をアルミニウムまたはアルミニウム合金で構成し、その下層の配線層における配線を銅または銅合金で構成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor light element on an InP (indium phosphide) substrate having an active layer constituted of an Al series material reduced in oxidization of an Al containing layer while improving heat dissipating property.例文帳に追加

放熱性を改善しつつＡｌ含有層の酸化が低減された、Ａｌ系材料で構成された活性層を有するＩｎＰ基板上の半導体光素子を提供すること。 - 特許庁

This galvannealed steel sheet is peculiarly provided with a flattened part on the metal coated surface and an oxide layer containing ≥20 atomic % Al oxide on the surface layer of the flattened part.例文帳に追加

めっき表面に平坦部を有し、その平坦部の表層にAl酸化物を20at%以上含有する酸化物層を有することを特徴とする合金化溶融亜鉛めっき鋼板。 - 特許庁

At least, the uppermost part of the second clad layer 107 contains Al, a second conductivity-type mesa protective layer 108 whose Al composition ratio is smaller than that of the uppermost part of the second clad layer 107 is provided thereon so as to protect a re-grown interface 132a against oxidation.例文帳に追加

第２クラッド層１０７の少なくとも最上部にＡｌを含み、その上にそれよりもＡｌ組成比が小さい第２導電型のメサ保護層１０８を設けて再成長界面１３２ａの酸化を防ぐ。 - 特許庁

To provide a wafer-oxidizing device, which is constituted to form an Al oxide layer having high in-plane uniformity and an equal oxidation width over the whole surface of a wafer, at formation of the oxide layer by oxidizing an Al-containing layer.例文帳に追加

Ａｌを含む層を酸化してＡｌ酸化層を生成する際、面内均一性が高く、ウエハの全面にわたって同じ酸化幅の酸化層を生成できるようにした、ウエハの酸化装置を提供する。 - 特許庁

A galvanized layer composed of 0.1-3.0 mass % Mg, 0.02-1.0 mass % Al, ≤2 mass % Fe and the balance Zn with inevitable impurities, is formed on the surface of the steel sheet, and further, an oxide layer containing Mg is formed on its upper layer.例文帳に追加

鋼板表面に、Mgを0.1 〜3.0mass ％、Alを0.02〜1.0mass ％、Feを２mass％以下含有し、残部Znおよび不可避的不純物からなる溶融亜鉛めっき層を形成し、さらにその上層にMgを含む酸化物層を形成する。 - 特許庁

Next, an n-type conductive layer 14, a light emitting layer 15, a p-type cladding layer 16, and a p-type conductive layer 17 are constituted from such a nitride semiconductor layer that contains less Al content than that of underlying layer 13.例文帳に追加

次いで、ｎ型導電層１４、発光層１５、ｐ型クラッド層１６及びｐ型導電層１７を下地層１３よりもＡｌの少ない含有量となるような窒化物半導体層から構成する。 - 特許庁

A Zn layer is formed by substitution plating on the surface of an Al substrate, and an Ni layer, or an Ni layer and an Sn layer, or the Ni layer and a Cu layer are plated thereon to form a material for a terminal.例文帳に追加

Ａｌ基板表面に置換めっきによりＺｎ層を形成させ、その上にＮｉ層、またはＮｉ層とＳｎ層、もしくはＮｉ層とＣｕ層をめっきにより形成させて端子用材料とする。 - 特許庁

An Al-Mg/Al_2O_3 filler powder comprising alumina(Al_2O_3) powder and Al-Mg alloy powder and a base material composed of aluminum are mixed within a barrel vessel 1 in the presence of a treatment gas including a nitrogen gas, and a nitride layer is formed on the surface of the base material 3.例文帳に追加

窒素ガスを含む処理ガスの存在の下、アルミナ（Al_2O_3）粉末及びAl-Mg合金粉末を含むAl-Mg/Al_2O_3充填粉末と、アルミニウムからなる基材とをバレル容器１内で混合し、該基材３の表面に窒化物層を形成することを解決手段とする。 - 特許庁

