「Indium」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

To achieve a transparent conductive film using a carbon element, not using any rare metal, while conventional ITO (Indium Tin Oxide) uses rare metal indium.例文帳に追加

本発明の目的は、従来のＩＴＯ（Indium Tin Oxide）が希少金属インジウムを使用しているのに対し、希少金属を用いず、炭素元素により透明導電性膜を実現することにある。 - 特許庁

The active-region includes at least one indium-containing quantum well layer, and an indium composition of the indium-containing quantum well layer fluctuates in a growth surface from which the active-region grows.例文帳に追加

前記アクティベーション層は、少なくとも一つのインジウム含有量子井戸層を含んでおり、前記インジウム含有量子井戸層のインジウムの組成は、前記アクティベーション層を成長させる成長面において変動している。 - 特許庁

An indium arsenide (InAs)layer is placed on a gallium arsenide (GaAs) substrate, and an semiconductor layer is placed on the indium arsenide layer, which is larger than the gallium arsenide substrate and has a lattice constant smaller than the indium arsenide layer.例文帳に追加

ガリウム砒素（ＧａＡｓ）基板上にインジウム砒素（ＩｎＡｓ）層を設け、インジウム砒素層上にガリウム砒素基板より大きくインジウム砒素層より小さい格子定数を有する半導体層設ける。 - 特許庁

This method for recovering indium comprises the steps of extraction-treating a hydrochloric acid solution containing indium with an extracting agent of solvating extraction type, reverse extracting this extract by a dilute acid and electrolyzing to form indium.例文帳に追加

インジウムを含有する塩酸溶液を溶媒和抽出型の抽出剤で抽出し、次にこれを希酸で逆抽出し、されらに電解採取によりインジウムとすることを特徴とするインジウムの回収方法。 - 特許庁

To provide new indium oxide-base particles with a characteristic such as a heat ray shielding property imparted by adding a metal different from indium to indium oxide, and to provide a method for producing the particles and their use.例文帳に追加

酸化インジウムに異種金属を添加することによって熱線遮蔽性等の特性を付与してなる、新規な酸化インジウム系粒子と、その製造方法および用途を提供する。 - 特許庁

To provide a production method for inexpensively producing indium hydroxide-based powder by which even indium hydroxide-based fine powder having poor filterability can be efficiently cleaned and the amount of a by-product remaining in the indium hydroxide-based powder can be reduced.例文帳に追加

水酸化インジウムを主成分とする濾過性の悪い微粉末であっても、効率的に洗浄することができて、残留する副生成物を少なくでき、かつ、低コストである製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an indium oxide film having easy-to-form needle-shaped projection together with its manufacturing method and an indium oxide film for use in a field emission electrode and indium oxide film for use in a carrier base.例文帳に追加

容易に形成可能な針状突起を有する酸化インジウム膜およびその製造方法、電界放出電極用と担持基体用酸化インジウム膜の提供。 - 特許庁

To provide a recovery method in which the indium sponge that is deposited by substitution in the substitution deposition step in the recovery of indium from an indium-containing material is produced in the form of a powder rather than in a bulky form.例文帳に追加

インジウム含有物からのインジウム回収における、置換析出工程で置換析出するインジウムスポンジが、塊状ではなく粉体状で生成する回収方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of recovering indium and tin by which high purity indium and crude tin are easily recovered from a block object containing indium oxide and tin oxide.例文帳に追加

酸化インジウム及び酸化錫を含有する塊状物から容易に高純度インジウムと粗錫を回収することを特徴とするインジウム及び錫の回収方法を提供する。 - 特許庁

To provide a powder essentially composed of indium oxide of which the chlorine quality is 6 ppm by mass or less even when an indium chloride or a metal salt essentially composed of indium chloride is used as a starting material.例文帳に追加

塩化インジウム、または、塩化インジウムを主成分とする金属塩を出発原料として用いた場合であっても、塩素品位が６質量ｐｐｍ以下である酸化インジウムを主成分とする粉末を提供する。 - 特許庁

The indium adsorbent, which includes a high-molecular material having a template structure with respect to indium and of which the adsorption selection rate of indium to zinc is 2.0 or above, is provided.例文帳に追加

インジウムに対する鋳型構造を有する高分子材料からなり、亜鉛に対するインジウムの吸着選択率が２．０以上であるインジウム吸着材を提供する。 - 特許庁

This method for recovering indium hydroxide comprises the steps of adding an aqueous solution of sodium hydroxide or ammonium hydroxide to fine indium hydroxide or a solution containing ionic indium to adjust pH to 7 to 10 to coagulate indium hydroxide, and filtering the indium hydroxide.例文帳に追加

