「Integrated amplifiers」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The integrated circuit device including an array of memory cells includes a plurality of sense amplifiers couplable to the memory cells with each of the sense amplifiers having associated pull-up and pull-down switching devices respectively coupled to first and second latch nodes thereof.例文帳に追加

メモリセルのアレイを含む集積回路装置はメモリセルに結合可能な複数のセンスアンプを含み、センスアンプの各々はその第１および第２のラッチノードにそれぞれ結合される関連するプルアップおよびプルダウンスイッチング装置を有する。 - 特許庁

An integrated circuit device comprising a memory cell array comprises a plurality of sense amplifiers being able to couple to the memory cells, and each of sense amplifiers has related pull-up and pull-down switching devices coupled to first and second latch nodes respectively.例文帳に追加

メモリセルのアレイを含む集積回路装置はメモリセルに結合可能な複数のセンスアンプを含み、センスアンプの各々はその第１および第２のラッチノードにそれぞれ結合される関連するプルアップおよびプルダウンスイッチング装置を有する。 - 特許庁

e) Solid-state microwave amplifiers or assemblies or modules containing microwave amplifiers that fall under any of the following (excluding microwave monolithic integrated circuit power amplifiers or devices designed for satellite broadcast use at an operating frequency of 40.5 gigahertz or higher to 42.5 gigahertz or less 例文帳に追加

ホ　マイクロ波用固体増幅器又はマイクロ波用増幅器を含む組立品若しくはモジュールであって、次のいずれかに該当するもの（マイクロ波用モノリシック集積回路電力増幅器又は四〇・五ギガヘルツ以上四二・五ギガヘルツ以下の動作周波数で使用するように設計した衛星放送用のものを除く。） - 日本法令外国語訳データベースシステム

The peak wave-detecting parts and differential amplifier part are thus integrated, so that the number of operational amplifiers is reduced and the peak wave detector is turned low-cost.例文帳に追加

このように各ピーク検波部と差動増幅部とを一体化することにより、オペアンプの数を減らすことができ、ピーク検波器の低価格化を図る。 - 特許庁

A switch circuit selectively actuating either of the first and second operation amplifiers OP1 and OP2 according to the condition of a semiconductor integrated circuit is arranged.例文帳に追加

半導体集積回路の状態に応じて、第１及び第２のオペアンプＯＰ１，ＯＰ２のいずれか一方を選択的に動作させる切り換え回路を配置する。 - 特許庁

... while monoliths or hybrid integrated circuit approaches to VCAs (voltage-controlled amplifiers) have been expensive, or they have suffered from poor performance. 例文帳に追加

...一方, 電圧制御増幅器(VCA)へのモノリシックまたはハイブリッド集積回路のアプローチは,高価過ぎるか,あるいは不満足な効率のために不振に陥った． - コンピューター用語辞典

In the semiconductor integrated circuit, operational amplifiers 10, 11, 12, 13 and 14 acting as five electrical potential detecting circuits, respectively, are arranged at five voltage measurement points in a chip 1.例文帳に追加

半導体集積回路は、チップ１内の５つの測定電圧ポイントに、それぞれ５つの電位差検出回路であるオペアンプ１０、１１、１２、１３、１４を配置している。 - 特許庁

The semiconductor integrated circuit device includes the switched capacitor circuit, having a group of operational amplifiers 4, a group of switches 2, a timing signal line 1 for driving the group of switches 2, and a group of capacitors 3A on its substrate.例文帳に追加

演算増幅器群４とスイッチ群２とスイッチ群２を駆動するタイミング信号線１とキャパシタ群３Ａとを基板上に有するスイッチトキャパシタ回路を含んでいる。 - 特許庁

Further, the antenna surface of the device and system according to the invention generally form a microstrip module array containing a number of radiation element for transmission and/or reception, and consist of one or several columns of individual element forming the antenna aperture, the column and/or columns having integrated power amplifiers and/or low noise amplifiers (LNAs), respectively.例文帳に追加

