「Interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(20ページ目) - Weblio英語例文検索

HEAT-RESISTANCE LOW DIELECTRIC CONSTANT THIN FILM, FORMATION METHOD THEREFOR, SEMICONDUCTOR INTERLAYER INSULATING FILM MADE OF THE HEAT-RESISTANCE LOW DIELECTRIC CONSTANT THIN FILM, AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SEMICONDUCTOR INTERLAYER INSULATING FILM例文帳に追加

耐熱低誘電率薄膜、その形成方法、その耐熱低誘電率薄膜からなる半導体層間絶縁膜及びこの半導体層間絶縁膜を用いた半導体装置 - 特許庁

The wettability of the surface of a transparent organic resin film 15b is improved by subjecting the interlayer insulating film 15 to nitrogen plasma treatment after dry etching the interlayer insulating film 15 to form a contact hole 16.例文帳に追加

層間絶縁膜１５にドライエッチングを行ってコンタクトホール１６を形成後、窒素プラズマ処理を施すことによって、透明有機樹脂膜１５ｂ表面のぬれ性を改善する。 - 特許庁

A second interlayer insulation film 118 is formed on the insulating hydrogen anti-permeation film 116 and a third conductive plug 119 is embedded in the second interlayer insulation film 118.例文帳に追加

絶縁性水素透過防止膜１１６の上には第２の層間絶縁膜１１８が形成され、第２の層間絶縁膜１１８には第３の導電性プラグ１１９が埋め込まれている。 - 特許庁

A first interlayer insulating film 20 is deposited on a semiconductor substrate 10 in which a MOSFET is formed, and the ferroelectric capacitor 49 is formed on the first interlayer insulating film.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴが形成されている半導体基板１０上に、第１層間絶縁膜２０を堆積させ、第１層間絶縁膜上に強誘電体キャパシタ４９を形成する。 - 特許庁

After an interlayer insulation film 104 is accumulated on a lower metal wiring 103 formed on a semiconductor substrate 100, a through-hole 105 is formed on the interlayer insulation film 104.例文帳に追加

半導体基板１００の上に形成された下層の金属配線１０３の上に層間絶縁膜１０４を堆積した後、層間絶縁膜１０４にスルーホール１０５を形成する。 - 特許庁

The thickness of the interlayer dielectric 23 in a spacer area 22 on which the lower end of the spacer 35 is abutted is thinner than the thickness of the interlayer dielectric 23 in the other area.例文帳に追加

スペーサ３５の下端が当接する領域であるスペーサ領域２２における層間絶縁膜２３の厚さは、他の領域における層間絶縁膜２３の厚さよりも薄くなっている。 - 特許庁

A cap layer 12, a first interlayer insulating film 13, an etching stopper layer 14, a second interlayer insulating film 15, a hard mask layer 16, and another hard mask layer 18, are sequentially formed on a wiring layer 11.例文帳に追加

配線層１１上に、キャップ層１２、第１層間絶縁膜１３、エッチングストッパ層１４、第２層間絶縁膜１５、ハードマスク層１６、ハードマスク層１８を順次形成する。 - 特許庁

A unit layer may be two layers of graphene 1 arranged so that an interlayer distance is ≤0.14 nm, and the plurality of unit layers may be arranged so that the interlayer distance is ≥0.2 nm.例文帳に追加

また、２層のグラフェン１が、層間距離０．１４ｎｍ以下となるように配置されたものを単位層とし、複数の単位層が、層間距離０．２ｎｍ以上となるように配置されてもよい。 - 特許庁

A first contact stud 208 the width of, whose entrance adjacent to the surface of the interlayer insulating film 204 is still larger than its contact part near the substrate 200, is formed inside the interlayer insulating film 204.例文帳に追加

層間絶縁膜の内部に基板と近い接触部の幅より層間絶縁膜の表面に隣接する入口部の幅がさらに大きい第１コンタクトスタッド２０８ａが形成される。 - 特許庁

Then, an interlayer insulating film 18 is formed on the stopper film 15 and the plugs 17, 67 to form in the interlayer insulating film 18 openings 69 for exposing the contact plug 67 to the outside.例文帳に追加

そして、ストッパ膜１５及びコンタクトプラグ１７，６７の上に層間絶縁膜１８を形成し、コンタクトプラグ６７を露出させる開口部６９を層間絶縁膜１８に形成する。 - 特許庁

To prevent deformations in a processed shape of an interlayer insulating film at the time of heat treatment in a manufacturing process of a semiconductor integrated circuit device having a BPSG film as the interlayer insulating film.例文帳に追加

