「IMPLANTATION ELECTRODE」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

ION IMPLANTATION METHOD BY SELF-DISCHARGE ELECTRODE SYSTEM例文帳に追加

自己放電電極方式によるイオン注入法 - 特許庁

EXTRACTION ELECTRODE MANIPULATOR SYSTEM, AND ION IMPLANTATION SYSTEM例文帳に追加

引出電極用マニピュレータ・システム及びイオン注入システム - 特許庁

ELECTRODE LEAD FOR IMPLANTATION IN LIVING BODY AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

生体内植込み用電極リードおよびその製造方法 - 特許庁

A gate electrode is used as a mask during implantation of impurities.例文帳に追加

ゲート電極を、不純物を注入する際のマスクとする。 - 特許庁

IMPLANTATION TYPE FLEXIBLE NERVE ELECTRODE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

刺入型柔軟神経電極およびその作製方法 - 特許庁

ELECTROLYTE MEMBRANE ELECTRODE ASSEMBLY PRODUCED BY ION IMPLANTATION例文帳に追加

イオン注入により作製した電解質膜電極接合体 - 特許庁

(2) A high impurity concentration layer is formed by phosphorous-ion implantation or other ion implantation and an ohmic electrode is provided on the surface.例文帳に追加

(２)燐等のイオン注入により高不純物濃度層を形成し、その表面にオーミック電極を設ける。 - 特許庁

An organic EL element 100 includes a hole implantation electrode 2, a hole implantation layer 3, an orange light emitting layer 4, a blue light emitting layer 5, an electron transporting layer 6, and an electron implantation electrode 7.例文帳に追加

有機ＥＬ素子１００は、ホール注入電極２、ホール注入層３、橙色発光層４、青色発光層５、電子輸送層６および電子注入電極７を備える。 - 特許庁

To provide an extraction electrode block for an ion implantation device, which can extract an ion beam in a desired direction, and the ion implantation device.例文帳に追加

イオンビームを所望の方向に引き出すことができるイオン注入装置の引出電極系およびイオン注入装置を提供する。 - 特許庁

ION IMPLANTATION DEVICE, AND METHOD OF URGING EXCHANGE OF ION SOURCE ELECTRODE FOR THE SAME例文帳に追加

イオン注入装置、イオン注入装置におけるイオン源電極の交換を促す方法 - 特許庁

The organic EL element 100 sequentially includes a hole implantation electrode 2, a hole implantation layer 3, a hole transporting layer 4, a buffer layer BF, an orange light emitting layer 5, a blue light emitting layer 6, an electron transporting layer 7, and an electron implantation electrode 8.例文帳に追加

有機ＥＬ素子１００は、ホール注入電極２、ホール注入層３、ホール輸送層４、バッファ層ＢＦ、橙色発光層５、青色発光層６、電子輸送層７および電子注入電極８を順に含む。 - 特許庁

A stopper part S is formed previously adjacent to the tip of electrode for stabilizing the position of the electrode after the implantation.例文帳に追加

また、埋め込み後、電極の位置が安定するように、あらかじめ電極先端近傍にストッパ部Ｓを形成する。 - 特許庁

To provide an electrode lead for implantation in a living body capable of reducing direct and indirect foreign matter reaction between the electrode and nerve tissue after the implantation in the living body; and its manufacturing method.例文帳に追加

生体内植込み後の電極と神経組織との間の直接的、間接的な異物反応を低減する生体内植込み用電極リードおよびその製造方法の提供。 - 特許庁

Then an n-type ion implantation region n1 is formed by performing ion implantation dp01 on the principal surface s1 below the side of the memory gate insulating electrode MG1.例文帳に追加

その後、メモリゲート電極ＭＧ１の側方下部の主面ｓ１にイオン注入ｄｐ０１を施してｎ型イオン注入領域ｎ１を形成する。 - 特許庁

To provide an ion implantation method which enables a reduction of an amount of ions implanted under a conductive film of an electrode or the like and variations in the implanted position independently of employment of oblique ion implantation.例文帳に追加

斜めイオン注入を行うにも拘わらず、電極等の導電膜下に注入されるイオンの量や注入位置のばらつきを低減する。 - 特許庁

ION IMPLANTATION METHOD OF TITANIA PARTICLE, AND METHOD OF MANUFACTURING ION IMPLANTED TITANIA THIN FILM ELECTRODE例文帳に追加

チタニア粒子のイオン注入方法及びイオン注入したチタニア薄膜電極の製造方法 - 特許庁

This electrode bundle for implantation in a soft tissue comprises two or more electrodes aligned in parallel.例文帳に追加

