「Indium」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

The high-purity indium can be obtained by melting the indium raw material, stirring and oxidizing the resultant molten material in the air to form dross, allowing the dross to include impurities, and then separating the dross.例文帳に追加

インジウム原料を溶融し、これを大気中で撹拌、酸化して発生したドロスに不純物を包含させ、このドロスを分離することにより高純度インジウムを得る。 - 特許庁

To solve the problems inherent to a conventional process for growing a high-quality indium phosphide thin film on a indium phosphide substrate, such as smallness of a wafer and brittleness and expensiveness of the substrate.例文帳に追加

従来のリン化インジウム基板上における高品質リン化インジウム薄膜成長による方法の特徴であるウエハサイズが小さく、脆く、且つ高価であるという固有の問題点を克服すること。 - 特許庁

To provide a laminated structure in which an indium target adheres favorably to a backing plate, and inclusion of unnecessary impurities in the indium target is properly inhibited, and to provide a method for production thereof.例文帳に追加

インジウムターゲットとバッキングプレートとが良好に密着し、インジウムターゲット内における不要な不純物の含有が良好に抑制された積層構造体及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for efficiently recovering indium from high purity indium oxide-containing scrap generated at the time of producing an ITO sputtering target or after its use.例文帳に追加

ＩＴＯスパッタリングターゲットの製造時又は使用後に発生する高純度酸化インジウム含有スクラップからインジウムを効率良く回収する方法を提供する。 - 特許庁

It is preferable that 1 to 5 wt% of the zinc powder is contained in a dried solid component in the paste materials, and 0.1 to 5 wt% of indium chloride or bismuth chloride in terms of indium or bismuth is contained.例文帳に追加

亜鉛粉末は、糊材中の乾燥固形成分に１〜５重量％、塩化インジウムおよび塩化物ビスマスは、インジウムもしくはビスマス換算値で０．１〜５重量％含まれるのが好ましい。 - 特許庁

To provide an industrially applicable method safely and easily treating indium waste and recovering indium sludge.例文帳に追加

本発明の課題は、安全且つ簡便な方法にて、インジウム廃棄物を処理し、インジウム汚泥を回収することが可能な工業的に採用できる方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a method for directly recovering indium from indium hydroxide scrap of high purity generated at the time of producing an ITO target or the like by electrolytic extraction.例文帳に追加

ＩＴＯターゲット等の製造時に発生する高純度水酸化インジウムスクラップから電解採取によって直接インジウムを回収する方法を提供する。 - 特許庁

An indium tin oxide (ITO) is patterned (step S1) on a substrate by making a liquid or a fluid containing the indium tin oxide discharged at a requested position on the substrate from an inkjet head of a drop discharge device.例文帳に追加

液滴吐出装置のインクジェットヘッドから基板上の所望位置に、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）を含む液体または流動体を吐出させることで、インジウム錫酸化物を基板上にパターニングする（ステップＳ１）。 - 特許庁

An acrylic resin film having a thin film of indium or an indium-based alloy formed thereon is laminated directly or through a thermoplastic resin film on a thermoplastic resin sheet material, so that the thin film side comes to the side of the sheet material.例文帳に追加

熱可塑性樹脂シート基材に、インジウムまたはインジウム系合金の薄膜が形成されたアクリル樹脂フィルムを、直接あるいは熱可塑性樹脂フィルムを介して、該薄膜側が該シート基材側となるようにして、積層する。 - 特許庁

The method comprises depositing a precipitate containing indium hydroxide as a main component by neutralizing an aqueous solution containing indium chloride, thereafter washing the precipitate with water, and further calcining the precipitate at a temperature higher than 600°C and lower than 750°C in an atmosphere containing hydrogen gas.例文帳に追加

塩化インジウムを含む水溶液を中和することにより水酸化インジウムを主成分とする澱物を晶析させた後、水洗し、さらに、含水素ガス雰囲気中において６００℃を超え７５０℃未満の温度で仮焼をする。 - 特許庁

This target is a sintered body consisting of indium and molybdenum, in which molybdenum exists at the rate of 0.003-0.20 by atomic ratio against indium, and of which the relative density of the sintered body is 90% or more.例文帳に追加

インジウムとモリブデンと酸素とからなる焼結体であり、モリブデンがインジウムに対して原子数比で０．００３〜０．２０の割合で存在し、焼結体相対密度が９０％以上のものである。 - 特許庁

To provide an electroconductive indium oxide fine particle which is made to have both of stably high electric conductivity and a positive large zeta potential without adding tin as a metallic element and to provide a method for producing the electroconductive indium oxide fine particle.例文帳に追加

