「First layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(34ページ目) - Weblio英語例文検索

A polyelectrolyte film includes a first electrolyte layer including a first ion-conducting electrolyte and a second electrolyte layer disposed on both surfaces of the first electrolyte layer.例文帳に追加

本発明の高分子電解質膜は、第１のイオン伝導性電解質を含む第１の電解質層と、当該第１の電解質層の両面に配置された第２の電解質層とを有する。 - 特許庁

When an electric field is given to an electrolytic layer 4 between a first electrode layer 2 of a first block BK1 and a second electrode layer 3, a bending stress occurs in the first block BK1.例文帳に追加

第１のブロックＢＫ１の第１の電極層２と第２の電極層３との間の電解質層４に電界を与えると、第１のブロックＢＫ１に曲げ応力が発生する。 - 特許庁

A vessel 30 contains a first liquid layer 32 containing a first liquid, and a second liquid layer 34 containing a second liquid layer forming the liquid-liquid interface with the first liquid.例文帳に追加

容器３０は、第１の液体を含む第１の液体層３２と、第１の液体と液液界面を形成する第２の液体を含む第２の液体層３４とを収容する。 - 特許庁

A first photoresist layer 32 is formed on the substrate 30, thereafter, the first photoresist layer 32 is patterned and, thereby, the alignment mark 33 is formed from the first photoresist layer 32.例文帳に追加

基板３０上に第１のフォトレジスト層３２を形成した後、第１のフォトレジスト層３２をパターニングすることによって第１のフォトレジスト層３２からアライメントマーク３３を形成する。 - 特許庁

The first conductor insulating layer engages the first conductor and is disposed between the first conductor and a first wafer material (206).例文帳に追加

第１の導体絶縁層は、第１の導体と係合し、第１の導体と第１のウェーハ材料（２０６）との間に配置されている。 - 特許庁

The first conductive layer 20 is provided with a first connecting part 21 and a first contact 22 is formed above the first connecting part 21.例文帳に追加

第１導電層２０には第１接続部２１が設けられ、第１接続部２１の上方には第１コンタクト２２が形成されている。 - 特許庁

The first support 10 has translucency and includes a first base 12 and a first conductive layer 14 formed on a surface of the first base 12.例文帳に追加

第１支持体１０は、第１基体１２とその表面に形成された第１導電層１４とを備え、透光性を持つ。 - 特許庁

A substrate, an n-type clad layer, an active layer, a p-type clad layer, and a multiple ohmic contact layer are sequentially stacked, and the multiple ohmic contact layer is a nitride-based light-emitting element formed by a first transparent thin-film layer, an Ag layer, and a second transparent thin-film layer.例文帳に追加

基板、ｎ型クラッド層、活性層、ｐ型クラッド層、マルチオーミックコンタクト層が順次に積層されており、マルチオーミックコンタクト層は、第１透明薄膜層／Ａｇ／第２透明薄膜層より形成される窒化物系発光素子である。 - 特許庁

A first vertical region 114 is formed having a first light attenuation parameter through the combination of the transparent substrate 102, first layer 106 and second layer 110.例文帳に追加

第１の層１０６及び透過基板１０２の組合せによる第２の光減衰パラメータを有するように、第２の垂直領域１１６を形成する。 - 特許庁

The first dielectric layer 60 contains a first dopant, and the (optional) second dielectric layer 65 includes a second dopant different from the first dopant.例文帳に追加

第１の誘電体層６０は第１のドーパントを含み、（随意の）第２の誘電体層６５は第１のドーパントとは異なる第２のドーパントを含む。 - 特許庁

A first buried layer 114 is of the first conductivity type, and extends from below the first high-concentration diffusion layer 109 toward the gate electrode 106.例文帳に追加

第１埋込層１１４は第１導電型であり、第１高濃度拡散層１０９の下方からゲート電極１０６に向けて延在している。 - 特許庁

The first dummy via 7a is formed on the first-layer metal 3, and there is no second-layer metal 9 formed on the first dummy via 7a.例文帳に追加

第１ダミーＶＩＡ７ａは第１層目メタル３上に形成され、第１ダミーＶＩＡ７ａ上には第２層目メタル９は形成されていない。 - 特許庁

At such a time, the spacing between the first electrode layer 28 and the first substrate 25 is different to the spacing between the second electrode layer 29 and the first substrate 25.例文帳に追加

