「Indium」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

COMPLEX INDIUM OXIDE PARTICLE AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND CONDUCTIVE PAINT, CONDUCTIVE COATING FILM AND CONDUCTIVE SHEET例文帳に追加

複合化酸化インジウム粒子およびその製造方法、ならびに導電性塗料、導電性塗膜および導電性シート - 特許庁

The transparent conductive layer 3 may be obtained by heating an amorphous transparent conductive layer composed of an amorphous indium-tin complex oxide.例文帳に追加

透明導電層３は、非晶質のインジウム・スズ複合酸化物からなる非晶質透明導電層を加熱することにより得られうる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device for effectively injecting indium into a process for mounting different gate insulating film thicknesses.例文帳に追加

異なるゲート絶縁膜厚を搭載するプロセスにインジウムを効果的に注入することができる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

Even if a mixing rate of the indium tin oxide and the metal oxide is constant in the mixed layer 14, it may be changed as it is laminated.例文帳に追加

混合層１４において、インジウム錫酸化物と金属酸化物との混合比は、一定であっても、積層するにつれて変化するようにしてもよい。 - 特許庁

An indium oxide film 3b expressed by chemical formula In2O3 is formed continuously on the upper surfaces of a tungsten film 6 and interlayer oxide film 2.例文帳に追加

タングステン膜６および層間酸化膜２の上面に連続するように、化学式Ｉｎ_2Ｏ_3で示される酸化インジウム膜３ｂが形成されている。 - 特許庁

To provide an oxide conductive material in which the reduction of a use amount of indium is possible and which has superior conductivity, and its manufacturing method.例文帳に追加

インジウム使用量の低減が可能であり、優れた導電性を有する酸化物導電性材料、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

An organic solution containing indium, tin and alcohol is used and is heat-treated in the presence of a surface-active agent.例文帳に追加

インジウムと錫とアルコールとを含む有機溶液を用い、これを界面活性剤の存在下で加熱処理する。 - 特許庁

The plated layer 3 is made of tin-indium (Sn-In alloy), and has a film thickness within the range from 0.1 μm to 100 μm.例文帳に追加

めっき層３は、錫インジウム（Ｓｎ−Ｉｎ合金）からなり、０．１μｍ〜１００μｍの範囲の膜厚を有する。 - 特許庁

To provide metallic foil with a resin film, which has the good reliability of connection to a via not containing tin or indium.例文帳に追加

スズ又はインジウムを含まないビアとの良好な接続信頼性を有する樹脂フィルム付き金属箔を提供する。 - 特許庁

To provide a light-emitting diode including indium nitride where strain generated in an active region is relaxed.例文帳に追加

活性領域に発生するストレインを緩和させたインジウム窒化物を有する発光ダイオードを提供する。 - 特許庁

To provide a method in which lowering of resistance of an indium oxide membrane of ITO membranes or the like can be made simply and easily.例文帳に追加

本発明は、より簡便にＩＴＯ膜等の酸化インジウム膜を低抵抗化できる方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Composition of the low- melting alloy (16) is 32 to 34% of indium (In) and 66 to 68% of bismuth (Bi).例文帳に追加

上記の低融点合金(16)の組成を、インジウム(Ｉｎ)３２〜３４％、ビスマス(Ｂｉ)６６〜６８％とする。 - 特許庁

The copper wiring line of low resistance excellent in adhesiveness is formed on the substrate or on the transparent conductive film 2A mainly comprising indium.例文帳に追加

これにより、基板又はインジウムを主成分とする透明導電膜２Ａ上に、密着性に優れた低抵抗の銅配線が形成される。 - 特許庁

To provide an indium tin oxide thin film having a good tapered shape, its manufacturing method, and a liquid crystal display element.例文帳に追加

良好なテーパー形状を有する酸化インジウム錫薄膜およびその製造方法、ならびに液晶表示素子を提供する。 - 特許庁

An etching stopper layer 35 consisting of an amorphous electrically conductive material whose main component being indium oxide is formed on a circuit board 17.例文帳に追加

回路基板17上に酸化インジウムを主成分とするアモルファス状態の導電性物質にてエッチングストッパ層35を形成する。 - 特許庁

A hole-injecting electrode made up of a transparent electrically conductive film, for example, an indium tin oxide (ITO) film etc., is formed on a substrate.例文帳に追加

