「Dopants」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The epitaxial film 6 contains n type or p type dopants.例文帳に追加

また、エピタキシャル膜６はｎ型又はｐ型ドーパントを含有する。 - 特許庁

Thereby, the viscosity of the dopants is decreased and the transfer rate is increased.例文帳に追加

これにより、ドーパントの粘度を低下させ、そして、その輸送速度を高める。 - 特許庁

The implantation of the N-type dopants and the implantation of the P-type dopants are performed so that an overlapped region 9, into which those dopants are repeatedly implanted, is surely formed (Fig. 1 (c)).例文帳に追加

Ｎ型不純物の注入、およびＰ型不純物の注入は、それらの不純物が重複して注入される重複領域９が必ず形成されるように実行される（図１（ｃ））。 - 特許庁

The OLED includes a wide gap inert host material doped with two dopants.例文帳に追加

ＯＬＥＤは、２種のドーパントでドープされたワイドギャップ不活性ホスト材料を含む。 - 特許庁

After that, these dopants are subjected to thermal diffusion simultaneously, and well layers 15, 19, 13 are formed.例文帳に追加

その後、これらの不純物が同時に熱拡散されて、ウェル層１５，１９，１３が形成される。 - 特許庁

The deposited layers are doped, and then the dopants are outdiffused into the device body.例文帳に追加

付着させた層にドーピングを施し、その後、ドーパントをデバイス・ボディ内に外方拡散させる。 - 特許庁

Then n-type dopants are implanted only into the n-type diffused layer 13 via the contact hole.例文帳に追加

そして、コンタクトホールを介して、ｎ型拡散層１３にのみｎ型ドーパントを注入する。 - 特許庁

Bit lines (10) are formed by implanting dopants by means of a sacrificial hard mask layer.例文帳に追加

ビット線（１０）は、犠牲ハードマスク層を用いて、ドーパント注入で製造される。 - 特許庁

One of the dopants is a phosphorescent material that can transport either electrons or holes.例文帳に追加

ドーパントのうち一つは、電子または正孔のどちらかを輸送できるリン光発光材料である。 - 特許庁

A zinc oxide is added with at least two kinds of dopants, so that the average ion radius of the dopants is 0.45-0.65 Å.例文帳に追加

酸化亜鉛に少なくとも２種類のドーパントを添加し、前記ドーパントの平均イオン半径が０．４５Å以上０．６５Å以下となるようにする。 - 特許庁

This brightness enhancement film is formed by implanting dopants to a polymer film and varying a concentration of dopants gradually with respect to a depth of the brightness enhancement film.例文帳に追加

フィルムにドーパントを添加し、ドーパントの含有濃度がフィルムの厚さ方向に沿って順次に変わるように形成した輝度向上用光学フィルム及びその製造方法に関する。 - 特許庁

When dopants are introduced into a semiconductor layer 702 used for embedding, the dopants are introduced to the entire surface of a region having an underlying three-dimensional structure 700 and a region 703 which is not etched later.例文帳に追加

埋め込みに用いる半導体層７０２に対し不純物を導入する際に、下地に立体構造７００を持つ領域、および後にエッチングされない領域７０３には全面に不純物を導入する。 - 特許庁

The forming method of p-type group III nitride semiconductor regions has a process for forming group III nitride semiconductor regions 45, 47 having p-type dopants added thereto, and has a process for so projecting a neutron beam 53 on the group III nitride semiconductor regions 45, 47 having p-type dopants added thereto as to desorb hydrogen 55 and as to form activated p-type dopants 57.例文帳に追加

ｐ型のIII族窒化物半導体領域を形成する方法は、ｐ型ドーパントが添加されたIII族窒化物半導体領域４５、４７を形成する工程と、ｐ型ドーパントが添加されたIII族窒化物半導体領域４５、４７に中性子線５３を照射して水素５５を脱離させ、活性化されたｐ型ドーパント５７を形成する工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The laser light (ν) has a photon energy higher than a binding energy between the p-type dopants contained in the nitride semiconductor layers 6-9 and hydrogen.例文帳に追加

レーザ光νは、窒化物半導体層６〜９中におけるｐ型不純物と水素との結合エネルギーよりも高い光子エネルギーを有する。 - 特許庁

After fabricated, the dual dopant contact layer includes a plurality of p-type and n-type dopants.例文帳に追加

このデュアルドーパント接触層は、製作された後に、複数のｐ型及びｎ型ドーパントを有している。 - 特許庁

In an embodiment, not p-type dopants but another photodiode material is contained in a lower amorphous silicon photodiode layer.例文帳に追加

