Interlayerを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 6425件
To provide a method of press-sticking an interlayer on a glass panel by which the occurrence of crack on a plate glass is prevented and the occurrence of bubbles on the boundary face between the plate glass and the interlayer is prevented.例文帳に追加
板ガラスにクラックが発生するのを防止することができると共に中間膜と板ガラスとの界面に気泡が生じるのを防止することができるガラスパネルの中間膜圧着方法を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device in which hydrogen beyond a hydrogen barrier such as an Al_2O_3 film on an interlayer insulating film is suppressed when a wiring layer is formed on the interlayer insulating film which buries a ferroelectric capacitor.例文帳に追加
強誘電体キャパシタを埋める層間絶縁膜上に配線層を形成する際に、層間絶縁膜上のＡｌ_2Ｏ_3膜等の水素バリアを超えて生じる水素の侵入を抑制する半導体装置を提供する。 - 特許庁
To reduce leakage current between copper traces sandwiching an interlayer insulation film, while maintaining a low permittivity when the interlayer insulation film, composed of multiple layers of insulation films exhibiting low permittivity is formed between the copper traces.例文帳に追加
銅配線間に低誘電率を有する多層の絶縁膜からなる層間絶縁膜を形成したときに、層間絶縁膜が低誘電率を維持しつつ、層間絶縁膜を挟む銅配線間のリーク電流を小さくする。 - 特許庁
To provide an interlayer film excellent in an infrared ray shielding property at a wavelength region of not only 1,500 nm or more but also 1,500 nm or less and to provide laminated glass using the interlayer film.例文帳に追加
波長領域１５００ｎｍ以上の赤外線遮蔽性のみならず、波長領域１５００ｎｍ以下の赤外線遮蔽性にも優れた中間膜、および該中間膜を用いてなる合わせガラスの提供。 - 特許庁
An interlayer resin-insulating layer 50α is dried to such an extent that exposing and developing steps can be performed at an adjusted drying temperature of 70-90°C, in order to prevent an interlayer resin insulating layer 50 from being crosslinked excessively.例文帳に追加
層間樹脂絶縁層５０αの乾燥温度を７０℃〜９０℃に調整することで、層間樹脂絶縁層５０の架橋が進行し過ぎないように、露光、現像を行い得る状態まで乾燥させる。 - 特許庁
The semiconductor chip 1 further includes an interlayer insulating film 90 and a passivation film 2, and respective side surfaces of the interlayer insulating film 90 and the passivation film 2 are covered with the sealing resin layer 5 that gets into the trench 11.例文帳に追加
また、半導体チップ１は、層間絶縁膜９０やパッシベーション膜２をさらに含んでおり、層間絶縁膜９０やパッシベーション膜２の各側面は、溝１１に入り込んだ封止樹脂層５に被覆されている。 - 特許庁
The interlayer insulating film 26 is prevented from collapsing and deforming by the support 25 when external pressing force F is held by the spacer 15, which suppresses damages in a signal line 27 formed between the interlayer insulating film 26 and the spacer 15.例文帳に追加
外部からの押圧力Ｆをスペーサ15で支持した際の層間絶縁膜26の潰れ変形を支持体25によって防止し、層間絶縁膜26とスペーサ15との間に形成した信号線27の破損を抑制できる。 - 特許庁
A wiring groove (53B) is formed to reach a midpoint in the thickness direction of an interlayer dielctric on a semiconductor substrate, and a via hole (51B) is formed to extend from the bottom surface of the wiring groove to the bottom surface of the interlayer dielectric.例文帳に追加
半導体基板上の層間絶縁膜の厚さ方向の途中まで達するように、配線溝(53B)が形成され、配線溝の底面から層間絶縁膜の底面まで達するように、ビアホール(51B)が形成されている。 - 特許庁
The first wiring layer 33 has a first interlayer insulating film, a plurality of via plugs 37-1 and a plurality of first wiring 37-2 provided at a first interval or more in the first interlayer insulating film.例文帳に追加
