「Interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(23ページ目) - Weblio英語例文検索

An interlayer insulating film 7 is formed on the active region 21 and the semiconductor substrate 30.例文帳に追加

アクティブ領域２１及び半導体基板３０上には、層間絶縁膜７が形成される。 - 特許庁

An interlayer insulating film 2 is formed on an Si substrate 1, and a wiring groove 3 is made in that section.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上に層間絶縁膜２を製膜し、その部分に配線溝３を形成する。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING POROUS FILM AND INTERLAYER INSULATING FILM, AND SEMICONDUCTOR MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

多孔質フィルムの製造方法ならびに層間絶縁膜、半導体材料および半導体装置 - 特許庁

The interlayer insulating film and the microlens are formed from the above radiation-sensitive resin composition.例文帳に追加

層間絶縁膜およびマイクロレンズは上記感放射線性樹脂組成物から形成される。 - 特許庁

METHOD FOR REPROCESSING GLASS INTERLAYER FILM AND ELASTIC SHEET PREPARED BY THE REPROCESSING METHOD例文帳に追加

ガラス中間膜の再処理方法、及びこの再処理方法によって生成される弾性シート - 特許庁

CONDUCTIVE PASTE FOR INTERLAYER CONNECTION AND AS MULTILAYER PRINTED WIRING BOARD USING THE SAME, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

層間接続用導電性ペースト、及びそれを用いた多層プリント配線板とその製造方法 - 特許庁

A first interlayer insulation film 104 is formed on the semiconductor substrate to cover the transistor.例文帳に追加

次に、トランジスタを覆うように半導体基板上に第１の層間絶縁膜１０４を形成する。 - 特許庁

The interlayer 4 includes a function which suppresses the reaction of the resist film 3 and the conductive film 5.例文帳に追加

中間膜４は、レジスト膜３と導電性膜５との反応を抑制する機能を備える。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a multilayer printed wiring board with excellent etching precision of interlayer connecting holes.例文帳に追加

層間接続穴のエッチング精度に優れた多層プリント配線板の製造方法を提供する。 - 特許庁

An interlayer insulating film 3 is formed on a semiconductor substrate 1 formed with a semiconductor element 2.例文帳に追加

半導体素子２が形成された半導体基板上１に層間絶縁膜３を成膜する。 - 特許庁

An etching stopper film 10 and an interlayer insulating film 16 are formed on the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１上に、エッチングストッパ膜１０および層間絶縁膜１６が形成される。 - 特許庁

The interlayer insulating film 3 has a contact hole 21a, reaching the upper cell plate electrode 11.例文帳に追加

層間絶縁膜３は、上部セルプレート電極１１に達するコンタクトホール２１ａを有する。 - 特許庁

The Si/N ratio of the gate silicon nitride film 16 is set higher than the Si/N ratio of the interlayer silicon nitride film 26.例文帳に追加

ゲート窒化シリコン膜16のＳｉ／Ｎ比を層間窒化シリコン膜26のＳｉ／Ｎ比より高くする。 - 特許庁

The opening of the interlayer dielectric is formed like a stripe covering a plurality of pixel electrodes.例文帳に追加

層間絶縁膜の開口部は、複数の画素電極にまたがるストライプ状に形成されている。 - 特許庁

The interlayer film 1 for the laminated glass has one end 1a having a thickness thinner than that of the other end 1b.例文帳に追加

合わせガラス用中間膜１は、一端１ａの厚みが他端１ｂの厚みよりも薄い。 - 特許庁

Then, a silicon nitride film 117 and an interlayer dielectric film 118 are sequentially formed on the substrate.例文帳に追加

その後、基板上に、シリコン窒化膜１１７及び層間絶縁膜１１８を順次形成する。 - 特許庁

Then an interlayer insulating film (16), a 2nd aluminum electrode (17) and a wire ball (11) are formed thereon.例文帳に追加

それらの上に層間絶縁膜（１６）、２ｎｄアルミ電極（１７）、ワイヤボール（１１）を形成する。 - 特許庁

To provide a multilayer wiring board of high reliability of interlayer connection and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

層間接続の信頼性が高い多層配線基板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

HEAT RESISTANT LOW DIELECTRIC CONSTANT MATERIAL, SEMICONDUCTOR INTERLAYER INSULATING FILM AND SEMICONDUCTOR DEVICE EMPLOYING IT例文帳に追加

