「Interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(32ページ目) - Weblio英語例文検索

To reduce the treatment time of an interlayer insulation film in a wafer and make the treatment time constant for each wafer.例文帳に追加

層間絶縁膜に関するウェハの処理時間を短縮し，当該処理時間を各ウェハ間で一定にする。 - 特許庁

To provide an oxygen-absorbing multilayer body excellent in oxygen absorbing performance, resin strength, interlayer strength and resin processability.例文帳に追加

酸素吸収性能、樹脂強度、層間強度、樹脂加工性に優れた酸素吸収多層体の提供。 - 特許庁

To shorten the treating time of a wafer with regard to an interlayer insulating film and make the treating time constant for each wafer.例文帳に追加

層間絶縁膜に関するウェハの処理時間を短縮し，当該処理時間を各ウェハ間で一定にする。 - 特許庁

An opening 116 is formed at a position overlapping with a photoelectric conversion part 105 of the fifth interlayer insulation film 113e.例文帳に追加

第５層間絶縁膜１１３ｅの光電変換部１０５と重なった位置に開口１１６が形成される。 - 特許庁

MODIFIED GRAPHITE, GRAPHITE INTERLAYER COMPOUND AND CATALYST USING THE MODIFIED GRAPHITE AND METHOD FOR PRODUCING THEM例文帳に追加

改質黒鉛、その改質黒鉛を用いる黒鉛層間化合物及び触媒並びにそれらの製造方法。 - 特許庁

An interlayer insulation film is selectively etched by plasma of a gas containing a fluorocarbon gas to form a through-hole.例文帳に追加

層間絶縁膜を、フルオロカーボンガスを含むガスのプラズマにより選択的にエッチングして貫通孔を形成する。 - 特許庁

To provide a laminated film having satisfactory interlayer adhesiveness with respect to lamination of polypropylene film and sealant resin.例文帳に追加

ポリプロピレンフィルムとシーラント樹脂の積層において、良好な層間接着性を有する積層フィルムを提供する。 - 特許庁

Next, an interlayer film 116 is formed so that the surfaces of the polysilicon gate electrodes 108, 109 may be exposed.例文帳に追加

次に、ポリシリコン・ゲート電極１０８，１０９の表面が露出するように層間膜１１６を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device includes a lower Interlayer Dielectric (ILD) layer having a top surface formed on a substrate.例文帳に追加

この半導体デバイスは、基板上に形成され、上部表面を有する下部層間誘電体（ＩＬＤ）層を含む。 - 特許庁

A nonwoven fabric having 0.15-0.6 interlayer strength factor is combined with an adhesive having specific dynamic viscoelasticity.例文帳に追加

また層間強度係数γが0.15〜0.6である不織布と特定の動的粘弾性を有する粘着剤を組み合わせる。 - 特許庁

After forming the interlayer dielectric film 4 on the lower-layer electrode 3a, an oxidation preventing film 5 is formed on the whole surface.例文帳に追加

下層電極３ａ上に層間絶縁膜４を形成した後、酸化防止膜５を全面に形成する。 - 特許庁

The windshield glass 14 is constituted of an outside glass sheet 16, an inside glass sheet 18, and an interlayer film 20.例文帳に追加

ウインドシールドガラス１４は、外側ガラス板１６、内側ガラス板１８、中間膜２０によって構成されている。 - 特許庁

Each bus wiring 28 is buried to an interlayer dielectric 30 formed on the semiconductor-substrate chip 1.例文帳に追加

各バス配線２８は、半導体基板チップ１の上に形成された層間絶縁膜３０に埋め込まれている。 - 特許庁

An interlayer insulating film 14 is formed after forming the wiring 16 and the TiN film 18 on the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上に配線１６とＴｉＮ膜１８を形成した後、層間絶縁膜１４を形成する。 - 特許庁

COMPOSITION FOR FORMING POROUS FILM, METHOD FOR PRODUCING POROUS FILM, POROUS FILM, INTERLAYER DIELECTRIC FILM AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

