「HCD」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The GAS1 is a gas including a silicon atom, for instance, an HCD.例文帳に追加

ＧＡＳ１はシリコン原子を含むガス、例えばＨＣＤである。 - 特許庁

HCD/UBMS HYBRID PVD METHOD, AND APPARATUS THEREOF例文帳に追加

ＨＣＤ・ＵＢＭＳハイブリッドＰＶＤ法およびその装置 - 特許庁

The hardware vendor provides an interface for the programmer that allows the system to interact with the hardware and this is called the HCD or HostController Device.例文帳に追加

ハードウェアベンダは、システムがハードウェアと相互通信できるインタフェースをプログラマに提供しています。 これをHCDあるいはホストコントローラデバイスといいます。 - Gentoo Linux

A silicon nitride film (HCD-silicon nitride film) 7 is formed on the inwall of a trench 5 formed on a substrate 1 as a ground insulating film by chemical vapor deposition, using a material gas containing hexachloro-disilane (HCD) Si_2Cl_6.例文帳に追加

基板１に形成されたトレンチ５の内壁に下地絶縁膜として、ヘキサクロロジシラン（ＨＣＤ）Ｓｉ_2 Ｃｌ_6 を含む原料ガスを用いた化学気相堆積法によりシリコン窒化膜（ＨＣＤ−シリコン窒化膜）７を形成する。 - 特許庁

An HCD/UBMS hybrid PVD apparatus has an HCD cathode and a UBMS cathode 6 in a same vacuum chamber 1 in a three-dimensional manner as shown in Fig. so as to deposit a smooth film having excellent coating property on a three-dimensional work.例文帳に追加

図１に示すように、同一真空室１にＨＣＤカソードとＵＢＭＳカソード６を立体的に配置し、３次元形状のワークに平滑で、被覆性に優れた被膜を形成できるようにした。 - 特許庁

A cooling water passage 23c is provided on the relay table 23 to adjust the temperature state while moving the substrate P in the substrate transfer apparatus HCD.例文帳に追加

中継テーブル２３に冷却水路２３ｃを設け、基板Ｐを基板搬送装置ＨＣＤ内で移動させつつ温度状態を調節する。 - 特許庁

A treatment apparatus including a treatment system for forming a silicon containing film on the substrate using the HCD treatment gas is provided.例文帳に追加

ＨＣＤ処理ガスを使用してシリコン含有膜を基板上に形成するための処理システムを含んでいる処理装置が提供される。 - 特許庁

A wear resistant ion plating film having manganese nitride as the main composition is formed on a substrate by performing HCD ion plating in an nitrogen atmosphere with metallic manganese as an evaporation source.例文帳に追加

窒化マンガンを主成分とする耐摩耗性イオンプレーティング皮膜を、金属マンガンを蒸発源とし窒素雰囲気中でＨＣＤイオンプレーティングを行うことにより基板上形成する。 - 特許庁

In this structure, a method for evaporating titanium by an HCD method and a method for generating carbon ions by an IBAD method are jointly used, and the structure is obtained by an ion-plating method.例文帳に追加

この構造は、ＨＣＤ法によりチタンを蒸発させる方法とＩＢＡＤ法により炭素イオンを発生させる方法とを併用し、イオンプレーティング法により得られる。 - 特許庁

The HCD-silicon nitride film 7 can reduce the ground dependence of the sub-atmospheric CVD, improve the film formation rate of the silicon oxide film in the trench 5, and improve the film quality.例文帳に追加

ＨＣＤ−シリコン窒化膜７により、準常圧ＣＶＤの下地依存性が軽減され、トレンチ５内でのシリコン酸化膜の成膜速度が向上し、膜質も向上する。 - 特許庁

After forming the HCD-silicon nitride film 7 as the ground insulating film, a silicon oxide film is formed by sub-atmospheric CVD to form an embedding insulating film 10 to be embedded in the trench 5.例文帳に追加

ＨＣＤ−シリコン窒化膜７を下地絶縁膜として形成した後に、準常圧ＣＶＤによりシリコン酸化膜を成膜して、トレンチ５を埋め込む埋め込み用絶縁膜１０を形成する。 - 特許庁

To provide a hollow cathode gun with a large diameter capable of stably performing high speed film deposition without causing abnormal discharge even if HCD (Hollow Cathode Discharge) is carried out with a large electric current.例文帳に追加

大口径のホローカソードガンを用い、大電流でＨＣＤを行った場合であっても、異常放電の発生なしに安定して高速成膜を実施することができるホローカソードガンを提供する。 - 特許庁

The silicon containing film is formed on a substrate by supplying the substrate into a treatment chamber of the treatment system, heating the substrate, and exposing the substrate with a hexa chlorosilane (HCD) process gas.例文帳に追加

シリコン含有膜は、処理システムの処理チャンバーに基板を供給し、基板を加熱し、基板にヘキサクロロシラン（ＨＣＤ）処理ガスを露出することによって、基板上に形成できる。 - 特許庁

After the wafer transportation, a first reactive substance containing Si_2Cl_6(HCD) is supplied into the processing chamber 52 using a first supply system 61 while being exhausted from an exhaust system 64.例文帳に追加

搬入後、第１供給系６１を用いて処理室５２内にＳｉ_2Ｃｌ_6（ＨＣＤ）を含む第１反応物質を供給しつつ排気系６４から排気する。 - 特許庁

When the reproduction signal level is less than the threshold level, it is discriminated that no reproduction signal is in existence, a head clog takes place, and its detection signal HCD is outputted.例文帳に追加