装置およびシステムのアンテナ表面は、送受信のためのいくつかの放射素子を含むマイクロストリップモジュールアレイを形成し、アンテナアパーチャを形成する個々の素子の１つまたはいくつかの列から成り、列はそれぞれ、統合された電力増幅器および／または低雑音増幅器を有する。 - 特許庁

A portable telephone device which is a mode of this invention is equipped with a power amplifier 26, having amplifiers 32 and 34 and bypass switches 33 and 35 inside as an integrated IC.例文帳に追加

本発明の実施の形態となる携帯電話装置は、増幅器３２及び増幅器３４とバイパススイッチ３３及び３５を内蔵させた電力増幅器２６を一体型ＩＣとして備える。 - 特許庁

The operation of the control signal A is stopped when column operations are not needed in the integrated semiconductor circuit operating the control signal A of the transistors connecting memory cells and sense amplifiers during access.例文帳に追加

メモリセルとセンスアンプとを接続しているトランジスタの制御信号Ａを、アクセス中に動作させる半導体集積回路装置において、カラム動作を必要としないときに制御信号Ａの動作を止める。 - 特許庁

To provide a circuit for testing the operation of switching gain control signals, which controls the gain of each amplifier, in a semiconductor integrated circuit provided with a plurality of gain-controllable amplifiers, and to shorten the test time.例文帳に追加

ゲイン制御可能な複数のアンプを備える半導体集積回路において、各アンプのゲインを制御するゲイン制御信号の切り換え動作をテストするための回路を設け、かつテスト時間の短縮化を図る。 - 特許庁

c) Monolithic microwave integrated circuit power amplifiers that fall under any of the following (excluding those used for broadcasting satellites designed for use at an operating frequency of 40.5 gigahertz or more and 42.5 gigahertz or less 例文帳に追加

ハ　マイクロ波用モノリシック集積回路電力増幅器であって、次のいずれかに該当するもの（四〇・五ギガヘルツ以上四二・五ギガヘルツ以下の動作周波数で使用するように設計した衛星放送用のものを除く。） - 日本法令外国語訳データベースシステム

A receiving node system 1 in an integrated network integrating optical packets and optical paths includes a wavelength band selector 3, a plurality of optical amplifiers 4, a plurality of wavelength demultiplexers 5, a plurality of receivers 6, and a computer 7.例文帳に追加

波長帯選択器３と，複数の光増幅器４と，複数の波長分波器５と，複数のレシーバ６と，コンピュータ７とを含む光パケットと光パスとを統合した統合ネットワークにおける受信ノードシステム１。 - 特許庁

This generator is a multiple wavelength light generator which is to be used in a wavelength multiplexed optical transmission system and in which plural semiconductor light amplifiers 4-1 to 4-6 for performing four-light wave mixing, plural semiconductor optical amplifiers 5-1 to 5-5 for amplifying light intensity, plural optical demultiplexers 2-1 to 2-13 and plural optical multiplexers 3-1 to 3-6 are integrated.例文帳に追加

波長多重光伝送システムにおいて用いられ、それぞれ複数の、４光波混合を行う半導体光増幅器４−１〜４−６、光強度を増幅するための半導体光増幅器５−１〜５−５と、光分波器２−１〜２−１３と、光合波器３−１〜３−６とを集積した多波長光発生器である。 - 特許庁

The integrated circuit package 9 connected to an active matrix substrate 27 is composed so that flexible substrates 15, 16 are bonded to a ceramic substrate 13 for mounting the integrated circuit 11 functioning as an amplifiers or the like by using an anisotropic conductive adhesive material 19, and they have the same function as TAB as one piece.例文帳に追加

アクティブマトリクス基板２７に接続される集積回路パッケージ９は、増幅器等として機能する集積回路１１を実装するセラミック基板１３に、異方導電性接着材料１９を用いてフレキシブル基板１５、１６を接合し、これらが一体としてＴＡＢと同じ機能を有している。 - 特許庁