耐熱低誘電率材料並びにこれを用いた半導体層間絶縁膜及び半導体装置 - 特許庁

To provide a method for forming a highly reliable stabilized interlayer insulation film having low permittivity.例文帳に追加

信頼性が高く安定で低誘電率を有する層間絶縁膜の形成方法を与える。 - 特許庁

RELIEF PATTERN, BUFFER COAT FILM FOR SEMICONDUCTOR AND METHOD FOR PRODUCING INTERLAYER DIELECTRIC FILM OF MULTILAYER WIRING BOARD例文帳に追加

レリーフパターン、半導体用バッファコート膜及び多層配線板の層間絶縁膜の製造法 - 特許庁

The result data for interlayer interface nodes indirectly regulates the value of the internal node.例文帳に追加

階層間インタフェースノードの結果データが前記内部ノードの値を間接的に規定することになる。 - 特許庁

To reduce occurrence of interlayer displacement when transporting continuous copying paper 3 by a pin tractor.例文帳に追加

連続複写紙３をピントラクタで搬送するに際し、層間ずれの発生を少なくすること。 - 特許庁

To provide a process for fabricating a semiconductor device in which damage on an interlayer dielectric is suppressed.例文帳に追加

層間絶縁膜に与えるダメージが抑制された、半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

At that time, the interlayer film (12) has a shape along the shape of the underlying layer metal wiring (21) having bumps and dips.例文帳に追加

このとき層間膜（１２）は下地メタル配線（２１）の凹凸形状に沿った形状となる。 - 特許庁

An interlayer insulating film 16 provided with contact holes CH is formed on the gate wiring 15.例文帳に追加

ゲート配線１５上には、コンタクトホールＣＨを備えた層間絶縁膜１６が形成されている。 - 特許庁

To suppress cracks generated on an interlayer insulation film between wiring by an impact at the time of wire bonding.例文帳に追加

ワイヤボンディング時の衝撃により配線間の層間絶縁膜に生じるクラックを抑制する。 - 特許庁

RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, INTERLAYER DIELECTRIC AND MICROLENS, AND METHODS FOR PRODUCING THOSE例文帳に追加

感放射線性樹脂組成物、層間絶縁膜およびマイクロレンズ、ならびにそれらの製造方法 - 特許庁

To provide a method for forming an interlayer insulating film which makes shift amount within a surface of threshold voltage uniform.例文帳に追加

閾値電圧の面内シフト量を均一にする層間絶縁膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

Preferably, the plurality of graphenes 1 are arranged so that an interlayer distance is ≥0.2 nm.例文帳に追加

また、複数のグラフェン１が、層間距離０．２ｎｍ以上となるように配置されることが好ましい。 - 特許庁

An interlayer insulating film 116 is then formed on the substrate followed by formation of a contact hole 117.例文帳に追加

その後、基板上に層間絶縁膜１１６を形成した後、コンタクトホール１１７を形成する。 - 特許庁

An interlayer connection via hole 4 is provided unevenly to the rectangular connection land 5, and has an extension 5a which is at least 10 μm long from an opening of the interlayer connection via hole 4.例文帳に追加

長方形の接続ランド５に対して、層間接続用ビアホール４は片寄った位置に設けられており、層間接続用ビアホール４の開口部から１０μｍ以上の長さの延伸部５ａを有している。 - 特許庁

To provide a dry etching method of an interlayer insulating film whereby high etching precision can be obtained by suppressing the generation of a striation in the case of applying dry etching to the interlayer insulating film covered with a resist mask formed by the ArF photolithography.例文帳に追加

ＡｒＦフォトリソグラフィ法により形成したレジストマスクで覆われた層間絶縁膜をドライエッチングする際に、ストリエーションの発生を抑制して高いエッチング加工精度が得られるようにする。 - 特許庁

To provide a photovoltaic device which is capable of restraining an electric short circuit from occurring between a back electrode and an interlayer, even when the photovoltaic device is equipped with the conductive interlayer between photoelectric conversion units.例文帳に追加

複数の光電変換部の間に導電性を有する中間層を備える場合にも、背面電極と中間層との電気的短絡を抑制することが可能な光起電力装置を提供する。 - 特許庁

The conductor layer is brought into contact with the interlayer resin insulating layer across the roughening layer, so that conductor layer and interlayer resin insulating layer never peel off each other, even under the heat cycle conditions and high temperature, high pressure, and high humidity conditions.例文帳に追加