第１配線層部３３は、第１層間絶縁膜と、第１層間絶縁膜内に第１間隔以上で設けられた複数の第１ビアプラグ３７−１及び複数の第１配線３７−２とを有する。 - 特許庁
While the interlayer insulating film 3 is subjected to a hydrophobic processing, the cleaning and removing are not affected thereby because they use the organic solvent that the organic substances wherewith the interlayer insulating film 3 is impregnated are dissolved and they can be performed.例文帳に追加
層間絶縁膜３は疎水化処理を施されているが、有機溶媒であるのでそれに影響されずに層間絶縁膜３中に染み込んで有機物を溶解し、洗浄除去することができる。 - 特許庁
The aqueous ink comprises a pigment in a dispersed state, which has at least a part of interlayer ions in an interlayer compound ionically replaced by a dye ion having an opposite polarity to the interlayer ion, where the aqueous ink is manufactured by carrying out the ion replacement of the interlayer ion by the dye ion and dispersion in water and atomization of the pigment in the same reaction vessel.例文帳に追加
層間化合物中の層間イオンの少なくとも一部が、前記層間イオンと逆の極性を示す染料イオンによってイオン置換されている顔料を分散状態で含んでいる水性インクであって、前記水性インクが、前記層間イオンの前記染料イオンへのイオン置換と、前記顔料の水分散及び微粒子化を同一反応容器内で行うことによって製造されるものであることを特徴とする水性インク。 - 特許庁
After a gate insulation film 12 and an interlayer insulation film 14 are formed by liquid phase method using a liquid material containing polysilazane, a hydrogen block film 15 for accelerating decomposition of moisture contained in the gate insulation film 12 and the interlayer insulation film 14 and blocking hydrogen produced through decomposition is formed on the interlayer insulation film 14 and then the gate insulation film 12 and the interlayer insulation film 14 are annealed.例文帳に追加
ポリシラザンを含む液体材料を用いて液相法によりゲート絶縁膜１２及び層間絶縁膜１４を順次形成した後、係る層間絶縁膜１４の上に、当該ゲート絶縁膜１２及び層間絶縁膜１４中に含まれる水分の分解を促し、且つ、該分解によって生じた水素をブロックする水素ブロック膜１５を形成し、その後、上記ゲート絶縁膜１２及び層間絶縁膜１４をアニールする。 - 特許庁
Contact holes 4, having the tapered shape as the upper part of aperture, are formed close to within an interlayer insulation film 3.例文帳に追加
層間絶縁膜中に、開口上部の形状がテーパー形状のコンタクトホールを近接して形成する。 - 特許庁
On the insulating film 13, the interlayer insulating film 15 is formed directly and the high-magnetic-permeability film 14 is not formed.例文帳に追加
絶縁膜１３上には層間絶縁膜１５が直接形成され、高透磁率膜１４は形成されない。 - 特許庁
As a result, the electrostatic discharge damage of a second interlayer dielectric 9 in the manufacturing process can be controlled.例文帳に追加
これにより、製造工程中における第二層間絶縁膜９の静電破壊を抑えることができる。 - 特許庁
The capacity element 6 is covered with an n-th layer interlayer insulating film 8 provided on the substrate 1.例文帳に追加
容量素子６は、基板１上に設けられた第ｎ層目の層間絶縁膜８によって覆われている。 - 特許庁
CONDUCTIVE COMPOSITION PRODUCING METHOD, METHOD OF INTERLAYER CONNECTION AND CONDUCTIVE FILM OR CONDUCTIVE IMAGE FORMATION METHOD例文帳に追加
導電性組成物作製方法、層間接続方法、及び導電性膜または導電性画像作製方法 - 特許庁
To prevent damage of a building caused by interlayer displacement exceeding a limit, with the excellent aseismic action.例文帳に追加
優れた制震作用を有し、かつ限度を越えた層間の変位に起因する建物の損壊を防止すること。 - 特許庁
To improve a process for forming an electric continuity hole for exposing an aluminum wiring or the like from an interlayer insulating film.例文帳に追加
