「ANISOTROPICALLY」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a crystal-orientated ceramic comprising a polycrystal of a perovskitic compound containing at least Ba and Ti, having a pseudocubic face {111} with a high degree of orientation, having a high relative density, and being easily amenable to compositional control and a method for producing the same and to provide an anisotropically shaped powder used therefor and a method for producing the same.例文帳に追加

少なくともＢａ及びＴｉを含むペロブスカイト型化合物の多結晶体からなり、擬立方｛１１１｝面が高い配向度で配向し、高い相対密度を有し、しかも、その組成制御が比較的容易な結晶配向セラミックス及びその製造方法、並びに、これに用いられる異方形状粉末及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

For manufacturing this anisotropically conductive connection component by sandwiching the connecting material 5, containing a thermosetting resin between a substrate 1 having opposed electrodes 2, 4 and a semiconductor chip 3, heating and pressing it to harden the resin through thermocompression bonding, extruded portions 9 are heated at a hardening rate of 60% or higher, at the same time as or after the thermocompression bonding.例文帳に追加

相対する電極２、４を有する基板１と半導体チップ３間に、熱硬化性樹脂を含む接続材料５を挟んで加熱、加圧して熱圧着により樹脂を硬化させて異方性導電接続体を製造する際、熱圧着と同時、または熱圧着後にはみ出し部９を加熱して硬化させ、硬化率６０％以上にする。 - 特許庁

This anisotropically conductive adhesive composition uses an adhesive which is put between opposed circuit electrodes and electrically connects the electrodes in a charged direction by charging the opposed circuit electrodes and comprises (1) an epoxy resin, (2) a latent curing agent, (3) a phenoxy resin having an aromatic cyclic structure containing ≥2 benzene rings as a film-forming material and (4) electroconductive particles as essential components.例文帳に追加

相対向する回路電極間に介在され、相対向する回路電極を加圧し、加圧方向の電極間を電気的に接続する接着剤であり、その接着剤組成物が、（１）エポキシ樹脂、（２）潜在性硬化剤、（３）フィルム形成材としてベンゼン環を２個以上含む芳香族環状構造を有するフェノキシ樹脂、（４）導電粒子を必須成分として含有する異方導電性接着剤組成物。 - 特許庁

Two pieces of anisotropically orientated annular rings 2 are axially stacked, axially extending notches 2a of the same shapes are cyclically formed on external surfaces of a pair the rings 2 that are integrated by sintering, magnetic poles are formed between the notches 2a, and the position of the notch 2a is displaced at a prescribed angle in the circumferential direction between the pair of rings 2.例文帳に追加

リング状の異方性配向された２個のリング２が軸方向に積み重ねられ、焼結により一体化されリング２のペアには、その外周面に軸方向に延在する同一形状の切り欠き部２ａが周期的に形成され、切り欠き部２ａ間に磁極部が形成され、ペアのリング２相互間において切り欠き部２ａの位置が周方向に所定の回転角度でずれているものとする。 - 特許庁

The anisotropically electroconductive adhesive film includes a film-forming polymer, an epoxy resin, a curing agent, and electroconductive particles, wherein the curing agent is a microcapsule-type latent curing agent formed by covering a core comprising an adduct-type curing agent with a capsule membrane, and moisture permeability at a curing rate of 50% is 10-100 g/m^2×24 hours.例文帳に追加

フィルム形成性ポリマー、エポキシ樹脂、硬化剤及び導電性粒子を含む異方導電性接着フィルムであって、該硬化剤が、アダクト型硬化剤から成るコアをカプセル膜で被覆することにより形成されたマイクロカプセル型潜在性硬化剤であり、そして硬化率５０％における透湿率が、１０〜１００ｇ／ｍ^２・２４時間であることを特徴とする異方導電性接着フィルム。 - 特許庁

The etching method comprises a step of using the periphery of a copper film 101 where a mask material 102 was formed on its surface as the atmosphere of an organic compound gas 22 and a step of anisotropically etching the copper film 101 by irradiating the copper film 101 with an oxygen ion 6 using the mask material 102 as a mask in the atmosphere of the organic compound gas 22.例文帳に追加