多孔質膜形成用組成物、多孔質膜の製造方法、多孔質膜、層間絶縁膜及び半導体装置。 - 特許庁

A contact region, i.e., a diffusion layer 13, is formed beneath an interlayer insulation film 12 formed on a substrate 11.例文帳に追加

基板１１上の層間絶縁膜１２下層にコンタクト領域である拡散層１３が形成されている。 - 特許庁

To provide a low dielectric constant porous silica-based film having high mechanical strength and useful for interlayer insulating films.例文帳に追加

機械的強度の高い、層間絶縁膜に有用な低誘電率多孔質シリカ質膜を提供すること。 - 特許庁

These steps are repeated for manufacturing the multilayer printed board having via holes for interlayer connection.例文帳に追加

この工程をくり返すことを特徴とする、層間接続バイア・ホールを有する多層プリント基板の製造方法。 - 特許庁

The interlayer insulating film 6 of a silicon oxide film is formed by a CVD method, etc. on this gate electrode 3.例文帳に追加

このゲート電極３上に、ＣＶＤ法等によりシリコン酸化膜の層間絶縁膜６が形成される。 - 特許庁

Consequently, the conductor 5 is manufactured which has necessary strength as a conductor for interlayer connection.例文帳に追加

これにより、層間接続用導電体として必要な強度を備えた導電体５を製造することができる。 - 特許庁

On a disk-shaped substrate 1, a base layer 2, a soft backing layer 3 and an interlayer 4 are sequentially formed.例文帳に追加

円盤状の基板１の上に、下地層２、軟磁性裏打ち層３及び中間層４を順次形成する。 - 特許庁

A second trench extending to the interlayer insulating film 21, semiconductor layer 14, and an embedded layer 12 is formed thereafter.例文帳に追加

その後、層間絶縁膜２１、半導体層１４及び埋め込み層１２に延びる第２のトレンチを形成する。 - 特許庁

RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION FOR SPACER UNITED WITH COLOR FILTER PROTECTION FILM OR TFT INTERLAYER INSULATION FILM例文帳に追加

カラーフィルター保護膜またはＴＦＴ層間絶縁膜と一体となったスペーサー用感放射線性樹脂組成物 - 特許庁

Fuse elements 2a, 2b of a damascene structure and a bonding pad 2c are formed within an interlayer insulating film 1.例文帳に追加

層間絶縁膜１内にダマシン構造のヒューズ素子２ａ、２ｂ及びボンディングパッド２ｃが形成されている。 - 特許庁

A contact plug 16B is formed at the interlayer insulating film 15A on the source region or the drain region.例文帳に追加

ソース領域またはドレイン領域上の層間絶縁膜１５Ａ内にはコンタクトプラグ１６Ｂが形成されている。 - 特許庁

On the interlayer dielectric 2 and the wiring 3, an SiOC film 7 is formed along their surfaces.例文帳に追加

層間絶縁膜２および配線３上には、それらの表面に沿ってＳｉＯＣ膜７が形成されている。 - 特許庁

A via hole 3 connecting a Cu wiring 1 is formed in an interlayer insulation film 2 covering the Cu wiring 1.例文帳に追加

Ｃｕ配線１を覆う層間絶縁膜２内に、Ｃｕ配線１に接続するビアホール３を形成する。 - 特許庁

The intra-film atom density of the gate silicon nitride film 16 is set higher than the intra-film atom density of the interlayer silicon nitride film 26.例文帳に追加

ゲート窒化シリコン膜16の膜中原子密度を層間窒化シリコン膜26の膜中原子密度より高くする。 - 特許庁

COMPOSITION FOR FORMING POROUS FILM, METHOD FOR PRODUCING POROUS FILM, POROUS FILM, INTERLAYER DIELECTRIC FILM AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

多孔質膜形成用組成物、多孔質膜の製造方法、多孔質膜、層間絶縁膜及び半導体装置 - 特許庁

A hole 21 is formed that penetrates an interlayer insulating layer 20 and reaches the polycide pattern 18 and the connection region.例文帳に追加

層間の絶縁膜２０を貫通しポリサイドパターン１８及び接続領域に到達するホール２１を形成する。 - 特許庁

The CMOS image element has a interlayer insulating film formed on a semiconductor substrate having a photodiode region.例文帳に追加