軟組織への埋め込み用の電極束は平行に配列された二つ以上の電極を含む。 - 特許庁

First of all, an LDD region 5 is formed by an ion implantation using a gate electrode 4 as a mask.例文帳に追加

まず、ゲート電極４をマスクとしたイオン注入によりＬＤＤ領域５が形成される。 - 特許庁

Accordingly, the drain electrode 11 can be formed into an ohmic electrode by a low-temperature process without using an ion implantation process.例文帳に追加

したがって、イオン注入工程を用いることなく、かつ低温プロセスによってドレイン電極１１をオーミック電極にできる。 - 特許庁

In a method of manufacturing a semiconductor device, which forms source and drain regions 7 using a dummy gate electrode 40 and thereafter, the electrode 40 is removed to form a gate electrode, and after the electrode 40 is removed, an ion implantation for forming regions 52 of a pocket structure is performed so that an angle implantation 521 using a step implantation is performed in a groove, where the electrode 40 existed.例文帳に追加

ダミーゲート電極４０を用いてソースドレイン領域７を形成した後にダミーゲート電極を除去して、ゲート電極を形成する半導体装置の製造方法において、ダミーゲート電極４０を除去した後に、ポケット構造領域５２を形成するイオン注入を、ダミーゲート電極があった溝に対してステップ注入による角度注入５２１によって行う。 - 特許庁

When the ion implantation is performed, the interlayer dielectric 11 is withdrawn and the source electrode 10 is formed.例文帳に追加

また、このイオン注入の後、層間絶縁膜１１を後退させ、ソース電極１０を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device where ion implantation of arsenic into a gate electrode can be suppressed.例文帳に追加

ゲート電極中への砒素のイオン注入を抑制することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To achieve the enhancement of the productivity of an implantation type flexible nerve electrode and the enhancement of the affinity to brain tissue.例文帳に追加

刺入型柔軟神経電極の製造性の向上及び脳組織への親和性の向上 - 特許庁

To suppress dispersion of quantity of ion implantation caused by variability of the thickness of remaining film on a substrate (gate electrode).例文帳に追加

基板（ゲート電極）上の残膜厚ばらつきに起因するイオン注入量ばらつきを抑止する。 - 特許庁

A p-side electrode 18 is used as a mask for ion implantation to further simplify the process.例文帳に追加

また、イオン注入のマスクとしてｐ側電極１８を用いて、工程を更に簡略化することができる。 - 特許庁

A source-drain region 108 is formed by forming an n+high concentration impurity region 107 by the ion implantation using the gate electrode side wall 104 as the ion implantation mask.例文帳に追加

このゲート電極側壁１０４等をイオン注入マスクとして、ｎ＋高濃度不純物領域１０７をイオン注入で形成し、ソース・ドレイン領域１０８を形成する。 - 特許庁

In the ion implantation dp01, the memory gate electrode MG1 and the first protective film pt1 formed on a side wall thereof serve as an ion implantation mask, and the n-type ion implantation region n1 is formed at a distance of the thickness of the first protective film p1 from the memory gate electrode MG1.例文帳に追加

イオン注入ｄｐ０１では、メモリゲート電極ＭＧ１およびその側壁に形成した第１保護膜ｐｔ１がイオン注入マスクとなり、メモリゲート電極ＭＧ１から、第１保護膜ｐｔ１の厚さ分だけ離れた位置に、ｎ型イオン注入領域ｎ１を形成する。 - 特許庁

In a step of doping the first halo region, oblique ion implantation is carried out, with the use of a gate electrode as a mask, and in a step of doping the second halo region, vertical ion implantation is carried out with use of the gate electrode as the mask and with a dose rate which is larger than the dose rate of the first halo region ion implantation.例文帳に追加

第１ハロー領域のドーピング工程を、ゲート電極をマスクとして、斜めにイオン注入し、さらに、第２ハロー領域は、ゲート電極をマスクとして、垂直に、かつ第１ハロー領域のイオン注入ドーズ量よりも大きなドーズ量でイオン注入することにより形成する。 - 特許庁

Furthermore, the channel-forming region and the source region are formed at ionic implantation where the planar gate electrode and the trench gate electrode are set as masks.例文帳に追加

さらに、プレーナゲート電極およびトレンチゲート電極をマスクとしたイオン注入にてチャネル形成領域およびソース領域を形成する。 - 特許庁

To provide an ion implantation device capable of properly exchanging an ion source electrode in compliance with an individual difference of life of the ion source electrode.例文帳に追加

イオン電極装置において、イオン源電極の電極寿命の個体差に応じて、適切にイオン源電極を交換できるようにする。 - 特許庁

A plurality of gat insulation films 3 and a gate electrode 4 are formed on a silicon substrate 20 and an implantation mask material 1 is formed in the gate electrode 4.例文帳に追加

