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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > First layerの意味・解説 > First layerに関連した英語例文

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First layerの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 24472



例文

The security label 10 includes a surface material 14, a first adhesive layer 16, a base material 18, a second adhesive layer 20, an adhesion reducing layer 22, a conductive layer 24 and an adhesive layer 26.例文帳に追加

セキュリティラベル10は、表面材14、第1の接着層16、支持材18、第2の接着層20、接着力弱化層22、導体層24、粘着層26を含む。 - 特許庁

A first dielectric layer 3, a signal-recording layer 4, a second dielectric layer 5, a light reflection layer 6, and a protection film layer 7 are successively laminated on a substrate 2 for formation.例文帳に追加

基板2上に、第1の誘電体層3と、信号記録層4と、第2の誘電体層5と、光反射層6と、保護膜層7とを順次積層して形成する。 - 特許庁

The CPU 211 arranges a via hole V1 on a multi-layer printed board P on the basis of a start layer (first wiring layer ) and an end layer (sixth wiring layer) and positional information (S523).例文帳に追加

CPU211は、開始層(第1配線層)、終了層(第6配線層)、及び位置情報に基づいて、多層プリント基板PにビアホールV1を配置する(S523)。 - 特許庁

Drawing data of one of the first layer 31, the second layer 32, and the layer areas 33a-33d of the third layer, and the fourth layer 34 are overlapped and are displayed on a display monitor.例文帳に追加

第1レイヤ31、第2レイヤ32、第3レイヤのレイヤ領域33a〜33dのいずれか一つおよび第4レイヤ34の描画データを重ねて表示モニタに表示する。 - 特許庁

例文

A reflection layer 25, a p-type first layer 24, an n-type second layer 23, a p-type third layer 22 and an n-type fourth layer 21 are successively formed on a p-type substrate 51.例文帳に追加

p型基板51上に、反射層25、p型の第1層24、n型の第2層23、p型の第3層22、n型の第4層21が順次形成されている。 - 特許庁


例文

A free layer 18 includes a composite structure where a first ferromagnetic layer, an insertion layer and a second ferromagnetic layer are sequentially laminated from the side of a tunnel barrier layer 17.例文帳に追加

フリー層18は、トンネルバリア層17の側から第1の強磁性層、挿入層および第2の強磁性層が順に積層された複合構造を有する。 - 特許庁

A free layer 18 has a composite structure configured by successively laminating a first ferromagnetic layer, an insertion layer and a second ferromagnetic layer from the side of a tunnel barrier layer 17.例文帳に追加

フリー層18は、トンネルバリア層17の側から第1の強磁性層、挿入層および第2の強磁性層が順に積層された複合構造を有する。 - 特許庁

Any sand that falls on the upper surface of a third layer 7 passes through that layer and also through the second layer 3 to be retained between the first layer 2 and second layer 3.例文帳に追加

第3層の上部表面上に落ちるいかなる砂もその層を通過しそして第2層3も通過して第1層2と第2層3との間に保持される。 - 特許庁

A gate oxide film 6, a polysilicon layer (first gate layer ) 9, a tungsten silicide layer (second gate layer) 10 and an insulation layer 8 are formed on a surface of a silicon substrate 2.例文帳に追加

シリコン基板2の表面上に、ゲート酸化膜6、ポリシリコン層(第1ゲート層)9、タングステンシリサイド層(第2ゲート層)10および絶縁層8が形成される。 - 特許庁

例文

A reflection layer 3, a first dielectric layer 4, a recording layer 5 and a second dielectric layer 6 are successively laminated on a non-magnetic disk baseboard 2 so as to obtain the optical recording layer 7.例文帳に追加

非磁性のディスク基板2上に、反射層3、第1の誘電体層4、記録層5および第2の誘電体層6を順次積層して光記録層7を設ける。 - 特許庁

例文

Further, the second layer 18, and the first layer 16 and third layer 20 forming the metallic layer 14 together with the second layer 18 are made of the steel the same as that of the base metal 12.例文帳に追加