層間絶縁膜からアルミ配線等を露出させるための導通孔を形成する工程を改善する。 - 特許庁
To provide a tube for fuel having excellent alcohol and gasoline permeation preventing property, interlayer adhesiveness, and low temperature impact resistance.例文帳に追加
アルコールガソリン透過防止性、層間接着性、低温耐衝撃性に優れた燃料用チューブを提供する。 - 特許庁
A second wiring layer 21 making a continuity with the metal plug 18 is formed on the fifth interlayer insulating film 14.例文帳に追加
第５の層間絶縁膜１４の上層に金属プラグ１８と導通する第２の配線層２１を形成する。 - 特許庁
The second interlayer film 18 is flattened to expose the whole of at least the upper surface of the resist 17.例文帳に追加
この第２の層間膜１８が平坦化され、レジスト１７の少なくとも上表面を全て露出させる。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a printed wiring board having an interlayer connection, which can correspond to high precision and micronization.例文帳に追加
高精度微細化に対応することができる層間接続のプリント配線基板の製造方法を提供する。 - 特許庁
SYNTHETIC METHOD OF POLYMERIC MATERIAL, METHOD OF FORMATION OF HIGH MOLECULAR THIN FILM, AND METHOD OF FORMATION OF INTERLAYER DIELECTRIC FILM例文帳に追加
高分子材料の合成方法、高分子薄膜の形成方法及び層間絶縁膜の形成方法 - 特許庁
To lower rate of occurrence of peeling of an interlayer dielectric and peeling of a pad even when a load is applied to the pad.例文帳に追加
パッドに荷重がかかった場合でも、層間絶縁膜の膜剥がれやパッドの剥離の発生率を低くする。 - 特許庁
On the interlayer insulating film 40, a bit line 41 is formed which is electrically connected to the magnetoresistive element.例文帳に追加
その層間絶縁膜４０に、磁気抵抗素子に電気的に接続されるビット線４１が形成されている。 - 特許庁
To provide a composite material excellent in interlayer impact strength and to provide a prepreg excellent in surface tack retainability.例文帳に追加
層間の耐衝撃性に優れた複合材料を与え、表面のタック保持性に優れるプリプレグを提供する。 - 特許庁
To prevent the occurrence of separation of a film and formation of leak path in a semiconductor device that includes an interlayer insulating film.例文帳に追加
層間絶縁膜を備えた半導体装置において、膜剥がれの発生及びリークパスの形成を抑制する。 - 特許庁
To increase the selection rate of an interlayer insulation film and an etching stop film in a self aligned contact(SAC) etching technique.例文帳に追加
セルフアラインコンタクト（ＳＡＣ）エッチング技術において、層間絶縁膜とエッチング停止膜の選択比を大きくする。 - 特許庁
To suppress the separation of an upper wiring layer by suppressing reaction between an interlayer insulating film and the upper wiring layer.例文帳に追加
層間絶縁膜と上層配線層との反応を抑制して、上層配線層の剥離を抑制する。 - 特許庁
A polysilicon layer 105 is provided on a side wall portion of a contact hole 104 formed in an interlayer insulating film 103.例文帳に追加
層間絶縁膜１０３に形成されたコンタクトホール１０４の側壁部にポリシリコン層１０５を設ける。 - 特許庁
An interlayer insulating film 100, a lower layer wiring 101, and a first insulating film 102 are deposited on a semiconductor substrate.例文帳に追加
半導体基板上に層間絶縁膜１００、下層配線１０１、第１の絶縁膜１０２を堆積する。 - 特許庁
An etching stopper film 2, an interlayer insulating film 3 and a cap film 4 are formed in sequence on a lower wiring 1.例文帳に追加
下層配線１上に、エッチングストッパ膜２、層間絶縁膜３およびキャップ膜４を順に形成する。 - 特許庁
A copper interconnection layer CL1 is formed in an interconnection trench IT1, on the surface of an interlayer insulating film II2.例文帳に追加
銅配線層ＣＬ１は層間絶縁膜ＩＩ２の表面の配線溝ＩＴ１内に形成されている。 - 特許庁
A semiconductor device has a semiconductor chip including an interlayer dielectric, a first area and a first crack stop.例文帳に追加
半導体装置は、層間絶縁膜と、第１の領域と、第１のクラックストップとを備えた半導体チップを有する。 - 特許庁