このとき、第１の電極層２８と第１の基板２５との間隔は、第２の電極層２９と第１の基板２５との間隔と異なっている。 - 特許庁

A first mask having a first aperture is formed on a contact layer 109 and the contact layer 109 exposed from the first aperture is etched.例文帳に追加

コンタクト層１０９上に、第１開口部を有する第１マスクを形成して、第１開口部から露出しているコンタクト層１０９をエッチングする。 - 特許庁

The first isolation layer is irradiated with light, an exfoliation in the first isolation layer is induced, and the first substrate is detached.例文帳に追加

次に前記第１の分離層に対して光照射を行うことにうより、前記第１の分離層における剥離を誘起して、前記第１の基板を脱離させる。 - 特許庁

The first layer 30 includes a first portion 31 and the like and a second region 32 and the like with a layer thickness smaller than that of the first portion 31 and the like arranged alternately.例文帳に追加

第１層３０は、第１部分３１等と、その第１部分３１等より層厚の薄い第２部分３２等とを交互に有している。 - 特許庁

The first ground electrode layer 31 is connected to the first and second ground terminals, and has a region 31A overlapping on the first signal electrode layer 21.例文帳に追加

第１のグランド電極層３１は、第１及び第２のグランド端子と接続され、第１の信号電極層２１と重なる領域３１Ａを有する。 - 特許庁

The internal face 22 of the first layer and the first face 44 of the second layer form a first gap section 96 in which a gel-like substance is filled.例文帳に追加

第１の層の内面（２２）と第２の層の第１の面（４４）とによって、ゲル様物質（１５）が充填される第１の空隙部（９６）が形成される。 - 特許庁

A semiconductor device includes a first layer of a semiconductor material and a field-effect transistor having a first source/drain region formed in the first layer.例文帳に追加

半導体デバイスは半導体材料の第１の層と、第１の層中に形成された第１のソース／ドレイン領域を有する電界効果トランジスタを含む。 - 特許庁

The first electrode is provided to the lower surface of the first semiconductor layer, while a plurality of the first insulating layers are formed on the third semiconductor layer keeping a constant interval.例文帳に追加

第１の電極は、第１の半導体層下面に設けられ、第１の絶縁層は、第３の半導体層上に一定の間隔で複数形成される。 - 特許庁

(c) A first conductive first group III nitride semiconductor layer 33 is formed on or above the buffer layer 32 after raising a temperature of the substrate 31 to a first temperature.例文帳に追加

（ｃ）基板３１を第１の温度にして、バッファ層３２上または上方に第１導電型の第１の３族窒化物半導体層３３を形成する。 - 特許庁

The first signal electrode layer 21 is connected to the first signal terminal 11 and opposes the ground electrode layer 31 so as to construct a first capacitor C11.例文帳に追加

第１の信号電極層２１は、第１の信号端子１１に接続され、グランド電極層３１と対向して第１のコンデンサＣ１１を構成する。 - 特許庁

The first mesa 21 includes a first conductivity type semiconductor layer 20, and has a portion where the electrode 61 of the first conductivity type semiconductor layer 20 is formed.例文帳に追加

第１メサ２１は、第１導電型の半導体層２０を含み、第１導電型の半導体層２０の電極６１が形成される部分を有する。 - 特許庁

The organic electroluminescent element has a first negative electrode, a first organic layer, a first positive electrode, a second negative electrode, a second organic layer and a second positive electrode arranged successively.例文帳に追加

そこで、上記問題点を解決するために、有機ＥＬ素子を２つ重ねた有機ＥＬ素子を交流の信号によって駆動する方法が考えられた。 - 特許庁

A semiconductor light-emitting element comprises: a first semiconductor layer of a first conductivity type; a second semiconductor layer of a second conductivity type; a light-emitting part; a first conductive layer; and a second conductive layer.例文帳に追加

実施形態によれば、第１導電形の第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、発光部と、第１導電層と、第２導電層と、を備えた半導体発光素子が提供される。 - 特許庁

In a semiconductor device 40, a first source layer 2a is provided at an upper part of a semiconductor substrate 1, and a second source layer 2b which is deeper than the first source layer 2a and has a recess 3 is provided in the first source layer 2a.例文帳に追加