基板上に、例えば、インジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）等の透明導電膜からなるホール注入電極を形成する。 - 特許庁

InBr 3 and InBr3 4 are each so sealed in that indium(In) is slightly smaller than bromine(Br) in molality.例文帳に追加

ＩｎＢｒ３およびＩｎＢｒ_3４のそれぞれの封入量は、インジウム（Ｉｎ）に比べ臭素（Ｂｒ）のモル数が少し多めになるように設定される。 - 特許庁

A passivation layer 14 is formed on a sub-collector layer 12 where silicon of high concentration is doped in an indium phosphide material.例文帳に追加

リン化インジウム材料に高濃度のシリコンをドーピングしたサブコレクタ層１２上にパッシベーション層１４が形成される。 - 特許庁

As an inorganic near infrared ray-absorbing agent, are selected one or two or more kinds of fine particles comprising indium oxide, tin oxide and zinc oxide.例文帳に追加

無機系近赤外線吸収剤として、酸化インジウム、酸化錫及び酸化亜鉛の群から１種又は２種以上の微粒子を選択する。 - 特許庁

At this time, it is preferable that the weight ratio of the indium oxide powder to the carbon nanotubes is in a range of 10 to 9.例文帳に追加

このとき、酸化インジウム粉末とカーボンナノチューブの重量比は10:1〜9:1の範囲が好ましい。 - 特許庁

To provide a structure being capable of reducing off current of a field effect transistor mainly containing indium and including metal-semiconductor junction.例文帳に追加

インジウムを主要成分とし、金属半導体接合を用いた電界効果トランジスタのオフ電流を低減せしめる構造を提供する。 - 特許庁

The indium based oxide fine particles have a mean particle diameter in the range of 2 to 200 nm, and have a substantially spherical particle shape.例文帳に追加

平均粒子径が２〜２００ｎｍの範囲にあり、粒子形状が実質的に球状であることを特徴とするインジウム系酸化物微粒子。 - 特許庁

The pocket impurity diffusion layer 16 is possessed of a segregation part formed of segregated P-type impurities of large mass such as indium.例文帳に追加

ポケット不純物拡散層１６は、質量の大きいｐ型不純物例えばインジウムが偏析してなる偏析部を有している。 - 特許庁

INDIUM TIN OXIDE FINE PARTICLE, COATING FOR FORMING TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM, TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM AND DISPLAY APPARATUS, AND METHOD OF MANUFACTURING TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM例文帳に追加

錫含有酸化インジウム微粒子と透明導電膜形成用塗料及び透明導電膜並びに表示装置、透明導電膜の製造方法 - 特許庁

To provide a transparent electrode that does not use indium, which is superior in alkaline resistance and wet heating stability, and moreover, is also superior in etching characteristics.例文帳に追加

インジウムを使用しない透明電極であり、耐アルカリ性や湿熱安定性に優れ、しかもエッチング性に優れた透明電極を提供する。 - 特許庁

A high-work-function compound semiconductor with a work function of 5.5 eV or more, such as indium nitride or zinc nitride, is used for a floating gate 104.例文帳に追加

フローティングゲート１０４に窒化インジウム、窒化亜鉛等の仕事関数が５．５電子ボルト以上の高仕事関数化合物半導体を用いる。 - 特許庁

To manufacture a long length of transparent conductive film having a transparent film base material and a crystalline indium-based complex oxide film formed on the base material.例文帳に追加

透明フィルム基材上に結晶質のインジウム系複合酸化物膜が形成された長尺状の透明導電性フィルムを製造する。 - 特許庁

To provide an indium TIM (thermal interface material) having a substantially uniform and high thermal conductivity and desirable interface properties.例文帳に追加

実質的に均一な高い熱伝導率及び望ましい界面特性を有するインジウムＴＩＭの提供。 - 特許庁

At this time, in the primary temperature, the amount of flares of indium by regular redistribution accompanying thermal treatment is also considered.例文帳に追加

このとき、第１の温度は、インジウムが熱処理に伴う通常の再分布による拡がり量をも考慮する。 - 特許庁

Quantity of indium is increased during growth of the layer such that the final lattice constant becomes equal to that of an AlInGaP active layer.例文帳に追加

インジウムの量は、最終格子定数が望ましいＡｌＩｎＧａＰ活性層と等しくなるように層の成長中に増大される。 - 特許庁

This silver solder material contains indium (In) and permits brazing below 700°C.例文帳に追加