The second insulation film provided with the second plug and the stopper film has a conductive film pattern and interlayer insulation film formed thereon.例文帳に追加
第２プラグ及びストッパ膜を備える第２絶縁膜上に、導電膜パターン、層間絶縁膜を形成する。 - 特許庁
An insulating film 22 having a water permeability resistance is interposed between the third interlayer insulating film 21 and the fuse 25.例文帳に追加
第３の層間絶縁膜２１とヒューズ２５との間には、耐透水性を有する絶縁膜２２が介在している。 - 特許庁
Subsequently, a source/drain region 21, a silicide film 22, an interlayer insulation film 23, metal wiring 24 and the like are formed (g).例文帳に追加
以下、ソース・ドレイン領域２１、シリサイド膜２２、層間絶縁膜２３及びメタル配線２４等を形成する（ｇ）。 - 特許庁
To provide an advantageous technique for flattening the surface of an interlayer dielectric film in a solid-state imaging device.例文帳に追加
固体撮像装置における層間絶縁膜の表面を平坦化するために有利な技術を提供する。 - 特許庁
To provide a resin composition excellent in electric characteristics especially dielectric property of interlayer insulation layers, and to provide applications thereof.例文帳に追加
層間絶縁材層の電気特性・特に誘電特性に優れる樹脂組成物とその用途を提供する。 - 特許庁
POSITIVE PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, CURED FILM, INTERLAYER DIELECTRIC, ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE DISPLAY DEVICE, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE例文帳に追加
ポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜、層間絶縁膜、有機ＥＬ表示装置、および液晶表示装置 - 特許庁
To provide a method for formation of wiring structure by which an interlayer insulating film having a low specific inductive capacity can be formed by adopting an ordinary resist process.例文帳に追加
通常のレジストプロセスを採用して、比誘電率が低い層間絶縁膜を形成できるようにする。 - 特許庁
As a result, the electron beam having high energy is so projected on the interlayer insulation film as to shorten the time of the hardening of the wafer.例文帳に追加
これによって，高エネルギーの電子線が層間絶縁膜に照射され，硬化処理時間が短縮される。 - 特許庁
The interlayer 12 is composed of materials such as hafnium whose electronegativity is smaller than those of nickel, iron, cobalt and copper.例文帳に追加
中間層１２は、ハフニウムなどの、ニッケル，鉄，コバルトおよび銅よりも電気陰性度の小さな材料からなる。 - 特許庁
The plasticizer is usable as a thermoplastic resin sheet and an interlayer for laminated glass colored by the addition of the plasticizer.例文帳に追加
これら可塑剤を添加して着色した熱可塑性樹脂シート、合わせガラス用中間膜の用途がある。 - 特許庁
Plugs 23s, 23d, 23g to come into contact with the silicide film 12 are formed inside an interlayer insulating film 21.例文帳に追加
更に、シリサイド膜１２に接するプラグ２３ｓ、２３ｄ及び２３ｇを層間絶縁膜２１内に形成する。 - 特許庁
The interlayer insulating film patterns 120 and 130 have an opening that accommodates the contact pad 126 and the spacers 140.例文帳に追加
層間絶縁膜パターン１２０，１３０は、コンタクトパッド１２６とスペーサー１４０を収容する開口を有する。 - 特許庁
A barrier metal 20 is formed over the first wiring layer 16, the second interlayer insulating film 18 and the silicon film 30.例文帳に追加
第１配線層１６と第２層間絶縁膜１８とシリコン膜３０との上にバリアメタル２０を成膜する。 - 特許庁
Interlayer insulating films 201, 103, 503, 104, 504 and 202 are laminated on a wiring material 401 functioning as a lower layer wiring in this order.例文帳に追加
下層配線として機能する配線材４０１の上には層間絶縁膜２０１，１０３，５０３，１０４，５０４，２０２がこの順に積層される。 - 特許庁
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