そして、再生信号レベルがしきい値以下であるときは再生信号が無いと判別し、ヘッドクロッグが発生していると判断し、その検出信号ＨＣＤを出力する。 - 特許庁

To provide techniques for reducing the on-resistance of an MOS device without significantly increasing the hot carrier degradation HCD and/or the gate-to-drain capacitance in the device, thereby improving the high-frequency performance and reliability of the device.例文帳に追加

デバイス内のＨＣＤおよび／またはゲート−ドレイン・キャパシタンスを著しく増大させずに、ＭＯＳデバイスのオン抵抗を減少させ、それによってデバイスの高周波性能および信頼性を改善する技術を提供すること。 - 特許庁

Silicon nitride film (second HCD-SiN film 9) is formed by a heat CVD method using hexachlorodisilane above the ALD-SiN film 3, and a hole 11a is formed by patterning the silicon nitride film, thereby forming a sacrificial layer pattern.例文帳に追加

ＡＬＤ−ＳｉＮ膜３の上方にヘキサクロロジシランを用いた熱ＣＶＤ法によって窒化シリコン膜（第２ＨＣＤ−ＳｉＮ膜９）を成膜し、これをパターニングすることによって孔１１ａを形成することで犠牲層パターンを形成する。 - 特許庁

The ALD-SiN film 3 is used in a stopper, and the sacrificial layer pattern made of the second HCD-SiN film 9 is alternatively removed by etching from the clearance of the oscillating beam 13a, thereby forming a space (a) under the oscillating beam 13a.例文帳に追加

ＡＬＤ−ＳｉＮ膜３をストッパに用いて振動ビーム１３ａの隙間から第２ＨＣＤ−ＳｉＮ膜９からなる犠牲層パターンを選択的にエッチング除去することにより、振動ビーム１３ａの下方に空間部ａを形成する。 - 特許庁

To remove the native oxide without reducing the thickness of a gate sidewall insulating film, by setting the etching rate of the gate sidewall insulating film formed of a silicon nitride film which is formed by LP-CVD method by using HCD as a material gas sufficiently lower than that of the native oxide.例文帳に追加

原料ガスとしてＨＣＤを用いたＬＰ−ＣＶＤ法により形成した、シリコン窒化膜からなるゲート側壁絶縁膜のエッチングレートを、自然酸化膜のエッチングレートよりも十分に遅くし、ゲート側壁絶縁膜の薄膜化を招くことなく、自然酸化膜を除去すること。 - 特許庁

Titanium nitride film (third TiN film 13) is formed in a covering state of the sacrificial layer pattern made of the second HCD-SiN film 9, and the film is patterned, thereby forming an oscillating beam (structure pattern) 13a of which end is supported on the substrate surface across the sacrificial layer pattern.例文帳に追加

第２ＨＣＤ−ＳｉＮ膜９からなる犠牲層パターンを覆う状態で窒化チタン膜（第３ＴｉＮ膜１３）を成膜し、これをパターニングすることによって犠牲層パターンを跨いでその下地面上に端部が支持された振動ビーム（構造体パターン）１３ａを形成する。 - 特許庁

In covering the surface of a unidirectional silicon steel sheet after the completion of finish annealing with a plurality of ceramic film layers, a very thin TiNO film, as the first layer, is formed by a hollow cathode method (HCD method) using an arc cut bias voltage as the bias voltage and then forming thereon a ceramic film by a magnetron-sputtering method.例文帳に追加

仕上げ焼鈍済みの一方向性珪素鋼板の表面に、複数層のセラミック被膜を被覆するに際し、少なくとも第１層については、バイアス電圧としてアークカットバイアス電圧を使用する中空陰極法（ＨＣＤ法）を用いてTiNOの極薄被膜を被成し、ついでその上にマグネトロン・スパッタ法を用いてセラミック被膜を被成する。 - 特許庁

In the method for forming the silicon nitride film on the surface of an object to be processed by supplying a predetermined process gas in a processing vessel to be evacuated, an ammonia gas, a silane based gas, and a hydrocarbon gas are used as the process gas and the silicon nitride film is formed by supplying the silane based gas (HCD) intermittently.例文帳に追加

真空引き可能になされた処理容器内に所定の処理ガスを供給して被処理体の表面にシリコン窒化膜を成膜する方法において、前記処理ガスとしてアンモニアガスと、シラン系ガスと、炭化水素ガスとを用い、前記シラン系ガス（ＨＣＤ）を間欠的に供給するようにしてシリコン窒化膜を成膜する。 - 特許庁

The substrate transfer apparatus HCD is provided with: a CD side robot 22 for delivering a substrate P between itself and a coater/developer C/D; an EX side robot 24 for delivering the substrate P between itself and an exposure apparatus EX; and a relay table 23 for relaying the substrate P between the CD side robot 22 and the EX side robot 24.例文帳に追加

基板搬送装置ＨＣＤに、コータ・デベロッパ装置Ｃ／Ｄとの間で基板Ｐの受け渡しを行うＣＤ側ロボット２２と、露光装置ＥＸとの間で基板Ｐの受け渡しを行うＥＸ側ロボット２４と、ＣＤ側ロボット２２とＥＸ側ロボット２４との間で基板Ｐを中継する中継テーブル２３とを設ける。 - 特許庁