「Ga-S」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

An optical fiber for an optical amplifier contains Ge-Ga-S glass and alkaline metal-halogenide and is doped with Dy.例文帳に追加

Ｇｅ−Ｇａ−Ｓ系ガラスとアルカリ金属−ハロゲン化物を含み、Ｄｙがドーピングされている光増幅器用光繊維である。 - 特許庁

The glossiness Ga and Gb of the respective sides of the paper sheet are detected by detecting means (not shown) for detecting the glossiness of the respective sides of the paper sheet (S 1).例文帳に追加

用紙各面の光沢度を検出する検知手段（図示せず）によって、用紙各面の光沢度Ｇａ、Ｇｂを検知する（Ｓ１）。 - 特許庁

In the case of the equal glossiness of the respective sides (Ga=Gb), the operation is progressed to S 7 and ordinary image formation is performed.例文帳に追加

各面の光沢度が異なる場合にはＳ４にてａ面の光沢度Ｇａがｂ面の光沢度Ｇｂより低いかどうかが判断される。 - 特許庁

Similarly, an optical fiber for an optical amplifier contains Ge-Ga-As-S glass and alkaline metal-halogenide and is doped with Dy.例文帳に追加

同様に、Ｇｅ−Ｇａ−Ａｓ−Ｓ系ガラスとアルカリ金属−ハロゲン化物を含み、Ｄｙがドーピングされている光増幅器用光繊維である。 - 特許庁

As the multi-exciton generator, a compound semiconductor containing at least one or more kinds of elements selected from Cu, In, Ga, Se, S, Te, Zn and Cd is used.例文帳に追加

多励起子発生剤は、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｓｅ、Ｓ、Ｔｅ、Ｚｎ、及びＣｄから選ばれる１種以上の元素を含む化合物半導体が用いられる。 - 特許庁

The oxide semiconductor is expressed by InMO_3(ZnO)_m (M= one or a plurality of element(s) selected from Ga, Fe, Ni, Mn, Co and Al; and m is a non-integer of at least 1 and less than 50).例文帳に追加

ＩｎＭＯ_３（ＺｎＯ）_ｍ（Ｍ＝Ｇａ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｃｏ及びＡｌから選ばれた一又は複数の元素、ｍは１以上５０未満の非整数）である。 - 特許庁

The manufacturing method has a step of receiving the molten glass gob GA into the recessed surface 11 so that the upper end part 114 of the second surface 112 is positioned below the widest part S where the width in the horizontal direction in the molten glass gob GA is widest.例文帳に追加

本発明の製造方法は、溶融ガラス塊ＧＡのうち水平方向に関する幅が最も大きい最広部Ｓの下方に、第２面１１２の上端部１１４が位置するように、溶融ガラス塊ＧＡを凹面１１に受ける工程を有する。 - 特許庁

The well layer is made of Zn, O, and another group VI element S, and is doped with B, Al, or Ga which is an n-type impurity element smaller than Zn in terms of ionic radius.例文帳に追加

井戸層は、Ｚｎと、Ｏと、Ｏ以外のＶＩ族元素であるＳとからなり、かつＺｎよりもイオン半径の小さいｎ型不純物元素である、Ｂ、Ａｌ、又はＧａがドーピングされている。 - 特許庁

The sputtering target contains, by atomic%, 20 to 40% Ga, 0.05 to 2% Na and 0.025 to 1.0% S, and the balance comprising Cu and inevitable impurities.例文帳に追加

Ｇａ：２０〜４０ａｔ％を含有し、 さらに、Ｎａ：０．０５〜２ａｔ％およびＳ：０．０２５〜１．０ａｔ％を含有し、残部がＣｕ及び不可避不純物からなる成分組成を有する。 - 特許庁

This ultraviolet photodetector has an ultraviolet photoreceiving element provided with a photo-semiconductor layer containing at least one or more kind(s) of element(s) selected from the group of Al, Ga and In, and nitrogen, and an electrode, on a substrate, and an end face of the substrate is a photoreceiving face.例文帳に追加

基板上に、少なくとも、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎから選ばれる１種以上の元素と、窒素とを含む光半導体層、並びに電極を設けてなる紫外線受光素子を有し、前記基板の端面が受光面である紫外線受光器である。 - 特許庁

The perpendicular magnetic recording medium contains magnetic crystal particles and a base material surrounding the magnetic crystal particles, and the base material contains an element selected from Zn, Cd, Al, Ga and In, and a component selected from P, As, Sb, S, Se, and Te.例文帳に追加

磁性結晶粒子と、この磁性結晶粒子を取り囲む母材とを有し、母材は、Ｚｎ，Ｃｄ，Ａｌ，Ｇａ，及びＩｎから選択される元素と、Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｓ，Ｓｅ，及びＴｅから選択される成分を含有する。 - 特許庁

