「Interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

An interlayer insulation film 12 and an interlayer insulation film 13 of a next layer selectively etched partway are provided on a fuse cut region of the metal fuse element 11.例文帳に追加

メタルヒューズ素子１１のヒューズカット領域上は層間絶縁膜１２、そして途中まで選択的にエッチングされた次層の層間絶縁膜１３が設けられている。 - 特許庁

In other words, the thickness of the interlayer insulating film 2 present between the bottom surface of the first hole 7 and the pad 3 is smaller than that of the interlayer insulating film 2 at other places.例文帳に追加

すなわち、第１孔７の底面とパッド３間に存在する層間絶縁膜２の膜厚がその他の場所の層間絶縁膜２の膜厚よりも薄くなっている。 - 特許庁

Thereafter, a first layer interconnect line 51 is formed on the first interlayer insulating film 20 excepting beneath the ferroelectric capacitor 40 and followed by formation of a second interlayer insulating film 70.例文帳に追加

次に、この強誘電体キャパシタ４０下以外の第１層間絶縁膜２０上に１層目配線５１を形成し、その後、第２層間絶縁膜７０を形成する。 - 特許庁

Moreover, both interlayer bonding reliability and interlayer connection reliability can be improved by containing an epoxy resin as a constituent element of the bonding layer.例文帳に追加

またエポキシ樹脂を接着層の構成成分として、さらに含有させることで、層間接着信頼性と層間接続信頼性をより向上させることができる。 - 特許庁

A second interlayer insulation layer 7, the pixel electrodes 9a and an alignment layer 16 are flatly formed compatibly with the upper surface of the first interlayer insulation layer 4 and no alignment defect is generated.例文帳に追加

第２層間絶縁膜（７）、画素電極（９ａ）、配向膜（１６）は、第１層間絶縁膜（４）上と整合的に平坦に形成され、配向不良が生じることはない。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition utilizable as the interlayer dielectric of a multilayer wiring board.例文帳に追加

多層配線板の層間絶縁膜として利用可能な感光性樹脂組成物。 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR PROVIDING INTERLAYER CONNECTION AND CONNECTOR MOUNT IN MULTILAYER CIRCUIT BOARD例文帳に追加

多層回路基板における層間接合及びコネクタマウントのための方法と装置 - 特許庁

To provide an optical head device suppressing interlayer crosstalk in a multilayer optical disk.例文帳に追加

多層光ディスクにおける層間クロストークを抑えた光ヘッド装置を提供する。 - 特許庁

To provide an interlayer insulation diagnosis technique capable of discriminating between partial discharge in an interlayer insulation and partial discharge in an insulation to the ground, and diagnosing an insulation state.例文帳に追加

層間絶縁での部分放電と対地絶縁での部分放電とを区別して絶縁状態を診断することができる層間絶縁診断技術を提供することにある。 - 特許庁

On the second etching stopper film 9, an interlayer insulating film 10 configured with the silicon oxide film is formed, and on the interlayer insulating film 10, a resist pattern 50 is formed.例文帳に追加

第２のエッチングストッパー膜９上に、シリコン酸化膜から構成される層間絶縁膜１０を形成し、層間絶縁膜１０上に、レジストパターン５０を形成する。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR INTERLAYER INSULATING FILM USING MOLECULAR POLYHEDRAL SILSESQUIOXANE例文帳に追加

分子多面体型シルセスキオキサンを用いた半導体層間絶縁膜の形成方法 - 特許庁

The phase change storage cell comprises an interlayer insulating film formed on a semiconductor substrate and a first electrode and a second electrode provided in the interlayer insulating film.例文帳に追加

相変化記憶セルは、半導体基板上に形成された層間絶縁膜及び前記層間絶縁膜内に提供された第１電極及び第２電極を具備する。 - 特許庁

To provide a multilayer wiring board which is ensured of interlayer connection and high in reliability.例文帳に追加

確実に層間接続でき、且つ信頼性の高い多層配線板を提供する。 - 特許庁

In the first interlayer 105, the second interlayer 106 and the light-emitting layer 107, composition ratio of In is the same mutually, and composition ratio of Sb is increased by the above order.例文帳に追加

第１中間層１０５、第２中間層１０６および発光層１０７は、Ｉｎの組成比が互いに同じである一方、Ｓｂの組成比が、この順に増大する。 - 特許庁

An interlayer insulating film 10 consisting of an organic resin film is deposited and the unnecessary segments of the interlayer insulating film 10, such as drain contact holes 12, are removed by using a photolithographic technique.例文帳に追加