また、導体層は粗化層を介して層間樹脂絶縁層と密着するため、ヒートサイクル条件や高温、高圧、高湿度条件でも導体層と層間樹脂絶縁層との剥離が生じない。 - 特許庁

In this manner by forming a reformed layer on the surface of the interlayer insulating film, the diffusion to the interlayer insulating film of the barrier metal and the wiring material (Cu) can be prevented reliably and easily.例文帳に追加

このようにすれば、層間絶縁膜の表面に改質層を形成することにより、バリアメタルや配線材料（Ｃｕ）の層間絶縁膜への拡散を確実且つ容易に防ぐことができる。 - 特許庁

Since the conductor layer is closely in contact with the interlayer resin insulating layer via the roughened layer, exfoliation between the conductor layer and the interlayer resin insulating layer is not generated under heat cycle condition and high temperature, high pressure and high humidity condition.例文帳に追加

また、導体層は粗化層を介して層間樹脂絶縁層と密着するため、ヒートサイクル条件や高温、高圧、高湿度条件でも導体層と層間樹脂絶縁層との剥離が生じない。 - 特許庁

The method is constituted of a process for removing a metal wiring part on an interlayer insulating film of the semiconductor integrated circuit, a process for polishing a removed part, and a process for partially removing the interlayer insulating film.例文帳に追加

半導体集積回路の層間絶縁膜上のメタル配線部を除去する工程と、除去した後を研磨処理する工程と、層間絶縁膜を部分的に除去する工程とからなる。 - 特許庁

A first interlayer insulating film 12, which is a layer 20 with the silicon-rich uppermost surface, is deposited on a conductor film 11, and a second interlayer insulating film 13 is deposited on this film 12.例文帳に追加

導電体１１上に最表面がシリコンリッチな層２０である第１の層間絶縁膜１２が堆積され、この第１の層間絶縁膜１２上に第２の層間絶縁膜１３が堆積される。 - 特許庁

An interlayer adhesive bonds a waterproof layer 20 formed of a resin coating film and a layer 40 of the inorganic material formed of mortar or concrete to each other while intervening between themselves as an interlayer adhesive layer 30.例文帳に追加

樹脂塗膜からなる防水層２０と、モルタルまたはコンクリートを用いた無機質材層４０との間に層間接着剤層３０として介在してこれらを互いに接着する層間接着剤。 - 特許庁

To provide an etching treatment method for obtaining an accurate stepped shape without providing an etching stopper films in an interlayer insulating film when carrying out the etching treatment of the interlayer insulating film in a dual damascene process.例文帳に追加

デュアルダマシンプロセスにおける層間絶縁膜のエッチング処理に際して、層間絶縁膜内にエッチングストッパ膜を設けることなしに、正確な段差形状を得るためのエッチング処理方法を提供すること。 - 特許庁

Due to this fact, a level difference 72x is formed on the surface of the interlayer dielectric 72, but such a level difference 72x is offset by the difference in polishing speed when the surface of the interlayer dielectric 73 is polished.例文帳に追加

このため、層間絶縁膜７２表面に段差７２ｘが形成されるが、かかる段差７２ｘは、層間絶縁膜７３の表面を研磨する際の研磨速度の差によって相殺される。 - 特許庁

Additionally, a first interlayer insulating film 149 and a second interlayer insulating film 150c are disposed between the gate electrode and the second wiring 154, 157 so as to decrease the parasitic capacitance.例文帳に追加

また、ゲート電極と第２配線１５４、１５７の間には第１の層間絶縁膜１４９及び第２の層間絶縁膜１５０ｃを設け、寄生容量を低減した半導体装置である。 - 特許庁

The stopper layer 7, the silicon electrode 5, the side walls 9, and the liner layer 15 are embedded in an interlayer insulating film 17, and subsequently the interlayer insulating film 17 is subjected to a planarization process so as to expose the stopper layer 7.例文帳に追加

ストッパ層７、シリコン電極５、サイドウォール９、およびライナー膜１５を、層間絶縁膜１７で埋め込み、ストッパ層７を露出させるように層間絶縁膜１７の平坦化処理を行う。 - 特許庁

An interlayer insulation film 5, a contact 7 and wirings 8a, 8b are formed on MOS transistors 4a, 4b formed on a silicon board 1, and further an interlayer insulation film 9 and a contact 10 is formed.例文帳に追加

シリコン基板１上に形成されたＭＯＳトランジスタ４ａ、４ｂ上に、層間絶縁膜５、コンタクト７及び配線８ａ、８ｂを形成し、更に層間絶縁膜９及びコンタクト１０を形成する。 - 特許庁