「INGAP」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A compound semiconductor device 100 is equipped with an N+-GaAs drain layer 12, an N+-GaAs buffer layer 14, an N-GaAs channel layer 16, a P+-InGaP gate layer 28, an N+-InGaP source layer 30, a drain electrode 22, a gate electrode 24, and a source electrode 26.例文帳に追加

本発明において、化合物半導体素子１００が、ｎ^+GaAsドレイン層１２、ｎ^+GaAsバッファ層１４、ｎ^-GaAsチャネル層１６、ｐ^+InGaPゲート層２８、ｎ^+InGaPソース層３０、ドレイン電極２２、ゲート電極２４およびソース電極２６を備える。 - 特許庁

To provide a tandem solar cell including a solar cell layer having an InGaP/GaAs/Si 3-junction structure, capable of being efficiently produced at low cost.例文帳に追加

効率良く低コストで生産が可能なInGaP/GaAs/Si３接合構造の太陽電池層を含むタンデム太陽電池を提供する。 - 特許庁

EPITAXIAL GROWTH METHOD OF InGaP LAYER OR InAlP LAYER例文帳に追加

ＩｎＧａＰ層又はＩｎＡｌＰ層のエピタキシャル成長方法 - 特許庁

To suppress formation of a transition layer in an AlGaAs/InGaP interface.例文帳に追加

ＡｌＧａＡs／ＩｎＧａＰ界面の遷移層の形成を抑制する。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING InGaP/GaAs-HBT AND EVALUATING METHOD例文帳に追加

ＩｎＧａＰ／ＧａＡｓ−ＨＢＴの製造方法及び評価方法 - 特許庁

Therefore, defective InGaP etching can be prevented.例文帳に追加

これにより、ＩｎＧａＰのエッチング不良を防止することが可能となる。 - 特許庁

A Ge solar cell layer may be formed on the other surface of the Si solar cell layer to include a solar cell layer having an InGaP/(In)GaAs/Si/Ge 4-junction structure.例文帳に追加

前記Si太陽電池層の他面にGe太陽電池層を形成し、InGaP/(In)GaAs/Si/Ge４接合構造の太陽電池層を含む構成としてもよい。 - 特許庁

To suppress formation of a transition layer in an AlGaAs/InGaP interface.例文帳に追加

ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＰ界面の遷移層の形成を抑制する。 - 特許庁

With this arrangement, the sub-collector layer 9 is formed of n-InGaP.例文帳に追加

この構成において、サブコレクタ層９はｎ−ＩｎＧａＰで形成する。 - 特許庁

Furthermore, the contact resistance of the InGaP layer with the cap layer can be reduced.例文帳に追加

さらに、ＩｎＧａＰ層とキャップ層とのコンタクト抵抗を低減できる。 - 特許庁

The InGaP guide layers 4 and 6 pinch the GaAsP activity layer 5.例文帳に追加

ＩｎＧａＰガイド層４，６は、ＧａＡｓＰ活性層５を挟持している。 - 特許庁

To increase efficiency in a multijunction solar cell by adjusting the Al composition ratio of an (Al)InGaP cell in three multijunction solar cells of InGaP/InGaAs/Ge.例文帳に追加

ＩｎＧａＰ／ＩｎＧａＡｓ／Ｇｅの３接合太陽電池において、（Ａｌ）ＩｎＧａＰセルのＡｌ組成比を調整して多接合太陽電池の効率の向上を図ること。 - 特許庁

To reduce the density of hillocks of a major surface 12A of an InGaP layer 12.例文帳に追加

ＩｎＧａＰ層１２の主表面１２Ａのヒルロックの密度を低減すること。 - 特許庁

An InGaP layer 3 is inserted between a sub-collector layer 2 and a collector layer 4.例文帳に追加

サブコレクタ層２とコレクタ層４の間にＩｎＧａＰ層３を介在させる。 - 特許庁

An n+-type GaAs layer 24, an n+-type InGaP layer 26, an n+- typed InAlP layer 28, an n-type InGaP layer 30, a p-type InGaP layer 32, and a p-type InAlP layer 34 are laminated in this order on an n+-type GaAs substrate 22.例文帳に追加