有機樹脂膜からなる層間絶縁膜１０を成膜し、フォトリソグラフィ技術を用いてドレインコンタクトホール１２等の層間絶縁膜１０の不要部分を削除する。 - 特許庁

An interlayer insulating film is arranged on the element isolation insulating film and the silicide film.例文帳に追加

素子分離絶縁膜上とシリサイド膜上とには、層間絶縁膜が配設される。 - 特許庁

In the process of forming the interlayer insulating film, the interlayer insulating film is formed under the condition that the content of water be set at 5×10^-3g/cm^3 or lower.例文帳に追加

層間絶縁膜を形成する工程において、水分の含有量が５×１０^−３ｇ／ｃｍ^３以下になる条件で層間絶縁膜を形成する。 - 特許庁

To tightly make an interlayer insulation film stick to a substrate by STP method, without exfliating the insulation film.例文帳に追加

基板に層間絶縁膜を剥離させずにＳＴＰ法により密着させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device wherein an interlayer insulating film has a Cu diffusion barrier property.例文帳に追加

層間絶縁膜にＣｕ拡散バリア性を備える半導体装置を提供する。 - 特許庁

The insulating functional fluid is cured, an interlayer dielectric 14 is formed, and an upper layer wiring layer 18 conducting to the conductive post 20 is formed on the insulating film between the interlayer dielectric 14.例文帳に追加

絶縁性機能液を硬化させ、層間絶縁膜１４を形成し、層間絶縁膜１４上に導通ポスト２０に導通する上層配線層１８を形成する。 - 特許庁

Further, an interlayer insulating film 33 of SiO_2 is formed to cover the entire surface.例文帳に追加

さらに、全面を覆ってＳｉＯ_2からなる層間絶縁膜３３が形成される。 - 特許庁

A glass substrate has about one- thousandth the capacitance of an interlayer insulation film.例文帳に追加

硝子基板の容量は層間絶縁膜の容量のおおよそ１／１０００である。 - 特許庁

To provide an embossing roll by which an interlayer in which during storing an interlayer for a safety glass, blocking of the interlayers is prevented from being generated and handling workability while glass sheets and the interlayer are laminated is good and deaerating properties is good during laminating them can be manufactured and a method for manufacturing it and the interlayer for the safety glass obtained by using this.例文帳に追加

合わせガラス用中間膜の保管中に膜同士のブロッキング発生が防止され、ガラス板と中間膜とを重ね合わせる際の取扱い作業性がよく、これらを貼り合わせ加工時の脱気性のよい中間膜を製造することができるエンボスロール及びその製造方法、並びにこれを用いて得られる合わせガラス用中間膜を提供する。 - 特許庁

Since each wiring layer 83 is provided between a second interlayer insulating film 84 and a first interlayer insulating film 82, the portion on each wiring layer 83 rises in a ridge structure and the portion (sections between each of wiring layers 83) on the first interlayer insulating film 82 is recessed in a furrow structure on the surface of the second interlayer insulating film 84.例文帳に追加

第２層間絶縁膜８４と第１層間絶縁膜８２との間には各配線層８３が設けられているため、第２層間絶縁膜８４表面において、各配線層８３上の部分は畝状に盛り上がり、第１層間絶縁膜８２上の部分（各配線層８３間の部分）は畝合い状に窪んでいる。 - 特許庁

The semiconductor device 100 includes: a first interlayer insulating film 3; the lower-layer wiring 7 formed on the first interlayer insulating film 3; a second interlayer insulating film 8 formed on the lower-layer wiring 7; and the upper-layer wiring 13 that is formed on the second interlayer insulating film 8 and crosses a prescribed portion 71 in the lower-layer wiring 7 in a plan view.例文帳に追加

半導体装置１００は、第１層間絶縁膜３と、第１層間絶縁膜３上に形成された下層配線７、下層配線７上に形成された第２層間絶縁膜８と、第２層間絶縁膜８上に形成され、平面視で下層配線７の所定部分７１と交差する上層配線１３とを含む。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition for an interlayer dielectric having higher insulation.例文帳に追加

より高い絶縁性を有する層間絶縁膜用感光性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

The inner layer wirings Lh2, Lh31 are connected to each other through an interlayer wiring Lv.例文帳に追加

