「First layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(39ページ目) - Weblio英語例文検索

This optical recording medium 1 has a structure where a first recording layer 31, a first reflection layer 41, an intermediate layer 15, a protective layer 7, a second recording layer 32, a second reflection layer 42, and a second base 22 are sequentially stacked in this order on a first substrate 21 which becomes the light incidence side.例文帳に追加

光記録媒体１は、光入射側となる第１の基板２１上に、第１の記録層３１、第１の反射層４１、中間層１５、保護層７、第２の記録層３２、第２の反射層４２及び第２の基板２２がこの順に積層された構成を有している。 - 特許庁

The positive electrode member includes a first active material layer 2A having a positive electrode active material, a second active material layer 2B having a positive electrode active material and disposed to face the first active material layer 2A, and a positive electrode current collecting layer 1 disposed between the first active material layer 2A and the second active material layer 2B.例文帳に追加

正極活物質を有する第１活物質層２Ａと、正極活物質を有し、第１活物質層２Ａに対向して配置される第２活物質層２Ｂと、第１活物質層２Ａと第２活物質層２Ｂとの間に配置される正極集電層１とを備える。 - 特許庁

Since the pile 31 of the first flocked layer 3 and the pile 51 of the second flocked layer 5 have the same or similar color, even when the pile 51 of the second flocked layer 5 protrudes from the adhesive layer 4 applied onto the first flocked layer 3 and adheres onto the first flocked layer 3, neither conspicuousness nor color mixing occurs.例文帳に追加

第１の植毛層３のパイル３１と第２の植毛層５のパイル５１とは同色又は類似色であるから、第１の植毛層３上に塗布した接着剤４層を第２の植毛層５のパイル５１がはみ出して付着しても目立たず色混じりが起こらない。 - 特許庁

A connection structure between transmission line layers 100 is composed of a second conductor layer 5B, a second dielectric layer 1B, a second ground conductor layer 2B, a third dielectric layer 1C, a first ground conductor layer 2A, a first dielectric layer 1A, and a first conductor 3A, which are all laminated.例文帳に追加

伝送線路層間接続構造１００は、第２の導体層５Ｂ、第２の誘電体層１Ｂ、第２の地導体層２Ｂ、第３の誘電体層１Ｃ、第１の地導体層２Ａ、第１の誘電体層１Ａ、第１の導体層３Ａが積層されて構成される。 - 特許庁

This air filter is provided with a first filter layer 11, which is impregnated with oil, and a second filter layer 12 as an oil repellent layer having an oil repellent property provided downstream of the first filter layer 11 and a filter material in the first filter layer 11 is provided to be denser than filter material in the second filter layer 12.例文帳に追加

油が含浸された第１のフィルタ層１１と、第１のフィルタ層１１よりも下流に設けられ、油をはじく性質を有する撥油層たる第２のフィルタ層１２とを備え、第１のフィルタ層１１のフィルタ材を第２のフィルタ層１２のフィルタ材より密に設ける。 - 特許庁

The treated tooth cloth 6 for this toothed belt 1 is composed of a first layer 9 comprising rubber impregnated in canvas, a second rubber layer 10 formed on the surface side of the first layer, and a third rubber layer 11 formed on the back side of the first layer, and adhered to a belt main body rubber layer 3.例文帳に追加

歯付ベルト１の処理歯布６がゴムを原帆布に含浸させた第１層９と、第１層の表面側に形成された第２ゴム層１０と、該第１層の裏面側に形成され前記ベルト本体ゴム層３に接着される第３ゴム層１１とで構成される。 - 特許庁

A second conductivity type second semiconductor layer 3 is provided in contact with a first conductivity type first semiconductor layer 1 having through holes, an insulating layer 5 is provided on the backside of the first semiconductor layer 1, and an overlying conductive layer 7 is connected electrically with the second semiconductor layer 3.例文帳に追加

貫通孔が設けられた第１導電型の第１半導体層１に接して第２導電型の第２半導体層３を設け、第１半導体層１の裏面には絶縁層５を設け、その上の導電層７は第２半導体層３に電気的に接続する。 - 特許庁

A laminated structure with a first SiGe layer 14 is formed on a buried insulating layer 21 through a laminating method, thereafter a second SiGe layer 41 higher in germanium content than the first SiGe layer 14 is formed on the first SiGe layer 14, and a silicon layer 42 is formed thereon.例文帳に追加

貼り合わせ方により、埋め込み絶縁層２１上に第１のＳｉＧｅ層１４を有する積層構造体を作製し、その後、第１のＳｉＧｅ層１４上にそれよりゲルマニウム濃度が高い第２のＳｉＧｅ層４１を形成し、その上にシリコン層４２を形成する。 - 特許庁