ＢＰＳＧ膜を層間絶縁膜として有する半導体集積回路装置の製造工程において、熱処理時における層間絶縁膜の加工形状の変化を防ぐ。 - 特許庁

On the upper layer side of the scanning line 163, gate electrode 143, and gate insulating film 121; a primary interlayer insulating film 122 and a secondary interlayer insulating film 123 are laminated in this numerical order.例文帳に追加

走査線１６３、ゲート電極１４３およびゲート絶縁膜１２１の上層側には、第１層間絶縁膜１２２と第２層間絶縁膜１２３とがこの順に積層されている。 - 特許庁

An interlayer insulating film 18 is formed on the silicon substrate 11, and a contact hole 19 is formed which penetrates the interlayer insulating film 18 so that its bottom reaches the metal silicide layer 16.例文帳に追加

シリコン基板１１上には層間絶縁膜１８が形成され、層間絶縁膜１８を貫通して底部が金属シリサイド層１６に到達するコンタクトホール１９が形成されている。 - 特許庁

An interlayer insulating film formed of a silicon oxide system material and having a flat top surface is formed such that the interlayer insulating film covers a light shield film having an opening above aphotoelectric conversion device.例文帳に追加

光電変換素子の上方に開口を有する光遮蔽膜を覆うように、シリコン酸化物系材料によって形成され、平坦な上面を有する層間絶縁膜を形成する。 - 特許庁

A silicon nitride film 105 is formed on a lower-layer wiring, and a first interlayer dielectric film 106 and a second interlayer dielectric film 108 are deposited on the silicon nitride film 105.例文帳に追加

下層配線の上にシリコン窒化膜１０５が形成され、該シリコン窒化膜１０５の上に第１の層間絶縁膜１０６及び第２の層間絶縁膜１０８が堆積されている。 - 特許庁

Finally, a first interlayer insulating film 16 is formed, source/drain electrodes 17, 18, and 19 are formed simultaneously, and a second interlayer insulation 20 and a second drain electrode 21 are formed successively.例文帳に追加

最後に、第１の層間絶縁膜１６を形成後、ソース／ドレイン電極１７，１８，１９を同時に形成し、第２の層間絶縁膜２０、第２のドレイン電極２１を順次形成する。 - 特許庁

The transistors 4 and the lines 7 for accumulation of electricity are coated with an interlayer insulating film 16 and pixel electrodes 3 opposed to a part of the lines 7 for accumulation of electricity are formed on the interlayer insulating film 16.例文帳に追加

トランジスタ４及び蓄電用ライン７を層間絶縁膜１６で被覆し、蓄電用ライン７の一部に対向する画素電極３を層間絶縁膜１６上に形成する。 - 特許庁

An interlayer insulation 16 is formed on the semiconductor substrate 11 so that the ferro- electric capacitor is covered, and electrode wiring 17 is formed on the interlayer insulation 16.例文帳に追加

半導体基板１１の上には、強誘電体キャパシタを覆うように層間絶縁膜１６が形成され、層間絶縁膜１６の上には電極配線１７が形成されている。 - 特許庁

An interlayer insulation film 23 is formed on the first principal surface of the silicon substrate 10 and on the through electrode 36, and an internal electrode 32 is formed on the interlayer insulation film 23.例文帳に追加

シリコン基板１０の第１の主面上及び貫通電極３６上に層間絶縁膜２３が形成され、層間絶縁膜２３上に内部電極３２が形成される。 - 特許庁

AIR SIDE ELECTRODE MATERIAL, FUEL SIDE INTERLAYER MATERIAL AND AIR SIDE ELECTRODE USING THESE, FUEL SIDE INTERLAYER, MANUFACTURING METHOD OF ELECTRODE, POWER GENERATION FILM, AND FUEL CELL例文帳に追加

空気側電極用材料及び燃料側中間層用材料、並びにこれらを用いた空気側電極、燃料側中間層、電極の製造方法、発電膜及び燃料電池 - 特許庁

Further, the etching selective ratio of the first interlayer insulation layer 30 to the semiconductor layer 14 is made larger than the one of the second interlayer insulation layer 32 to the semiconductor layer 14.例文帳に追加

半導体層１４に対する第１の層間絶縁層３０のエッチング選択比は、半導体層１４に対する第２の層間絶縁層３２のエッチング選択比より大きい。 - 特許庁

A molding die having a hemispherical protrusion is pressed down on an interlayer resin layer 180 while another molding die having a hemispherical protrusion is pressed down on an interlayer resin layer 190.例文帳に追加