金属元素として錫を添加することなく、安定して高い導電性と正の大きなゼータ電位を併せ有する導電性酸化インジウム微粒子、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The photoelectromotive element 1 comprises indium oxide layer 9 provided on the surface facing the rear surface protective member, and an indium oxide layer 5 provided to the surface facing the surface protection member.例文帳に追加

光起電力素子１は、裏面保護部材に対向する表面に設けられた酸化インジウム層９と、表面保護部材に対向する表面に設けられた酸化インジウム層５を備える。 - 特許庁

Desirably, the sintered compact consists of an indium oxide crystal phase with a bixbyite type structure in which tungsten is mainly allowed to enter into solid solution and/or an indium tungstate compound crystal phase, and a tungsten oxide crystal phase is not present.例文帳に追加

さらに、主として、タングステンが固溶したビックスバイト型構造酸化インジウム結晶相および／またはタングステン酸インジウム化合物結晶相で構成され、酸化タングステン結晶相が存在しないことが望ましい。 - 特許庁

To produce a tin-doped indium oxide powder having excellent dispersibility and a low resistance and suitable for use in transparent electroconductive coating materials, etc., and to provide a method for producing the tin-doped indium oxide powder at a low cost.例文帳に追加

優れた分散性を有し、透明導電性塗料などに使用するのに適した低抵抗のスズドープ酸化インジウム粉末およびこのようなスズドープ酸化インジウム粉末を低コストで製造する方法を提供する。 - 特許庁

Thereby, when the indium filled in the upper end face 6a of the sidewall 6 is melted it flows along the slope, and indium can be prevented from dropping from a central part of a long side.例文帳に追加

これにより、側壁６の上端面６ａに充填したインジウムを溶融させたとき、傾斜に沿ってインジウムが流れ、長辺中央部におけるインジウムの垂れ落ちを防止できる。 - 特許庁

When such an indium oxide powder is used for producing the ITO sintered compact, rapid heat shrinkage of the indium oxide powder hardly occurs and it is possible to effectively suppress warp of the ITO sintered compact.例文帳に追加

このような酸化インジウム粉末を用いてＩＴＯ焼結体を製造すると、酸化インジウム粉末の急激な熱収縮が起りにくく、ＩＴＯ焼結体の反りを有効に抑制することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor element capable of increasing the composition ratio of indium contained in an indium-containing layer such as a GaInN mixed crystal layer or the like while being capable of improving a crystal quality and capable of enhancing characteristics.例文帳に追加

ＧａＩｎＮ混晶層などのインジウム含有層に含まれるインジウム組成比を大きくすると共に結晶品質を高めることができ、特性を向上させることができる半導体素子を提供する。 - 特許庁

In formation of the copper layer 20, the copper layer 20 is formed so that the percent of copper atom of the copper layer 20 is 0.5 atomic% or more and 5 atomic% or less to indium atom of the indium layer 22.例文帳に追加

このとき、銅層２０を形成する際においては、インジウム層２２のインジウム原子に対して、銅層２０の銅原子が０．５原子％以上、５原子％以下の割合になるように、この銅層２０を形成する。 - 特許庁

A primary coat 31 and an indium layer 32 overlapping this primary coat are formed on the sealing face 11a between the front substrate and the side wall, and indium layer is formed in a pattern having many bending part 32a.例文帳に追加

前面基板と側壁との間の封着面１１ａには、下地層３１とこの下地層に重ねてインジウム層３２とが形成され、インジウム層は多数の屈曲部３２ａを有したパターンに形成されている。 - 特許庁

The oxide sintered compact contains an indium oxide formed by solutionizing tungsten, in which the tungsten is contained at ≥0.001 to ≤0.034 in the ratio of tungsten atoms to indium, and the density is ≥4.0 to ≤6.5 g/cm^3.例文帳に追加

タングステンを固溶したインジウム酸化物を含有し、タングステンがインジウムに対する原子数比で０．００１以上０．０３４以下含まれ、密度が４．０ｇ／ｃｍ^3以上６．５ｇ／ｃｍ^3以下である酸化物焼結体とする。 - 特許庁

The indium-based complex oxide preferably contains tetravalent metal of over 0 to not more than 15 pts.wt. with respect to a total of 100 pts.wt. of the indium and the tetravalent metal.例文帳に追加

前記インジウム系複合酸化物は、インジウムと４価金属との合計１００重量部に対して０重量部を超え１５重量部以下の４価金属を含有することが好ましい。 - 特許庁

To provide an indium oxide powder to be used for producing an ITO sintered material by pressure-compacting the mixture powder of the indium oxide powder and a tin oxide powder and sintering the mixture powder, which is excellent in packing property.例文帳に追加