微細な水酸化インジウム又はイオンとなっているインジウム溶液中に、水酸化ナトリウム又は水酸化アンモニウム水溶液を添加してｐＨを７〜１０に調整し水酸化インジウムを凝集させる工程、さらにこの水酸化インジウムを濾過する工程からなることを特徴とする水酸化インジウムの回収方法。 - 特許庁

The method for recovering indium comprises: an adsorption stage where a solution containing indium and oxalic acid is contacted with chitosan so as to adsorb the indium into the chitosan; and a desorption stage where the chitosan adsorbed with the indium is contacted with an acidic aqueous solution comprising hydrochloric acid, sulfuric acid or nitric acid so as to desorb the indium.例文帳に追加

インジウム及びシュウ酸を含有する溶液をキトサンに接触させて、インジウムをキトサンに吸着させる吸着工程、及びインジウムを吸着させたキトサンを、塩酸、硫酸又は硝酸を含有する酸性水溶液に接触させて、インジウムを脱離させる脱離工程を含む、インジウムの回収方法である。 - 特許庁

This method for recovering indium includes a stage in which ITO indium-containing scrap is dissolved with hydrochloric acid to form an indium chloride solution, a stage in which a sodium hydroxide aqueous solution is added to the indium chloride solution to remove tin contained in the scrap as tin hydroxide and a stage in which indium is substituted with zinc and recovered from the remaining solution freed of the tin hydroxide.例文帳に追加

ＩＴＯインジウム含有スクラップを塩酸で溶解して塩化インジウム溶液とする工程、該塩化インジウム溶液に水酸化ナトリウム水溶液を添加してスクラップ中に含有する錫を水酸化錫として除去する工程、該水酸化錫除去した後液から亜鉛によりインジウムを置換、回収する工程からなることを特徴とするインジウムの回収方法。 - 特許庁

The refined metal indium is obtained from a cathode by using a metal indium-containing alloy obtained by reduction treatment of scrap of an indium tin oxide (ITO) target as an anode, metal indium as a cathode and a molten salt containing indium bromide as an electrolyte and electrolyzing the molten salt at 1-200 A/dm^2 current density and 90-500°C operation temperature.例文帳に追加

ＩＴＯターゲットのスクラップ等を還元処理して得られた金属インジウム含有合金を陽極とし、金属インジウムを陰極とし、臭化インジウムを含む溶融塩を電解質として、電流密度：１〜２００Ａ／ｄｍ^２、操作温度：９０〜５００℃で溶融塩電解し、陰極から精製された金属インジウムを得る。 - 特許庁

The method for sulfurizing indium from an indium-containing material is characterized in that, in a method for recovering indium from an indium-containing acid solution, at least either of NaSH and Na_2S is added until the redox potential of the acid solution becomes >-20 mV to 300 mV to precipitate indium in the form of a sulfide from the acid solution.例文帳に追加

インジウムを含む酸溶液から、インジウムを回収する方法において、前記酸溶液の酸化還元電位が−２０ｍＶを超えて３００ｍＶとなるまで、ＮａＳＨ及びＮａ_２Ｓの少なくともいずれかを添加し、前記酸溶液からインジウムを硫化物として沈殿させることを特徴とするインジウム含有物からのインジウム硫化方法である。 - 特許庁

The method for growing an indium nitride-containing semiconductor layer comprises the steps of: forming indium hydride by causing hydrogen atoms resulting from the decomposition by plasma to react with an indium source including indium metal or indium-containing compound; forming nitrogen atoms by decomposing nitrogen with plasma; and forming an indium nitride-containing semiconductor layer on a substrate by causing the indium hydride and the nitrogen atoms to react with each other.例文帳に追加

本発明のＩｎＮを含む半導体層の成膜方法は、プラズマで分解された水素原子と、Ｉｎ金属またはＩｎを含む化合物からなるＩｎ源とを反応させることによってＩｎ水素化物を形成するステップと、プラズマで窒素を分解することによって原子状窒素を形成するステップと、Ｉｎ水素化物と原子状窒素とを反応させることによって、基板上にＩｎＮを含む半導体層を形成するステップとを含むことを特徴とする。 - 特許庁

In the method for producing propylene by making acetone and a hydrogen molecule react with each other in the presence of an indium-containing catalyst, the indium-containing catalyst is either one of an indium oxide and a composite oxide including indium or indium as an element supported on a carrier, wherein the indium as an element of 1 mass% or more is included with respect to the total mass of the catalyst.例文帳に追加