半球状の凸部を有する金型によって層間樹脂層１８０が押圧されるとともに、半球状の凸部を有する金型によって層間樹脂層１９０が押圧される。 - 特許庁

Interlayer insulating films 13, 14, 19 and 25 are formed on the element substrate 10 and a groove part 81 is formed in the adjacent region to the liquid crystal injection port 78 in the interlayer insulating film 25.例文帳に追加

素子基板１０上に層間絶縁膜１３，１４，１９，２５を形成し、層間絶縁膜２５には液晶注入口７８近傍領域において溝部８１を形成する。 - 特許庁

A first interlayer insulating film 104 consisting of an organic- inorganic hybrid film and a second interlayer insulating film 105 consisting of an organic film are successively deposited on the protective film 103, a hard mask 106B consisting of silicon oxide is formed on the second interlayer insulating film 105.例文帳に追加

保護膜１０３の上には、有機無機ハイブリッド膜からなる第１の層間絶縁膜１０４及び有機膜からなる第２の層間絶縁膜１０５が順次堆積されており、第２の層間絶縁膜１０５の上にはシリコン酸化膜からなるハードマスク１０６Ｂが形成されている。 - 特許庁

A liquid crystal display has a TFT element 31 provided on a substrate 7a, an interlayer insulating film 22 provided on the substrate 7a and covering the TFT element 31, a contact hole 25 provided in the interlayer insulating film 22 and a pixel electrode 24 provided on the interlayer insulating film 22.例文帳に追加

基板７ａ上に設けられたＴＦＴ素子３１と、基板７ａ上に設けられてＴＦＴ素子３１を覆う層間絶縁膜２２と、層間絶縁膜２２に設けられたコンタクトホール２５と、層間絶縁膜２２上に設けられた画素電極２４とを有する液晶表示装置である。 - 特許庁

After an underlying insulating film 8 and a sacrificial interlayer dielectric 9 are formed on contact plugs 7 and an interlayer insulating film 6, openings 10 are formed by removing the interlayer dielectric 9 and insulating film 8 in storage node electrode forming areas until the contact plugs 7 are exposed.例文帳に追加

コンタクトプラグ７及び層間絶縁膜６上に下地絶縁膜８及び犠牲層間絶縁膜９を形成した後、コンタクトプラグ７が露出するまでストレージノード電極形成領域の犠牲層間絶縁膜９及び下地絶縁膜８を除去して開口部１０を形成する。 - 特許庁

This sidewall 212 makes it easy to enter an interlayer insulating film 150 and makes it difficult to generate the burying failure of the interlayer insulating film 150 when the interlayer insulating film 150 is buried between memory cells comprising the control gate electrode CG and a floating gate electrode FG.例文帳に追加

このサイドウォール２１２があることにより、制御ゲート電極ＣＧと浮遊ゲート電極ＦＧとから構成されるメモリセルの間に、層間絶縁膜１５０を埋め込む際に、層間絶縁膜１５０が入り込みやすくなり、層間絶縁膜１５０の埋め込み不良が発生しにくくなる。 - 特許庁

An interlayer insulating film 12 is formed on a semiconductor substrate 11, a resist film 14 is formed on the interlayer insulating film 12 and patterned, a surface film 16 is formed on the upper surface of the patterned resist film 14, and then the interlayer insulating film 12 is etched thus fabricating a semiconductor device.例文帳に追加

半導体基板１１上に層間絶縁膜１２を形成し、層間絶縁膜１２上にレジスト膜１４を形成し、レジスト膜１４にパターンを形成し、レジスト膜１４のパターン上面に表面膜１６を形成し、層間絶縁膜１２をエッチングする半導体装置の製造方法。 - 特許庁

To provide an interlayer for a glass laminate, having excellent penetration resistance, and preventing silver specks from being formed when the glass laminate having a metal coated layer such as a silver layer is formed at the interface between the interlayer for the glass laminate and a glass plate; and to provide the interlayer for the glass laminate.例文帳に追加

耐貫通性に優れ、合わせガラス用中間膜とガラス板との界面に、銀層等の金属コーティング層が設けられた合わせガラスとしたときに、銀色の斑点の発生を抑制することができる合わせガラス用中間膜、及び、該合わせガラス用中間膜を提供する。 - 特許庁

In the case of the presence of the contact hole penetrated through the interlayer insulating films 41, 12 of at least two layers or over whose film quality differs from each other, an etching rate by dry etching of the upper layer interlayer insulating film 41 is selected faster than that of the lower layer interlayer insulating film 12.例文帳に追加

