「Interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(27ページ目) - Weblio英語例文検索

Insulating films 17 and 18 are formed on the first interlayer insulating film 13 and a lower layer wiring 16.例文帳に追加

第１の層間絶縁膜１３及び下層配線１６上に絶縁膜１７，１８が形成されている。 - 特許庁

To prevent an interlayer insulating film from coming off by reducing stress by a surface protection film.例文帳に追加

表面保護膜による応力を低減することにより、層間絶縁膜の膜剥がれの発生を防止する。 - 特許庁

To obtain a printed board having via holes which exhibit a high reliability of interlayer connection and its manufacture method.例文帳に追加

層間接続信頼性に優れたビアホールを有するプリント基板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To prevent an interlayer insulating film from coming off by reducing stress by a mold resin.例文帳に追加

モールド樹脂による応力を低減することにより、層間絶縁膜の膜剥がれの発生を防止する。 - 特許庁

The semiconductor device is formed with interlayer insulating films and a wiring layer on the semiconductor substrate surface in which an element region is formed.例文帳に追加

特に側面から外部取出しを行うに際し、半導体装置の信頼性の向上をはかる。 - 特許庁

An interlayer insulating film 6 whose Young's modulus is 7 or more GPa and whose specific inductive capacity is less than 3 is used.例文帳に追加

また、層間絶縁膜６は、ヤング率が７ＧＰａ以上で比誘電率が３未満のものを用いる。 - 特許庁

An interlayer film layer 24 is made via a barrier film 22 on a first n-1 wiring layer 10.例文帳に追加

第Ｎ−１層の配線層１０の上にバリア膜２２を介して層間膜層２４を形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor device capable of suppressing generation of a voids in an interlayer insulating film.例文帳に追加

層間絶縁膜中のボイドの発生を抑制する半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

After that, the part of the interlayer film 6 on the scribe line 4s is selectively removed, so as to have the interlayer film 6 on the scribe line 4s removed or left with a thickness of not thicker than 5 nm when the interlayer film 6 on the protruding patterns 4 in the chip region 1a is removed by polishing in the next process.例文帳に追加

その後、次に行われる研磨によってチップ領域１ａ内の凸パターン４上における層間膜６が除去された時点で、スクライブライン４ｓ上の層間膜６が除去されるかまたは５ｎｍ以下の膜厚で残るように、スクライブライン４ｓ上の層間膜６の一部を選択的に除去する。 - 特許庁

A metallic film 293 covering the interlayer insulating film 152 is formed while filling the apertures 32a with the film 293.例文帳に追加

開口３２ａを充填しつつ、層間絶縁膜１５２を覆う金属膜２９３を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device not requesting a grinding work for flattening the upper surface of an interlayer insulating film.例文帳に追加

層間絶縁膜上の平坦化のための研磨加工が不要である半導体装置を提供する。 - 特許庁

The interlayer insulating layer 45 is etched using the resist pattern as a mask and the resist pattern is removed.例文帳に追加

第４に、レジストパターンをマスクとして層間絶縁層４５がエッチングされ、該レジストパターンが除去される。 - 特許庁

To provide an optical recording medium which achieves stable and high-quality recording characteristics with less interlayer crosstalk.例文帳に追加

層間クロストークが小さく安定して高品質な記録特性が得られる光記録媒体を提供する。 - 特許庁

A ground reference mark 110 is formed by forming a ground reference mark hole 111 at a predetermined density in an interlayer film 132, depositing tungsten inside the ground reference mark hole 111 and on the interlayer film 132, and creating a recess by erosion produced when chemical mechanical polishing is performed on the tungsten present on the surface of the interlayer film 132.例文帳に追加

下地基準マーク１１０は、層間膜１３２に下地基準マーク用ホール１１１を所定密度で形成し、下地基準マーク用ホール１１１内および層間膜１３２上にタングステンを堆積し、層間膜１３２表面のタングステンを化学機械研磨したときのエロージョンで凹みを生じさせることによって形成される。 - 特許庁

A via hole is arranged through the metal interlayer insulating film to expose the first capping film.例文帳に追加

前記金属層間絶縁膜を貫いてビアホールが配置され、前記第１キャッピング膜を露出させる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a printed wiring board, with which reliability of interlayer connection is enhanced in obtaining the wiring board by conducting a forming process on a prepreg formed using a glass base, after forming holes for interlayer connection and filling the holes for interlayer connection with an electrically conductive paste.例文帳に追加

ガラス基材を用いて形成されるプリプレグに層間接続用の孔加工と、この層間接続用の孔への導電性ペーストの充填とを行った後に、成形加工を施すことにより配線板を得るにあたり、層間接続信頼性を向上することができる配線板の製造方法を提供する。 - 特許庁

A second interlayer film 104 is formed on the wirings 102 and the inter-wiring space 103.例文帳に追加