A first contact layer 103, which is formed in ohmic contact with the first semiconductor layer 102 and the second semiconductor layer 104 and is an oxide layer including zinc, is formed between the first semiconductor layer 102 and the second semiconductor layer 104.例文帳に追加

第１の半導体層１０２と第２の半導体層１０４との間には、第１の半導体層１０２及び第２の半導体層１０４のそれぞれとオーミック接触して形成され、且つ亜鉛を含む酸化物層である第１のコンタクト層１０３が形成されている。 - 特許庁

This superconductor multilayer structure is provided with a first thin dielectric layer which is formed on a first superconductor layer on a substrate by using high frequency sputtering, a second dielectric layer which is formed thickly on the first dielectric layer by using DC reactive sputtering, and a second superconductor layer formed on the second dielectric layer.例文帳に追加

基板上の第一超電導体層に高周波スパッタリングにより形成した薄い第一誘電体層と該第一誘電体層に直流反応性スパッタリングにより厚く形成した第二誘電体層と該二誘電体層に形成した第二超電導体層を備える。 - 特許庁

The capacitance element is provided with a first metal layer 11, a dielectric material layer 12 formed on the first metal layer 11, and a second metal layer 13 which is formed on the dielectric material layer 12; and is provided with a plurality of projected portions 15 at the surface opposing to the first metal layer 11.例文帳に追加

第１の金属層１１と、第１の金属層１１上に形成された誘電体層１２と、誘電体層１２上に形成され、第１の金属層１１と対向した面に複数の凸部１５が設けられた第２の金属層１３とを具備したことを特徴する。 - 特許庁

A thin film magnetic head is provided with a first magnetic layer 8 and a second magnetic layer 14 (14A, 14B), a gap layers (9A-9C) provided between the first magnetic layer 8 and the second magnetic layer and a thin film coil 10, a part of which is provided between the first magnetic layer 8 and the second magnetic layer.例文帳に追加

薄膜磁気ヘッドは、第１の磁性層８および第２の磁性層（１４Ａ，１４Ｂ）と、第１の磁性層８と第２の磁性層との間に設けられたギャップ層（９Ａ〜９Ｃ）と、一部が第１の磁性層８および第２の磁性層の間に設けられた薄膜コイル１０とを備えている。 - 特許庁

A wiring board 1 includes a first glass ceramic layer 11, a second glass ceramic layer 12 laminated on the first glass ceramic layer 11, a conductor pattern 13 formed between the first glass ceramic layer 11 and the second glass ceramic layer 12, and a third glass ceramic layer 14 covering the conductor pattern 13.例文帳に追加

配線基板１は、第１ガラスセラミック層１１と、第１ガラスセラミック層１１に積層された第２ガラスセラミック層１２と、第１ガラスセラミック層１１と第２ガラスセラミック層１２との間に形成された導体パターン１３と、導体パターン１３を覆っている第３ガラスセラミック層１４とを含んでいる。 - 特許庁

Then, the first unhardened resin sheet 14 is pasted to the surface of a core substrate on which the first conductive layer is formed, and the first unhardened resin sheet 14 is hardened into a first insulating layer.例文帳に追加

次に、第１の未硬化樹脂シート１４をコア基板の第１の導電層が形成された面とを貼り合わせ、第１の未硬化樹脂シート１４を硬化して第１の絶縁層とする。 - 特許庁

In the method for manufacturing a wiring substrate, a first solder resist layer 102 is formed on a supporting substrate, a first opening is formed on the first solder resist layer 102, and an electrode 103 is formed on the first opening.例文帳に追加

支持基板上に第１のソルダーレジスト層１０２を形成し、第１のソルダーレジスト層１０２に第１の開口部を形成し、第１の開口部に電極を１０３形成する。 - 特許庁

The first FLR layer 4 is provided on a first primary surface of the first semiconductor layer 2 in the termination region, surrounds the element region, and is electrically connected to the first electrode 9.例文帳に追加

第１のＦＬＲ層４は、終端領域において第１の半導体層１の第１の主面に設けられ、素子領域を取り囲み、第１の電極９と電気的に接続される。 - 特許庁

The formatting means determines a first radius-directional position indicative of a position on a first layer where user data is recorded first according to the first layer and a predefined recording format.例文帳に追加

フォーマット手段は、第１の層と、予め規定された記録フォーマットに従ってユーザデータが最初に記録される、第１の層上の位置を示す第１の半径方向位置とを決定する。 - 特許庁

The first layer has a first carrier and a first catalyst substance carried by the first carrier, and the second layer has a second carrier and a second catalyst substance carried by the second carrier.例文帳に追加

第１層は第１担体と第１担体に担持された第１触媒物質とを有すると共に、第２層は第２担体と第２担体に担持された第２触媒物質とを有する。 - 特許庁

The light-emitting device includes a first conductivity-type first semiconductor layer having a first surface, and the active region formed overlying the first semiconductor layer.例文帳に追加