半導体装置４０では、半導体基板１の上部に、第１のソース層２ａが設けられ、第１のソース層２ａ内に第１のソース層２ａより深く、凹部３を有する第２のソース層２ｂが設けられる。 - 特許庁

An optical switch module is provided with a first core layer 514 having a first thickness, a second core layer 511 which is thinner than the layer 514 and a core layer 507 which is provided between the first and the second layers and has a taper.例文帳に追加

第１の厚さを有する第１コア層と５１４と、第１コア層より薄い第２コア層５１１と、第１コア層及び第２コア層の間に設けられたテーパの付されたコア層５０７とを有する光スイッチモジュール。 - 特許庁

Since Zn doped in the heavily doped p-type first clad layer 8 can be diffused to the first undoped layer 7 and the second undoped layer 9, thickness of the first undoped layer 7 can be reduced.例文帳に追加

このため、高濃度ｐ型第１クラッド層８にドープされたＺｎの拡散を第１アンドープ層７と第２アンドープ層９とに分散させることができるので、第１アンドープ層７の厚みを小さくすることができる。 - 特許庁

On a side C of a sapphire substrate 1, an AlGaN first buffer layer 2, a GaN second buffer layer 3 and a first GaN layer 4 are grown sequentially, and the first GaN layer 4 on a line A-A in the figure is polished.例文帳に追加

サファイア基板１のＣ面上に、ＡｌＧａＮ第１バッファ層２、ＧａＮ第２バッファ層３および第１ＧａＮ層４を順に成長させ、図中のＡ−Ａ線上の第１ＧａＮ層４を研磨する。 - 特許庁

The stacked structure includes a first semiconductor layer of a first conductive type, a second semiconductor layer of a second conductive type, and a light-emitting portion provided between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer.例文帳に追加

積層構造体は、第１導電形の第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光部と、を有する。 - 特許庁

The method for producing the photo-curing resin molding uses the photo-curable resin composition comprising a first resin layer and a second resin layer covering the first resin layer and having different absorption wavelength range from the absorption wavelength range of the first resin layer.例文帳に追加

特に穴部に充填した場合に穴の底部分との間に隙間が少なく、接着強度の強い光硬化性樹脂成形物の製造方法および歯科用充填物の製造方法を提供する。 - 特許庁

A first outer electrode 15 includes a first conductive layer 16 not including Ag, and a second conductive layer 17 stuck on the first conductive layer 16 so as to be located on the outermost layer and including Ag.例文帳に追加

第１の外部電極１５は、Ａｇを含まない第１の導電層１６と、最外層に位置するように第１の導電層１６の上に積層されており、Ａｇを含む第２の導電層１７とを有する。 - 特許庁

The second layer underlying the first layer is a power supply wiring layer and a first power supply plane 2a and a second power supply plane 2b are separately formed on the layer so that the first plane 2a may surround the second plane 2b.例文帳に追加

その下の第２層は、電源配線層であって、第１電源プレーン２ａと第２電源プレーン２ｂとが分離されて、かつ第１電源プレーン２ａが第２電源プレーン２ｂを囲むように形成されている。 - 特許庁

A second semiconductor layer 4 is formed on the surface of a first semiconductor layer 3, has the same conductivity type as that of the first semiconductor layer 3, and has the concentration of impurities that is higher than that of the first semiconductor layer 3.例文帳に追加

第２の半導体層４は第１の半導体層３の表面に形成され、第１の半導体層３と同じ導電型を有し、第１の半導体層３よりも高い不純物濃度を有している。 - 特許庁

The horizontal HEMT includes a substrate 10, a first layer 11 to serve as a first conduction type channel disposed on the substrate, and a second layer 12 to constitute an electron supply layer disposed at least partially on the first layer 11.例文帳に追加

基板１０と、基板上に配置された、第１導電型のチヤネルとなる第１層１１、少なくとも部分的に上記第１層１１の上に配置された電子供給層となる第２層１２を有する。 - 特許庁

The cathode terminal 15 is formed of a first conductive layer 19 communicating with the second electrode 18 and a second conductive layer 20 stacked on the first conductive layer 19 and communicating with the first conductive layer 19.例文帳に追加

陰極端子１５は、第二の電極１８に導通する第一の導電層１９と、第一の導電層１９に積層され第一の導電層１９に導通する第二の導電層２０と、からなるものである。 - 特許庁