膜質が異なる少なくとも２層以上の層間絶縁膜４１，１２を貫通するコンタクトホールが存在する場合、上層の層間絶縁膜４１のドライエッチングによるエッチングレートが、下層の層間絶縁膜１２のエッチングレートより速く設定するようにした。 - 特許庁

An interlayer insulating film 33 where a memory cell is formed is formed in such a way that the position of an upper surface of the interlayer insulating film 33 positioned in a memory cell region M1 where the magnetoresistive element 51 is formed is lower than the position of an upper surface of the interlayer insulating film 33 positioned in a peripheral region P.例文帳に追加

メモリセルが形成される層間絶縁膜３３において、磁気抵抗素子５１が形成されるメモリセル領域Ｍに位置する層間絶縁膜３３の部分の上面の位置が、周辺領域Ｐに位置する層間絶縁膜３３の部分の上面の位置よりも低く形成されている。 - 特許庁

The interlayer insulating sheet on the solder bump is irradiated with a laser and the upper component 10a of the solder bump is exposed, and a second board 12 is laminated on the interlayer insulating sheet and the electrode pad 13a for interlayer connection formed on the second board and the upper component10a of the solder bump are connected.例文帳に追加

そして、半田バンプ上の層間絶縁シートにレーザを照射して半田バンプ上部１０ａを露出させた後、層間絶縁シート上に第２基板１２を積層して、この第２基板に形成された層間接続用の電極パッド１３ａと半田バンプ上部１０ａとを接続する。 - 特許庁

To provide a method for selectively removing only a conductive film on the top surface of an interlayer insulating film without forming a protection insulating film in a recess after forming the conductive film, in the conductive film formed extending from a bottom and a sidewall of the recess formed at an interlayer insulating film to a top surface of the interlayer insulating film.例文帳に追加

層間絶縁膜に開口した凹部の底部及び側壁から層間絶縁膜上面にかけて形成した導電膜を、導電膜形成後の凹部内に保護絶縁膜を形成すること無しに層間絶縁膜上面の導電膜のみを選択的に除去する方法を提供する。 - 特許庁

The making up sheet has an impermeable interlayer 3, and an oil absorbing first layer 2 mainly formed of pulp and a water absorbing second layer 4 on both sides of the interlayer, the interlayer 3 is 3 to 15 μm in thickness, and the first and second layer 2 and 4 are respectively 5 to 20 g/m2 in basis weight.例文帳に追加

不透液性の中間層３を有し、表裏面にパルプを主体として形成された吸脂性の第１層２及び吸水性の第２層４を有し、中間層４の厚さが３〜１５μｍであり、かつ第１層２及び第２層４の坪量がそれぞれ５〜２０ｇ／ｍ^2である。 - 特許庁

To freely realize an initial impedance by extremely easily and accurately normalizing the interlayer interval of the wiring layers of a multilayer substrate, selecting interlayer joining materials as necessary, and adjusting the interlayer interval to a desired value as necessary.例文帳に追加

多層配線基板の配線層の層間間隔を極めて容易且つ正確に規定することを可能し、層間接合材の材料を適宜選択したり、層間間隔を場合に応じて所望値に調節することにより、所期のインピーダンスを自在に実現することを可能とする。 - 特許庁

To provide an interlayer for laminated glass which is capable of efficiently deaerating air existing between a glass plate and the interlayer and air incorporated inside the interlayer in the manufcture of the laminated glass and has a single layer structure or a multilayer structure.例文帳に追加

合わせガラスを製造する際に、ガラス板と中間膜との間に存在する空気および中間膜内部に取り込まれて存在する空気をより効率的に脱気することができる、単層構成もしくは複層構成の合わせガラス用中間膜および合わせガラスを得る。 - 特許庁

The laminated glass 1 has an interlayer 2, a first laminated glass-constituting member 21 arranged on a first surface 2a side of the interlayer 2, and a second laminated glass-constituting member 22 arranged on a second surface 2b side of the interlayer 2 opposite to the first surface 2a side.例文帳に追加

本発明に係る合わせガラス１は、中間膜２と、中間膜２の第１の表面２ａ側に配置された第１の合わせガラス構成部材２１と、中間膜２の第１の表面２ａ側とは反対の第２の表面２ｂ側に配置された第２の合わせガラス構成部材２２とを備える。 - 特許庁

The gate electrode 105 is electrically connected to a resistive element 108 formed on a first interlayer dielectric 106 covering the gate electrode 105, through metal wiring 109 formed on a second interlayer dielectric 107 covering the first interlayer dielectric 106.例文帳に追加

