| 意味 | 例文 |
FOR MISの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 192件
METHOD OF EVALUATING MIS TYPE ELEMENT, EVALUATION ELEMENT FOR MIS TYPE ELEMENT例文帳に追加
MIS型素子の評価方法、MIS型素子の評価用素子 - 特許庁
METHOD FOR PRODUCING MIS LAMINATED STRUCTURE, AND MIS LAMINATED STRUCTURE例文帳に追加
MIS積層構造体の作製方法およびMIS積層構造体 - 特許庁
MANUFACTURING METHOD FOR MIS TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
MIS型半導体装置の製造方法 - 特許庁
MIS TRANSISTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加
MIS型トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁
SELECT DEVICE FOR TRANSMISSION HAVING MIS-SELECT PREVENTION FUNCTION例文帳に追加
ミスセレクト防止機能を持つ変速機のセレクト装置 - 特許庁
A semiconductor random access memory device with the characteristics of having the matrix of memory cells (C11) that includes the first MIS element (QW11), the drain (3) or the source (4) of the first MIS element (QW11) and the second MIS element (QR11) formed above the first MIS element (QW11), gate input capacity information storage capacitor (CS11) for the second MIS element (QW11). In the matrix of the memory array, the drain of the said first MIS element (QW11) electrically connected to the drain of the second MIS element (QW11), … connecting so that the data line (D1) orthogonally to sense (S1) and word (W1) lines of the each memory cell of the array. 例文帳に追加
第1のMIS素子(Qw11)と、第1のMIS素子(Qw11)のソース及びドレインのいずれか一方の領域をゲートとして用いて前記第1のMIS素子(Qw11)の上に積み重ね形成された第2のMIS素子(QR11)と、この第2のMIS素子(QR11)のゲート入力容量である情報蓄積用のキャパシタ(Cs11)とを有したメモリセル(C11)をマトリックス状に配列したメモリアレイにおいて前記第1のMIS素子(Qw11)のドレインを第2のMIS素子(QR11)のドレインと電気的に結合して、……、データ線(D1)をメモリアレイの各メモリセル間にセンス線(S1)及びワード線(W1)に直交するように配線することを特徴とする半導体ランダムアクセスメモリ装置。 - 特許庁
The semiconductor integrated circuit device is equipped with a logic circuit including MIS transistors formed on a semiconductor substrate, wherein substrate bias control circuit is provided for balancing a first substrate bias voltage Vbp0, which is applied to a first conductive MIS transistor, and a second substrate bias voltage Vbn0, which is applied to a second conductive MIS transistor.例文帳に追加
半導体基体に形成されたMISトランジスタを含む論理回路を備える半導体集積回路において、第1導電型のMISトランジスタに印加する第1基板バイアス電圧Vbp0と第2導電型のMISトランジスタに印加する第2基板バイアスVbn0とをバランスさせる基板バイアス制御回路を設ける。 - 特許庁
MIS FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加
MIS型電界効果トランジスタおよびその製造方法 - 特許庁
To relax a penalty of performance for a TLB mis-hit by shortening the time needed for page retrieval, in the case of the TBL mis-hit.例文帳に追加
TLBミスヒット時のページ検索にかかる時間を短縮し、TLBミスヒット時の性能的ペナルティを緩和する。 - 特許庁
PROCESS FOR MANUFACTURING TERMINAL REGION OF TRENCH MIS DEVICE, SEMICONDUCTOR DIE INCLUDING MIS DEVICE, AND METHOD FOR FORMING THE SAME例文帳に追加
トレンチMISデバイスの終端領域の作製プロセスおよび、MISデバイスを含む半導体ダイとその形成方法 - 特許庁
To provide an MIS-type FET which has low resistance, and is suitable for miniaturizing, easy to manufacture and proper for fine type whose gate length is approximately 0.2 μm or less and an SOI structure, and a method for manufacturing a semiconductor device of such an MIS-type FET or the like.例文帳に追加
低抵抗で、微細化に適し、製造が容易で、ゲート長が概ね0.2μm以下の微細な形式やSOI構造のものに好適なMIS型FET、及び、このようなMIS型FET等の半導体装置を製造する製造方法を提供する。 - 特許庁
METHOD FOR EVALUATING DIELECTRIC BREAKDOWN CHARACTERISTIC OF MIS TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
MIS型半導体装置の絶縁破壊特性評価方法 - 特許庁