インジウム含有触媒の存在下でアセトンと水素分子とを反応させてプロピレンを製造する方法であって、前記インジウム含有触媒が、インジウム酸化物及びインジウムを含む複合酸化物のいずれかであるか、又は、担体上にインジウムを元素として担持してなり、当該インジウムが触媒全体の質量に対し元素として１質量％以上含まれることを特徴とするプロピレンの製造方法。 - 特許庁

In the other way, film-formation is formed by spattering, and crystallized indium oxide is contained as essential component and in the oxide transparent conductive film containing the tungsten, substantially the whole tungsten is substituted to the indium in the indium oxide.例文帳に追加

あるいは、スパッタリングによる成膜で形成され、結晶質の酸化インジウムを主成分とし、タングステンを含む酸化物透明導電膜において、実質的に全てのタングステンが酸化インジウムのインジウムに対し置換されている。 - 特許庁

Thereafter, each indium phosphide nanowire is covered with the carbon film by depositing the carbon film on the surface of each indium phosphide nanowire by subsequently heating the indium phosphide nanowires at 950-1,050°C for 10-30 min while making an inert gas and methane gas flow.例文帳に追加

その後不活性ガス及びメタンガスを流しながら、引き続き、９５０℃〜１０５０℃に１０分〜３０分間加熱することにより、リン化インジウムナノワイヤーの表面に炭素膜を堆積させることで、リン化インジウムナノワイヤーを炭素膜で被覆する。 - 特許庁

The method for recovering the indium by electrolytic refining consists in regulating the chlorine ion concentration in an electrolytic refining liquid to 10 to 40 g/L to prevent the formation of the dendrite deposits in electrolytic refining of the indium using an aqueous indium solution.例文帳に追加

インジウム水溶液を用いるインジウムの電解精製において、電解精製液中の塩素イオン濃度を１０〜４０ｇ／Ｌに調整し、樹枝状電着物の生成を防止することを特徴とする電解精製によるインジウムの回収方法。 - 特許庁

In an indium-germanium vapor depositing target, the content of germanium is controlled to the range of 2 to 12 atomic % to the total content of germanium and indium, and the average crystal grain size of indium- germanium multiple oxide phases 1 is controlled to ≤30 micron.例文帳に追加

インジウム−ゲルマニウム系蒸着ターゲットにおいて、該ゲルマニウムの含有量をゲルマニウム量とインジウム量の合計量に対して２〜１２原子％の範囲とし、インジウム−ゲルマニウム複合酸化物相の平均結晶粒径を３０ミクロン以下とする。 - 特許庁

The method for producing indium metal includes a dissolution process for dissolving an indium ingredient in an acid, wherein the free acid concentration of a dissolution liquid obtained by dissolving the indium ingredient is 3.1-7 g/L.例文帳に追加

インジウム含有物を酸で溶解させる溶解工程を含むインジウムメタルの製造方法において、前記インジウム含有物が溶解した溶解液の遊離酸濃度が３．１ｇ／Ｌ〜７ｇ／Ｌであることを特徴とするインジウムメタルの製造方法である。 - 特許庁

One layer formed on the first metal film 22 is a second metal film 24 composed of any one of materials in a group composed of molybdenum, tungsten, chrome, titanium, indium tin oxide, indium zinc oxide, and indium tin zinc oxide or the alloy of the material.例文帳に追加

第１金属膜２２の上の１層は、モリブデン、タングステン、クロム、チタン、酸化インジウムスズ、酸化インジウム亜鉛及び酸化インジウムスズ亜鉛からなるグループのいずれか１つの材料又は材料を含む合金からなる第２金属膜２４である。 - 特許庁

The indium target comprises copper of 0.5-7.5 atom% based on the total atom number of indium and copper, and the balance indium with inevitable impurities, and has an average size of the whole crystal grain of ≤10 mm.例文帳に追加

本発明によれば、インジウムと銅の合計原子数に対して０．５〜７．５ａｔ％の銅を含有し、残部インジウム及び不可避的不純物からなるインジウムターゲットであり、全体の平均結晶粒径が１０ｍｍ以下のインジウムターゲットが提供される。 - 特許庁

The filling device 100 includes a tank 32 storing molten indium, a gear pump 34 evacuating the indium from the tank 32, a filling head 38 equipped with a filling nozzle 42 discharging the indium, and an ultrasonic impression head 44.例文帳に追加