表面にマスク材１０２が形成された銅膜１０１の周囲を、有機化合物ガス２２雰囲気とする工程と、有機化合物ガス２２雰囲気中で、銅膜１０１に、マスク材１０２をマスクに用いて酸素イオン６を照射し、銅膜１０１を異方性エッチングする工程と、を具備する。 - 特許庁

The method of manufacturing a liquid ejection head includes a step of forming and patterning a mask 52 containing chromium on another side surface of a channel formation substrate 10 with a piezoelectric actuator 300 formed on its one side surface, and a step of forming a liquid channel 12, etc. by anisotropically etching the channel formation substrate 10 from the another surface side via the mask 52.例文帳に追加

圧電アクチュエーター３００が一方面に形成された流路形成基板１０の他方面にクロムが含有されたマスク５２を形成すると共にパターニングする工程と、前記流路形成基板１０を他方面側から前記マスク５２を介して異方性エッチングすることにより、液体流路１２等を形成する工程と、を具備する。 - 特許庁

This circuit connection material is a film-shaped anisotropically conductive circuit connection material interposed between circuit electrodes confronting each other, pressurizing the circuit electrodes opposite to each other to electrically connect between the electrodes in the pressurizing direction, containing as essential components, the components (1) to (4) below, and containing a specific amount of a radical-polymerizable substance having the phosphoric acid ester structure below.例文帳に追加

相対峙する回路電極間に介在され、相対向する回路電極を加圧し加圧方向の電極間を電気的に接続するフィルム状異方導電性回路接続材料であって、下記（１）〜（４）の成分を必須とし、下記リン酸エステル構造を有するラジカル重合性物質が特定量含まれるフィルム状異方導電性回路接続材料。 - 特許庁

Sidewalls 8s and 8d, which have vertical planes are made by switching the etching conditions such as pressure, gas flow, etc., into the conditions for strengthening the sidewall deposit after anisotropically dry-etching the TEOS oxide film 7, leaving it for a specified thickness h1, and then by continuing the anisotropic dry etching of the TEOS oxide film 7.例文帳に追加

ＴＥＯＳ酸化膜７を所定の膜厚ｈ１だけ残して異方性ドライエッチングした後、圧力、ガス流量等のエッチング条件を、側壁デポを強くする条件に切り換え、さらにＴＥＯＳ酸化膜７の異方性ドライエッチングを続行することにより、垂直面１１を有するサイドウォール８ｓ，８ｄを形成する。 - 特許庁

The second thin film 13 is anisotropically etched through the etching masks 15b for the formation of fine patterns 13a, and after a selective oxidation process is carried out using the fine patterns 13a as an oxidation mask, the fine patterns 13a are selectively removed, the first thin film 12a is eliminated, and then a quantum fine wire 17 is epitaxially grown on a part where the semiconductor substrate 11 is exposed.例文帳に追加

エッチングマスク１５bを介して第２薄膜１３を異方性エッチングすることにより形成された微細パターン１３aを酸化用マスクとして選択酸化した後、微細パターン１３aを選択的に除去すると共に、第１薄膜１２aを除去して、半導体基板１１が露出した部分に量子細線１７をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

The mesh fabric is obtained by using a conjugate yarn comprising a core component (X) made of the anisotropically melting aromatic polyester monofilament having a diameter of 10-40 μm and a sheath component (Y) made of a polyolefin-based polymer to weave a mesh fabric, then treating the resulting fabric with a solvent which can dissolve the sheath component (Y) to extract and remove the sheath component.例文帳に追加

これは、芯成分（Ｘ）が直径１０〜４０μｍの溶融異方性芳香族ポリエステル、鞘成分（Ｙ）がポリオレフィン系ポリマーからなる複合繊維を用いメッシュ織物を製織し、その後、該メッシュ織物を構成する複合繊維の前記鞘成分（Ｙ）を溶解する溶剤で処理し該鞘成分（Ｙ）を抽出除去することによって得られる。 - 特許庁

Aluminum pad electrodes are provided on a semiconductor element, metal electrodes are formed thereon, a photosensitive thermosetting resin layer is provided, the resin layer on the metal electrodes is removed through a mask and in an exposure-developing process, and an anisotropically conductive resin layer is formed on the metal electrodes surfaces and the photosensitive thermosetting resin layer surface.例文帳に追加