In the semiconductor integrated circuit device equipped with a logic circuit including MIS (metal insulator semiconductor) transistors formed on a semiconductor substrate, a substrate bias control circuit is provided for balancing a first substrate bias voltage Vbp0 which is applied to a first conductive MIS transistor, and a second substrate bias voltage Vbn0 which is applied to a second conductive MIS transistor.例文帳に追加
半導体基体に形成されたMISトランジスタを含む論理回路を備える半導体集積回路において、第1導電型のMISトランジスタに印加する第1基板バイアス電圧Vbp0と第2導電型のMISトランジスタに印加する第2基板バイアスVbn0とをバランスさせる基板バイアス制御回路を設ける。 - 特許庁
Please don't (mis)appropriate the company's office equipment, such as letter pads, for your personal use. 例文帳に追加
便箋(びんせん)など会社の備品を私物化しないで下さい. - 研究社 新和英中辞典
When the output current exceeds a target value, the MIS transistor 6 for output is protected from the excess current by turning the MIS transistor 6 for output off.例文帳に追加
出力電流が目標値を越えると出力用MISトランジスタ6をオフさせることで出力用MISトランジスタ6を過大電流から保護する。 - 特許庁
DEVICE AND METHOD FOR CONFIRMING MIS-CONNECTION IN ACCESS NETWORK DEVICE例文帳に追加
アクセスネットワーク装置の誤接続確認装置および誤接続確認方法 - 特許庁
The nonvolatile memory cells MC have a MIS FETQW for writing data, a MIS FETQR for reading data, and a capacity C.例文帳に追加
不揮発性メモリセルMCは、データ書き込み用のMIS・FETQWと、データ読み出し用のMIS・FETQRと、容量部Cとを有している。 - 特許庁
To provide a voice input device for reducing erroneous inputs due to mis-recognition of voice and mis-operation of a touch panel.例文帳に追加
音声の誤認識とタッチパネルの誤操作とに起因する誤入力を低減することができる音声入力装置を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor fabricating process for excluding certainly surges entering a protecting MIS transistor with a fundamental structure and a process that are held in common between the protecting MIS transistor and the other MIS transistor.例文帳に追加
保護用MISトランジスタと他のMISトランジスタとで基本的な構造とプロセスを共通化しつつ、保護用MISトランジスタへのサージを確実に逃がすための半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a technology for reducing cache mis-hit and increasing a memory access speed.例文帳に追加
キャッシュミスヒットを減らし、メモリアクセスを高速化することのできる技術を提供する。 - 特許庁
MIS-DELIVERY PREVENTING SYSTEM AND MIS-DELIVERY PREVENTING METHOD UNDER ENVIRONMENT FOR PROVIDING FAX INFORMATION DELIVERY SERVICE UTILIZING PORTABLE TELEPHONE AND ITS RECORDING MEDIUM例文帳に追加
携帯電話を利用したFAX情報配信サービス提供環境における誤配信防止システム及び誤配信防止方法及びその記録媒体 - 特許庁
The substrate bias control circuit includes first and second control circuits for controlling the threshold voltages of MIS transistors constituting the logic circuit, and an oscillation circuit that includes the MIS transistors formed on the semiconductor substrate, and is configured to vary the frequency of the oscillation output.例文帳に追加
前記基板バイアス制御回路は、該論理回路を構成するMISトランジスタのしきい値電圧を制御する第一および第二の制御回路と、該半導体基体に形成されたMISトランジスタを有し発振出力の周波数を可変とできるよう構成された発振回路を含む。 - 特許庁
APPARATUS FOR CORRECTING MIS-CONVERGENCE AND GEOMETRIC DISTORTION IN DEFLECTION YOKE USING VARIABLE RESISTANCE例文帳に追加
可変抵抗を利用した偏向ヨークのミスコンバージェンス及び幾何学的歪曲補正装置 - 特許庁
MIS FIELD EFFECT TRANSISTOR, METHOD FOR MANUFACTURING IT, SEMICONDUCTOR STORAGE MEDIUM AND METHOD FOR MANUFACTURING IT例文帳に追加
MIS型電界効果トランジスタ及びその製造方法及び半導体記憶装置及びその製造方法 - 特許庁
To provide an improved bipolar electrode for use together with an electrosurgical handpiece, which electrode is configured for use in MIS (minimal invasion surgery) and other electrosurgical procedures, primarily for endoscopic spinal surgery.例文帳に追加