To eliminate a vacant space formed when an open bit line system is adopted and a construction wherein sense amplifiers are arranged concentrically is employed, in a semiconductor memory device, in which a memory cell is integrated so as to have a high density (256 Mbit).例文帳に追加

メモリセルを高密度（２５６Ｍｂｉｔ）に集積化した半導体メモリ装置において、オープンビット線方式を採用すると共に、センスアンプを集中的に配置する構成を採った場合に生じる空きスペースを無くすことである。 - 特許庁

Furthermore, since the power distributor 12, the transmission high frequency amplifiers 13a, 13b, the isolators 14a, 14b and the patch antenna element 15 are integrated on a dielectric board 10, the antenna system can be miniaturized.例文帳に追加

また、電力分配器１２、送信用高周波増幅器１３ａ，１３ｂ、アイソレータ１４ａ，１４ｂ、およびパッチアンテナ素子１５は、誘電体基板１０上に一体化して構成されているので、装置を小形にすることができる。 - 特許庁

The centralized control unit 20 has a CPU 21 for processing signals in an integrated manner between an operating switch 11, the display 12, the CD control unit 30 and other audio units 40, and an AM/FR radio tuner 22 contg. amplifiers.例文帳に追加

集中制御ユニット２０は、操作スイッチ１１や表示部１２とＣＤ制御ユニット３０や他の音響ユニット４０との間での信号処理を統合して行うＣＰＵ２１とアンプ内蔵のＡＭ／ＦＭラジオチューナ２２とを有する。 - 特許庁

Inputs to and outputs from amplifiers 6 and 8 and an integrated amplifying circuit 12 are so connected as to sequentially amplify high frequency signals, and output signals of the integrated amplifying circuit 12 are received by a common emitter-connected double emitter transistor 20 at its base electrode, amplified thereby and outputted from its collector electrode, while its emitter electrodes 20e1 and 20e2 are connected to a ground potential point.例文帳に追加

高周波信号を順に増幅するように増幅器６、８、集積増幅回路１２の入出力が接続され、集積増幅回路１２の出力信号をエミッタ共通接続のダブルエミッタトランジスタ２０がベース電極に受けて増幅し、コレクタ電極から出力し、エミッタ電極２０ｅ１、２０ｅ２が接地電位点に接続されている。 - 特許庁

Concerning the semiconductor integrated circuit having a memory cell array 1, plural word lines 2, plural bit lines 8, a selector circuit 3 and plural sense amplifiers 4, this circuit is provided with plural sense amplifier enable signal lines 5 respectively individually connected to the plural sense amplifiers and a sense amplifier activate signal generating circuit 6 for independently outputting a sense-amplifier-enable signal at arbitrary timing.例文帳に追加

メモリセルアレイ１と、複数のワード線２と、複数のビット線８と、セレクタ回路３と、複数のセンスアンプ４とを有する半導体集積回路において、複数のセンスアンプのそれぞれに個別に接続される複数のセンスアンプイネーブル信号線５と、複数のセンスアンプイネーブル信号線５に接続されて、独立的に任意のタイミングでセンスアンプイネーブル信号を出力するセンスアンプ活性化信号発生回路６とを備える。 - 特許庁

To provide an offset voltage adjusting circuit which easily adjusts an offset voltage and its temperature drift of the signal path where operational amplifiers and circuit elements are connected in stages, with the circuit configuration where an increase in occupation area in an integrated circuit is suppressed.例文帳に追加

オペアンプや回路要素が多段に接続された信号経路のオフセット電圧や温度ドリフトを、集積回路における占有面積の増大が抑制された回路構成により、簡便に調整することができるオフセット電圧調整回路を提供する。 - 特許庁

The radiating structure of the microwave equipment comprises a second circuit board 38 for mounting a circuit component of a mixing power amplifier 3, including power amplifiers 22, 24 and 25 as radiating elements and housed in a sub-housing 2 and a cover 39, and a radiating plate 33 integrated with the sub-housing 32 to constitute a radiator 31.例文帳に追加

