「First layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(33ページ目) - Weblio英語例文検索

The shield 13 has a first layer 13A1, a second layer 13A2, a third layer 13B, a first connecting section 13C and a second connecting section 13D.例文帳に追加

シールド１３は、第１層１３Ａ１、第２層１３Ａ２、第３層１３Ｂ、第１の連結部１３Ｃおよび第２の連結部１３Ｄを有している。 - 特許庁

Alternatively, the heat insulating and retaining material is constituted by laminating the first cloth, a first high foamed layer, a synthetic resin film layer, a second foamed layer and the second cloth in this order and bonding them to one another.例文帳に追加

または、第一布帛、第一高発泡層、合成樹脂製フィルム層、第二高発泡層及び第二布帛の順で積層貼合されてなる。 - 特許庁

A diverter layer 39 of second conductive type is disposed on the first base layer so as to be able to discharge a carrier of second conductive type from the first base layer.例文帳に追加

第２導電型のキャリアを第１ベース層から排出することができるように、第１ベース層上に第２導電型のダイバータ層３９が配設される。 - 特許庁

A first electrode layer 110 and an auxiliary electrode layer having an electric resistance smaller than the first electrode layer 110 are formed in a region between the trenches.例文帳に追加

第１電極層１１０と、前記第１電極層１１０より小さい電気抵抗を有する補助電極層を前記トレンチの間の領域に形成する。 - 特許庁

To provide a method of forming a second gate dielectric layer different in thickness from a first gate dielectric layer without causing damage to the first gate dielectric layer on a semiconductor device substrate.例文帳に追加

半導体デバイス基板の第１ゲート誘電層に害を与えずに、異なる厚さの第２ゲート誘電層を製造する方法を提供する。 - 特許庁

A first n-type spacer semiconductor layer 15, an active layer 17, and a p-type spacer layer 19 are grown on the first distribution bragg reflector (DBR) 13.例文帳に追加

分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）１３上に、第１のｎ型スペーサ半導体層１５、活性層１７、及びｐ型スペーサ層１９を成長する。 - 特許庁

The sealing materials 6a, 6b comprise a first layer L_1, and a second layer L_2 made of a material having a larger coefficient of thermal expansion than that of the first layer L_1.例文帳に追加

シール材６ａ、６ｂは、第１の層Ｌ_１と、第１の層Ｌ_１よりも熱膨張係数の大きい材料からなる第２の層Ｌ_２とを有している。 - 特許庁

At the connection between a first electrode layer 11 and a second electrode layer 13, the surface roughness of the first electrode layer 11 is larger than other parts.例文帳に追加

第１電極層１１と第２電極層１３との接続部において、第１電極層１１の表面粗さを他の部分より大きくする。 - 特許庁

To embed into a first semiconductor layer a second semiconductor layer having a lattice constant which differs from that of the first semiconductor layer, while controlling film thinning at a device separation end.例文帳に追加

素子分離端における薄膜化を抑制しつつ、第１半導体層と格子定数の異なる第２半導体層を第１半導体層に埋め込む。 - 特許庁

This semiconductor laser is provided with a first conductivity type clad layer 102, an active layer 103 and a second conductivity type clad layer 106 on a first conductivity type semiconductor substrate 101.例文帳に追加

第一導電型半導体基板１０１上に、第一導電型クラッド層１０２、活性層１０３および第二導電型クラッド層１０６を有する。 - 特許庁

The floating gate has an at least two layer structure, and a first layer touching the first insulation layer is preferably smaller than the band gap of the semiconductor substrate.例文帳に追加

浮遊ゲートは少なくとも二層構造とし、第１の絶縁層に接する第１層は、半導体基板のバンドギャップより小さいことが好ましい。 - 特許庁

A first gate electrode, a first gate insulation layer, a semiconductor layer, a second gate insulation layer and a second gate electrode are formed sequentially on a substrate.例文帳に追加

第１ゲート電極、第１ゲート絶縁層、半導体層、第２ゲート絶縁層、および第２ゲート電極が、基板上にこの順で形成されている。 - 特許庁

A III-V layer 103 and an insulator layer are selectively removed from a first region, thereby a semiconductor layer of the first substrate is exposed.例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ層１０３および絶縁体層は第１領域から選択的に除去されて、これにより第１基板の半導体層が露出する。 - 特許庁

