「ANISOTROPICALLY」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

The anisotropically shaped powder contains a second perovskite type compound containing at least Ca and Ti as a main phase, its developed surface is composed of the pseudo-cubic (100) plane, and also an aspect ratio (w_a/t_a) of the maximum length (w_a) of the developed surface to a thickness (t_a) is two or more.例文帳に追加

少なくともＣａ及びＴｉを含む第２のペロブスカイト型化合物を主相とし、その発達面が擬立方｛１００｝面からなり、かつ、その厚さ（ｔ_ａ）に対する前記発達面の最大長さ（ｗ_ａ）のアスペクト比（Ｗ_ａ／ｔ_ａ）が２以上である異方形状粉末。 - 特許庁

The method of manufacturing a diode device (30) such as PIN diodes comprises a step for forming an upper and lower regions (38, 40) having opposite conductivities, and a step for anisotropically etching into the upside to form a pit (32) having side walls (56, 58 and 60) extending and converging toward the downside.例文帳に追加

PINダイオードのようなダイオードデバイス(30)を製造する方法であって、反対の導電性からなる上部領域と下部領域(38,40)を形成すること、及び底面に近づきながら収束する側壁(56,58,60)を有するピット(32)を形成するために上面内へ異方性エッチングすることを含む。 - 特許庁

The method of etching a carbon-containing film includes a step of forming a mask pattern on a carbon-containing film to partially expose the top surface of the carbon-containing film, and anisotropically etching the carbon-containing film with a plasma of a mixture gas composed of O_2- and Si-containing gases using the mask pattern as an etching mask.例文帳に追加

炭素含有膜上に炭素含有膜の上面を一部露出させるマスクパターンを形成し、マスクパターンをエッチングマスクとして利用して、Ｏ_２、及びＳｉ含有ガスからなる混合ガスのプラズマによって炭素含有膜を異方性エッチングする炭素含有膜エッチング方法である。 - 特許庁

Thereafter, the polysilicon film 6 is etched anisotropically using the third insulation film 10a and the second insulation film 8a as a mask thus forming a floating gate 12 beneath the third insulation film 10a and forming the lower electrode of the resistor element 2a and the capacitor element 2b below the second insulation film 8a.例文帳に追加

その後、第３の絶縁膜１０ａと第２の絶縁膜８ａとをマスクにポリシリコン膜６を異方性エッチングして、第３の絶縁膜１０ａ直下にフローティングゲート１２を形成すると共に第２の絶縁膜８ａ下に抵抗素子２ａ及び容量素子２ｂの下部電極を形成する。 - 特許庁

A gate insulating SiO2 film 105 and a base SiO2 103 on both sides of a poly-Si film 104 which serves as an active layer are selectively and anisotropically etched until a light shielding WSi2 film 102 is exposed, by which a contact opening 106 is formed.例文帳に追加

活性層となるｐｏｌｙ−Ｓｉ膜１０４の両側のそれぞれにおいて、ゲート絶縁ＳｉＯ２膜１０５及び下地ＳｉＯ２膜１０３を遮光ＷＳｉ２膜１０２が露出するまで選択的異方性エッチングし、コンタクト開口部１０６を形成する。 - 特許庁

In a method for selectively anisotropically etching a silicon nitride film with respect to a silicon oxide film, a polysilicon film and a silicon, the temperature of a substrate is kept at 10°C or below, and a mixed gas of a compound gas, containing fluorine, carbon and hydrogen, and a carbon monoxide (CO) is used as a reaction gas.例文帳に追加

シリコン窒化膜をシリコン酸化膜、ポリシリコン膜、シリコンに対して選択的に異方性エッチングする方法において、基板温度を１０℃以下とし、フッ素、炭素及び水素を含む化合物気体と一酸化炭素（ＣＯ）との混合ガスを反応ガスとして使用する。 - 特許庁

To provide an anisotropically conductive film formed of an adhesive resin composition containing a phosphoric acid type compound, which has good conductive properties while maintaining high reactivity, that is, the adhesive force development at the contact bonding by combining the phosphoric acid type compound.例文帳に追加

リン酸系化合物を含む接着剤樹脂組成物を成膜してなる異方性導電フィルムであって、リン酸系化合物を配合したことによる圧着時の高い反応性、即ち接着力発現性を維持した上で、導通特性も良好な異方性導電フィルムを提供する。 - 特許庁