１実施形態では、下部アモルファスシリコンフォトダイオード層にｐ型ドーパントが含まれず、さらなるフォトダイオード材料が開示されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor optical component provided with a semiconductor material confinement layer containing acceptor dopants such that the doping is of p-type.例文帳に追加

ドーピングがｐ型ドーピングであるようにアクセプタドーパントを含む半導体材料閉込め層を備える半導体光部品を提供すること。 - 特許庁

Moreover, due to the presence of the ionic liquid, the dispersion is conductive and does not require the addition of conventional dopants, such as polystyrene sulfonic acid.例文帳に追加

イオン液体の存在のために、分散液は導電性であり、ポリスチレンスルホン酸のような従来型のドーパントの添加を必要としない。 - 特許庁

Also, the device performs other treatments, such as oxidation treatment and mixing treatment of dopants, in the same device by supplying other gases.例文帳に追加

また、他のガスを供給することで他の処理（例えば、酸化処理やドーパントの混入処理）などを同一の装置内で行うことができる。 - 特許庁

To provide a production method of a group III-V compound single crystal resulting in little loss of Te or Zn atoms serving as dopants.例文帳に追加

ドーパントであるＴｅ原子またはＺｎ原子の損失が少ないＩＩＩ−Ｖ族化合物単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

The p-type dopants present in the group III nitride semiconductor regions 45, 47 can be activated without using any heating furnace.例文帳に追加

加熱炉を用いることなく、III族窒化物半導体領域４５、４７中のｐ型ドーパントを活性化することができる。 - 特許庁

For example, As_4H_x^+ clusters and either B_10H_x or B_10H_x^+ cluster are used as sources of As and B dopants, respectively, during implantation.例文帳に追加

例えば、注入中に、Ａｓ_4Ｈ_x^+クラスターとＢ_10Ｈ_x又はＢ_10Ｈ_x^+クラスターとは、それぞれＡｓ及びＢドーパントの供給源として使用される。 - 特許庁

By irradiating laser light (ν) on these p-type nitride semiconductor layers 6-9, the p-type dopants contained therein are activated.例文帳に追加

これらのｐ型の窒化物半導体層６〜９に対してレーザ光νを照射することによりｐ型不純物の活性化を行う。 - 特許庁

The N and P ground layer regions formed in the SOI layer are doped with N-type and P-type dopants to a high concentration level.例文帳に追加

ＳＯＩ層で形成されたＮおよびＰグラウンド層領域に高濃度レベルのＮ型およびＰ型ドーパントをドープする。 - 特許庁

To provide a dielectric structure that has a dielectric material layer with dopants providing positive shapes and ensures best applicability in the capacitor.例文帳に追加

正の形状を提供するドーパントを含む誘電材料層を有し、コンデンサ中で使用すると特に好適である誘電体構造を提供する。 - 特許庁

An optical waveguide device is obtained by patterning the SOI substrate including different dopants into a waveguide shape and thermally oxidizing it.例文帳に追加

ドーパントの異なるＳＯＩ基板を導波路形状にパターニングし、これを熱酸化することで、光導波路構造が実現できる。 - 特許庁

Thereby, moisture and dopants can be prevented from entering into the inside of the semiconductor device through voids.例文帳に追加

これにより、水分及び不純物がボイドを伝って半導体装置の内部へ入り込むことを防ぐことができる。 - 特許庁

N-type dopants are ion-implanted into a portion of an n-type silicon substrate 1 where the charge transferring portion 5 is to be formed (b).例文帳に追加

ｎ型シリコン基板１の電荷転送部５の形成予定部位に、ｎ型の不純物をイオン注入する（ｂ）。 - 特許庁

Using a photo resist 5 as the mask, P-type dopants are implanted into a P-type implantation region of the polysilicon film 3 (Fig. 1 (b)).例文帳に追加

フォトレジスト５をマスクとしてポリシリコン膜３のＰ型注入領域にＰ型不純物を注入する（図１（ｂ））。 - 特許庁

Using a photo resist 4 as a mask, N-type dopants are implanted into an N-type implantation region of the polysilicon film 3 (Fig. 1 (a)).例文帳に追加

フォトレジスト４をマスクとしてポリシリコン膜３のＮ型注入領域にＮ型不純物を注入する（図１（ａ））。 - 特許庁

The p-type GaAs single crystal has an average dislocation density of ≤100/cm^-2 and contains Si, Zn, B and In as dopants.例文帳に追加

本発明のp型GaAs単結晶は、平均転位密度100cm^-2以下のp型GaAs単結晶であって、ドーパントとして、Si，Zn，B，及びInを含有することを特徴とする。 - 特許庁