ＣＭＯＳイメージ素子は、フォトダイオード領域を有する半導体基板上に層間絶縁膜が形成される。 - 特許庁

To provide an interlayer for laminated glass excellent in transparency, adhesiveness to glass and wet-heat resistance; and laminated glass.例文帳に追加

透明性、ガラス接着性、耐湿熱性に優れた合わせガラス用中間膜、及び合わせガラスを提供する。 - 特許庁

Wirings connected to the capacitor electrodes are formed on the interlayer insulating film through the contact holes.例文帳に追加

そして、コンタクトホールを介してキャパシタ電極に接続された配線が層間絶縁膜上に形成されている。 - 特許庁

As a liquid to be added to the bentonite based material, interlayer cation-containing water can be used in place of water.例文帳に追加

また、ベントナイト系材料に添加する液体として、水に代えて、層間陽イオン含有水を用いることもできる。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with a silicon substrate 1, a titanium nitride film 15, a titanium nitride film 16 and an interlayer insulating film 20.例文帳に追加

半導体装置は、シリコン基板１と、チタンナイトライド膜１５および１６と、層間絶縁膜２０とを備える。 - 特許庁

A semiconductor substrate 200 is formed and an interlayer insulating film 204 is formed on the semiconductor substrate 200.例文帳に追加

半導体基板２００及び、半導体基板の上部に形成される層間絶縁膜２０４が形成される。 - 特許庁

An interlayer insulating film 11, having a contact hole 11a, is formed on a silicon semiconductor substrate 10.例文帳に追加

シリコンからなる半導体基板１０の上に、コンタクトホール１１ａを有する層間絶縁膜１１を形成する。 - 特許庁

Then, on-metal wiring 54 connected with the metallic pole 51 is selectively formed on the interlayer insulating film 7.例文帳に追加

次に、金属柱５１と接続する金属上配線５４を層間絶縁膜７上に選択的に形成する。 - 特許庁

An interlayer dielectric can be selected to enhance defect resistance and mechanical strength during fabrication of a device.例文帳に追加

層間誘電体は、装置製造中の欠陥耐性および機械強度を向上させるように選ぶことができる。 - 特許庁

INTERLAYER INSULATING FILM MADE OF LOW DIELECTRIC CONSTANT BORAZINE-SILICON BASED POLYMER, AND SEMICONDUCTOR DEVICE CONSTITUTED OF THE SAME例文帳に追加

低誘電率ボラジン−ケイ素系高分子からなる層間絶縁膜及びこれにより構成された半導体装置 - 特許庁

Following to the formation of an interlayer insulation film 18 and respective electrodes, a silicon nitride film is formed as a protective insulation film 22.例文帳に追加

層間絶縁膜１８および各電極を形成後、窒化シリコン膜を形成して保護絶縁膜２２とする。 - 特許庁

Next, the interlayer insulation layer is etched by a plasma containing an etching gas made mainly of ammonia gas.例文帳に追加

次に、層間絶縁膜に対して、アンモニアガスを主成分とするエッチングガスからなるプラズマによってエッチングを行なう。 - 特許庁

Another pair, which is the same as this is prepared and laminated by hot press across an interlayer insulating layer 10.例文帳に追加

そして，これと同じものをもう１組用意し，層間絶縁層１０を間に挟んでホットプレスにより積層する。 - 特許庁

OPTICAL DISK REPRODUCING DEVICE, INTERLAYER MOVEMENT CONTROL METHOD OF OPTICAL DISK REPRODUCING DEVICE, CONTROL PROGRAM, AND RECORDING MEDIUM例文帳に追加

光ディスク再生装置、光ディスク再生装置の層間移動制御方法、制御プログラムおよび記録媒体 - 特許庁

To simply and reliably achieve interlayer connection in a built-in electronic component substrate incorporating a semiconductor bare chip IC.例文帳に追加

半導体ベアチップＩＣを内蔵する電子部品内蔵基板の層間接続を簡易かつ高信頼性化を図る。 - 特許庁