To provide an electrode-connecting component, made of an anisotropically conductive multilayer film and an electrode-connecting method, which enables flip-chip mounting in a thermal compression bonding system, even if electrodes 6, 7 have height variation of or recesses on an electrical connecting surface.例文帳に追加

電極６、７が高さのバラツキや電気的接続面の窪みを持っている場合であってもフリップチップ実装を熱圧着方式で行うことが可能な異方性導電性多層フィルムの電極接続部材と電極接続方法を提供する。 - 特許庁

Under the conditions, a TMR film is anisotropically dry-etched using the polycrystalline silicon films PS1, PS2 for the processing mask and the sidewall spacers SWL, SWR as the mask to part the TMR film, thereby forming a gap SPC smaller than the size 1F in the TMR film.例文帳に追加

この条件下で加工マスク用多結晶シリコン膜ＰＳ１、ＰＳ２および側壁スペーサＳＷＬ、ＳＷＲをマスクとしてＴＭＲ膜を異方的にドライエッチングしてＴＭＲ膜を分断し、ＴＭＲ膜に寸法１Ｆ未満の隙間ＳＰＣを形成する。 - 特許庁

To provide an anisotropically conductive connector for surely achieving a satisfactory state of electrical connection to a wafer even if the pitch is extremely small between electrodes under inspection on the wafer which is an inspecting object with its contact members kept from being soon uncoupled, and to provide its manufacturing method, a probe card, and a wafer inspection device.例文帳に追加

検査対象であるウエハにおける被検査電極のピッチが極めて小さくても、ウエハに対する良好な電気的接続状態が確実に達成され、接点部材が早期に離脱しない異方導電性コネクターおよびその製造方法、プローブカード並びにウエハ検査装置を提供する。 - 特許庁

The method further comprises the subsequent steps of: forming a conductive film; anisotropically etching the conductive film thereby to form word lines 111a to 111d on side faces of the third insulator 106a to 106c; and forming a second contact plug 115b for connecting to a capacitor on an apex portion of the third insulator 106b.例文帳に追加

その後、導電性膜を形成し、これを異方性エッチングすることで、第３絶縁体１０６ａ乃至１０６ｃの側面にワード線１１１ａ乃至１１１ｄを形成し、第３絶縁体１０６ｂの頂部にキャパシタへ接続するための第２コンタクトプラグ１１５ｂを形成する。 - 特許庁

Thereafter, the SiO_2 film is etched (S9), the exposed seed layer is reformed anisotropically in the film thickness direction (S10), and the reformed seed layer, the exposed barrier/adhesion layer, and the mask Al film are removed sequentially by etching (S10-S13) thus obtaining a patterned metal film.例文帳に追加

次に、ＳｉＯ_２膜をエッチング（Ｓ９）、露出したシード層をその膜厚方向に異方的に改質し（Ｓ１０）、改質されたシード層、露出したバリア・密着層、及びマスクＡｌ膜を順次エッチングにより除去することにより（Ｓ１０〜Ｓ１３）、パターン化金属膜を得る。 - 特許庁

This anisotropically conductive adhesive containing (a) an epoxy resin, (b) a microcapsulated imidazole derivative epoxy compound, and (c) conductive particles as essential components is characterized in that a resin flow coefficient is 1.5 to 3, and tack after left at 40°C for three days is ≥70% of the tack before left.例文帳に追加

（ａ）エポキシ樹脂、（ｂ）マイクロカプセル化イミダゾール誘導体エポキシ化合物、および（ｃ）導電性粒子を必須成分して含む異方導電性接着剤において、樹脂フロー係数が１．５以上３以下となり、４０℃３日間放置後のタックが放置前のタックの７０％以上である。 - 特許庁

Then an insulation film for spacer formation is formed over the entire surface of the substrate along a step, and then while the insulating film in the core area is left as it is, the insulation film in the cell region is etched anisotropically, to form a spacer of the insulation film in the cell area.例文帳に追加

次いで、半導体基板全面にスペーサ形成のための絶縁膜を段差に沿って形成した後、コア領域の前記絶縁膜はそのまま残し、セル領域の絶縁膜は異方性エッチングしてセル領域に絶縁膜によるスペーサを形成する。 - 特許庁

The pressure generation diaphragm 116 and pressure liquid chamber diaphragm 115 are integral with an upper Si substrate 104, while the pressure generation diaphragm 118 and pressure medium channel 117 are integral with a lower Si substrate 105, which are formed by anisotropically etching silicon.例文帳に追加