酸化インジウム粉末と酸化スズ粉末との混合粉末を加圧成型し、これを焼結してＩＴＯ焼結体を製造するのに用いる酸化インジウム粉末に関し、充填性に優れた酸化インジウム粉末を提供せんとする。 - 特許庁

Indium composition Y of the second well layer 23 is smaller than indium composition X of the first well layer 21, and thickness D_W2 of the second well layer 23 is greater than thickness D_W1 of the first well layer 21.例文帳に追加

第２の井戸層２３のインジウム組成Ｙは第１の井戸層２１のインジウム組成Ｘより小さく、また第２の井戸層２３の厚さＤ_Ｗ２は第１の井戸層２１の厚さＤ_Ｗ１より厚い。 - 特許庁

To provide an indium target having stable sputterring characteristics in film formation rate, discharge voltage or the like from start to completion of sputtering and to provide a method for producing the indium target.例文帳に追加

スパッタ開始から終了までの成膜レートや放電電圧等のスパッタ特性が安定なインジウムターゲット及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The light-transmissive substrate 1 and a glass tube 4 are sealed by an indium ring 3 in a state that a conductive film 1A and the indium ring 3 are electrically connected so that an internal space of the glass tube 4 is held in vacuum.例文帳に追加

透光性基板１とガラス管４は、インジウムリング３によって、導電膜１Ａとインジウムリング３が電気的に接続された状態でシールされ、ガラス管４の内部空間が真空に保持される。 - 特許庁

The method for production of the indium target includes a step of feeding an indium raw material from the lower portion of a mold to perform the fusion casting of the raw material.例文帳に追加

インジウム原料を溶解鋳造する工程を含み、該工程においてインジウム原料を鋳型の下部から供給するインジウムターゲットの製造方法。 - 特許庁

Next, 0.5 to 5 mol of a hydrochloric acid is made to pass to the resin, the oxalic acid adsorbed to the resin is exchanged with the hydrochloric acid and released, and the oxalato indium which is recovered for reuse stays in the anion resin as an indium aquo complex.例文帳に追加

次に０．５から５モルの塩酸を樹脂に通し、樹脂に吸着されているシュウ酸は塩酸と置換されて脱離し回収再利用されオキサラトインジウムはインジウムアコ錯体としてアニオン樹脂にとどまる。 - 特許庁

Since an indium tin oxide film (hereafter referred to as ITO film) 4 is formed between a base material 2 and a hard coat film 6, the functional film 3 on the ITO film 4 can be exfoliated by etching the ITO film 4.例文帳に追加

基材２とハードコート膜６間に酸化インジウムスズ膜（Indium Tin Oxide膜；以下「ＩＴＯ膜」と言う）４が形成されているので、ＩＴＯ膜４をエッチングして、ＩＴＯ膜４上の機能膜３を剥離することができる。 - 特許庁

A proportion X1 of indium in the In_X1Al_Y1Ga_1-X1-Y1N well layer 25 is smaller than a proportion X3 of indium in the In_X3Al_Y3Ga_1-X3-Y3N buffer layer 19.例文帳に追加

Ｉｎ_Ｘ１Ａｌ_Ｙ１Ｇａ_１−Ｘ１−Ｙ１Ｎ井戸層２５のインジウム組成Ｘ１はＩｎ_Ｘ３Ａｌ_Ｙ３Ｇａ_１−Ｘ３−Ｙ３Ｎ緩衝層１９のインジウム組成Ｘ３より小さい。 - 特許庁

A proportion X2 of indium in the In_X2Al_Y2Ga_1-X2-Y2N barrier layer 27 is smaller than the proportion X3 of indium in the In_X3Al_Y3Ga_1-X3-Y3N buffer layer 19.例文帳に追加

また、Ｉｎ_Ｘ２Ａｌ_Ｙ２Ｇａ_１−Ｘ２−Ｙ２Ｎバリア層２７のインジウム組成Ｘ２はＩｎ_Ｘ３Ａｌ_Ｙ３Ｇａ_１−Ｘ３−Ｙ３Ｎ緩衝層１９のインジウム組成Ｘ３より小さい。 - 特許庁

The method further comprises stopping generation of the direct-current plasma after the vapor deposition of the indium metal, and without breaking the vacuum, preferably vapor depositing a noble metal on the indium metal electrode so as to form a film for preventing the oxidation.例文帳に追加

さらに、インジウム金属の蒸着の後に、直流プラズマの発生を停止し、真空を破ることなく、インジウム金属電極上に、酸化防止のための貴金属膜を蒸着させるとよい。 - 特許庁

To provide an indium oxide sputtering target which can suppress the generation of nodules upon sputtering, and to provide an indium oxide sintered compact and a method for producing the same.例文帳に追加