A first common electrode 44 is arranged to face the individual electrodes 43 between the first piezoelectric layer 40 and a second piezoelectric layer 41 of an intermediate layer.例文帳に追加

第１圧電層４０と中間層の第２圧電層４１との間には、個別電極４３と対向して、第１共通電極４４が配置されている。 - 特許庁

The first thin metal film 27 has a thin chromium layer on the side being bonded to the first piezoelectric 21 and a thin gold layer is formed on the thin chromium layer.例文帳に追加

第１金属薄膜２７は第１圧電体２１との接合面にクロム薄膜層を有し、該クロム薄膜層上に金の薄膜層が形成されている。 - 特許庁

The second semiconductor layer 18B is formed on and in contact with the first semiconductor layer 18A and has a smaller lattice constant than that of the first semiconductor layer 18A.例文帳に追加

第２の半導体層１８Ｂは、第１の半導体層１８Ａの上に接して形成され第１の半導体層１８Ａと比べて格子定数が小さい。 - 特許庁

A circuit board 1a and a circuit board 1b include a first wiring layer 2, and a second wiring layer 3 arranged in opposition to the first wiring layer 2.例文帳に追加

回路基板１ａ及び回路基板１ｂは、第１配線層２、及び第１配線層２に対向して配置された第２配線層３を含む。 - 特許庁

The multilayer wiring includes a first wiring layer 151 formed on a semiconductor substrate and a second wiring layer 153 formed on the first wiring layer.例文帳に追加

半導体基板上に形成された第１の配線層部１５１と、第１の配線層部の上に形成された第２の配線層部１５３と、を具備する。 - 特許庁

The first insulator layer 4a is formed on the semiconductor substrate 6 and the metallic layer 26e is formed on the first insulator layer 4a.例文帳に追加

第１絶縁体層４ａは、半導体基板６上に形成されており、金属層２６ｅは、第１絶縁体層４ａ上に形成されている。 - 特許庁

A first layer 102 consisting of alumina is formed on the substrate 101, and a second layer 103 consisting of a catalyst metal is formed on this first layer 102.例文帳に追加

基板１０１上にアルミナからなる第１の層１０２を形成し、この第１の層１０２上に触媒金属からなる第２の層１０３を形成する。 - 特許庁

The semiconductor layer 3 has a high etching selection ratio with respect to the first conductive layer 2 and sufficiently high etching efficiency for the first conductive layer 2.例文帳に追加

この半導体層３は、第１導電層２とのエッチング選択比が高く、第１導電層２に対するエッチング効率が充分に高いものである。 - 特許庁

Then, the first insulating layer 1 exposed in the opening portion 4 is selectively removed using the third insulating layer 3 as a mask so as to leave part of the first insulating layer 1.例文帳に追加

次に、第３の絶縁層３をマスクにして開口部４から露出する第１の絶縁層１を、その一部が残るように選択的に除去する。 - 特許庁

The electrolyte membrane 11 has a first electrolyte layer 11a and a second electrolyte layer 11b lower in glass-transition temperature than that of the first electrolyte layer 11a.例文帳に追加

電解質膜１１は、第１の電解質層１１ａと、第１の電解質層１１ａよりガラス転移温度の低い第２の電解質層１１ｂとを有する。 - 特許庁

Furthermore, a second polysilicon layer 40 where the concentration of phosphor is lower than the first polysilicon layer 39, and the etching rate is smaller is formed on the first polysilicon layer 39.例文帳に追加

さらに、この第１ポリシリコン層３９よりもリン濃度が低く、エッチング速度が遅い第２ポリシリコン層４０を、第１ポリシリコン層３９上に形成する。 - 特許庁

A semiconductor light-emitting element comprises a first semiconductor layer, a second semiconductor layer, a light-emitting layer, first electrodes, second electrodes, and a supporting substrate.例文帳に追加

実施形態に係る半導体発光素子は、第１半導体層、第２半導体層、発光層、第１電極、第２電極及び支持基板、を備える。 - 特許庁

A first layer 6 in first 95 nm is formed under the condition that Ar:O2=25 sccm:1 sccm and a second layer (an interface 6) in the residual 5 nm layer is formed under the condition that Ar:O2=25 sccm:10 sccm.例文帳に追加