ｎ^+ 型ＧａＡｓ基板２２の上に、ｎ^+ 型ＧａＡｓ層２４、ｎ^+ 型ＩｎＧａＰ層２６、ｎ^+ 型ＩｎＡｌＰ層２８、ｎ型ＩｎＧａＰ層３０、ｐ型ＩｎＧａＰ層３２、およびｐ型ＩｎＡｌＰ層３４が、この順序で積層されている。 - 特許庁

AlGaAs is formed on both the sides of an InGaP Schottky layer 306 (an InGaAs channel layer 304 side and a GaAs cap layer 308 side), and furthermore the InGaP layer is made to serve as an ordered-InGaP layer.例文帳に追加

ＩｎＧａＰショットキー層３０６の両側（ＩｎＧａＡｓチャネル層３０４側およびＧａＡｓキャップ層３０８側）にＡｌＧａＡｓを形成し、さらに、前記ＩｎＧａＰ層を自然超格子が形成されたｏｒｄｅｒｅｄ−ＩｎＧａＰ層とする。 - 特許庁

The cDNA sequence of a mammalian INGAP and a predicted amino acid sequence are provided in specific sequences and a pharmaceutical composition comprises the INGAP protein.例文帳に追加

哺乳動物ＩＮＧＡＰのｃＤＮＡ配列および推定アミノ酸配列は特定の配列で与えられ、これらＩＮＧＡＰタンパク質を含有する医薬組成物。 - 特許庁

Electronic supplying layers 3 and 7 are an AlGaAs layer or an InGaP layer of n-type dope.例文帳に追加

電子供給層３，７はｎ型ドープのＡｌＧａＡｓ層又はＩｎＧａＰ層とする。 - 特許庁

To sharply improve reliability by extending the life of an InGaP emitter HBT.例文帳に追加

ＩｎＧａＰエミッタＨＢＴの寿命を延ばし、飛躍的に信頼性を向上させる。 - 特許庁

First, a GaAs solar cell layer (bottom cell) 12 is formed, then a P-type AlGaAs layer 132 is doped with carbon for the formation of a tunnel-junction layer 13, and an InGaP solar cell layer (top cell) 15 is formed thereon.例文帳に追加

先ずGaAs太陽電池層（ボトムセル）１２を形成し、次にp型AlGaAs層１３２に炭素を添加したトンネル接合層１３を形成し、その上にInGaP太陽電池層（トップセル）１５を形成する。 - 特許庁

To prevent defective InGaP etching which occurs when the surface of an electrode is composed of a noble metal, such as Au, etc., at the time of etching InGap by using the electrode as a mask.例文帳に追加

電極をマスクにしてＩｎＧａＰのエッチングを行う際に、電極の表面がＡｕ等の貴金属である場合に発生するＩｎＧａＰのエッチング不良を防止すること。 - 特許庁

To provide a hetero joint bi-polar transistor whose current gain βcan be prevented from being deteriorating even at the time of using material similar to InGaP or InGaP as an emitter layer or an etching stop layer.例文帳に追加

エミッタ層やエッチングストッパ層としてＩｎＧａＰやＩｎＧａＰに類似した材料を用いても電流利得βが低下しないヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供する。 - 特許庁

An interface of an InGaP layer is formed where the concentration of a level which is re-coupling center is lower.例文帳に追加

再結合中心となる準位の濃度が小さいＩｎＧａＰ層の界面が形成される。 - 特許庁

Trace As is added to an InGaP emitter layer with an addition rate ranging from 0.05 to 3.0%.例文帳に追加

ＩｎＧａＰエミッタ層に添加率０．００５〜３．０％の範囲の微量のＡｓを添加する。 - 特許庁

A gene INGAP exhibits remarkable homology with a gene of a PAP (pancreatitis associated protein) family.例文帳に追加

膵炎関連タンパク質（ＰＡＰ）ファミリーの遺伝子と著しい相同性を示す遺伝子ＩＮＧＡＰ。 - 特許庁

This substance has a band gap energy larger than those of conventional barrier layer substances, such as InGaP.例文帳に追加