The area of a first region facing the first diffusion layer 115, of the third diffusion layer 14A is larger than the area of a second region facing the first diffusion layer 115, of the second diffusion layer 114B.例文帳に追加

第３拡散層１４Ａにおいて、第１拡散層１１５に対向する第１領域の面積は、第２拡散層１１４Ｂにおいて第１拡散層１１５に対向する第２領域の面積より大きい。 - 特許庁

The first contact layer is selectively provided between the window layer and the first electrode so as not to overlap with the first contact layer and the second contact layer when viewed from above.例文帳に追加

前記第１コンタクト層は、前記窓層と前記第１電極との間に選択的に設けられ、上方からみて、前記第１コンタクト層と、前記第２コンタクト層と、は、重ならないように設けられたことを特徴とする。 - 特許庁

Accordingly, cracks occurring at the first semiconductor layer 3 can be inhibited at the boundary surface of the first semiconductor layer 3 with the second substrate 4 when causing the growth of the second semiconductor layer 5 on the first semiconductor layer 3.例文帳に追加

そのため、第１半導体層３上に第２半導体層５を成長させる際に、第２基板４と第１半導体層３の界面において、第１半導体層３に発生するクラックを抑制することができる。 - 特許庁

Each frame member has; a first layer which is in contact with the frame body; and a second layer which is laminated to the first layer , and which is positioned at a side opposite to the frame body, and also whose amount of thermal expansion is smaller than that of the first layer.例文帳に追加

枠部材は、フレーム本体に当接した第１層と、第１層に積層されフレーム本体と反対側に位置しているとともに、第１層よりも熱膨張量が小さい第２層と、を有している。 - 特許庁

The air electrode 5 comprises a first layer 15 one side of which is connected to the electrolyte film 4, and a second layer 16 connected to the other side of the first layer 15 and having a crack 21 extending from the surface to the first layer 15.例文帳に追加

空気極５は、電解質膜４に一方の面を接続した第１層１５と、第１層１５の他方の面に接続し、表面から第１層１５へ延びる割れ２１を有する第２層１６とを備える。 - 特許庁

The optical modulator comprises: a first waveguide layer and a barrier layer; and a quantum well layer sandwiched between the first waveguide layer and the barrier layer, where the quantum well layer has a graded composition layer that varies the bandgap energy of the quantum well layer between the minimum bandgap energy and the band gap energy of at least one of the first waveguide layer and the barrier layer.例文帳に追加

本発明の光変調気は、第１の導波路層及び障壁層と、第１の導波路層と障壁層の間に挟まれている量子井戸層とからなり、量子井戸層が、最小のバンドギャップエネルギーと、第１の導波路層及び障壁層の少なくとも一つのバンドギャップエネルギーとの間で、バンドギャップエネルギーが変化する傾斜組成層を有することを特徴とする。 - 特許庁

In a state that the solar battery cells 13 are placed on the first resin layer 12 with the light-receiving faces set to face the surface of the first resin layer 12, the first resin layer 12 is heated to its melting temperature to bond the battery cells 13 by pressure to the first resin layer 12.例文帳に追加

続いて、第１樹脂層１２上に太陽電池セル１３が受光面を対向させて載置した状態で、第１樹脂層１２を溶融温度相当まで加熱し、太陽電池セル１３を第１樹脂層１２に圧着する。 - 特許庁

In the first cycle, a bilayer of a first silicon layer is formed on an upper inner wall of the hole, and a monolayer of the first silicon layer is formed on a lower inner wall of the hole, and then, a surface of the upper silicon layer of the hole is made to be a monolayer of a first silicon oxide layer.例文帳に追加

第１サイクルでは、ホールの上部内壁上に２原子層の第１のシリコン層、ホールの下部内壁上に１原子層の第１のシリコン層を形成後、ホール上部のシリコン層の表面を１分子層の第１の酸化シリコン層とする。 - 特許庁

A conductive layer serving as an auxiliary wire is disposed below a first electrode with a first insulation layer interposed therebetween, and the conductive layer is electrically connected to a second electrode via an opening provided for the first insulation layer and the first electrode.例文帳に追加

補助配線として機能する導電層を、第１の絶縁層を挟んで第１の電極下に配し、第１の絶縁層及び第１の電極に設けた開口部を介して導電層と第２の電極が電気的に接続される構造とした。 - 特許庁