なお、この第2層18と、該第2層18とともに金属層14を形成する第1層16及び第3層20とは、母材12と同一の鋼材からなる。 - 特許庁

The magnetic layer 20 is a laminated film in which a non-magnetic layer 22 is put between a first ferromagnetic layer 21 and a second ferromagnetic layer 22, and the magnetic layer 20 functions as an artificial ferry magnetic thin film.例文帳に追加

磁性層20は、非磁性層22を第1強磁性層21および第2強磁性層23で挟んだ積層膜であり、人工フェリ磁性薄膜として機能する。 - 特許庁

There is a gap between the insulating layer and the columnar high heat conduction phase, and the insulating layer comprises a first adhesive layer, a film layer, and a second adhesive layer.例文帳に追加

また、絶縁層と柱状の高熱伝導相の間に隙間が存在し、絶縁層が、第一の粘着層、フィルム層及び第二の粘着層からなることを特徴とする。 - 特許庁

A first dielectric layer 12, recording layer 13, thermal diffusion layer 14, second dielectric layer 15, reflection layer 16 and protective film 17 are laminated on a substrate 11.例文帳に追加

基板11の上に第1誘電体層12,記録層13,熱拡散層14,第2誘電体層15,反射層16および保護膜17が積層されている。 - 特許庁

A metal oxide conductive layer is provided each between the insulation layer and the first metal layer and between the insulation layer and the second metal layer.例文帳に追加

絶縁体層と第1の金属層との間および絶縁体層と第2の金属層との間にはそれぞれ金属酸化物導電体層が設けられている。 - 特許庁

The second semiconductor deposit layer 118 includes a first semiconductor layer 118a, a second semiconductor layer 118b, a barrier layer 118c and a current constriction layer 111.例文帳に追加

第2の半導体堆積層118は、第1半導体層118a、第2半導体層118b、障壁層118c、および電流狭窄層111を含む。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element 1 includes a first semiconductor layer 3, an active layer 5, a second semiconductor layer 7, a third semiconductor layer 9, and a current blocking semiconductor layer 11.例文帳に追加

半導体発光素子1は、第1の半導体層3と、活性層5と、第2の半導体層7、第3の半導体層9と、電流ブロック半導体層11とを備える。 - 特許庁

The external electrode 30 has a first electrode layer 40, a second electrode layer 42, a conductive resin layer 44, a third electrode layer 46, and a fourth electrode layer 48.例文帳に追加

外部電極30は、第1の電極層40と第2の電極層42と導電性樹脂層44と第3の電極層46と第4の電極層48とを有する。 - 特許庁

The peeling layer 10 is constituted of a sealing surface protection layer 6 laminated on the inner surface of the first thermoplastic resin layer 41, a second material layer 7, and an anchor coat layer 8.例文帳に追加

剥離層10は、第1熱可塑性樹脂層41の内面に積層されるシール面保護層6、第2基材層7、及びアンカーコート層8から構成される。 - 特許庁

The rewriting optical recording medium is provided with a substrate 1, a first protective layer 2, a recording layer 3, a second protective layer 4, a metallic layer 5, and an ultraviolet ray curing resin layer 6 in this sequence.例文帳に追加

本発明の書き換え型光記録媒体は、基板1、第1保護層2、記録層3、第2保護層4、金属層5、紫外線硬化樹脂層6をこの順に供える。 - 特許庁

Further, the second layer 18, and the first layer 16 and the third layer 20 forming the metallic layer 14 together with the second layer 18 are made of the steel the same as that of the base metal 12.例文帳に追加

なお、この第2層18と、該第2層18とともに金属層14を形成する第1層16及び第3層20とは、母材12と同一の鋼材からなる。 - 特許庁

The antireflection layer 130 includes a first layer 131, a second layer 132, a third layer 133, a fourth layer 134, a fifth layer 135, a sixth layer 136, a transparent conductive layer 137 as a seventh layer and an eighth layer 138 arranged in the order outward from the lens base 110 side.例文帳に追加

この反射防止層130は、レンズ基材110側から外側に向けて順に配置された第1層131、第2層132、第3層133、第4層134、第5層135、第6層136、第7層である透明導電層137及び第8層138から構成される。 - 特許庁