この物質はＩｎＧａＰ等の従来の障壁層物質よりもバンドギャップエネルギーが大きい。 - 特許庁

The AlGaInP clad layers 3 and 7 pinch the InGaP guide layers 4 and 6 from both sides.例文帳に追加

ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３，７は、ＩｎＧａＰガイド層４，６を両側から挟持している。 - 特許庁

Further, an In mixed crystal ratio of the InGaP layer 10 inserted into the collector layer 4 ranges within 0.52 to 0.60, whereby lattice matching of the InGaP layer 10 with the InGaAs base layer 5 is ensured.例文帳に追加

また、コレクタ層４に挿入されるＩｎＧａＰ層１０のＩｎ混晶比を０．５２〜０．６０の範囲内にあるとすることにより、ＩｎＧａＡｓベース層５と格子整合させることができる。 - 特許庁

The region of the base layer 4 adjacent to the first InGaP layer 5 is formed by a GaAs layer, and the region of the emitter contact layer 7 adjacent to the second InGaP layer is formed by the GaAs layer.例文帳に追加

第１ＩｎＧａＰ層５に隣接するベース層４の領域はＧａＡｓ層から形成され、第２ＩｎＧａＰ層６に隣接するエミッタコンタクト層７の領域はＧａＡｓ層から形成されている。 - 特許庁

Finally, the LED layer is grown on the thin InGaP, InGaAs or AlInGaP layer.例文帳に追加

次に、ＬＥＤ層を薄いＩｎＧａＰ、ＩｎＧａＡｓ、又はＡｌＩｎＧａＰ層の上に成長させる。 - 特許庁

Thereafter, the p-GaP substrate 10 is bonded to the InGaP adhesion layer 5 by thermal compression bond or the like.例文帳に追加

その後熱圧着等によってｐ−ＧａＰ基板１０をＩｎＧａＰ接着層５に接着する。 - 特許庁

In one embodiment, an InGaAs or InGaP layer is grown stepwise on a GaAs substrate.例文帳に追加

一実施形態では、段階的ＩｎＧａＡｓ又はＩｎＧａＰ層をＧａＡｓ基板の上に成長させる。 - 特許庁

The n-side guide layer 14 and the p-side guide layer 18 comprise InGaP with a natural superlattice formed.例文帳に追加

ｎ側ガイド層１４及びｐ側ガイド層１８は、自然超格子が形成されたＩｎＧａＰからなる。 - 特許庁

The semiconductor laser device having the buried-hetero structure is manufactured by burying both sides of a mesa structure by a Ru-doped InGaP wide-gap layer 302 and subsequently by a Ru-doped InGaP graded layer 303 whose composition is graded from InGaP to InP, and then, by a Ru-doped InP layer 304.例文帳に追加

埋め込みヘテロ構造を有する半導体レーザ素子は、メサ構造の両側をＲｕドープＩｎＧａＰワイドギャップ層３０２で埋め込み、続いてＩｎＧａＰからＩｎＰへ組成が傾斜するＲｕドープＩｎＧａＰ組成傾斜層３０３で埋め込んだ後、ＲｕドープＩｎＰ層３０４で埋め込むことによって作製される。 - 特許庁

By providing the Ru-doped InGaP graded layer 303 between the Ru-doped InGaP wide-gap layer 302 and the Ru-doped InP layer 304, the Ru-doped InGaP wide-gap layer 302 and the Ru-doped InP layer 304 not lattice-matching with each other can be formed as a buried layer with excellent crystallinity.例文帳に追加

ＲｕドープＩｎＧａＰワイドギャップ層３０２とＲｕドープＩｎＰ層３０４との間にＲｕドープＩｎＧａＰ組成傾斜層３０３を設けることにより、格子整合しないＲｕドープＩｎＧａＰワイドギャップ層３０２とＲｕドープＩｎＰ層３０４とを、結晶性が良好な埋め込み層とすることが可能となる。 - 特許庁

An N-type GaAs buffer layer, an N-type InGaP clad layer, an InGaAsP barrier layer, an InGaAs active layer, an InGaAsP barrier layer, a P-type InGaP clad layer, a P-type InGaAsP etching stop layer, a P-type InGaP clad layer, and a P-type GaAs contact layer are successively laminated on an N-type GaAs substrate.例文帳に追加