発熱素子としての電力増幅器２２，２４，２５を含む混合電力増幅回路３の回路部品が実装された第２の回路基板３８をサブ筐体３２とカバー３９の内部に収納し、このサブ筐体３２に放熱プレート３３を一体化して放熱体３１を構成する。 - 特許庁

In the transmission power amplifier circuit with a temperature compensation function, power amplifier 151, 152 employing gallium arsenide field effect transistors and a preamplifier provided with a thermister temperature compensation circuit are integrated into one integrated circuit, and the power amplifiers 151, 152 and the preamplifier including the thermister temperature compensation circuit are formed on a substrate 150 of the integrated circuit in the state that ground circuits 155, 156 are independent of each other.例文帳に追加

温度補償機能付きの送信電力増幅回路１５ｂにおいて、ガリウム砒素電界効果型トランジスタを使用した電力増幅器１５１，１５２と、サーミスタ温度補償回路１５４を備えた前置増幅器１５３とを１個の集積回路に収容し、かつその際に電力増幅器１５１，１５２と、温度補償回路１５４を含む前置増幅器１５３とを、集積回路の基板１５０上においてその接地回路１５５，１５６が独立した状態で形成するようにしたものである。 - 特許庁

The integrated synthesizing system is provided with: input ports 120; switchable dividers 540, input switches 530; a plurality of power amplifiers 110, output switches 510; switchable synthesizers 520; and output ports 130, and signals are synthesized by a fundamental or redundant unit by changing switches in response to a failure of a power amplifier.例文帳に追加

統合型合成装置は、入力ポート１２０、スイッチング可能な分配器５４０、入力スイッチ５３０、複数のパワーアンプ１１０、出力スイッチ５１０、スイッチング可能な合成器５２０、出力ポート１３０を備え、パワーアンプの故障に対応してスイッチを切り替えて、信号を基本タイプまたはリダンダンシータイプ、によって合成する。 - 特許庁

In the high-frequency semiconductor integrated circuit, having differential amplifiers 6, 7, and 8 which are connected in a plurality of stages, the common emitter of a differential amplifier 8 at least at the final stage is grounded, without going through constant current sources 9 and 10, and an independent grounding terminal 13 is used separately from other grounding terminals 12.例文帳に追加

複数段接続された差動増幅器６，７，８を備えた高周波半導体集積回路において、複数段の差動増幅器のうち、少なくとも最終段の差動増幅器８のコモンエミッタを、定電流源９，１０を介さず接地し、且つ、他の接地端子１２とは別に独立した接地端子１３とする。 - 特許庁

An impedance converting circuit 36 inputs high-frequency signals output from output terminals 73A to 73E of high-frequency power amplifiers of five systems constituted as monolithic microwave integrated circuits 59 to 60 from a plurality of input terminals 77A to 77E disposed opposite the respective output terminals 73A to 73E, and performs impedance conversion.例文帳に追加

インピーダンス変換回路３６は、モノリシックマイクロ波集積回路５９及び６０として構成された５系統の高周波電力増幅器の出力端子７３Ａ〜７３Ｅから出力された高周波信号を、当該各出力端子７３Ａ〜７３Ｅに相対するように配置された複数の入力端子７７Ａ〜７７Ｅから入力してインピーダンス変換を行う。 - 特許庁

A 1st amplifier 117a that amplifies a voice signal picked up by an external microphone to a prescribed level and a 2nd amplifier 117b that amplifies a voice signal received by the telephone set to a prescribed level are provided to the outside of an IC device 118A, that is integrated with an attenuator control circuit 118 which causes either of output signals from the 1st and 2nd amplifiers to the attenuated.例文帳に追加

外部マイクロホンに入力された音声信号を所定レベルに増幅する第１の増幅器１１７ａと、電話機２で受信された音声信号を所定レベルに増幅する第２の増幅器１１７ｂとが、これら第１および第２の増幅器からの出力信号に基づいて何れか一方の出力信号を減衰させるアッテネータ制御回路１１８が組み込まれたＩＣデバイス１１８Ａの外部に設けられている。 - 特許庁