充填装置１００は、溶融したインジウムを収容したタンク３２、タンク３２からインジウムを排出させるギアポンプ３４、インジウムを吐出させる充填ノズル４２を備えた充填ヘッド３８、および超音波印加ヘッド４４を有する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an aqueous solution containing indium having decreased metal impurities from an aqueous solution containing indium and the metal impurities in a simple manner and a method for decreasing the metal impurities of the aqueous solution containing the indium in a simple manner.例文帳に追加

インジウムと金属不純物とを含有する水溶液から金属不純物の低減されたインジウム含有水溶液を簡便に製造する方法およびインジウム含有水溶液の簡便な金属不純物低減方法を提供する。 - 特許庁

The metal like decorative sheet comprises a metal holding film layer formed of an indium thin film consisting of indium particles formed at least to its one side, wherein the particle size of the metal particles consisting of indium formed to the surface of the metal holding film layer is 100-250 nm.例文帳に追加

少なくとも片方の表面にインジウム粒子からなるインジウム薄膜が形成された金属保持フィルム層を有する金属調加飾シートであって、該金属保持フィルム表面に形成されたインジウムからなる金属粒子の粒径が１００ｎｍ以上２５０ｎｍ以下である金属調加飾シート。 - 特許庁

The substrate has a solid portion and a porous portion, and the porous portion contains pores configured to cause temperature fluctuation along the growth surface during epitaxial growth of the indium-containing quantum well layer that, in turn, causes the fluctuation of the indium composition of the indium-containing quantum well layer.例文帳に追加

前記基板には、中実部と多孔質部が設けられ、前記多孔質部は、前記インジウム含有量子井戸層のエピタキシャル成長のとき、温度を前記成長面に沿って変動させて、前記インジウム含有量子井戸層のインジウムの組成を変動させるように構成された孔を含む。 - 特許庁

Since the contact type panel uses non-oxide for adhesion of the indium tin oxide film 30 with the substrate 10, the stability of a plane resistance value of the indium tin oxide film 30 is not affected by oxygen diffusion, and the excellent heat resistance and stability of the indium tin oxide film 30 can be maintained.例文帳に追加

接触式パネルは、酸化インジウムスズ膜３０と基板１０との接着に非酸化物を使用するため、酸素拡散により酸化インジウムスズ膜３０の面抵抗値の安定性は影響を受けず、酸化インジウムスズ膜３０の良好な耐熱性および安定性を維持することを可能にする。 - 特許庁

This coating liquid for forming the electroconductive film contains electroconductive fine particles, a coloring agent and a polar solvent, wherein the electroconductive fine particles are indium oxide-based fine particles selected from indium oxide or indium oxide doped with Sn or F, and the coloring agent is particles having a positive charge.例文帳に追加

導電性微粒子と着色剤と極性溶媒とを含み、導電性微粒子が酸化インジウム、ＳnまたはＦがドーピングされた酸化インジウムから選ばれる酸化インジウム系微粒子であり、着色剤が正電荷を有する粒子であることを特徴とする透明導電性被膜形成用塗布液。 - 特許庁

An indium recovering apparatus is provided with: a plasma furnace 5 which receives and heats a residue Rf after removal of organic materials in the waste W1, and gasifies the indium in the residue Rf in reduction atmosphere; and a splash condenser 7 with which the gaseous indium discharged from the plasma furnace 5 is condensed.例文帳に追加

廃棄物Ｗ１中の有機物を除去した後の残渣Ｒｆを受け入れて加熱し、残渣Ｒｆにインジウムを還元雰囲気の中で気化させるプラズマ炉５と、プラズマ炉５から排出された気体状のインジウムを凝縮させるスプラッシュコンデンサー７とを備える。 - 特許庁

The method is provided for pulverizing a display panel composed mainly of glass and containing an ITO transparent electrode and recovering indium from the resulting pulverized material, wherein the pulverized material is classified into glass fines with a size of ≤250 μm and indium is recovered from the resulting indium-concentrated glass fines.例文帳に追加

主としてガラスからなりかつITO透明電極を含むディスプレーパネルを粉砕し、粉砕物からインジウムを回収する方法において、粉砕物を250μm以下のガラス微粉に分級し、得られたインジウム濃縮ガラス微粉からインジウムを回収する。 - 特許庁

The method for producing an indium-tin nanowire includes: adding an initiator to a non-aqueous solvent comprising grains essentially composed of sub-halides of indium, dissolved with a tin compound and also admixed with acid; and causing disproportionation reaction to obtain the indium-tin nanowire.例文帳に追加

