「Indium」に関連した英語例文の一覧と使い方(15ページ目) - Weblio英語例文検索

The crystalline substrate 1 having ion implantation is dipped into an aqueous solution containing silicon and indium and the substrate 1 is heated to form voids 15.例文帳に追加

イオン注入された結晶基板１をシリコン及びインジウムを含む融液の中に浸し、基板１を加熱することでボイド１５を形成する。 - 特許庁

To provide high-purity trialkyl indium obtained by a simple method, and to provide the method.例文帳に追加

本発明の課題は、簡便な方法によって、高純度トリアルキルインジウム及びその方法を提供することにある。 - 特許庁

It is particularly useful for high power, high frequency transistors, e.g. base on gallium indium arsenide.例文帳に追加

このことは、高電力、高周波数トランジスタ、例えば、ヒ化ガリウムインジウム上のベース、に対して特に有用である。 - 特許庁

Or, indium oxide and/or phosphorus oxide is added to B2O3 as a sealing agent and the InP single crystal is grown by the liquid encapsulating Czochralski method.例文帳に追加

または、封止剤であるＢ_2Ｏ_3に酸化インジウムおよび／または酸化リンを添加し、液体封止チョクラルスキー法でＩｎＰ単結晶を育成する。 - 特許庁

This oxide sintered compact essentially consists of indium and comprises tungsten, and has a specific resistance of ≤1 kΩcm.例文帳に追加

主としてインジウムからなりタングステンを含む酸化物焼結体であり、比抵抗が１ｋΩｃｍ以下である。 - 特許庁

To provide a method for advantageously and effectively collecting indium from a waste etching liquid of oxalic acid.例文帳に追加

シュウ酸エッチング廃液から、インジウムを有利に且つ効率的に回収する方法を提供すること。 - 特許庁

Here, the transparent electrode 111c is an amorphous transparent conductive body formed with sputtering which uses an indium-tin alloy.例文帳に追加

ここで、透明電極１１１ｃは、インジウム・スズ合金を用いたスパッタリングで形成された非晶質の透明導電体である。 - 特許庁

A resistor 29 whose resistance is adjusted by doping indium oxide with tin is connected with superconductor 28 for forming a Josephson junction.例文帳に追加

酸化インジウムに錫をドープして抵抗値を調節した抵抗２９がジョセフソン接合を生成する為の超電導体２８に接続されている。 - 特許庁

The first transparent electrode 8 is composed of a transparent material (e.g., ITO (indium tin oxide)) and formed in sub-pixel units.例文帳に追加

第１透明電極８は透明材料（例えばＩＴＯ（インジウム錫酸化物））を材質とし、サブピクセル単位で形成されている。 - 特許庁

In the substrate preparing process (S10), a substrate composed of a compound semiconductor is prepared which contains indium of 5 mass%.例文帳に追加

基板準備工程（Ｓ１０）は、インジウムを５質量％以上含有する化合物半導体からなる基板を準備する。 - 特許庁

This organic EL element has an indium oxide based transparent conductive film wherein hydrogen concentration is lower as separating from an organic layer.例文帳に追加

有機層から離れる方が水素濃度が低い酸化インジウム系透明導電膜を有する有機EL素子を提供する。 - 特許庁

A metal oxide electrode 17, made of an indium oxide doped, for example with tin, is formed on the layer 16.例文帳に追加

絶縁性酸化物層１６の上に、例えば錫をドープしたインジウム酸化物よりなる金属酸化物電極１７が形成されている。 - 特許庁

The conductive materials 1a and 2a are materials containing at least one among gold, silver, platinum, copper, and indium oxide (III).例文帳に追加

導電性物質１ａ，２ａは、金、銀、白金、銅、及び酸化インジウム（ＩＩＩ）のうちの少なくとも１つを含む物質である。 - 特許庁

It is favorable that washed indium hydroxide is dried once and washed with water after being dispersed in an ammonium nitrate aqueous solution.例文帳に追加

前記水洗後の水酸化インジウムを一旦乾燥させ、さらに硝酸アンモニウム水溶液中に分散させた後、水洗することが好ましい。 - 特許庁

To provide a method for efficiently collecting crude indium having a purity suitable for electrolytic refining from a scrap of an ITO target at a high yield.例文帳に追加

ＩＴＯターゲットスクラップから、電解精製に好適な純度を有する粗インジウムを高収率で効率よく回収する方法を提供する。 - 特許庁

By heating and melting indium in the vacuum atmosphere, the front substrate and back substrate are mutually sealed via the side wall.例文帳に追加