Production of air bubbles during a tube is collapsed is caused because the vapor pressure of dopants released from the heating zone is too high in the final stage of collapsing the tube.例文帳に追加

管コラプス中の気泡生成は、管コラプスの最終段階中に、加熱ゾーンから放出されるドーパント蒸気圧が高すぎるために起こる。 - 特許庁

The region is then doped with suitable dopants, e.g. phosphorus or boron and the amorphous layer recrystallized by a thermal processing step.例文帳に追加

続いて領域は例えばリンやボロンのような適当なドーパントでドープされ、熱処理工程によりアモルファス領域が再結晶化される。 - 特許庁

Additionally, dispersant is added to the rinsing liquid, thus preventing the dopants in the developer or the rinsing liquid from being dispersed and depositing on the wafer.例文帳に追加

また、リンス液に分散剤を添加することで、現像液中あるいはリンス液中の不純物を分散させウェハに付着することを防止している。 - 特許庁

To provide an organic electroluminescence element containing one or more phosphorescent dopants in a light emitting layer between first and second electrodes.例文帳に追加

第１及び第２電極間の発光層に一つ以上の燐光ドーパントを含む有機電界発光素子を提供する。 - 特許庁

To provide a method for precisely measuring the depth distribution of dopants injected in a flat substrate at a depth of several ten nm, in a nondestructive manner.例文帳に追加

平坦な基板に数十nmの深さに注入した不純物の深さ分布を非破壊で精度よく測定する方法を提供する。 - 特許庁

To realize a method for manufacturing a semiconductor device which can efficiently suppress an increase in a contact resistance, when n or p-type dopants are implanted.例文帳に追加

ｎ型及びｐ型ドーパントを注入する場合に、コンタクト抵抗の増加を効率よく抑える半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Within these temperature ranges, times that are sufficient to crystallize the Si are sufficient to activate the dopants in Ge.例文帳に追加

それらの温度範囲内で、Ｓｉの結晶化に十分な時間は、Ｇｅ中のドーパントの活性化にも十分である。 - 特許庁

This spike prevents diffusion of dopants into another layer, without having to form a p-n junction in the layer.例文帳に追加

スパイクによって、ｐｎ接合を層内に形成することなく、別の層にドーパントが拡散することが防止される。 - 特許庁

An infiltrate-trapping material (81) reduces diffusion of the dopants in the base region during subsequent thermal treatment processes.例文帳に追加

侵入物トラップ材料（８１）は、後続の熱処理工程の間に、ベース領域内へドーパントが拡散することを減じる。 - 特許庁

A p^+-type diffusion region 21 constituting the ZD is formed at the center of an element to prevent an increase in total amount of p-type dopants.例文帳に追加

素子中央にＺＤを構成するＰ^+型拡散領域２１を形成し、Ｐ型不純物総量の増加を防いだ。 - 特許庁

Out of these, the second protective film region 114b is formed so as to contain more dopants by doping them than the first protective film region 114a.例文帳に追加

この内、第２の保護膜領域１１４ｂは、第１の保護膜領域１１４ａに比べて、多くの不純物をドープして含むように形成されている。 - 特許庁

The silicon electrode plate for plasma etching comprises a single crystal silicon to which B and Fe are added as dopants and a heat treatment with temperature of 500 to 800°C is applied.例文帳に追加

ＢとＦｅとがドーパントとして添加され５００〜８００℃で熱処理された単結晶シリコンで構成されている。 - 特許庁

Accordingly, a lot of dopants can be taken in the epitaxially grown film of the P wafer Wp by intentionally evaporating a lot of dopants from the As wafer Wa, when the epitaxial film is grown in vapor phase in the P wafer Wp together with the As wafer Wa.例文帳に追加

このため、ＡｓウェハＷａとともにＰウェハＷｐにエピ膜を気相成長させるときに、ＡｓウェハＷａから多量のドーパントを意図的に蒸発させることで、ＰウェハＷｐのエピ成長膜に多量のドーパントを取り込ませることができる。 - 特許庁

When electrodes are formed on the rear of an Si chip formed on an Si wafer 1, a doping of dopants 27 and 27a to 27c to the chip 1 and an activation of these dopants 27 and 27a to 27c are performed by a heating using each heating means in the same high-vacuum chambers 11 and 11a.例文帳に追加

Ｓｉウエハ１に形成されたＳｉチップの裏面に電極を形成するに際し、Ｓｉチップ１への不純物２７、２７ａ〜２７ｃのドーピングと、このドーピングされた不純物２７、２７ａ〜２７ｃを活性化は同一の高真空チャンバ１１、１１ａ内で加熱手段による加熱によりおこなう。 - 特許庁