A Ni-Al series intermetallic compound layer 3 is formed on a Ni-Cr series alloy wire 1, and an Al_2O_3 film 4 is formed at the uppermost facial layer, or an Fe-Al series intermetallic compound layer 6 is formed on an Fe-Cr-Al series alloy wire 5, and the Al_2O_3 film 4 is formed at the uppermost facial layer.例文帳に追加

Ｎｉ−Ｃｒ系合金線材１上にＮｉ−Ａｌ系金属間化合物層３が形成され、最表層にＡｌ_2Ｏ_3被膜４が形成されるか、またはＦｅ−Ｃｒ−Ａｌ系合金線材５上にＦｅ−Ａｌ系金属間化合物層６が形成され、最表層にＡｌ_2Ｏ_3被膜４が形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for reducing the ratio of an Al-Ti reaction layer in wiring containing at least Al by suppressing the reaction of Al and Ti, and its manufacturing method.例文帳に追加

ＡｌとＴｉの反応を抑えることにより、少なくともＡｌを含む配線中のＡｌ−Ｔｉ反応層の割合を小さくできる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a solar cell whose structure layer is a (Zn, In, Al)O based transparent electrode layer having low volume resistivity and thereby contributing to the improvement of photoelectric conversion efficiency, and a ZnO-In_2O_3-Al based sputtering target used for forming the (Zn, In, Al)O based transparent electrode layer.例文帳に追加

低い体積抵抗率を有し、もって光電変換効率の向上に寄与する（Ｚｎ，Ｉｎ，Ａｌ）Ｏ系透明電極層を構成層とする太陽電池および前記（Ｚｎ，Ｉｎ，Ａｌ）Ｏ系透明電極層の形成に用いられるＺｎＯ−Ｉｎ_２Ｏ_３−Ａｌ系スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

To provide a solar cell whose structure layer is a (Zn, Ga, Al)O based transparent electrode layer having low volume resistivity and thereby contributing to the improvement of photoelectric conversion efficiency, and a ZnO-Ga_2O_3-Al based sputtering target used for forming the (Zn, Ga, Al)O based transparent electrode layer.例文帳に追加

低い体積抵抗率を有し、もって光電変換効率の向上に寄与する（Ｚｎ，Ｇａ，Ａｌ）Ｏ系透明電極層を構成層とする太陽電池および前記（Ｚｎ，Ｇａ，Ａｌ）Ｏ系透明電極層の形成に用いられるＺｎＯ−Ｇａ_２Ｏ_３−Ａｌ系スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

A glass laminate is constituted by alternately laminating a first layer comprising oxide containing a film comprising zinc oxide which contains Al in an Al/(Al+Zn) ratio of 15-50 at%, a layer comprising a metal based on Ag and a layer comprising oxide or the like.例文帳に追加

ガラス基体上に、ＡｌをＡｌ／（Ａｌ＋Ｚｎ）で１５〜５０ａｔ％の割合で含む酸化亜鉛からなる膜（Ａ）を含む酸化物からなる第１層と、該第１層の上に、Ａｇを主成分とする金属からなる層（Ｂ）ならびに酸化物等からなる層（Ｃ）が交互に積層されたガラス積層体。 - 特許庁

In the joining layer, an Al-Cu layer consisting substantially of Al and Cu is formed on the structure 10 side, and a mixed layer of the hard metal for cladding by welding with a metal consisting mainly of Cu is formed on the hard built-up layer 53 side.例文帳に追加

また、接合層中には、実質的にＡｌ及びＣｕよりなるＡｌ−Ｃｕ系層が構造体本体１０側に形成される一方、肉盛硬質金属とＣｕ主体の金属との混合層が硬質肉盛層５３側に形成される。 - 特許庁

An upper electrode 12 connected to a pixel electrode 95 has a high-fusion-point metal layer 12b as its top layer and an Al metal layer 12a consisting mainly of Al as the 2nd layer from the top at least in an area where it is connected to the pixel electrode 95.例文帳に追加