Accordingly, even though the contact trace on the peripheral surface of the secondary transfer roller 4 is transferred on a transfer member S, because its transferred position is the holding region GA of the transfer member S, dirt on print by the contact trace is certainly avoided assuring the prevention of print quality deterioration.例文帳に追加

したがって、二次転写ローラー４の周面上の当接痕が転写材Ｓに転写されるものの、その転写位置は転写材Ｓの把持領域ＧＡであるため、当接痕による印刷物の汚れを確実に防止することができ、印刷物の品質低下を確実に防止することができる。 - 特許庁

A first generation unit 62 generates a processing coefficient sequence GA in which a coefficient value g[k] for each frequency is set so as to emphasize the localization component through subtraction processing including subtraction between the sum component M and the difference component S.例文帳に追加

第１生成部６２は、定位成分が強調されるように周波数毎の係数値ｇ[k]が設定された処理係数列ＧAを、和成分Ｍと差成分Ｓとの間の減算を含む減算処理で生成する。 - 特許庁

The light absorbing layer 3 is constituted of XYZ_2 (X is at least one element between Cu and Ag, Y is at least one element among B, In Ga and Al, and Z is at least one element among S, Se and Te).例文帳に追加

光吸収層３は、ＸＹＺ_２（Ｘ＝Ｃｕ、Ａｇのうち少なくとも１元素、Ｙ＝Ｂ、Ｉｎ、Ｇａ、Ａｌのうち少なくとも１元素、Ｚ＝Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅのうち少なくとも１元素）により構成される。 - 特許庁

Further, the axial lines Ja, Jb of the injection holes of the sub fuel injection valve 11 are oriented so that the sub fuel collision point Fa is located upstream of the main fuel collision point Ga with respect to a swirling flow S and that the sub fuel collision point Fb is located upstream of the main fuel collision point Gf with respect to the swirling flow S.例文帳に追加

また、主燃料衝突点Ｇａの旋回流Ｓに関し上流に副燃料衝突点Ｆａが位置し、主燃料衝突点Ｇｆの旋回流Ｓに関し上流に副燃料衝突点Ｆｂが位置するように、副燃料噴射弁１１の噴孔軸線Ｊａ，Ｊｂが指向される。 - 特許庁

The ultraviolet photodetector has the ultraviolet photoreceiving element provided with the photo-semiconductor layer containing at least one or more kind(s) of element(s) selected from the group comprising Al, Ga and In, and nitrogen, and the electrode, on the substrate, and the photodetector is provided with a light transmitting member for making light incident into the photo-semiconductor layer.例文帳に追加

また、基板上に、少なくとも、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎから選ばれる１種以上の元素と、窒素とを含む光半導体層、並びに電極を設けてなる紫外線受光素子を有し、前記光半導体層に光を入射する光伝送部材を備えてなる紫外線受光器である。 - 特許庁

The electrode catalyst consists of an alloy which contains at least one platinum group element and at least one element selected from a group consisting of B, C, Be, Si, P, S, Ga, As and Se, and the crystalline structure of which is amorphous.例文帳に追加

電極触媒は、少なくとも一つの白金族元素と、Ｂ、Ｃ、Ｂｅ、Ｓｉ、Ｐ、Ｓ、Ｇａ、Ａｓ及びＳｅからなる群から選ばれる少なくとも一つの元素とを含み、その結晶構造が非晶質状態である合金からなる。 - 特許庁

Each of first and second flow path plates Ga and Gb as arbitrary two sheets of flow path plates adjoining in a layering direction of a plate layered body S has an escape groove 18 capable of avoiding contact with protrusions 17, at regions opposed to the protrusions (burr and deformity) 17 protruded in the layering direction of the plate layered body S.例文帳に追加

プレート積層体Ｓの積層方向に隣接する任意の２枚の流路プレートである第１及び第２の流路プレートＧａ、Ｇｂのそれぞれが、プレート積層体Ｓの積層方向に突出した突状部（バリ、変形）１７に対向する領域に、突状部１７との当接を回避し得る逃げ溝１８を有するように構成する。 - 特許庁

The cathode catalyst for the fuel cell consists of an alloy which contains at least one element of the platinum group and at least one element selected from the group consisting of B, C, Be, Si, P, S, Ga, As and Se and the crystal structure of which is in an amorphous state.例文帳に追加

少なくとも一つの白金族元素と、Ｂ、Ｃ、Ｂｅ、Ｓｉ、Ｐ、Ｓ、Ｇａ、Ａｓ及びＳｅからなる群から選ばれる少なくとも一つの元素とを含み、その結晶構造が非晶質状態である合金からなる燃料電池用カソード電極触媒。 - 特許庁