最初の95nmの第１層６の成膜を、Ar:O_2=25sccm:1sccmの条件で行い、第２層（界面部６）である残りの5nm の層の成膜を、同じく25sccm:10sccm で行った。 - 特許庁

The characters are displayed by the first mixed layer 11 under the visible light and the characters and patterns are displayed by the first mixed layer 11 and the second mixed layer 12 under the dark.例文帳に追加

可視光下で第１の混合層11にて文字を表示し、暗闇下で第１の混合層11および第２の混合層12にて文字と模様を表示する。 - 特許庁

The second phosphor layer 42 is higher in phosphor concentration than the first phosphor layer 41, and the outer side face of the first phosphor layer 41 is exposed.例文帳に追加

第２の蛍光体層４２は、第１の蛍光体層４１より蛍光体濃度が高く、第１の蛍光体層４２の外側面が露出している。 - 特許庁

The coupon portion includes a first insulation layer, a first land, a second insulation layer, a second land, a third insulation layer, a conductive material and a wiring.例文帳に追加

前記クーポン部は、第１の絶縁層と、第１のランドと、第２の絶縁層と、第２のランドと、第３の絶縁層と、導電性材料と、配線とを有する。 - 特許庁

A semiconductor light-emitting element comprises a supporting substrate, a first electrode, a first-conductivity-type layer, a light-emitting layer, a second-conductivity-type layer, and a second electrode.例文帳に追加

半導体発光素子は、支持基板と、第１電極と、第１導電形層と、発光層と、第２導電形層と、第２電極と、を有する。 - 特許庁

The surface of the first hard coat layer 2 is provided with a second hard coat layer 3 having a refractive index higher than that of the first hard coat layer 2 and having a haze of 0.1 to 1%.例文帳に追加

この第１ハードコート層２の表面に屈折率が第１ハードコート層２よりも大きく、ヘイズが０．１〜１％の第２ハードコート層３を設ける。 - 特許庁

When instructed to change setting of the layer data of the first layer or the second layer, the layer data of the first layer or the second layer are rewritten with the specified ones, the third layer data arranged in a third layer data area are cleared, and the assignment is performed again thereafter.例文帳に追加

第１レイヤまたは第２レイヤのレイヤデータを設定変更する指示があった場合、第１レイヤまたは第２レイヤのレイヤデータを指定されたものに書き替えるとともに、第３レイヤデータ領域に配置されている第３レイヤデータをクリアし、その後、割り当てのし直しを行う。 - 特許庁

In this thin EL element provided with a pair of a first electrode layer and a second electrode layer interposing a luminescent layer on an insulating base, a thin layer having a quantum size is provided between the luminescent layer and the first electrode layer and between the luminescent layer and the second electrode layer are provided.例文帳に追加

絶縁基板上に発光層を介在した一対の第１の電極層と第２の電極層とを備えてなる薄膜ＥＬ素子において、前記発光層と前記第１の電極層及び前記第２の電極層との間に量子サイズの薄膜層を備えた。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting element includes an n-type semiconductor layer and an active layer, has a first p-type semiconductor layer between the n-type semiconductor layer and the active layer, and has a second p-type semiconductor layer at a side opposite to a side having the first p-type semiconductor layer when viewed from the active layer.例文帳に追加

ｎ型半導体層と、活性層と、を含み、ｎ型半導体層と活性層との間に第１のｐ型半導体層を備え、活性層から見て第１のｐ型半導体層がある側とは反対側に第２のｐ型半導体層を備えた半導体発光素子である。 - 特許庁

A first metal layer 3 of ≥0.5 mm in thickness, a second metal layer 5, and a third metal layer 7 of ≥1 mm in thickness are arranged in this order, and the first metal layer 3 and the second metal layer 5 are united together with a conductive adhesive layer.例文帳に追加

厚み０．５mm以上の第１金属層３と、第２金属層５と、厚み１mm以上の第３金属層７がこの順に配置され、第１金属層３と第２金属層５が導電性接着剤層で一体化されている。 - 特許庁

As the energy gap between the first layer W and the second layer B can be made steep by the δ-layer, the reflectivity of the multiperiod layer, on which the first layer W and thesecond layer B are laminated at multiperiod, can be improved.例文帳に追加