A TMR device comprises: a shield layer; a seed layer; an antiferromagnetic layer; a second anti-parallel layer including a portion subjected to plasma processing; a ruthenium layer having a thickness of 4 Å; a CoFex layer; a first anti-parallel layer; a tunnel barrier layer; a magnetic free layer; and a cap layer, in order.例文帳に追加

本発明のTMRデバイスは、シールド層と、シード層と、反強磁性層と、プラズマ処理部分を含む第2の反平行層と、4Åの厚さを有するルテニウム層と、CoFex 層と、第1の反平行層と、トンネルバリア層と、磁気フリー層と、キャップ層とを順に備える。 - 特許庁

The manufacturing method of a membrane electrode assembly for a solid polymer fuel cell, is provided with a process, after covering a first gas diffusion layer on a first carbon layer coating liquid layer, forming a first carbon layer by drying the first carbon layer coating liquid layer, and a process heating and jointing by making the first carbon layer in contact with a first catalyst layer formed on one surface of a solid polymer electrolyte membrane.例文帳に追加

第1のカーボン層塗工液層の上に、第1のガス拡散層を被せた後、前記第1のカーボン層塗工液層を乾燥して第1のカーボン層を形成する工程と、前記第1のカーボン層と、固体高分子電解質膜の一方の面に形成された前記第1の触媒層とを接するようにして加熱接合する工程と、を有する固体高分子形燃料電池用膜電極接合体の製造方法。 - 特許庁

This light-emitting device includes a first quantum well; and a first lower layer which is included in the first quantum well, and in which an alloy composition of one layer of the first lower layer is different from composition of another layer of the first lower layer, and the wavelength of light emitted by the first quantum well is prescribed by the band gap of average composition of the first lower layer.例文帳に追加

第1の量子井戸と、前記第1の量子井戸内に含まれる第1の下位層であって、前記第1の下位層の1つの層の合金組成が前記第1の下位層の別の層の合金組成と異なり、前記第1の量子井戸によって放射される光の波長が前記第1の下位層の平均組成のバンドギャップによって規定される第1の下位層と、を備える発光デバイスである。 - 特許庁

The method includes first etching at least a portion of the third layer, by using the second layer as an etching stop layer, exposing at least a portion of the second layer, and second etching at least the exposed portion of the second layer, by using the first layer as an etching stop layer.例文帳に追加

第2膜をエッチングストップ層として使用して、第3膜の少なくとも一部を第1エッチングして、第2膜の少なくとも一部を露出させ、第1膜をエッチングストップ層として使用して、第2膜の少なくとも露出した部分を第2エッチングする。 - 特許庁

The pixel electrode layer is formed over a structure body which projects into the liquid crystal layer from a surface of a first substrate on the liquid crystal layer side, and the pixel electrode layer is positioned between the first common electrode layer and the second common electrode layer in the liquid crystal layer.例文帳に追加

画素電極層は第1の基板の液晶層側の面から液晶層に突出して設けられた構造体の上部に形成され、液晶層中において画素電極層は第1の共通電極層と第2の共通電極層との間に配置される。 - 特許庁

Structure for a micro-device is fabricated by forming a first layer of sacrifical material, a layer of a structural material over the first sacrifical material layer, a second layer of sacrifical material over the structural material layer, and a protective layer over the second sacrifical material layer.例文帳に追加

マイクロ素子のための構造が、第1の犠牲材料の層,第1の犠牲材料層の上の構造材料の層,構造材料層の上の第2の犠牲材料の層,及び、第2の犠牲材料層の上の保護層、を形成することによって製造される。 - 特許庁

A phase change memory has a structure obtained by sequentially laminating a first polysilicon layer 107, a second polysilicon layer 106, a semiconductor layer 105, a nonvolatile recording material layer 104, a second metal wiring layer 103, and a third metal wiring layer 101, on a first metal wiring layer 102.例文帳に追加

相変化メモリは、第一金属配線層102上に、第一ポリシリコン層107、第二ポリシリコン層106、半導体層105、不揮発性記録材料層104、第二金属配線層103、第三金属配線層101を順に積層した構造である。 - 特許庁