本発明の銀鑞材料は、インジウム（Ｉｎ）を含有し、７００゜Ｃ以下の温度で鑞付可能であることを特徴としている。 - 特許庁

Preferably, the half-wave, electro-conductive, high refractive index layer contains indium titanium oxide providing sheet resistance of less than 20 ohms/sq.例文帳に追加

この二分の一波長電気伝導性高屈折率層は、好ましくは２０ｏｈｍ／ｓｑ未満のシート抵抗を提供する酸化インジウムチタンを含む。 - 特許庁

By the method, indium with purity of 99.999% or higher is collected from the scrap of the ITO target.例文帳に追加

この方法によって、ＩＴＯターゲット屑から純度９９．９９９％以上のインジウムを回収できる。 - 特許庁

A relation of a sealed amount a of a halide of sodium and a sealed amount b of a halide of indium satisfies: 270≤a/b≤480.例文帳に追加

そして、ナトリウムのハロゲン化物の封入量ａとインジウムのハロゲン化物の封入量ｂとの関係が２７０≦ａ／ｂ≦４８０である。 - 特許庁

COPPER INDIUM DISELENIDE-BASED PHOTOVOLTAIC DEVICE AND METHOD OF PREPARING THE SAME例文帳に追加

銅インジウム二セレン化物をベースとする光起電デバイス及びその光起電デバイスを作製する方法 - 特許庁

The rate of content of the indium in the film is preferably 0.1% or more and less than 60% by weight.例文帳に追加

インジウムの膜中における含有率は、重量％で０．１％以上６０％未満が望ましい。 - 特許庁

The group III-V compound semiconductor layer 15 which is thereby obtained has an indium concentration distribution in accordance with the shapes of the columnar nano-structures 13.例文帳に追加

これによって得られたIII-Ｖ族化合物半導体層１５は、柱状ナノ構造体１３の形状に応じたインジウムの濃度分布を有する。 - 特許庁

The metal plating layer 14 is composed of a pure metal such as tin (Sn) and indium (In) and having a melting point of 260°C and lower.例文帳に追加

金属めっき層１４は、たとえば、錫（Ｓｎ）、インジウム（Ｉｎ）など、融点２６０℃以下の純金属からなる。 - 特許庁

Subsequently an ITO(indium tin oxide) film is formed (105) and is patterned to form a transparent electrode and a reference mark simultaneously (106).例文帳に追加

その後、ＩＴＯを成膜し（105）、パターニングして、透明電極と基準マークとを同時に形成する（106）。 - 特許庁

The substrate is manufactured by growing an InP single crystal by using a source material containing indium oxide and/or phosphorous oxide.例文帳に追加

製造方法として、酸化インジウムおよび／または酸化リンを含む原料を用いてＩｎＰ単結晶を育成する。 - 特許庁

The indium composition of a first InGaN region 17 changes over the entire InGaN region 18.例文帳に追加

第１のＩｎＧａＮ領域１７のインジウム組成は、当該ＩｎＧａＮ領域１８の全体にわたって変化している。 - 特許庁

The specific surface area of the indium oxide powder is preferably ≤15 m^2/g, more preferably ≤6 m^2/g.例文帳に追加

好ましくは、酸化インジウム粉末の比表面積が、１５ｍ^2／ｇ以下であり、さらに好ましくは、６ｍ^2／ｇ以下である。 - 特許庁

The indium oxide sintered compact contains metallic tin, and the metallic tin is dispersed in the sintered compact.例文帳に追加

金属スズ及び酸化インジウムを含む焼結体であって、前記金属スズが焼結体中で分散している酸化インジウム焼結体。 - 特許庁

The first region 22a may be formed by the transparent conductor, for example, ITO (indium oxide-tin), ZnO (zinc oxide), and TO (tin oxide).例文帳に追加

第一領域２２ａは、透明導電体、例えばＩＴＯ（酸化インジウム−スズ）、ＺｎＯ（酸化亜鉛）、ＴＯ（酸化スズ）などから構成されれば良い。 - 特許庁

The lubricant consisting of indium does not evaporate in a vacuum at high temp. and serves favorably when used in such rolling bearings 21 and 22.例文帳に追加

また、このインジウムからなる潤滑剤は、高温かつ真空中で蒸発することなく、転がり軸受２１,２２の潤滑剤として使用できる。 - 特許庁