ゲート電極１０５は、該ゲート電極１０５を覆う第１の層間絶縁膜１０６の上に形成された抵抗素子１０８と、第１の層間絶縁膜１０６を覆う第２の層間絶縁膜１０７の上に形成されたメタル配線１０９を介して電気的に接続されている。 - 特許庁

In this multilayer buildup wiring board, a via hole 160b piercing through a lower interlayer resin insulation layer 50 and an upper interlayer resin insulation layer 150 conducts electricity from solder bumps 76U and 76D in an upper layer of the interlayer resin insulation layer 150 to a conductor layer (conductor circuit) 34 formed on a core board 30.例文帳に追加

下層の層間樹脂絶縁層５０と上層の層間樹脂絶縁層１５０とを貫通するバイアホール１６０ｂにより、層間樹脂絶縁層１５０の上層の半田バンプ７６Ｕ、７６Ｄと、コア基板３０に形成された導体層（導体回路）３４との導通を取る。 - 特許庁

Even if the film thickness of the first interlayer film 4 fluctuates, a signal wave form 7 of reflecting light of the alignment mark 3 can always be made almost constant, without affecting the variation of the film thickness of the first interlayer film 4, because the first interlayer film 4 does not exist on the upper part of the alignment mark 3.例文帳に追加

第１層間膜４の膜厚がばらついたときでも、アライメントマーク３の上部には第１層間膜４がないために、アライメントマーク３の反射光の信号波形７は、第１層間膜４の膜厚ばらつきの影響を受けずに、常にほぼ一定にすることができる。 - 特許庁

To provide a resin composition for an interlayer which forms an interlayer excellent in transparency, impact resistance, light resistance, or the like, gives an interlayer material easily workable, and simplifies the step of lamination with glass; a glass laminate; and a method for producing the same.例文帳に追加

合わせガラス用に優れた透明性、耐衝撃性および耐光性等を有する中間層を形成し、かつ中間層材料の作業性が簡便で、ガラスとの貼り合わせ工程が簡略化されうる中間層用樹脂組成物、合わせガラスおよびその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The method has an interlayer insulating film forming step of forming an interlayer insulating film 12, a wiring groove forming step of etching the interlayer insulating film 12 to form a wiring groove 13, and a wiring forming step of filling Al-Cu alloy in the inside of the wiring groove 13 to form a wiring 18.例文帳に追加

層間絶縁膜形成工程により層間絶縁膜１２を形成し、配線溝形成工程により層間絶縁膜１２をエッチングして配線溝１３を形成し、配線形成工程により配線溝１３の内部にＡｌ−Ｃｕ合金を充填し、配線１８を形成する。 - 特許庁

The inter-wiring space P1 of a first wiring layer 1 in the interlayer insulating film 2 is narrowed, so that the first wiring layer 1 in the interlayer insulating film 2 is increased in total amount, and the interlayer insulating film 2 which is low in hardness to cause deflection is reduced in total amount.例文帳に追加

層間絶縁膜２における第１配線層１の配線間スペースＰ１を密にすることによって、層間絶縁膜２における第１配線層１の総量を増加させ、撓みの原因となる硬度の低い層間絶縁膜２の総量を低減させている。 - 特許庁

A hard mask for etching the interlayer dielectric is formed by patterning the uppermost metal layer 5 of a multilevel interconnection insulated by the interlayer dielectric 3, and the interlayer dielectric 3 is etched using the mask to form the empty groove 4 which is located in the periphery of the semiconductor substrate 1 to makes its surface exposed.例文帳に追加

層間絶縁膜３により絶縁された多層配線の最上層の金属層５をパターニングして層間絶縁膜エッチング用ハードマスクを形成し、このマスクを用いて、層間絶縁膜３をエッチングして半導体基板１の周辺部分に基板表面が露出する空堀４を形成する。 - 特許庁

The interlayer insulating film 43 is laminated on the interlayer insulating film 42, and the interlayer insulating film 43 includes a recessed portion 43e reflecting the groove-like recessed portion 42e, in which a storage capacitance 55 is constituted by a first electrode layer 5a, a dielectric layer 40 and a second electrode layer 7a.例文帳に追加

また、層間絶縁膜４２には層間絶縁膜４３が積層され、層間絶縁膜４３において溝状凹部４２ｅが反映されてなる凹部４３ｅの内部で、第１電極層５ａ、誘電体層４０、および第２電極層７ａが蓄積容量５５を構成している。 - 特許庁