δ層により、第１層Ｗと第２層Ｂの間のエネルギギャップを急峻とすることができるので、第１層Ｗと第２層Ｂとを多重周期で積層した多重周期層の反射率を向上させることができる。 - 特許庁

The resin multilayer substrate 1 includes a component built-in resin layer (first resin layer) 20 in which an electronic component is incorporated, and a thin resin layer (second resin layer) 30 laminated on one surface of the component built-in layer (first resin layer) 20.例文帳に追加

本発明に係る樹脂多層基板１は、電子部品を内蔵してある部品内蔵層（第１樹脂層）２０と、部品内蔵層（第１樹脂層）２０の一面に積層してある薄層樹脂層（第２樹脂層）３０とを備える。 - 特許庁

The STO structure has a configuration consisting of a seed layer 21/a spin injection layer (SIL) 22/a first spacer layer 23/a first PMA assist layer 27a/a composite FGL 40/a second spacer 31/a second PMA assist layer 32/a cap layer 25.例文帳に追加

このＳＴＯ構造は、シード層２１／スピン注入層（ＳＩＬ）２２／第１のスペーサ層２３／第１のＰＭＡアシスト層２７ａ／複合ＦＧＬ４０／第２のスペーサ３１／第２のＰＭＡアシスト層３２／キャップ層２５なる構成を有する。 - 特許庁

An n-type contact layer 11, an n-type clad layer 12, an active layer 13, and a p-type first clad layer 14A are formed on a substrate 10, and then an etch stopper layer 19 is formed on the p-type first clad layer 14A.例文帳に追加

基板１０の上にｎ型コンタクト層１１、ｎ型クラッド層１２、活性層１３およびｐ型第１クラッド層１４Ａを形成したのち、このｐ型第１クラッド層１４Ａ上にエッチングストップ層１９を形成する。 - 特許庁

The multilayer structure substrate 162 has a six layer structure from the first layer 162a to the sixth layer 162f, and an exciting coil is formed on the first layer 162a and a detection coil is formed on the second layer 162b and on the third layer 162c.例文帳に追加

多層構造基板１６２は第１層１６２ａから第６層１６２ｆの６層構造を有し、第１層１６２ａに励磁コイルが形成され、第２層１６２ｂ及び第３層１６２ｃに検出コイルが形成される。 - 特許庁

The first variable resistance layer 120 includes a first metal oxide layer 102 and a second metal oxide layer 103, and the second variable resistance layer 130 includes a third metal oxide layer 105 and a fourth metal oxide layer 106.例文帳に追加

第１抵抗変化層１２０は、第１金属酸化物層１０２および第２金属酸化物層１０３を備え、第２抵抗変化層１３０は、第３金属酸化物層１０５および第４金属酸化物層１０６を備える。 - 特許庁

The periphery 31a of the first layer 31 is allowed to come into close contact with a periphery 33a of the second layer 33 to seal the scintillator layer 32 between the first layer 31 and the second layer 33, whereby degradation is prevented in the scintillator layer 32 due to the moisture in the atmospheric air.例文帳に追加

第１の保護層31の周辺部31aと第２の保護層33の周辺部33aとに密着させ、第１の保護層31と第２の保護層33との間にシンチレータ層32を密閉し、大気中の水分によるシンチレータ層32の劣化を防止する。 - 特許庁

The laminated structure 10 comprises a first-conductivity first cladding layer, a second-conductivity second cladding layer, and an active layer 15 held by the first and second cladding layers.例文帳に追加

積層構造１０は、第１導電型の第１のクラッド層と、第２導電型の第２のクラッド層と、第１および第２のクラッド層に挟まれた活性層１５とを有している。 - 特許庁

The active layer has a first portion covering at least a portion of a top surface of the first semiconductor layer and a second portion covering at least a portion of side surfaces of the first semiconductor layer.例文帳に追加

活性層は、第１半導体層の上面の少なくとも一部を覆う第１部分と、第１半導体層の側面の少なくとも一部を覆う第２部分と、を有する。 - 特許庁

The first gate electrode 133 and the second gate electrode 134 include a first conductive layer 155 having a concave cross-section and a second conductive layer 156 formed on the first conductive layer 155.例文帳に追加

第１ゲート電極１３３及び第２ゲート電極１３４は、断面凹形の第１導電層１５５及び該第１導電層１５５の上に形成された第２導電層１５６を含む。 - 特許庁