シリコン基板２０上に複数のゲート絶縁膜３,ゲート電極４を形成し、ゲート電極４間に注入マスク材１を形成する。 - 特許庁

The dimensions of the gate electrode are altered in accordance with the length of the LDD between the first and second implantation.例文帳に追加

第１回目と第２回目の注入時で、ゲート電極の寸法をＬＤＤ長さに対応して変える。 - 特許庁

This is realized by controlling the position of phosphorus implantation and by reducing right and left sizes of the gate electrode.例文帳に追加

これは、燐を注入する位置を制御したり、ゲート電極の左右寸法を減じることにより実現される。 - 特許庁

After that, each gate electrode is patterned, and source and drain regions are formed in the well region 13 by ion implantation of impurities in the well region 13.例文帳に追加

その後、各ゲート電極をパターニングし、不純物のイオン注入によりソース・ドレイン領域を形成する。 - 特許庁

The gate electrode 3 is formed to cover a channel region 2d and functions as a mask during implantation of impurities.例文帳に追加

ゲート電極３は、チャネル領域２ｄを覆うように形成され、不純物の注入時にマスクとして機能する。 - 特許庁

To provide a neurostimulation electrode implantation device that can implant a neurostimulation electrode to reduce stimulus to tissues that are not targeted for treatment.例文帳に追加

治療対象でない組織への刺激を低減するように神経刺激電極を留置することを可能にする神経刺激電極留置処置具を提供する。 - 特許庁

The ion implantation device is composed of an extraction electrode of an iron source 2 which is divided in a plurality of extraction electrode pieces in a Y direction.例文帳に追加

このイオン注入装置は、イオン源２の引出し電極１３をＹ方向において複数の引出し電極片３０に分割して構成している。 - 特許庁

A protective film 3, which serves as a protective film for ion implantation, is formed on a substrate 1 so as to coat a control gate electrode 8 and a gate electrode 15.例文帳に追加

コントロールゲート電極８およびゲート電極１５を覆うように基板１上にイオン注入用の保護膜となる保護膜３を形成する。 - 特許庁

To suppress a residue of a gate electrode forming film which is generated in a sidewall portion of an ion implantation mask by etching upon gate electrode processing.例文帳に追加

ゲート電極加工時のエッチングでイオン注入マスクの側壁部分に発生するゲート電極形成膜の残渣を抑制することを可能にする。 - 特許庁

An object 2 to be treated is installed in a vacuum container 3, at a fixed interval from the front surface of an electrode assembly 5 for performing ion implantation in the object 2 to be treated by a plasma ion- implantation method.例文帳に追加

プラズマイオン注入法により被処理物２にイオン注入を行うのに、被処理物２を電極体５の前面とは一定の間隔をあけて真空容器３内に取り付ける。 - 特許庁

Then, after a gate insulating film 2 and the gate electrode 3 are formed on the diffusion layer 4a, a p-type diffusion layer 5a for channel is formed by performing ion implantation by using an implantation mask 12 covering part of the upper surface of the electrode 3 and the region 7a for drain of the substrate 1 and the gate electrode 3 as masks.例文帳に追加

そして、ゲート絶縁膜２及びゲート電極３を形成した後、ゲート電極３上の一部及び半導体基板１のドレイン用領域７ａ上を覆う注入マスク１２及びゲート電極３をマスクにしてイオン注入を行い、ｐ型のチャネル用拡散層５ａを形成する。 - 特許庁

A high-impurity concentration layer is formed by implantation of ions of phosphorus or the like, and an ohmic electrode is provided on the surface of the high-impurity concentration layer.例文帳に追加

燐等のイオン注入により高不純物濃度層を形成し、その表面にオーミック電極を設ける。 - 特許庁

The resist 31 is removed, and a drain 3 and source 4 are formed by implantation of impurities using the control gate electrode 12 as a mask.例文帳に追加

レジスト３１を除去し、コントロールゲート電極１２をマスクとして不純物を打込み、ドレイン３、ソース４を形成する。 - 特許庁

A source and drain area 6 is formed by ion implantation while the gate electrode and the side wall insulating film 4 are being used.例文帳に追加

ゲート電極およびサイドウォール絶縁膜４をマスクとしたイオン注入により、ソース・ドレイン領域６を形成する。 - 特許庁

A source/drain region 51 and a diffusion layer 52 are formed by ion implantation, for which the first gate electrode 31 is a mask.例文帳に追加

第１のゲート電極３１をマスクとしたイオン注入によりソースドレイン領域５１及び拡散層５２を形成する。 - 特許庁