An order reduction of the first mathematical model is performed, and a second mathematical model of an enlarged control target Ga(s) comprising a PI control section 13, a subtracter 14, a PD control section 15 and the detailed control target 20 is derived by using the order-reduced first mathematical model.例文帳に追加

第１の数式モデルの低次元化を行い、ＰＩ制御部１３、減算器１４、ＰＤ制御部１５及び詳細制御対象２０から成る拡大制御対象Ｇａ（ｓ）の第２の数式モデルを、低次元化した第１の数式モデルを用いて導出する。 - 特許庁

A preferable matrix or cage component(s) is one or more elements selected from Si, Ge, Sn, Pb, Al, Ga, In and transition elements, and a preferable clathrating component(s) is one or more elements selected from alkali metals, alkaline-earth metals and transition metals including lanthanoids and actinoids, and, more preferably, one or more elements selected from alkaline-earth elements, lanthanoids, and ocationally, actinoids.例文帳に追加

好ましいマトリクスまたはケージ成分は、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎおよび遷移元素から選択された１以上の元素であり、好ましい包接成分は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、ランタノイド元素およびアクチノイド元素を含む遷移元素から、より好ましくは、アルカリ土類金属、ランタノイド元素および時おりまたアクチノイド元素から、選択された１以上の元素である。 - 特許庁

The light-emitting layer 103 includes a three-dimensional compound ABC_2 (wherein A=Cu or Ag, B=Al, Ga or In, and C=S, Se or Te) which is called the chalcopyrite.例文帳に追加

基板１００上に、第１の電極１０１、第１の絶縁層１０２、発光層１０３、第２の絶縁層１０４、第２の電極１０５を有し、発光層１０３は、カルコパイライトと呼ばれる三元化合物ＡＢＣ_２（但し、Ａ＝Ｃｕ、またはＡｇ、Ｂ＝Ａｌ、Ｇａ、またはＩｎ、Ｃ＝Ｓ、Ｓｅ、またはＴｅ）を含む発光素子を提供する。 - 特許庁

This fluoride glass matrix preferably contains ions selected from zirconium ion, alkali ions and alkaline earth ions and also, at least 5 mol% of fluoride ion of the matrix is substituted by bromide ion and/or chloride ion, and further, at least 0.01 mol% of a cation(s) selected from transition metal ions, rare earth metal ions, In+, Ga+, Tl+ and Pb+, exists in the matrix.例文帳に追加

該ガラスマトリックスは好ましくはジルコニウムイオンならびにアルカリイオン及びアルカリ土類イオンから成る群より選ばれるイオンを含有し、少なくとも５モル％のフルオリドイオンはブロミド及び／又はクロリドイオンにより置き換えられており、少なくとも０．０１モル％の遷移金属イオン、希土類金属イオン、Ｉｎ^+、Ｇａ^+、Ｔｌ^+及びＰｂ^2+から成る群より選ばれるカチオンが存在する。 - 特許庁

This invention provides: the cathode catalyst for a fuel cell which contains one kind of metal selected from the group consisting of In and Ga, and Ru-Ch supported on the metal, and is characterized in that Ch is one kind of element selected from the group consisting of S, Se and Te; the membrane-electrode assembly for a fuel cell; and the fuel cell system each including the cathode catalyst.例文帳に追加

本発明によれば、Ｉｎ及びＧａからなる群より選択される一種の金属と、金属に担持されるＲｕ−Ｃｈと、を含み、Ｃｈは、Ｓ、Ｓｅ、及びＴｅからなる群より選択される一種の元素であることを特徴とする燃料電池用カソード触媒と、このカソード触媒を含む燃料電池用膜電極接合体、及び燃料電池システムが提供される。 - 特許庁

In the optical recording medium, on a transparent substrate, a lower protection layer, a recording layer consisting of phase change material containing at least four elements, Ga, Sb, Sn, Ge, which transition linear velocity is 20-30 m/s, an upper protection layer and a reflective layer are laminated in this sequence.例文帳に追加

透明基板上に下部保護層、少なくともＧａ、Ｓｂ、Ｓｎ、Ｇｅの４元素を含有する転移線速が２０〜３０ｍ／ｓの相変化材料からなる記録層、上部保護層、反射層がこの順に積層され、記録再生光の波長が６５０〜６６５ｎｍの範囲で且つ記録線速が２０〜２８ｍ／ｓであるときの、記録層の結晶質状態の屈折率Ｎｃと消衰係数Ｋｃ、非晶質状態の屈折率Ｎａと消衰係数Ｋａが下記の範囲にあり、２０〜２８ｍ／ｓの記録線速範囲で記録が可能であることを特徴とする光記録媒体。 - 特許庁