圧力発生振動板１１６，加圧液室振動板１１５は上部Ｓｉ基板１０４と、また圧力発生振動板１１８，圧力媒体流路１１７は下部Ｓｉ基板１０５とそれぞれ一体であって、シリコン異方性エッチングにより作成される。 - 特許庁

In the structure of the backlight unit for performing color-scan backlight drive, an optical system is arranged between a light source and a diffusion sheet so as to make light anisotropically spread, in order not to form a color mixture area caused by light emitted from the light source.例文帳に追加

カラースキャンバックライト駆動を行うバックライトユニットの構成において、光源からの光により混色領域が形成されないように、異方的に広がるよう光学系を光源と拡散シートとの間に設ける構成とする。 - 特許庁

The invention relates to an anisotropically formed powder composed of a polycrystal having a main phase of an isotropic perovskite-type compound to use as a template for preparing a crystal oriented ceramic in which pseudo-cubic {100} planes composing the polycrystal are oriented, and to a method of manufacturing the crystal oriented ceramic using the same.例文帳に追加

等方性ペロブスカイト型化合物を主相とする多結晶体からなり、該多結晶体を構成する擬立方｛１００｝面が配向する結晶配向セラミックスを製造するためのテンプレートとして用いられる異方形状粉末及びこれを用いた結晶配向セラミックスの製造方法である。 - 特許庁

The wiring board unit 1 has a paste (anisotropically conductive bond material) hardened layer 3c on a mounting region of an electronic component 10 on a mounting surface 2a of a board base 2.例文帳に追加

本発明の配線基板ユニット１は、基板ベース２の実装面２ａにおける電子部品１０の実装領域に、異方性導電ペースト(異方性導電接合材料)３を硬化させて成るペースト硬化層(異方性導電接合材料硬化層)３ｃを設けている。 - 特許庁

To provide an anisotropically electrically conductive adhesive composition capable of getting a low resistant electric connection on COG mounting or COF mounting and having no short generation between adjoining electrodes, and a method for connecting circuit terminals by using it and a connected structure for connecting the circuit terminal.例文帳に追加

ＣＯＧ実装やＣＯＦ実装に対して低抵抗の電気接続が得られ、かつ隣接電極間でショート発生のない電気・電子用の異方導電性接着剤組成物、それを用いた回路端子の接続方法及び回路端子の接続構造体を提供する。 - 特許庁

The upper layer portion (3) is selectively and anisotropically dry-etched using the masks 41 until the upper surface of the intermediate portion 2 is exposed, and then, the intermediate portion 2 is selectively etched until the upper surface of the lower layer portion 1 is exposed, and finally, the masks 41 are selectively etched.例文帳に追加

そして、マスク４１を用いて中層部２の上面が出るまで上層部３を選択的かつ異方的にドライエッチングし、次に、下層部１の上面が出るまで中層部２を選択的にエッチングし、最後に、マスク４１を選択的にエッチングする。 - 特許庁

The anisotropically shaped powder is characterized in that it comprises as the main phase the second perovskitic compound containing at least Ba and Ti, its development face comprises a psendocubic face {111}, and the aspect ratio (W_a/t_a) is 2 or greater (wherein t_a is its thickness, and w_a is the greatest length of the development face).例文帳に追加

少なくともＢａ及びＴｉを含む第２のペロブスカイト型化合物を主相とし、その発達面が擬立方｛１１１｝面からなり、かつ、その厚さ（ｔ_ａ）に対する前記発達面の最大長さ（ｗ_ａ）のアスペクト比（Ｗ_ａ／ｔ_ａ）が２以上である異方形状粉末。 - 特許庁

The polarization retention PCF 10 with a circular high refractive index part transmits light having elliptical mode distribution by the influence of the fine holes 13a and 13b anisotropically existing in a clad 12 even though the polarization retention PCF has a circular high refractive index portion 14 formed of a material showing no birefringence.例文帳に追加

円形高屈折率部分付き偏波保持ＰＣＦ１０は、複屈折性を示さない材質で形成されている円形の高屈折率部分１４を有しつつも、クラッド１２に異方的に存在する細孔１３ａ，１３ｂの影響により、楕円形のモード分布をもつ光を伝送する。 - 特許庁

Low purity alumina is acid-cleaned and a mixture of 100 parts (by mol) of the acid-cleaned alumina, 0.05-2.5 parts at least one of oxides of the group Va metals and 0.01-4 parts SiO2 is formed and fired at 1,320-1,600°C to anisotropically grow alumina grains under control.例文帳に追加