そして、真空雰囲気中でインジウムを加熱し溶融させることにより、前面基板および背面基板を側壁を介して互いに封着する。 - 特許庁

For example, a hole injection electrode 2 consisting of a transparent electrically conductive film such as indium-tin oxide (ITO) is formed on a substrate 1.例文帳に追加

基板１上に、例えば、インジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）等の透明導電膜からなるホール注入電極２を形成する。 - 特許庁

In particular, the silver alloy material essentially consisting of silver and comprising indium is preferably used for the gate wiring 13 and the gate electrode 17.例文帳に追加

特に、銀を主成分とし、インジウムを含んだ銀合金材料をゲート配線１３やゲート電極１７に用いるのが好ましい。 - 特許庁

ETCHING SOLUTION FOR PATTERNING INDIUM TIN OXIDE, AND MANUFACTURING METHOD FOR LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE USING THE SAME ETCHING SOLUTION例文帳に追加

インジウム錫酸化物のパターニングのためのエッチング溶液及び該エッチング溶液を利用した液晶表示装置の製造方法 - 特許庁

The thickness of a common electrode 13 constituted of an indium tin oxide (ITO) is turned to be equal to or more than 80 nm and less than 100 nm.例文帳に追加

インジウム・錫酸化物（ＩＴＯ）により構成された共通電極１３の厚さを、８０ｎｍ以上１００ｎｍ未満とする。 - 特許庁

THIN FILM OF INDIUM BASED COMPOUND OXIDE HAVING SURFACE CHARACTERISTIC OF DECREASING IN CONTACT ANGLE ON IRRADIATION OF LIGHT AND COATING MATERIAL USING IT例文帳に追加

光照射によって接触角が小さくなる表面特性を有するインジウム系複合酸化物薄膜とそれを用いたコーティング材料 - 特許庁

To provide a conductive oxide powder enabling the used amount of indium to be reduced and having ultraviolet light shielding effect.例文帳に追加

インジウム使用量の低減が可能であり、紫外線遮蔽効果を有する導電性酸化物粉体を提供する。 - 特許庁

An ITO (indium tin oxide) 14 and an insulating layer 15 consisting of a PVK are successively formed on a transparent film 11 consisting of a polyester.例文帳に追加

ポリエステルから成る透明フィルム１１上に、ＩＴＯ１４、及びＰＶＫから成る絶縁層１５を順次形成した。 - 特許庁

To provide an oxide conductive material having excellent conductivity even if the indium content thereof is small.例文帳に追加

インジウム含有量が少なくても良好な導電性を有する酸化物導電性材料を提供する。 - 特許庁

To provide a method for obtaining a sputtering target containing indium oxide at high production efficiency while maintaining high density.例文帳に追加

酸化インジウムを含有するスパッタリングターゲットを、高い密度を維持して、かつ、高い生産効率で得る方法を提供する。 - 特許庁

The surface inversion layer 6 is formed by introducing indium into the region in the semiconductor substrate 1 where the photoelectric conversion region 4 is formed.例文帳に追加

表面反転層６は、半導体基板１の光電変換領域４が形成された領域に、インジウムを導入して形成する。 - 特許庁

The auxiliary amalgam 27 containing a metal with a melting point higher than indium as a main component is sealed in the luminous tube 20.例文帳に追加

発光管２０内に、インジウムよりも融点の高い金属を主成分として形成された補助アマルガム２７を封装する。 - 特許庁

The weight of zinc is ≥4.0 g, and the total weight of indium and bismuth is ≤450 ppm against the weight of zinc.例文帳に追加

亜鉛の重量は４．０ｇ以上であり、インジウムおよびビスマスの合計重量は亜鉛の重量に対して４５０ｐｐｍ以下である。 - 特許庁

The EL panel 10 has a plurality of lower electrodes 12 and upper electrodes 13 consisting of ITO(indium tin oxide) thin films on a panel substrate 11.例文帳に追加

ＥＬパネル１０は、パネル基板１１上に、ＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎ Ｏｘｉｄｅ）の薄膜よりなる複数条の下部電極１２及び上部電極１３を有する。 - 特許庁

FLUORINATED INDIUM PHTHALOCYANINE, ELECTROPHOTOGRAPHIC PHOTOSENSITIVE BODY USING THE SAME ELECTROPHOTOGRAPHIC PHOTOSENSITIVE BODY CARTRIDGE, AND IMAGE FORMING APPARATUS例文帳に追加