半導体素子上にアルミパッド電極を設けさらにこの上に金属電極を形成した上に、感光性熱硬化性樹脂層を設け、マスクと露光現像工程とによって金属電極上の樹脂層が除去し、金属電極表面と感光性熱硬化性樹脂表面に異方導電性樹脂層を形成する。 - 特許庁

To provide an etching apparatus having a transporting means for transporting a metal sheet as a workpiece and an etching nozzle for spraying an etching liquid to the metal sheet, which can etch very anisotropically with little uneveness even if the workpiece is large, and to provide a method therewith.例文帳に追加

被加工物である金属板を搬送する搬送手段と、金属板にエッチング液をスプレー状に噴射するエッチングノズルとを備えるエッチング装置において、被加工物が大型化した場合でも、高い異方性加工が可能で加工ムラの少ないエッチング加工を行うことが可能なエッチング装置およびエッチング方法を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing the microlens substrate includes steps of: forming a rear mask 81 having polygonal opening holes 81b, on a lens substrate 24; anisotropically etching the lens substrate 24 through a fixed mask 82 and the rear mask 81 to form recesses 24a each having an inclined surface inclining from the polygonal mouth to the terminal, in the lens substrate 24; and isotropically etching the recesses 24a to form the microlenses on the lens substrate 24.例文帳に追加

レンズ基板２４上に多角形の開口孔８１ｂを有する後退マスク８１を形成する工程と、固定マスク８２と後退マスク８１とを介してレンズ基板２４に異方性エッチングを施し、レンズ基板２４に多角形の口元から終端に向かって傾斜する傾斜面を有する凹部２４ａを形成する工程と、凹部２４ａに等方性エッチングを施してレンズ基板２４にマイクロレンズを形成する工程と、を有する。 - 特許庁

The anisotropically conductive connector is provided with an elastically anisotropic conductive film, formed with a plurality of conductive parts containing conductive particles and extending in the thickness direction, wherein the conductive particles contained in the conductive parts are laminated with coating layers of high conductive metal over core particles representing magnetism, and the coating layer is of high hardness.例文帳に追加

上記の課題は、導電性粒子が含有された厚み方向に伸びる複数の接続用導電部が形成された弾性異方導電膜を有する異方導電性コネクターにおいて、前記接続用導電部に含有された導電性粒子は、磁性を示す芯粒子の表面に磁性を示す芯粒子の表面に高導電性金属よりなる被覆層が積層されてなり、当該被覆層は高硬度な被覆層であることを特徴とする異方導電性コネクターによって解決される。 - 特許庁

A method for manufacturing semiconductor includes a step for forming a substrate, a step for sticking a polysilicon layer on the substrate, a step for sticking the photoresist layer on the polysilicon layer, a step for patterning the photoresist layer, a step for sticking an inorganic material layer which is conformable and not photosensitive on the patterned photoresist layer, and a step for etching anisotropically the inorganic material layer and a semiconductor material layer.例文帳に追加

基板を形成するステップと、前記基板上にポリシリコン層を被着させるステップと、前記ポリシリコン層上にフォトレジスト層を被着させるステップと、前記フォトレジスト層をパターン形成するステップと、前記パターン形成したフォトレジスト層上に共形かつ非感光性の無機材料層を被着させるステップと、前記無機材料層および半導体材料層に異方性エッチングを施すステップとを含むことを特徴とする半導体製造方法である。 - 特許庁

This method for connecting circuit terminals is to arrange a first circuit material having a first connecting terminal and a second circuit material having a second connecting terminal to face the first connecting terminal to the second terminal, put the aforesaid anisotropically conductive adhesive composition between the oppositely arranged aforesaid first connecting terminal and the second connecting terminal and electrically connect the oppositely arranged aforesaid first terminal with the second connecting terminal by heating under pressure.例文帳に追加

第一の接続端子を有する第一の回路部材と、第二の接続端子を有する第二の回路部材とを、第一の接続端子と第二の接続端子を対向して配置し、前記対向配置した第一の接続端子と第二の接続端子の間に上記の異方導電性接着剤組成物を介在させ、加熱加圧して前記対向配置した第一の接続端子と第二の接続端子を電気的に接続させる回路端子の接続方法。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing semiconductor device which can easily form T-type patterns in different degrees of apertures to remarkably reduce the manufacturing processes with the single process of reactive ion etching with a kind of BCB film and a kind of the etching gas, by utilizing the property that the etching characteristic of benzocyclobutene film for reactive ion etching changes isotropically and anisotropically depending on execution of hardening process with the Ar plasma.例文帳に追加