In the vicinity of the connection hole where the second conductive layer and the third conductive layer are connected to each other, the third conductive layer does not overlap with the second conductive layer via a first insulation layer, and the end of the third conductive layer is not formed on the first insulation layer.例文帳に追加

第2の導電層及び第3の導電層が接続する接続孔付近において、第3の導電層が第1の絶縁層を介して第2の導電層に重畳せず、第3の導電層の端部が第1の絶縁層上に形成されない。 - 特許庁

The protective layer 4 consists of a hard first protective layer 4a covering the outer face of the information layer 3, a soft second protective layer 4b covering the outer face of the first protective layer 4a, and a hard third protective layer 4c covering the outer face of the second protective layer 4b.例文帳に追加

前記保護層4を、前記情報層3の外面を覆う硬質の第1保護層4aと、当該第1保護層4aの外面を覆う軟質の第2保護層4bと、当該第2保護層4bの外面を覆う硬質の第3保護層4cとから構成する。 - 特許庁

The light control layer 22 compensates a difference between the reflection index of an n-type clad layer consisting of the first n-type clad layer 21 and the second n-type clad layer 23 and the reflection index of a p-type clad layer consisting of a first p-type clad layer 25 and a second p-type clad layer 26.例文帳に追加

光コントロール層22によって、第1n型クラッド層21と第2n型クラッド層23からなるn型クラッド層の屈折率と、第1p型クラッド層25と第2p型クラッド層26からなるp型クラッド層の屈折率との差が補償される。 - 特許庁

The first switch SW1 includes a first diffusion layer region 11 of a first conductive p-type formed on a substrate 15 of the first conductive p-type, and a first MOS transistor 10 formed on the first diffusion layer region 11.例文帳に追加

第1スイッチSW1は、第1導電型Pの基板15上に形成された第1導電型Pの第1拡散層領域11と、第1拡散層領域11上に形成された第1MOSトランジスタ10とを備える。 - 特許庁

An actuator having a conductive layer and an ion-conducting layer includes: a first layer which is provided in contact with the actuator and is formed from a polymer that suppresses permeation of water; and a second layer which is provided in contact with the first layer, has a lower tensile elastic modulus than that of the first layer, and is formed from a polymer that protects the first layer.例文帳に追加

導電層とイオン伝導層を有するアクチュエータにおいて、前記アクチュエータに接して設けられた水の透過を抑制する高分子からなる第1の層と、前記第1の層に接して設けられた、前記第1の層より引張弾性率が小さい、前記第1の層を保護する高分子からなる第2の層を有するアクチュエータ。 - 特許庁

The light-emitting element includes: a light-emitting structure including a first conductive type semiconductor layer, a second conductive type semiconductor layer, and an active layer between the first conductive type semiconductor layer and the second conductive type semiconductor layer; a first amorphous layer on the light-emitting structure; and a nano-structure in a nano-particle form on the first amorphous layer.例文帳に追加

本発明の発光素子は第1導電型半導体層、第2導電型半導体層および前記第1導電型半導体層と前記第2導電型半導体層の間に活性層を含む発光構造物と、前記発光構造物上に第1非晶質層、および前記第1非晶質層上にナノ粒子形態のナノ構造物と、を含む。 - 特許庁

The organic electroluminescent element comprises a first electrode, a second electrode, and at least a luminous layer interposed between the first electrode and the second electrode, the luminous layer is formed of a first luminous layer and a second luminous layer, while an exciton pinning layer is interposed between the first luminous layer and the second luminous layer, and its manufacturing method is provided.例文帳に追加

第1電極と、第2電極と、第1電極と第2電極との間に介在する少なくとも発光層を備える有機層と、を含み、発光層は、第1発光層及び第2発光層から形成されるが、第1発光層と第2発光層との間にエキシトンピンニング層が介在する有機電界発光素子及びその製造方法である。 - 特許庁

The light recording medium 100 is constituted of a recording layer having a first layer 20 containing Sn and Bi; a second layer 30 approximated to the first layer 20 and reacted with the first layer 20 by providing the same with an external energy; and an oxidizable layer 50 containing an oxidizable substance, readily oxidized compared with Sn and Bi and laminated on the first layer 20.例文帳に追加