スパッタ時のノジュールの発生を抑制できる酸化インジウムスパッタリングターゲット並びに酸化インジウム焼結体及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In this method, the indium sponge is deposited by substitution by adding a substance containing chlorine, and further adding a reducing agent, to an indium-containing solution whose pH has been adjusted to a value in the range of 1 to 2.2.例文帳に追加

ｐＨを１〜２．２の範囲に調整したインジウム含有液へ塩素を含む物質を添加し、さらに還元剤を添加することでしインジウムスポンジを置換析出させる。 - 特許庁

The method for collecting the metal includes collecting indium, gallium or tin by treating the material containing metals including indium, gallium or tin, with iron-reducing bacteria.例文帳に追加

本発明の金属の回収方法は、インジウム、ガリウムまたはスズを含む金属含有物を、鉄還元細菌で処理することにより、インジウム、ガリウムまたはスズを回収する。 - 特許庁

To provide an etching method capable of maintaining an appropriate concentration of an indium ion, in particular, out of an indium ion and a tin ion included in an etchant.例文帳に追加

エッチング液に含まれるインジウムイオン及びスズイオンの内、特にインジウムイオンの濃度を適切な濃度に維持することができるエッチング方法を提供する。 - 特許庁

The copper indium diselenide (CIS)-based photovoltaic device includes a CIS-based solar absorber layer including copper, indium, and selenium.例文帳に追加

銅インジウム二セレン化物（ＣＩＳ）をベースとする光起電デバイスが、銅、インジウムおよびセレンを含むＣＩＳをベースとする太陽光吸収体層を備える。 - 特許庁

In the method for recovering the copper, indium, gallium and selenium, firstly, metallic powder containing the indium, gallium and selenium, is dissolved with mixed solution of hydrochloric acid and hydrogen peroxide.例文帳に追加

銅・インジウム・ガリウム・セレンの回収方法であって、まずインジウム・ガリウム・セレンを含む金属粉末を塩酸および過酸化水素の混合溶液で溶解する。 - 特許庁

The plating solution for forming the copper-indium-sulfur alloy coating film contains a water soluble copper compound, a water soluble indium compound and a water soluble organic compound having sulfo group and/or sulfonyl group.例文帳に追加

水溶性銅化合物、水溶性インジウム化合物、並びにスルホ基及び／若しくはスルホニル基を有する水溶性有機化合物を含む銅−インジウム−硫黄合金皮膜形成用めっき液。 - 特許庁

Particularly, by performing an alkali treatment stage before the desorption stage, the ions of the other metal such as tin coexistent in the etching waste solution and indium are separated, and, only the indium can be recovered.例文帳に追加

特に、脱離工程の前にアルカリ処理工程を実施することにより、エッチング廃液中に共存しているスズ等の他の金属イオンとインジウムを分離し、インジウムのみを回収することができる。 - 特許庁

Therefore, regarding the method for recovering indium, indium can be efficiently adsorbed from an oxalic acid solution such as an etching waste solution exhausted upon the production of an ITO transparent electrode.例文帳に追加

それ故、本発明のインジウムの回収方法は、ITO透明電極製造時に排出されるエッチング廃液のようなシュウ酸溶液から、インジウムを効率よく吸着することができる。 - 特許庁

The ratio of the concentration of indium to the total concentration of the concentration of indium, the concentration of gallium and the concentration of zinc is preferably ≥0.3 and ≤0.6.例文帳に追加

インジウムの濃度とガリウムの濃度と亜鉛の濃度との合計の濃度に対するインジウムの濃度の比が０．３以上０．６以下であることが好ましい。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an epitaxial substrate and a vapor phase growth system which suppress the deposition of indium contained particles on a surface of a film of a group III nitride containing indium.例文帳に追加

インジウムを含有するIII族窒化物の膜の表面にインジウムを含有するパーティクルが付着することを抑制することができるエピタキシャル基板の製造方法及び気相成長装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

In a metal halide lamp in which a rare gas, mercury and halogenated indium are encapsulated into a discharge space, the halogenated indium is encapsulated at a density of 0.2 to 2.7 mg/cc.例文帳に追加

放電空間内に希ガスと水銀とハロゲン化インジウムを封入したメタルハライドランプにおいて、前記ハロゲン化インジウムを０．２〜２．７ｍｇ／ｃｃの密度で封入したことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an indium complex compound useful as a material for a light emission element, especially various kinds of ortho-matalated complex of indium (III) which are particularly useful, easily in high yield.例文帳に追加

発光素子用材料として有用なイリジウム錯体化合物のなかでもとりわけ有望な種々のオルソメタル化イリジウム（III）錯体を簡便に高収率で得られる製造方法を提供すること。 - 特許庁