低純度アルミナを酸洗浄処理し、その酸洗浄処理したアルミナ（１００ｍｏｌ部）と、５Ａ族金属酸化物の少なくとも１種（０．０５〜２．５ｍｏｌ部）と、ＳｉＯ_2（０．０１〜４ｍｏｌ部）とから成る混合物を形成し１３２０〜１６００℃で焼成してアルミナ粒子を制御的に異方成長させる。 - 特許庁

The anisotropically electroconductive composition comprises (1) an epoxy resin with a weight-average molecular weight of 8,000-40,000, (2) a phenoxy resin with a weight-average molecular weight of 45,000-65,000, (3) a polyvinyl butyral resin, (4) microcapsules encapsulated with an imidazole compound, (5) electroconductive particles and (6) a solvent.例文帳に追加

（１）重量平均分子量が8000〜40000のエポキシ樹脂、（２）重量平均分子量が45000〜65000のフェノキシ樹脂、（３）ポリビニルブチラール樹脂、（４）イミダゾール化合物が封入されたマイクロカプセル、（５）導電性粒子及び（６）溶剤を含む異方導電性組成物。 - 特許庁

To provide a connection structure of a circuit board by which the peeling of an anisotropically conductive adhesion film in a temporary pressure contact state can be prevented without using a buffer material, to provide a liquid crystal display device provided with the connection structure, and to provide a mounting method of the liquid crystal display device.例文帳に追加

緩衝材を介在させることなく、仮圧接時における異方性導電接着フィルムの剥離を防止することができる回路基板の接続構造及び該接続構造を備えた液晶表示装置並びに液晶表示装置の実装方法の提供。 - 特許庁

The invention provides dispersion of the oriented organic microcrystals in which the microcrystals of an organic compound are anisotropically oriented in relation to the three orthogonalizing crystal axes and fixed, by simultaneously applying the magnetic field and the electric field to the dispersion in a polymer which is the dispersing medium.例文帳に追加

また、有機化合物の微結晶が、磁場と電場を同時に印加することにより直交する３つの結晶軸に関して異方性配向され、分散媒とする高分子中に分散固定されている有機微結晶配向分散体とする。 - 特許庁

The second metal film 24 is etched anisotropically, by using the second resist 33 as a mask to form the bonding pad having the first metal film 20 and second metal film 24, and the upper-layer wire 22 which has the second metal film 24 but does not have the first metal film 20.例文帳に追加

第２レジスト３３をマスクとして第２金属膜２４を異方性エッチングして、第１金属膜２０と第２金属膜２４とを有するボンディングパッドと、第２金属膜２４を有するが第１金属膜２０を有しない上層配線２２とを形成する。 - 特許庁

By using this anisotropically electrically conductive double-sided tape, the electrical connection to the oversized substrate having many fine contacts becomes easy, and warpage of the oversized substrates can easily be absorbed to improve yield in bonding a plurality of the substrates.例文帳に追加

この異方導電性両面テープを基板の実装に用いることで、大型で多数の微細接点を有する基板の電気的接続が容易になり、また複数の大型な基板を接続する際に、容易に基板の反りを吸収でき、歩留まりが向上する。 - 特許庁

The insulating film 30 and resist film 32 are anisotropically etched at a nearly constant rate in a direction nearly perpendicular to a semiconductor substrate 10 to transfer the shape of the resist film 32 to the insulating film 30 and also to leave the shape of the recessed portion 30b on the photodetection unit 30 (Fig. 5(B)).例文帳に追加

絶縁膜３０及びレジスト膜３２を、半導体基板１０に対して略垂直方向にほぼ一定のレートで異方性エッチングを行い、絶縁膜３０にレジスト膜３２の形状を転写するとともに、受光部３０上に凹部３０ｂの形状を残存させる（図５（Ｂ））。 - 特許庁

Since the anisotropically conductive adhesive contains the crystalline polymer, if temperature rises and the bulk swells, its electric resistance rapidly becomes large to result in the electric current failing to flow, and therefore the adhesive has the PTC characteristics, too, that play the role of switching and thus a circuit protection function.例文帳に追加

本発明による異方導電性接着剤は結晶性高分子を含むため、温度が上昇して嵩が膨張すれば、電気抵抗が急激に大きくなって電流が流れないことになり、スイッチング的役割をするＰＴＣ特性を共に有するので、回路保護機能を兼ね備える。 - 特許庁