低侵襲手術(MIS)や他の電気外科処置、主に内視鏡的脊髄手術で使用されるよう構成され、電気外科手術用ハンドピースと共に使用される、改良された両極性電極を提供する。 - 特許庁
In this case, a 1st gate electrode material for the n-MIS and a 2nd gate electrode material for the p-MIS can be mutually exchanged, so that processes can be simplified.例文帳に追加
ここで、nMIS向けの第1ゲート電極材料とpMIS向け第2ゲート電極材料とは相互に変換することが可能であり、プロセスを単純化することが可能である。 - 特許庁
To provide an MIS semiconductor device capable of suppressing deterioration in hot carrier resistance and decreasing power consumption and increasing surge resistance, and to provide a method for manufacturing the MIS semiconductor device.例文帳に追加
ホットキャリア耐性の劣化を抑制しつつ、低消費電力化とサージ耐性の向上とを実現しうるMIS型半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To prevent trouble due to passing oneself off as another person or mis-operation in credit card settlement for online shopping.例文帳に追加
オンラインショッピングのクレジットカード決済において、なりすましや誤操作によるトラブルを防止する。 - 特許庁
To improve a transistor characteristic in an MIS transistor using a high dielectric constant film for a gate insulating film.例文帳に追加
ゲート絶縁膜に高誘電率膜を用いたMISトランジスタのトランジスタ特性を向上する。 - 特許庁
In a control part 2, two transistor, namely, an n typ MIS transistor TN1 for receiving a clock signal CK and an N type MIS transistor TN3 for a signal of a control node nc of an inputting part 1 are connected in series.例文帳に追加
制御部2では、クロック信号CKを受けるn型MISトランジスタTN1と、入力部1の制御ノードncの信号を受けるn型MISトランジスタTN3とが2個直列に接続される。 - 特許庁
To provide an output circuit device for protecting an MIS transistor for output from an excess current and with high power source efficiency.例文帳に追加
過大電流から出力用MISトランジスタを保護し、電源効率の高い出力回路装置を提供する。 - 特許庁
To provide a structure that controls a threshold voltage of an MIS type semiconductor device for an a MIS type semiconductor device having a short gate length and an integrated semiconductor device including the same.例文帳に追加
短ゲート長のMIS型半導体装置やこれを含む集積型半導体装置において、MIS型半導体装置のしきい値電圧を制御する構造を提供する。 - 特許庁
To provide a group III-V nitride semiconductor MIS-type field effect transistor suitable for application to a power device.例文帳に追加
パワーデバイスへの適用に適したIII-V族窒化物半導体MIS型電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁
This is useful if you don't need a body part at all,e.g. for a subpart of type message/rfc822 that's (mis)usedto store some header-like information. 例文帳に追加
例えば、ヘッダのような情報を保管するために(誤って)使用された、型 message/rfc822 のサブパート用。 - Python
To reduce power consumption by using a Vt characteristic of a MIS transistor for generating the source voltage.例文帳に追加
ソース電圧生成にMISトランジスタのVt特性を使用することで、消費電力を少なくすること。 - 特許庁
METHOD FOR EXTRACTING EFFECTIVE CHANNEL LENGTH OF MIS TRANSISTOR, METHOD FOR EXTRACTING RESISTANCE OF DIFFUSION LAYER THEREOF, AND METHOD FOR EVALUATING FABRICATION PROCESS THEREOF例文帳に追加
MISトランジスタの実効的チャネル長抽出方法、その拡散層抵抗抽出方法、及びその製造プロセス評価方法 - 特許庁
The reference voltage Vref is compared with an output terminal voltage Vout by using on-resistances of the MIS transistor 6 for output and the MIS transistor 18 for reference and the size of an output current is detected.例文帳に追加
出力用MISトランジスタ6及び参照用MISトランジスタ18のオン抵抗を利用して参照電圧Vrefと出力端子電圧Voutとを比較し、出力電流の大きさを検出する。 - 特許庁
To provide a receiver for telephone number information that can reduce mis-detection due to pulsive noise.例文帳に追加
パルス性ノイズによる誤検出を減少させることができる電話番号情報の受信装置を提供する。 - 特許庁