画素電極９５と接続する上部電極１２は、少なくとも画素電極９５と接続する領域では、最上層を高融点金属層１２ｂ、上から２番目の層をＡｌを主成分とするＡｌ金属層１２ａとする。 - 特許庁

The plated steel sheet has a plating layer on the steel sheet surface, wherein the plating layer is used as a zinc-aluminum alloy plating layer consisting of zinc-aluminum alloy containing Al: 1-50 mass%, and coating weight of the plating layer is controlled to 30-90 g/m^2 per one side.例文帳に追加

鋼板表面にめっき層を有するめっき鋼板であって、前記めっき層を、Al：１〜50質量％を含む亜鉛−アルミニウム合金からなる亜鉛−アルミニウム合金めっき層とし、該めっき層の付着量が片面当たり30〜90ｇ／ｍ^２とする。 - 特許庁

An Al/Ti/Pt/Au multiple metal layer 32, an AuSn solder layer 33, an Au/Ni/Al/Ti multiple metal layer 15, an n^+ contact layer (n^+-GaN) 14, and a drift part (n-GaN) 13 are formed on an n-type Si substrate 31.例文帳に追加

ｎ型Ｓｉ基板３１上に、Ａｌ／Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ多重金属層３２、ＡｕＳｎはんだ層３３、Ａｕ／Ｎｉ／Ａｌ／Ｔｉ多重金属層１５、ｎ^+コンタクト層（ｎ^+−ＧａＮ）１４、ドリフト部（ｎ−ＧａＮ）１３が形成されている。 - 特許庁

The semiconductor layer 50 has the Al-containing compound semiconductor layer 25 containing Al on its second principal surface side, and a laminated-side protective layer 26 composed of the group III-V compound semiconductor containing less Al than the compound semiconductor layer 25 between the compound semiconductor layer 25 and element substrate 7.例文帳に追加

化合物半導体層５０は、第二主表面側にＡｌを含有したＡｌ含有化合物半導体層２５が形成され、かつ、該Ａｌ含有化合物半導体層２５と素子基板７との間に、Ａｌ含有化合物半導体層２５よりもＡｌ含有量が少ないＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる貼り合わせ側保護層２６を有する。 - 特許庁

In an AlGaAs semiconductor laser which has a distorted quantum well structure of active layer, an Al-doped GaInAs active layer 4 is used as an active layer.例文帳に追加

歪み量子井戸構造の活性層を有するＡｌＧａＡｓ系半導体レーザにおいて活性層としてＡｌ添加ＧａＩｎＡｓ活性層４を用いる。 - 特許庁

It is preferable that the buffer layer 9b consists of an LiF layer, and the first and second conductive layers 9a, 9c both consist of an Al layer.例文帳に追加

バッファ層９ｂはＬｉＦ層であることが好ましく、第１の導電層９ａおよび第２の導電層９ｃは、ともにＡｌ層であることが好ましい。 - 特許庁

The package type semiconductor device is constituted so that the gate wiring layer 17 and a dummy wiring layer 18 electrically isolated may be formed between the emitter Al electrode 14 and the gate wiring layer 17.例文帳に追加

エミッタＡｌ電極１４とゲート配線層１７との間に、ゲート配線層１７と電気的に分離されたダミー配線層１８を形成する。 - 特許庁

A method for manufacturing the RTD comprises the steps of steam-oxidizing a compound semiconductor having a high Al composition, that is, an AlAs layer to form a barrier layer 24 and a barrier layer 26 made of an Al2O3.例文帳に追加

高Ａｌ組成の化合物半導体、即ち、ＡｌＡｓ層をスチーム酸化してＡｌ_2 Ｏ_3 からなるバリヤ層２４及びバリヤ層２６を形成してある。 - 特許庁

The surface of the intermediate layer 2 and the surface of the overlay layer 3 are formed as if rugged corresponding to ruggedness of the surface of Al-based bearing alloy layer 1.例文帳に追加