複数の配線１０２の上及び配線間スペース１０３に第２の層間膜１０４が形成されている。 - 特許庁

When an interlayer insulating film 22D is made of a positive type material, a predetermined region of a part of the interlayer insulating film 22D which is opposed to metal wiring layers 23 and 24 are exposed with an exposure amount less than exposure sensitivity such that the remaining film rate of the opposed parts is 0, and then the interlayer insulating film 22D is exposed.例文帳に追加

層間絶縁膜２２Ｄがポジ型の材料からなる場合には、層間絶縁膜２２Ｄのうち金属配線層２３，２４との対向部分の残膜率がゼロとなる露光感度よりも低い露光量で上記対向部分の所定の領域を露光したのち層間絶縁膜２２Ｄを現像する。 - 特許庁

A first-layer wiring metal film 3 and an interlayer oxide film 4 are formed on a field oxide film 2, an organic material such as SOG, etc., is applied and then is etched back to flatten the surface of first inter-layer oxide film 4, and a second interlayer oxide film 5 is formed on the first-layer wiring metal film 3 and the first interlayer oxide film 4.例文帳に追加

フィールド酸化膜２上に第１層目の配線用金属膜３と第１層間酸化膜４を形成し、ＳＯＧ等の有機物を塗布し、エッチバックして、第１層間酸化膜４上を平坦化し、第１層目の配線用金属膜３上と第１層間酸化膜４上に第２層間酸化膜５を形成する。 - 特許庁

To provide a method of washing a contact region of a metal wire which can avoid both the deterioration of a low dielectric constant interlayer insulation film which is caused by the re-adhesion of metal ions and the deterioration of a low dielectric constant interlayer insulation film which is caused by hydrogen radicals activated at the time of reactive washing simultaneously and can maintain the low dielectric constant characteristics of the interlayer insulation film.例文帳に追加

金属イオンの再付着による低誘電層間絶縁膜の劣化と、反応洗浄時に活性化された水素ラジカルによる低誘電層間絶縁膜の劣化を同時に防止して、層間絶縁膜の低誘電特性を維持できるようにした金属配線のコンタクト領域の洗浄方法を提供する。 - 特許庁

In the interlayer dielectric 21, an opening groove provided so as to extend linearly to the contact region 4.例文帳に追加

層間絶縁膜２１には、コンタクト領域４まで達する線状に延設された開口溝が設けられる。 - 特許庁

Interlayer insulating films 113, 117 and a transparent film 118 are successively laminated on a substrate.例文帳に追加

基板上には、層間絶縁膜１１３、１１７および透明膜１１８が順次積層されている。 - 特許庁

A porous-shaped low-k film 3 is used as the interlayer insulating film, and a semiconductor chip 2 is formed.例文帳に追加

層間絶縁膜にポーラス状のＬｏｗ−ｋ膜３を用いて半導体チップ２を形成する。 - 特許庁

To provide an EL sheet formed in a solid manner without causing interlayer delamination and a rupture of a layer.例文帳に追加

層間剥離や層の破断を生じさせずに立体的に成形されたＥＬシートを提供すること。 - 特許庁

The socket-like structure parts 24 and 24A and a conductor layer C1 are stuck through an interlayer connection layer 54.例文帳に追加

ソケット様構造部２４，２４Ａと導体層Ｃ1とは、層間接続層５４を介して接着されている。 - 特許庁

The stopper film 4 is formed with an insulating material having etching speed smaller that of the interlayer insulating film 6.例文帳に追加

ストッパー膜４は、層間絶縁膜６よりもエッチング速度が小さい絶縁材料で形成されている。 - 特許庁

The interlayer dielectric 22 is not removed in the following process but remains on a completed semiconductor device 2.例文帳に追加

この層間絶縁膜２２は、その後の工程で除去されずに完成した半導体装置２に残存する。 - 特許庁

Then, after the entire surface of the semiconductor substrate 1 is covered with an interlayer dielectric, the surface is flattened.例文帳に追加

そして、半導体基板１の全面を層間絶縁膜で覆った後、その表面を平坦化する。 - 特許庁

To provide an optical drive device which performs a reliable focus servo operation using an interlayer detection signal.例文帳に追加

層間検出用信号を用いながらも確実にフォーカスサーボを行える光学ドライブ装置を提供する。 - 特許庁

Further, only dummy wiring and dummy plugs are arranged within the upper layer side interlayer insulating film B in the region directly under the electrode pad 70, and when a stress is applied to the electrode pad 70, the stress applied to the upper layer side interlayer insulating film B is made larger than the stress applied to the lower layer side interlayer insulating film A.例文帳に追加

また、電極パッド７０の直下域の上層側層間絶縁膜Ｂ内にはダミー配線及びダミープラグのみを配置し、電極パッド７０に応力が印加されたときに下層側層間絶縁膜Ａよりも上層側層間絶縁膜Ｂに大きな応力が印加されるようにする。 - 特許庁

In this thin-film transistor, an underlying film, a gate insulating film and an interlayer insulating film are formed of a silicon oxide film.例文帳に追加