記録層が、SnとBiとを含む第1層20と第1層20と近接しかつ外部エネルギーを付与することによって第1層20と反応する第2層30とを有し、Sn及びBiよりも酸化されやすい被酸化物質を含む被酸化層50が第1層20に積層されている光記録媒体100である。 - 特許庁

The semiconductor wafer 100 includes a semiconductor bulk 10, a first embedded insulating layer 20 provided on the semiconductor bulk, a first semiconductor layer 30 provided on the first embedded insulating layer, a second embedded insulating layer 40 provided on the first semiconductor layer, and a second semiconductor layer 50 provided on the second embedded insulating layer.例文帳に追加

半導体ウェハ100は、半導体バルク10と、半導体バルク上に設けられた第1の埋込み絶縁層20と、第1の埋込み絶縁層上に設けられた第1の半導体層30と、第1の半導体層上に設けられた第2の埋込み絶縁層40と、第2の埋め込み絶縁層上に設けられた第2の半導体層50とを備えている。 - 特許庁

The columnar section 130 contains a first-conductivity type layer 102, a light absorbing layer 103, and a second-conductivity type layer 104.例文帳に追加

柱状部130は、第1導電型層102、光吸収層103、および第2導電型層104を含む。 - 特許庁

The second adhesive layer 9 is formed, using the same material as that of the first adhesive layer 6, and has a double-layer structure.例文帳に追加

第2の接着剤層9は同一材料で形成されかつ弾性率が異なる2層構造を有している。 - 特許庁

In the method for manufacturing of the semiconductor device, a buffering layer 520 is given and a first semiconductor layer 530 is formed on the surface of the buffering layer.例文帳に追加

バッファ層を提供するとともに、第1の半導体層530をバッファ層520の表面に形成する。 - 特許庁

A wire 58 including a conductive layer pattern 54 and a second insulating layer pattern 56 is formed on the first insulating layer.例文帳に追加

前記第1絶縁層上に、導電層パターン54及び第2絶縁層パターン56を含む配線58が形成される。 - 特許庁

The optical fiber is formed by successively covering a core with a clad 3, a first coating layer 4, a peeling layer and a second coating layer 6.例文帳に追加

光ファイバ1は、コアをクラッド3、第1被覆層4、剥離層、第2被覆層6が順次被覆して形成される。 - 特許庁

A communication coil 24 comprises a printed circuit board 51 having a double layer structure of a first layer 51a and a second layer 51b.例文帳に追加

通信コイル24を、第1の層51aと第2の層51bの2層構造をなすプリント基板51で構成する。 - 特許庁

The first metal layer 24 and removable layer 26 are disposed between the electronic device 18 and the base insulative layer 10.例文帳に追加

第1の金属層24及び取外し可能な層26は電子デバイス18とベース絶縁層10との間に配設される。 - 特許庁

The first magnetic layer 16 is etched by using a resist layer for an etching mask to apply patterning to the magnetic layer to have a prescribed shape.例文帳に追加

レジスト層をエッチングマスクとして、第1磁性層16をエッチングし、磁性層を所定の形状にパターニングする。 - 特許庁

On a semiconductor substrate, a first insulating layer 1, a second insulating layer 2, and a third insulating layer 3 are stacked in order.例文帳に追加

半導体基板上に第1の絶縁層1、第2の絶縁層2、第3の絶縁層3の順番に積層する。 - 特許庁

The carpet body layer, the first backing fiber layer and the second backing fiber layer are preferably laminated integrally in the order.例文帳に追加

そして、カーペット本体層,第一バッキング繊維層,第二バッキング繊維層の順に積層一体化されているのが好ましい。 - 特許庁

A Cu plating layer 15 and an Ni plating layer 17 are formed on the Cu sputtered layer 13 by first electroplating.例文帳に追加

次に、第1電解メッキにより、Cuスパッタ層13上にCuメッキ層15及びNiメッキ層17を形成する。 - 特許庁

例文

At the second layer forming process S3, a second layer 20 is formed on the first layer 10 and on the hollow portion 11.例文帳に追加

第2層形成工程S3では、第1層10及び空洞部分11の上に第2層20が形成される。 - 特許庁




  
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