中間層２の表面及びオーバレイ層３の表面を、Ａｌ基軸受合金層１の表面の凹凸に応じた凹凸状に形成させる。 - 特許庁

The organic EL device 10 includes an anode, a cathode (Al layer 17), and an organic layer 20 which is arranged between the anode and the cathode and includes a light emission layer.例文帳に追加

有機ＥＬ素子１０は、陽極と、陰極（Ａｌ層１７）と、陽極と陰極との間に配置され発光層を含む有機層２０とを備える。 - 特許庁

On a substrate 100, there are laminated a base layer 103, an antiferromagnetic layer 104, a magnetization stationary layer 107, a tunnel barrier layer 108 and a magnetization free layer 109 in this order, and a layer (seed layer) 101 containing Zr and Al is provided between the substrate 100 and the base layer 103.例文帳に追加

基板１００上に、下地層１０３、反強磁性層１０４、磁化固定層１０７、トンネルバリア層１０８、磁化自由層１０９がこの順に積層され、基板１００と下地層１０３との間に、ＺｒとＡｌを含む層（シード層）１０１を設けた。 - 特許庁

Ti layer 20a, TiOx layer 20b, TiN layer 20c, and Ti layer 20d are formed in this order between a metal layer 10 made of Cu material and a metal layer 14 made of Al material, from the metal layer 10 side to the metal layer 14 side.例文帳に追加

Ｃｕ材により構成される金属層１０と、Ａｌ材により構成される金属層１４との間に、金属層１０側から金属層１４側にかけて、Ｔｉ層２０ａ、ＴｉＯｘ層２０ｂ、ＴｉＮ層２０ｃ、Ｔｉ層２０ｄの順に構成する。 - 特許庁

An Al_xGa_1-xN(0≤x≤0.5) barrier layer 30 exists on the Al_yGa_1-yN layer 28 on the reverse side of the GaN buffer layer 26, and the Al concentration of the layer 28 is higher than that of the barrier layer 30.例文帳に追加

Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ≦０．５）バリア層３０が、ＧａＮバッファ層２６の反対側でＡｌ_ｙＧａ_１−ｙＮ層２８上にあり、該層２８のＡｌ濃度は、バリア層３０よりも高い。 - 特許庁

In the reformer 1, for obtaining a hydrogen transmitting layer 5, the hydrogen transmitting layer 5 and the catalyst layer 4 are formed on a primer layer 51 of Al or the like, and the primer layer 51 is dissolved to be eliminated.例文帳に追加

この改質器１において、水素透過層５を得るのに、Ａｌ等の下地層５１上に水素透過層５と触媒層４を形成し、下地層５１を溶解除去する製造方法。 - 特許庁

The high-temperature conductive oxide coat is formed in (1) a method for applying sputter coating to Cu and Al under an oxygen containing depressurized atmosphere, or in (2) a method for applying sputter coating to Cu and Al under a non-oxidized atmosphere to form a Cu-Al alloy layer and then oxidizing a surface layer portion of the Cu-Al alloy layer.例文帳に追加

この高温導電性酸化物皮膜は、例えば（１）酸素含有減圧雰囲気下でＣｕおよびＡｌをスパッタコーティングする方法、（２）ＣｕおよびＡｌを非酸化性雰囲気下でスパッタコーティングすることによりＣｕ−Ａｌ系合金層を形成した後、そのＣｕ−Ａｌ系合金層の表層部を酸化させる方法などにより形成させることができる。 - 特許庁

A nitride compound semiconductor layer 8 is formed on an Al containing nitride compound semiconductor layer 7, and the nitride compound layer 8 is subjected to dry etching, under conditions where the etching selection ratio of the nitride compound layer 8 to the Al containing compound semiconductor layer 7 is 100 or higher.例文帳に追加

Ａｌ含有窒化物化合物半導体層７上に窒化物化合物半導体層８を形成し、Ａｌ含有化合物半導体層７に対する窒化物化合物層８のエッチング選択比が１００以上となる条件で窒化物化合物層８をドライエッチングする。 - 特許庁