薄膜トランジスタにおいて、下地膜、ゲート絶縁膜、層間絶縁膜を酸化珪素膜で形成する。 - 特許庁

The gate pattern is formed by patterning a gate electrode pattern 57b covering the peripheral circuit region, a second gate interlayer insulating film 64b which is formed on the gate electrode pattern and thicker than the first gate interlayer insulating film 64a and a second conducting film 69 formed on the second gate interlayer insulating film.例文帳に追加

又、ゲートパターンは周辺回路領域を覆うゲート電極パターン５７ｂ、ゲート電極パターンの上に形成され、第１ゲート層間絶縁膜６４ａより厚い第２ゲート層間絶縁膜６４ｂ、及び第２ゲート層間絶縁膜の上に形成された第２導電膜６９をパターニングして形成する。 - 特許庁

To provide a method for producing an interlayer crosslinked clay porous body by which the object can be recovered by general filtration and washing and a mesoporous interlayer crosslinked clay porous body having a larger pore diameter than a conventional interlayer crosslinked clay porous body can easily be obtained at a low price.例文帳に追加

一般的な濾過洗浄により目的物を回収することが可能であり、しかも得られる多孔体の孔径が従来の層間架橋粘土多孔体よりも大きいメソポーラス層間架橋粘土多孔体を安価に且つ簡単に得ることのできる層間架橋粘土多孔体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To suppress the peeling and destruction of the interlayer insulating film of a semiconductor chip caused by stress at the time of assembly and mounting.例文帳に追加

組立実装時の応力による半導体チップの層間絶縁膜の剥がれや破壊を抑制する。 - 特許庁

The electrical device includes an electrode layer 23; an interlayer insulation film 25 covering the electrode layer 23; a contact hole 27 formed in the interlayer insulation film 25 so as to expose a part of the electrode layer 23; and a wiring layer 31 formed in the surface of the interlayer insulation film 25, and at the same time, connected to the electrode layer 23 through the contact hole 27.例文帳に追加

電極層２３と、電極層２３を覆う層間絶縁膜２５と、電極層２３の一部が露出するように層間絶縁膜２５に形成されたコンタクトホール２７と、層間絶縁膜２５の表面に形成されると共に、コンタクトホール２７を介して電極層２３に接続された配線層３１とを備える。 - 特許庁

The composite interlayer includes a layer of plasticized polyvinyl butyral sandwiched between second and third polymeric layers.例文帳に追加

複合中間層は第２と第３のポリマー層の間に挟まれた可塑化ポリビニルブチラールの層を含む。 - 特許庁

A bump electrode 4 and an interlayer connection electrode 7 are formed in a multilayer wiring substrate 2 by a JPS method (a).例文帳に追加

多層配線基板２にＪＰＳ法でバンプ電極４，層間接続電極７を形成する（ａ）。 - 特許庁

MULTI-LAMINATED STRUCTURE HAVING LAYER STRUCTURE OF POLYAMIDE 1/INTERLAYER/POLYAMIDE 2 FOR PRODUCING DECORATIVE ARTICLE例文帳に追加

装飾物品を作るためのポリアミド１／中間層／ポリアミド２の層構成を有する多重積層構造体 - 特許庁

The interlayer insulating film 103 is selectively formed on the respective plurality of gate electrodes 102.例文帳に追加

層間絶縁膜１０３は、複数のゲート電極１０２それぞれ上に選択的に形成されている。 - 特許庁

To enable a form a low-permittivity porous membrane which serves as an interlayer insulation film of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体の層間絶縁膜としての低誘電率の多孔質膜を形成できるようにすること。 - 特許庁

An interlayer insulating film 9 is formed on the surfaces of the well 3, diffusion layer 6, gate electrode 11, source 4, and drain 5.例文帳に追加

ウエル3，拡散層6，ゲート電極11，ソース4，ドレイン5の表面には層間絶縁膜9が形成されている。 - 特許庁

An interlayer insulating film 14 of siloxane polymer is formed on the upper side of the polysilazane layer 19.例文帳に追加

そして、ポリシラザン層１９の上側には、シロキサンポリマーからなる層間絶縁膜１４が形成されている。 - 特許庁

An interlayer insulating film 50 including an organic resin film 51 is provided in contact with an oxide semiconductor film 20.例文帳に追加

酸化物半導体膜２０に接して、有機樹脂膜５１を含む層間絶縁膜５０を設ける。 - 特許庁

Above and below the hydrogen barrier layer 32, interlayer insulating films 34 and 30 comprising O3-TEOS film are formed.例文帳に追加

また、水素バリヤ層３２の上下には、Ｏ_3 −ＴＥＯＳ膜からなる層間絶縁膜が成膜されている。 - 特許庁

The sensor 40 is used for detecting the existence of interlayer peeling in the multilayer wiring layer 20.例文帳に追加

センサ４０は、多層配線層２０の層間における剥離の有無を検出するために用いられる。 - 特許庁