After having formed a metal film 19 on a silicon oxide film 12, a plug 16 and a SiN film 18, by anisotropically etching the metal film 19 by using a photo resist film, the metal film 19 is left on the side wall of the protruded portion from the silicon oxide film 12 of the plug 16.例文帳に追加

酸化シリコン膜１２、プラグ１６およびＳｉＮ膜１８上にメタル膜１９を形成した後、フォトレジスト膜を用いてメタル膜１９を異方的にエッチングすることにより、プラグ１６の酸化シリコン膜１２から突出した部分の側壁にメタル膜１９を残す。 - 特許庁

Accordingly, because the pressure of the fluid to be measured is not isotropic with respect to the super-magnetostriction element 11, and is applied anisotropically, the variation in the permeability in response to the variation in the pressure is very large, and the pressure measurement at high sensitivity is permitted.例文帳に追加

これにより、超磁歪素子１１に対して測定対象である流体の圧力が等方的ではなく、異方的に印加されることになるため、圧力変化に応じた透磁率の変化が非常に大きくなり、高感度な圧力測定が可能となる。 - 特許庁

To provide an anisotropically conductive adhesive composition for circuit connection for electric and/or electronic use, providing a low-resistance electric connection and hardly short-circuiting neighboring electrodes; to provide a method for connecting circuit terminals by using the composition; and to provide a connected structure of the circuit terminals.例文帳に追加

低抵抗の電気接続が得られ、かつ隣接電極間でショート発生のない電気・電子用の回路接続用異方導電性接着剤組成物、それを用いた回路端子の接続方法及び回路端子の接続構造体を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of coating a TiN film 41 of an antireflection film on an Al shielding film 10, forming a black dye-filled polyimide film 11 thereon, opening the film 11 on a position for forming the marker 15, and thereafter opening the film 41 by anisotropically etching.例文帳に追加

Ａｌ遮光膜１０上に反射防止膜であるＴｉＮ膜４１を被覆し、その上に黒色染料入りポリイミド膜１１を形成し、マーカ１５を形成する箇所の上の黒色染料入りポリイミド膜１１を開口し、その後、ＴｉＮ膜４１を異方性エッチングで開口する。 - 特許庁

In the anisotropically conductive adhesive containing as the essential components (a) an epoxy resin, (b) a micro-encapsulated imidazole derivative epoxy compound, and (c) conductive particles, the resin flow coefficient is ≥1.5 and ≤3, and the tack after its being allowed to stand at 40°C for 3 days is ≥70% of the tack before being done so.例文帳に追加

（ａ）エポキシ樹脂、（ｂ）マイクロカプセル化イミダゾール誘導体エポキシ化合物、および（ｃ）導電性粒子を必須成分して含む異方導電性接着剤において、樹脂フロー係数が１．５以上３以下となり、４０℃３日間放置後のタックが放置前のタックの７０％以上である。 - 特許庁

The method further comprises the steps of anisotropically etching a silicon substrate 1 from this state to form a cavity 2, thereby forming an original shape of the membrane structure 9 having an insulating film 3 made of a silicon oxide, an interlayer dielectric 5 and the protective film 8 made of a silicon nitride as structural elements.例文帳に追加

この状態からシリコン基板１の異方性エッチングを行って空洞２を形成することにより、酸化ケイ素より成る絶縁膜３、層間絶縁膜５及び窒化ケイ素より成る保護膜８を構成要素としたメンブレン構造体９の原形を形成する。 - 特許庁

After that, a conductive film is formed and anisotropically etched, thereby forming writing word lines 116a and 116b on a side face of the convex insulator 112 and forming a third contact plug 124 for connection to a word bit line 125 on a top of the convex insulator 112.例文帳に追加

その後、導電膜を形成し、これを異方性エッチングすることで、凸状絶縁体１１２の側面に書き込みワード線１１６ａ、１１６ｂを形成し、凸状絶縁体１１２の頂部に書き込みビット線１２５へ接続するための第３コンタクトプラグ１２４を形成する。 - 特許庁

The etching treatment proceeds anisotropically with a peripheral part (21X) of the opening portion 21U serving as a mask in the surface modified layer 21, and the part (21Y) opposite to the opening portion 21U serves for determining an end part of the etching treatment.例文帳に追加

表面改質層２１のうち、開口部２１Ｕの周辺部（２１Ｘ）がマスクとして機能することによりエッチング処理が異方的に進行すると共に、開口部２１Ｕと反対側の部分（２１Ｙ）がエッチング処理の終点を決定する機能を果すこととなる。 - 特許庁