To make it possible to correct speech recognition easily and speedily at the time of mis-recognition by providing candidates for recognition.例文帳に追加
音声認識の誤認識時に認識候補を提供して、容易かつ迅速に訂正することが可能にする。 - 特許庁
To provide an image forming apparatus for aborting added original images so as to prevent mis-copying on the occurrence of a memory full state.例文帳に追加
メモリフル発生時、追加した原稿画像を破棄してミスコピーを防止した画像形成装置を提供する。 - 特許庁
To immediately notice the mis-depression of a key in a method for displaying the mouse pointer of a three-key mouse.例文帳に追加
3つボタンマウスのマウスポインタを表示する方法において、ボタンの押し間違えに直ぐに気付くことを可能にする。 - 特許庁
The drain of the N-type MIS transistor 54 is connected to a power supply voltage feeding part 53 for feeding a power supply voltage VDD and the drain of the P-type MIS transistor 56 is connected to a ground 57 for supplying a ground voltage VSS.例文帳に追加
N型MISトランジスタ54のドレインが電源電圧VDDを供給する電源電圧供給部53に接続され、P型MISトランジスタ56のドレインが接地電圧VSSを供給する接地57に接続されている。 - 特許庁
To obtain an electrostatic-breakdown-protection element and a method for manufacturing the same for protecting a gate oxide film of a MIS type transistor from excessive voltages.例文帳に追加
MIS型トランジスタのゲート酸化膜を過大電圧から保護するための静電破壊保護素子とその製造方法を提供する。 - 特許庁
To prevent transistor characteristics from being fluctuated in a transistor structure where a metal for controlling threshold voltage which is variable in an n-type MIS transistor and a p-type MIS transistor is added to a high dielectric constant gate insulating film.例文帳に追加
n型MISトランジスタとp型MISトランジスタとで異なる閾値電圧制御用金属が高誘電率ゲート絶縁膜に添加されたトランジスタ構造において、トランジスタ特性の変動を防止できるようにする。 - 特許庁
This MFMIS transistor has a structure, where an MFM(metal- ferroelectric-metal) structure and an MIS(metal-insulator-semiconductor) structure are stacked vertically inside almost the same area, and the lower MIS structure has a means for increasing an effective area of an MIS capacitance.例文帳に追加
本発明のMFMISトランジスタの構成によれば、MFM(金属−強誘電体−金属)構造とMIS(金属−絶縁体−半導体)構造とをほぼ同一面積内で上下に積み重ねる構造を有し、かつ、下のMIS構造にはMISキャパシタンスの実効面積を増大する手段を有している。 - 特許庁
To provide a method for detecting two dimensional code, detecting device, and detecting program for avoiding mis-detection of two dimensional code due to mis-recognition of the position detecting pattern, and accurately detecting two dimensional code from an image including two dimensional code.例文帳に追加
位置検出パターンの誤認識による二次元コードの誤検出を防止して、二次元コードを含む画像から二次元コードを正確に検出することができる、二次元コードの検出方法、検出装置、及び検出プログラムを提供する。 - 特許庁
To provide technology for easily forming a contact without damaging a characteristic and reliability of an MIS transistor.例文帳に追加
MISトランジスタの特性及び信頼性を損なうことなく、コンタクトを容易に形成することができる技術を提供すること。 - 特許庁
| 意味 | 例文 |
| Copyright © National Institute of Information and Communications Technology. All Rights Reserved. |
| Copyright (c) 1995-2026 Kenkyusha Co., Ltd. All rights reserved. |
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
| この対訳コーパスは独立行政法人情報通信研究機構の研究成果であり、Creative Commons Attribution-Share Alike 3.0 Unportedでライセンスされています。 |
| Copyright 2001-2004 Python Software Foundation.All rights reserved. Copyright 2000 BeOpen.com.All rights reserved. Copyright 1995-2000 Corporation for National Research Initiatives.All rights reserved. Copyright 1991-1995 Stichting Mathematisch Centrum.All rights reserved. |
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|