インジウムのサブハライドを主成分とする粒子を含み、錫化合物が溶解され、かつ酸が添加された非水系溶媒中に、開始剤を加えて不均化反応させることによりインジウム−錫ナノワイヤを得ることを特徴とするインジウム−錫ナノワイヤの製造方法。 - 特許庁

This invention includes an indium oxide film having a needle- shaped structure consisting of a continuous film structure part and needle-shaped projection protruding from the continuous film structure part; a manufacturing method of such a film; and the indium oxide film for use in field emission electrode and the indium oxide film for use in carrier base.例文帳に追加

針状構造からなる酸化インジウム膜であって、連続膜構造部分と、該連続膜構造部分から突出した針状突起を有する酸化インジウム膜およびその製造方法、ならびに電界放出電極用酸化インジウム膜および担持基体用酸化インジウム膜。 - 特許庁

The particles are prepared by adding an alkali to an aqueous solution containing an indium salt of 5 to 15 g/l in terms of indium and a tin salt of 0.3 to 1.2 g/l in terms of tin so the pH as to become 3.0 to 4.3, to prepare precipitates containing tin and indium, and reduction-firing the precipitates.例文帳に追加

この粒子は、インジウム換算の濃度が５〜１５ｇ／ｌのインジウム塩、及び錫換算の濃度が０．３〜１．２ｇ／ｌの錫塩を含む水溶液に、ｐＨが３．０〜４．３となるようにアルカリを添加して、錫及びインジウムを含む沈殿物を生成させ、該沈殿物を還元焼成することで得られる。 - 特許庁

To provide an inexpensive method for producing an indium target, which makes less indium oxide enter into an inner layer of a hot metal, and is suitable particularly for use in forming an indium film which is a light absorption layer formed of a stacked Cu-Ga/In precursor for a thin-film solar cell.例文帳に追加

溶湯内層への酸化インジウムの取り込みが少なく、取り分け薄膜太陽電池薄膜太陽電池のＣｕ−Ｇａ／Ｉｎの積層プリカーサー光吸収層であるインジウム膜成膜用として適したインジウムターゲットの安価な製造方法の提供を課題とする。 - 特許庁

A tantalum sol, which contains fine tantalum particles in a colloidal state by chemical reaction, and an indium sol, which contains fine indium particles in a colloidal state by chemical reaction and the tantalum and indium particles are finely divided by a sol-gel method to obtain the photocatalyst increased in the specific surface area of the particles.例文帳に追加

化学反応により微細なタンタル粒子をコロイド状態で含むタンタルゾルと、化学反応により微細なインジウム粒子をコロイド状態で含むインジウムゾルとを混合し、ゾル−ゲル法で粒子を微粒化することにより粒子の比表面積を大きくした。 - 特許庁

indium in 111 anti-cea monoclonal antibody m5a is a type ofradioimmunoconjugate. 例文帳に追加

インジウム111抗ceaモノクローナル抗体m5aは放射性免疫抱合体の一種である。 - PDQ®がん用語辞書 英語版

it is made up of the monoclonal antibody ibritumomab plus the radioisotope indium 111. 例文帳に追加

イブリツモマブというモノクローナル抗体とインジウム111という放射性同位元素から構成されている。 - PDQ®がん用語辞書 英語版

ii. Photocathodes using gallium arsenide or indium gallium arsenide as the main material 例文帳に追加

２　主材料に砒化ガリウム又は砒化インジウムガリウムを用いた光電陰極 - 日本法令外国語訳データベースシステム

iii. Focal plane arrays which use indium antimonide or lead selenide with less than 256 elements 例文帳に追加

３　アンチモン化インジウム又はセレン化鉛を用いたものであって、素子の数が二五六未満のもの - 日本法令外国語訳データベースシステム

3. The Class I Designated Chemical Substance listed in (xliv) of Appended Table 1: indium 例文帳に追加

（３）　別表第一第四十四号に掲げる第一種指定化学物質　インジウム - 日本法令外国語訳データベースシステム

The well region 5 consists of a III-V compound semiconductor comprising nitrogen, indium and gallium.例文帳に追加

井戸領域５は、窒素、インジウムおよびガリウムを含むIII−Ｖ化合物半導体から成る。 - 特許庁

The gallium isopropoxide and the indium isopropoxide are mixed at an arbitrary ratio.例文帳に追加

ガリウムイソプロポキシドとインジウムイソプロポキシドとは任意の比率で混合される。 - 特許庁