The concave part 21 is formed by anisotropically etching a single crystal silicon wafer, with an opening of a square cone shape, whose bottom face 23 is in parallel with a crystal face (100) and four tilted side faces 24, 25, 26, 27 surrounding it are in parallel with a crystal face (111).例文帳に追加

凹部２１は、単結晶シリコンウェハを異方性エッチングすることによって形成されたものであり、開口が正方形のすり鉢形状であり、底面２３は（１００）面であり、これを囲む周囲の４つの傾斜した側面２４，２５，２６，２７とは共に（１１１）面である。 - 特許庁

The interlayer insulating film 16 and the resist film 17 are anisotropically etched until the residual film thickness (w) of the resist film 17 becomes smaller than the residual film thickness (t) of the interlayer insulating film on the wiring pattern 12 and the dummy pattern 13.例文帳に追加

少なくともレジスト膜１７の残り幅ｗが配線パターン１２及びダミーパターン１３上における層間絶縁膜１６の残り膜厚ｔよりも小さくなるまで、層間絶縁膜１６とレジスト膜１７とを異方性エッチングする。 - 特許庁

This driver module is constituted by connecting the at least one tape carrier package 11 mounted with the slimmed integrated circuits 14 for driver to an ordinary flexible substrate 12 functioning for conversion of the connecting pitch by an anisotropically conductive film.例文帳に追加

スリム化したドライバ用の集積回路１４を搭載した少なくとも１つのテープキャリアパッケージ１１を接続ピッチの変換用として機能する通常のフレキシブル基板１２に異方性導電性フィルムにより接続する構成とした。 - 特許庁

An anisotropic etching suppression layer is formed in the region equivalent of a trench bottom at least, and trenches having different depths are formed at the same time on the substrate by anisotropically etching the substrate with the anisotropic etching suppression layer as an etching stopper.例文帳に追加

トレンチの底に相当する領域に少なくとも異方性エッチ抑止層を形成する工程と、異方性エッチ抑止層をエッチストッパーとして半導体基板を異方性エッチングすることで、半導体基板に異なる深さのトレンチを同時に形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法により上記課題を解決する。 - 特許庁

The anisotropically electroconductive adhesive film comprises an insulating adhesive resin 6 which is mainly composed of a radically polymerizable resin component having an unsaturated double bond, a resin component having no unsaturated double bond, a phosphoric acid-containing resin component and a radical polymerization initiator, and dispersed therein, an electroconductive particle 7.例文帳に追加

本発明の異方導電性接着フィルムは、不飽和二重結合を有するラジカル重合性樹脂成分、不飽和二重結合を有しない樹脂成分、リン酸含有樹脂成分及びラジカル重合開始剤を主成分とする絶縁性接着剤樹脂６中に、導電粒子７が分散されて構成される。 - 特許庁

To provide a simple method for producing composite metal nanoparticles having both the feature of anisotropically grown particulates which can tune the resonance wavelength and the feature of neighboring particulates which can produce a stronger surface plasmon enhancement field, and to provide a multiphoton absorption material or a multiphoton absorption reaction auxiliary containing the composite metal nanoparticles.例文帳に追加

共鳴波長をチューニング可能な異方成長した微粒子の特徴と、より強い表面プラズモン増強場の生成が可能な近接微粒子の特徴とを併せ持つ複合金属ナノ粒子の簡略な製造方法と複合金属ナノ粒子を含む多光子吸収材料並びに多光子吸収反応助剤を提供する。 - 特許庁

To provide an anisotropic biotin latex fine particles having about 100 nm diameter in which one side of fine particles has a part A binding to a molecular motor and other side has a part B binding to an enzyme preparing ATP and the enzyme and biotin are anisotropically carried and to provide anisotropic biotinylated latex fine particles by converting a hydroxy group of the anisotropic biotinylated latex fine particles to an epoxy group and fixing the enzyme.例文帳に追加

１００nm程度のサイズ径であり、微粒子の片側は分子モーターへの結合部位Aを持ち、他の片側はATPを作る酵素への結合部位Bを持ち、酵素とビオチンを異方的に担持した異方性ビチオン化ラテックス微粒子及び異方性ビチオン化ラテックス微粒子の水酸基をエポキシ基に修飾し、酵素を固定した異方性ビチオン化ラテックス微粒子を提供する。 - 特許庁