Ａｒプラズマによる硬化処理の有無により反応性イオンエッチングに対するベンゾシクロブテン膜のエッチング特性が異方的、等方的と変わる性質を利用し、ＢＣＢ膜一種、エッチングガス一種で、一度の反応性イオンエッチングでＴ型の開口度の異なるパタンを簡易に形成でき、製造工程の大幅な短縮を図ることができるＴ型ゲート電極有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

On the surface of this multilayer structure, a resist layer 38 having an opening 38a is formed, the metal layer 36 is isotropically etched until the barrier metal layer 34 is exposed, then an eaves 38b of the resist layer is removed, and the barrier metal layer 34 is anisotropically etched until the semiconductor substrate 32 is exposed.例文帳に追加

異方性エッチングされない半導体基板３２の上に等方性エッチングされないバリア金属層３４が積層され、バリア金属層３４の上に等方性エッチングされる金属層３６が積層された積層構造の表面に、開口３８ａを持つレジスト層３８を形成し、バリア金属層３４が露出するまで金属層３６を等方性エッチングし、レジスト層の庇部３８ｂを除去し、半導体基板３２が露出するまでバリア金属層３４を異方性エッチングする。 - 特許庁

To provide resin particles used for insulation of electroconductive particles for obtaining insulated electroconductive particles that surely inhibit transverse conduction while keeping good conduction between opposing electrodes, when an anisotropically electroconductive material, comprising insulated electroconductive particles dispersed in a binder resin, is subjected to electric connection, by inhibiting aggregation of the insulated electroconductive particles thereby causing sufficient dispersion in the binder resin.例文帳に追加

絶縁化導電性粒子をバインダー樹脂に分散させてなる異方性導電材料により電気的接続を行うにあたり、絶縁化導電性粒子のバインダー樹脂中での凝集を抑制して充分な分散性を発現させ、異方性導電材料として電気的接続に供したときに対向する電極間の導通は良好に保ちつつ横導通を確実に抑制することを目的とし、当該目的を達成できる絶縁化導電性粒子を得るために導電性粒子の絶縁に用いられる樹脂粒子を提供する。 - 特許庁

A method for manufacturing an inkjet recording head includes a metal mask formation step of forming a metal mask 19 having a predetermined shape containing a silicide film 16 formed by silicidation of the surface of a flow path forming substrate wafer 110 containing a silicon substrate and a liquid flow path formation step of forming a liquid flow path by anisotropically etching the flow path forming substrate wafer 110 using the metal mask 19 as a mask.例文帳に追加

シリコン基板からなる流路形成基板用ウェハ１１０の表面をシリサイド化させて形成したシリサイド膜１６を含む所定形状のメタルマスク１９を形成するメタルマスク形成工程と、メタルマスク１９をマスクとして流路形成基板用ウェハ１１０を異方性エッチングすることにより液体流路を形成する液体流路形成工程と、を有するインクジェット式記録ヘッドの製造方法を採用する。 - 特許庁

An escape groove is formed in the outer circumference of the reference hole by providing insular correction mask portions at positions opposite to the (111) plane in the opening of the mask in the step of forming the mask, and then removing the correction mask portions 142a and 142c by etching the object substrate anisotropically in the step of forming the escape groove.例文帳に追加

基板に、基準孔よりも広い開口部１４１を有するマスク１４０を、前記開口部が前記基準孔３２に対向するように設けるマスク形成工程と、前記開口部を介して前記基板を異方性エッチングすることにより、前記基準孔の外周に接着剤の逃げ溝３３を形成する逃げ溝形成工程を備え、前記マスク形成工程では、前記マスクの前記開口部内の前記（１１１）面に対向する位置に、島状の補正マスク部を設け、前記逃げ溝形成工程で、当該補正マスク部１４２ａ、１４２ｃは、前記対象基板の異方性エッチングによりエッチングされ除去されることにより、前記基準孔の外周に逃げ溝が形成される。 - 特許庁