フッ素置換インジウムフタロシアニン、並びにそれを用いた電子写真感光体、電子写真感光体カートリッジ、及び画像形成装置 - 特許庁

INDIUM-TIN OXIDE POWDER FOR SHIELDING ULTRAVIOLET AND NEAR INFRARED RAYS, ULTRAVIOLET AND NEAR-INFRARED RAY-SHIELDING GLASS USING THE SAME, AND METHOD OF MANUFACTURING THE GLASS例文帳に追加

紫外線、近赤外線遮へい用インジウム−錫酸化物粉末とこれを用いた紫外線、近赤外線遮へいガラスおよびその製造方法 - 特許庁

Moreover, a functional layer may be formed in the opposite surface to the tin-doped indium oxide layer on the polyester film.例文帳に追加

また、ポリエステルフィルムの錫ドープ酸化インジウム層の反対面には機能層を形成することができる。 - 特許庁

The InGaN region 18 includes an indium profile P_In taking a single maximum value S_MAX.例文帳に追加

ＩｎＧａＮ領域１８は、単一の極大値Ｓ_ＭＡＸをとるインジウムプロファイルＰ_Ｉｎを有している。 - 特許庁

This sputtering target comprises 10-30 mol% silicon dioxide, 0.5-30 mol% indium oxide and the balance zinc chalcogenide.例文帳に追加

二酸化ケイ素：１０〜３０モル％、酸化インジウム：０．５〜３０モル％を含有し、残部がカルコゲン化亜鉛からなる組成を有することを特徴とする。 - 特許庁

At least 10% of the thickness of the semiconductor structure on the first side of the light emitting region contains an indium.例文帳に追加

発光領域の第１の側にある半導体構造体の厚さの少なくとも１０％は、インジウムを含む。 - 特許庁

To provide a reflection preventing film having satisfactory adhesiveness of a coat layer by taking a method for using indium/tin oxide.例文帳に追加

インジウム・錫酸化物を用いる方法をとりながら、コート層の密着性が良好な反射防止フィルムを提供する。 - 特許庁

A conductive bonding part 20A constituted of alloy containing indium and tin is formed on the surface of a lead wire 12.例文帳に追加

引出線１２の表面に、インジウムとスズとを含む合金により構成された導電性接着部２０Ａを形成する。 - 特許庁

To provide an indium germanate submicron tube which is composed of a single crystal of a monoclinic system and its manufacturing method.例文帳に追加

単斜晶系の単結晶構造から成る、新規なゲルマニウム酸インジウムサブミクロンチューブ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

On a substrate, a multilayer reflection film and a light absorption layer are stacked including a light absorption film containing at least indium.例文帳に追加

基板上に、多層反射膜と、少なくともインジウムを含有する光吸収膜を有する光吸収層とを積層する。 - 特許庁

The method for forming the electrode comprises heating/vaporizing indium metal and fixing the vapor on the surface of the zinc oxide.例文帳に追加

インジウム金属を加熱・蒸発させ、これを酸化亜鉛表面に固着させて電極を形成する。 - 特許庁

To provide a method for making a nitride semiconductor laser which improves the uniformity of indium composition of an InGaN well layer.例文帳に追加

ＩｎＧａＮ井戸層のインジウム組成の均一性を向上可能な窒化物半導体レーザを作製する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing powder containing indium oxide having a low grade of residual chlorine as a main component industrially and at a low cost.例文帳に追加

残留塩素品位が低い酸化インジウムを主成分とする粉末を、工業的に低コストで得られる製造方法を提供する。 - 特許庁

The coating is obtained by dispersing the precursor of tin- containing indium oxide particles in an inorganic binder.例文帳に追加

スズ含有酸化インジウム粒子の前駆体を無機バインダー中に分散させた塗料を作り、この塗料を基板上に塗布して塗膜を作る。 - 特許庁

A transparent electrode 9 is formed of an ITO (indium tin oxide) of the film thickness of about 300 nm connected to the p-type contact layer 7.例文帳に追加

透光性の電極９は、ｐ型コンタクト層７に接合する膜厚約３００ｎｍのＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）で形成されている。 - 特許庁

To provide conductive oxide powder diversifying kinds of conductive oxides and reducing the quantity of indium to be used.例文帳に追加

導電性酸化物の種類の多様化、及びインジウム使用量の低減が可能な導電性酸化物粉体を提供する。 - 特許庁