A cathode foil is provided by forming a metal layer substantially consisting of Ti or Al on an aluminum foil that is not roughened, forming a mixed layer of Ti or Al and carbon on the metal layer, and then forming a carbon layer substantially composed of carbon on the mixed layer.例文帳に追加

粗面化されていないアルミニウム箔上に、実質的にＴｉ又はＡｌからなる金属層を形成し、金属層上にＴｉ又はＡｌとカーボンとが混在してなる混在層を形成し、混在層上に、実質的にカーボンからなるカーボン層を形成してなる陰極箔を提供する。 - 特許庁

In addition, the Al-based bonding alloyed layer 32 containing an alloy component containing Al as a main component and reducing contact resistance with the compound semiconductor layer is disposed between the metallic reflecting layer 10c and the compound semiconductor layer to partially cover the reflecting surface of the reflecting layer 10c.例文帳に追加

そして、該Ａｌ系反射金属層１０ｃと化合物半導体層との間に、Ａｌを主成分として化合物半導体層との接触抵抗を低減する合金成分を含有したＡｌ系接合合金化層３２が、反射面の一部を覆う形で配置される。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device having high operational reliability by forming a metal reflection layer composed of a Cr layer and an Al layer, having a shape of which the pattern dimension of the Al layer is smaller than that of the Cr layer, and preventing a display defect, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

Ｃｒ層、Ａｌ層からなる金属反射層で、Ａｌ層のパターン寸法をＣｒ層のパターン寸法よりが小さい形状の金属反射層を形成して、表示不良を防止し、高い動作信頼性を有する液晶表示装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

At least a part of a top surface 8a of the semiconductor base layer 10 which is exposed in the trench 42 is an Al-doped nitride represented by In_xAl_yGa_(1-x-y)N (0≤x≤1, 0.00001≤y≤0.01, and 0<1-x-y≤1).例文帳に追加

トレンチ４２に露出する半導体下地層１０の表面８ａの少なくとも一部が、In_xAl_yGa_(1-x-y)N (0≦x≦1，0.00001≦y≦0.01，0＜1-x-y≦1)で示されるAlドープ窒化物である。 - 特許庁

An interface of ultrasonic welding is formed of Al of the same kind by the Al layer 24, and thereby ultrasonic application energy applied on the connection part does not become excessive.例文帳に追加

Ａｌ層２４により、超音波溶接の界面は同種のＡｌ同士になるので、接続部に付与される超音波印加エネルギーは、過剰になることがない。 - 特許庁

When the Al-based alloy layer remains after bonding, since soft Al functions as a stress buffer material, it is possible to obtain high bonding reliability.例文帳に追加

また、接続後にＡｌ系合金層を残存させた場合、軟らかいＡｌが応力緩衝材として機能するため、高い接続信頼性を得ることができる。 - 特許庁

A hot-dip Al-Si alloy plated steel sheet having an Al-Si plated layer having an Si content in the range of 5 to 13 mass% is prepared.例文帳に追加

Ｓｉ含有量が５〜１３質量％の範囲内のＡｌ−Ｓｉめっき層を有する溶融Ａｌ−Ｓｉ合金めっき鋼板を準備する。 - 特許庁

Moreover, the electroless method and electrolytic method are used in combination for the Ni plated layer at the surface of the carbon fiber composite Al or carbon fiber composite Al alloy of the heat sink.例文帳に追加

また放熱板の炭素繊維複合Ａｌまたは炭素繊維複合Ａｌ合金の表面のＮｉメッキ層は、無電解法と電解法を併用する。 - 特許庁

The Al electrode 19 is constituted of Al alloy, which is easily deformed plastically as compared to the Ni layer, and is made into a dense state where a slit and a hole do not exist.例文帳に追加

Ａｌ電極１９を、Ｎｉ層よりも塑性変形しやすいＡｌ合金から構成し、スリットや空孔が存在しない密な状態とする。 - 特許庁