本発明の実施の形態による発光デバイスは、第１の面を有する第１導電型の第１半導体層、及び第１半導体層の上に重なって形成された活性領域を含む。 - 特許庁

In one embodiment, the semiconductor device includes a first field-effect transistor having a first layer of a semiconductor material and a first source/drain region formed in the first layer.例文帳に追加

一実施例において、半導体デバイスは半導体材料の第１の層と、第１の層中に形成された第１のソース／ドレイン領域を有する第１の電界効果トランジスタを含む。 - 特許庁

An average rate of change of the In composition ratio of the first p-side intermediate layer along the first direction is lower than that of the first n-side intermediate layer along the first direction.例文帳に追加

第１ｐ側中間層のＩｎ組成比の第１方向に沿った平均の変化率は、第１ｎ側中間層のＩｎ組成比の第１方向に沿った平均の変化率よりも低い。 - 特許庁

The first silicide layer 50 has a thickness of not less than 30 nm.例文帳に追加

第１シリサイド層５０の膜厚は３０ｎｍより大きい。 - 特許庁

The first reflection layer 53 diffuse-reflects incident light.例文帳に追加

第１の反射層５３は、入射した光を拡散反射する。 - 特許庁

The average thickness of the first coating layer 3 is 1.6-5 μm.例文帳に追加

また、第１の被膜３の平均厚さは、１．６〜５μｍである。 - 特許庁

First, a thin film layer of PLLA is formed (thin film formation step).例文帳に追加

まず、ＰＬＬＡの薄膜層を形成する（薄膜形成工程）。 - 特許庁

Then, an opening 5 is formed at the first insulating layer 3a.例文帳に追加

次に、第１絶縁層３ａに開口部５が形成される。 - 特許庁

The first layer contains a compound with conjugated double bonds.例文帳に追加

第１の層は、共役二重結合を含む化合物を含む。 - 特許庁

A first single-crystal semiconductor layer is disposed over an insulating substrate.例文帳に追加

絶縁基板に第１の単結晶半導体層を配置する。 - 特許庁

In a first processing step, a photoresist is applied to a base layer 3.例文帳に追加

ベース層３上に、第１処理ステップにてフォトレジストを適用。 - 特許庁

The channel wall is formed in two layers and a fixed part is formed with the first layer.例文帳に追加

流路壁を２層化し、１層目で固定部を形成する。 - 特許庁

The first via contact layer V1 connects wiring layers Ma, Mb.例文帳に追加

第１ビアコンタクト層Ｖ１は配線層Ｍａ、Ｍｂを接続する。 - 特許庁

A semiconductor substrate has a surface layer part of a first conductivity.例文帳に追加

半導体基板が、第１の導電型の表層部を有する。 - 特許庁

The first line is in a layer of a circuit including a semiconductor material.例文帳に追加

第一の線は、半導体材料を含む回路の層にある。 - 特許庁

The position P2 is on the protective layer 2 near the first side 1a.例文帳に追加

位置Ｐ２は、第１辺１ａ近傍の保護層２上である。 - 特許庁

The first crystal control layer 4 is formed with an L12 type alloy.例文帳に追加

第一結晶制御層４はＬ１２型合金で形成する。 - 特許庁

The rectifier element has a first nitride semiconductor layer 3.例文帳に追加

整流素子は、第１の窒化物半導体層３を備えている。 - 特許庁

First, the semiconductor substrate serving as a base of the semiconductor layer is prepared.例文帳に追加

まず、半導体層の基となる半導体基板を準備する。 - 特許庁

The first coil layer 11 has turn parts 11e, 11c.例文帳に追加

第１のコイル層１１はターン部１１ｅ，１１ｃを有している。 - 特許庁

Then, whether the mesh is a first layer is determined (S115).例文帳に追加

そして、メッシュが第１層であるか否かを判定する（Ｓ１１５）。 - 特許庁

The first conductivity type clad layer is formed on the substrate.例文帳に追加

第１導電型のクラッド層は、基板上に形成されている。 - 特許庁

The first layers 4, 5 are formed on a base layer.例文帳に追加

ここで、第一の層４，５は、下地層上に形成されている。 - 特許庁

The first layer 30 is formed on the semiconductor substrate 20.例文帳に追加

第１層３０は、半導体基板２０の上に形成される。 - 特許庁

The first insulating layer 4 is set to 5 or lower in relative permittivity ε.例文帳に追加

第１の絶縁層４は、誘電率εを５以下とする。 - 特許庁

The first semiconductor layer is formed on the major surface 101a.例文帳に追加

第１半導体層は、主面１０１ａ上に形成される。 - 特許庁

A first electrode 16 is deposited on an epitaxial layer 14.例文帳に追加

第１の電極１６をエピタキシャル層１４上に堆積させる。 - 特許庁