層内配線Ｌｈ２，Ｌｈ３１は、層間配線Ｌｖにより相互に接続されている。 - 特許庁

A contact hole 19 is provided through a first interlayer insulating film 17 and a gate insulating film 14.例文帳に追加

第１層間絶縁膜17とゲート絶縁膜14とを貫通してコンタクトホール19を形成する。 - 特許庁

HIGH VOLTAGE RESISTANT INTERLAYER-INSULATING FILM MATERIAL FOR SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE BY USING THE SAME例文帳に追加

半導体用高耐圧層間絶縁膜材料とそれを用いた半導体装置 - 特許庁

A lower interlayer insulating film 8 is formed, to directly cover that connection hole stopper film.例文帳に追加

その接続孔ストッパ膜を直接覆うように下部層間絶縁膜８を形成する。 - 特許庁

The land 31 has diameter R1 not larger than the diameter R2 of the interlayer conductive part 4.例文帳に追加

ランド部３１の直径Ｒ１は層間導電部４の直径Ｒ２以下である。 - 特許庁

An auxiliary diffusion barrier film 108 is formed in an opening 106 formed at the insulating interlayer.例文帳に追加

これに形成された開口部１０６に補助拡散バリア膜１０８を形成する。 - 特許庁

RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, INTERLAYER INSULATING FILM FOR DISPLAY ELEMENT AND FORMATION METHOD THEREOF例文帳に追加

感放射線性樹脂組成物、表示素子用層間絶縁膜及びその形成方法 - 特許庁

An interlayer insulating film 115 is formed so as to cover the MOS transistor 114.例文帳に追加

そして、ＭＯＳトランジスタ１１４を覆うように層間絶縁膜１１５が形成されている。 - 特許庁

To prevent the deterioration of a light emitting element caused by oxygen and moisture contained in an interlayer insulating film.例文帳に追加

層間絶縁膜に含まれる酸素と水分による発光素子の劣化を防止する。 - 特許庁

The projection 21 is formed of a gate insulating film 3 and an interlayer insulating film 7.例文帳に追加

突起２１はゲート絶縁膜３および層間絶縁膜７によって形成される。 - 特許庁

To suppress deformation of an interlayer insulating film due to temperature rise in a hollow structure.例文帳に追加

中空構造において温度上昇による層間絶縁膜の変形を抑制する。 - 特許庁

RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, INTERLAYER INSULATING FILM FOR DISPLAY ELEMENT, AND METHOD FOR FORMING THE FILM例文帳に追加

感放射線性樹脂組成物、表示素子用層間絶縁膜及びその形成方法 - 特許庁

A second conductive layer 7 is disposed on the second conductive interlayer insulating film 6.例文帳に追加

第二導電層７が第二の導電層間絶縁膜６上に配置されている。 - 特許庁

A first interlayer dielectric is formed on a pair of dopant regions functioning as a source region or a drain region of a semiconductor film formed on an insulating substrate, and the first interlayer dielectric and a second interlayer dielectric are formed on the gate electrode.例文帳に追加

絶縁基板上に形成された半導体膜の、ソース領域またはドレイン領域として機能する一対の不純物領域上に、第１の層間絶縁膜を形成し、ゲート電極上に第１の層間絶縁膜及び第２の層間絶縁膜を形成する。 - 特許庁

After forming a lower electrode, an interlayer insulation film is deposited and a via hole is bored.例文帳に追加

次に下部電極を形成後、層間絶縁膜を堆積してヴィアホールを形成する。 - 特許庁

On a ground board, a first interlayer insulating film consisting of an insulation material is formed.例文帳に追加

下地基板の上に、絶縁材料からなる第１の層間絶縁膜が形成されている。 - 特許庁

The slurry solution is solidified to form a treatment layer (62) on the surface of the interlayer (61).例文帳に追加

このスラリー液を固化することで、中間層（61）の表面に処理層（62）が形成される。 - 特許庁

A stacked structure of interlayer insulating films 105 to 109 are formed on a substrate 101.例文帳に追加

基板１０１上に層間絶縁膜１０５〜１０９の積層構造が形成されている。 - 特許庁

Wiring lines 12, 12a in parallel to each other are provided on the surface of an interlayer insulating film 11.例文帳に追加

層間絶縁膜１１表面に互いに並行する配線１２，１２ａを配設する。 - 特許庁