ｎ型ＧａＡｓ基板11上に、ｎ型ＧａＡｓバッファ層12、ｎ型ＩｎＧａＰクラッド層13、ＩｎＧａＡｓＰバリア層14、ＩｎＧａＡｓ活性層15、ＩｎＧａＡｓＰバリア層16、ｐ型ＩｎＧａＰクラッド層17、ｐ型ＩｎＧａＡｓＰエッチングストップ層18、ｐ型ＩｎＧａＰクラッド層19、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層20を順次積層する。 - 特許庁

An AlGaAsP layer 11 is inserted in a part between an epitaxial layer which is composed of InGaP and turned into an emitter layer 5 and an epitaxial layer which is composed of InGaP and turned into a base layer 6, thereby decreasing concentration of a level that is a recombination center.例文帳に追加

ＩｎＧａＰからなりエミッタ層５となるエピタキシャル層とベース層６となるエピタキシャル層との間に、ＡｌＧａＡｓＰ層１１を挿入することで再結合中心となる準位の濃度が低下する。 - 特許庁

An InGaP layer 16 is provided between an AlGaAs upper clad layer 15 and a current constriction layer 17.例文帳に追加

ＡｌＧａＡｓ上部クラッド層１５と電流狭窄層１７との間にＩｎＧａＰ層１６を備える。 - 特許庁

The INGAP protein plays a role in stimulation of pancreatic islet neogenesis, particularly β-cell regeneration from pancreatic duct cells.例文帳に追加

ＩＮＧＡＰタンパク質は膵島新生の刺激、特に膵管細胞からのβ細胞再生において役割を果たす。 - 特許庁

The field-effect transistor includes a Ti-containing gate electrode formed on an InGaP gate forming layer 16.例文帳に追加

ＩｎＧａＰゲート形成層１６上にＴｉを含むゲート電極を形成した電界効果トランジスタである。 - 特許庁

In the tandem solar cell including an InGaP/(In)GaAs/Si 3-junction structure solar cell, an (In)GaAs solar cell layer and an Si solar cell layer are bonded together across a Ge interposing layer formed at part of the (In)GaAs solar cell layer.例文帳に追加

InGaP/(In)GaAs/Si３接合構造太陽電池を含むタンデム太陽電池において、(In)GaAs太陽電池層とSi太陽電池層とが、前記(In)GaAs太陽電池層の一部に形成されたGe介在層を介して接着されている構成とした。 - 特許庁

An HBT further includes a first segment 126 of an etch stop layer, wherein the first segment of the etch stop layer contains InGaP.例文帳に追加

ＨＢＴはエッチストップ層の第１の部分１２６をさらに含み、エッチストップ層の第１の部分はＩｎＧａＰを含む。 - 特許庁

The emission surface layer 105 is made of InGaP, and the electrode contact layer 106 is made of GaAs.例文帳に追加

出射面層１０５は、ＩｎＧａＰで構成されており、電極コンタクト層１０６は、ＧａＡｓで構成されている。 - 特許庁

The emitter layers 5 and 6 are formed by a first InGaP layer 5 where In and Ga in a III-family atom layer surface are arranged regularly, and a second InGaP layer 6 where In and Ga in the III-family atom layer surface are arranged irregularly.例文帳に追加

エミッタ層５，６は、ＩＩＩ族原子層面内のＩｎとＧａが規則的に配列している第１ＩｎＧａＰ層５と、ＩＩＩ族原子層面内のＩｎとＧａが不規則に配列している第２ＩｎＧａＰ層６とから形成されている。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting element H has AlGaInP group compound semiconductor, a double heterolayer 10 as a light emitting layer and interlayer 9, and a window layer 8 including InGaP group compound semiconductor, at least part of which is comprised of In_(X)Ga_(1-X)P (0.02≤X≤0.04).例文帳に追加

AlGaInP系化合物半導体よりなり、発光層としてのダブルヘテロ層１０および中間層９と、InGaP系化合物半導体よりなる窓層８とを備え、窓層の少なくとも一部が、その組成をIn_(X)Ga_(1-X)P（0.02≦X≦0.04）としてなる半導体発光素子H。 - 特許庁