「Interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

To reuse a polymer interlayer film recovered from waste laminated glass effectively.例文帳に追加

廃合わせガラスから回収した高分子中間膜を有効に再利用する。 - 特許庁

A high-density interlayer vertical bus interconnection section 105 of particulates is used.例文帳に追加

微粒子の高密度層間垂直バス相互接続部（１０５）が使用されている。 - 特許庁

THERMOSETTING RESIN COMPOSITION, MOLDED ARTICLE AND INTERLAYER INSULATION FILM FOR PRINTED CIRCUIT BOARD例文帳に追加

熱硬化性樹脂組成物、成形体、及びプリント基板用の層間絶縁膜 - 特許庁

This circuit breaker is provided with a body 1 having the interlayer wall 3 for separating the plurality of connection terminals 2 connected respectively to the plurality of poles, and the insulating barrier 7 attached along a direction extended with the interlayer wall 3 from an end part of the interlayer wall 3.例文帳に追加

複数の極にそれぞれ接続された複数の接続端子２を各極毎に隔てる相間壁３を有する本体１と、相間壁３の端部から該相間壁３が延伸する方向に取り付けられた絶縁障壁７を備える。 - 特許庁

A silicon nitride film 7 which has a selection ratio of an interlayer insulating film 6 higher than that of a resist film and which is more hardly polished in a chemical/mechanical polishing method than the interlayer insulating film 6 is formed on the interlayer insulating film 6 under predetermined etching conditions.例文帳に追加

所定のエッチング条件においてレジスト膜よりも層間絶縁膜６に対する選択比が高くかつ層間絶縁膜６よりも化学機械研磨法において研磨され難いシリコン窒化膜７を層間絶縁膜６の上に形成する。 - 特許庁

After an insulating film 202, a first metal layer 203, and a first interlayer insulating film 204 are sequentially formed on a semiconductor substrate 201, an opening part is formed at the first interlayer insulating film 204, while an interlayer connection metal 208 is formed at the opening part.例文帳に追加

半導体基板２０１の上に、絶縁膜２０２、第１の金属層２０３、第１の層間絶縁膜２０４を順次形成した後、第１の層間絶縁膜２０４に開口部を形成し、開口部へ層間接続用金属２０８を形成する。 - 特許庁

The local layer has an interlayer dielectric 3 principally comprising silicon oxide, the intermediate layer has an interlayer dielectric 5 composed of a low-k material, and the global layer has an interlayer dielectric 6 principally comprising silicon oxide.例文帳に追加

ローカル層は酸化シリコンを主成分とする層間絶縁膜３を有しており、中間層はｌｏｗ−ｋ材料からなる層間絶縁膜５を有しており、グローバル層は酸化シリコンを主成分とする層間絶縁膜６を有している。 - 特許庁

Above a first interlayer insulation film 1 and a first copper wiring layer 3, a diffusion prevention film 4, a second interlayer insulation film 5 and a third interlayer insulation film 11 are formed sequentially followed by formation of a contact hole 6 reaching the first copper wiring layer 3.例文帳に追加

第１の層間絶縁膜１および第１の銅配線層３の上に、拡散防止膜４、第２の層間絶縁膜５および第３の層間絶縁膜１１を順に形成し、第１の銅配線層３に至る接続孔６を形成する。 - 特許庁

The third interlayer insulating film 214 is so flattened by a CMP method that the surface of the third interlayer insulating film 214 is in the same plane of the upper surface of the interlayer connection metal 208 and the surface of the first interlyaer insulating film 204.例文帳に追加

第３の層間絶縁膜２１４の表面が層間接続用金属２０８の上面および第１の層間絶縁膜２０４の表面と同一平面になるように、ＣＭＰ法によって第３の層間絶縁膜２１４を平坦化する。 - 特許庁

A unit pixel comprises a second conductive layer 110, a first interlayer insulating layer 120 on the second conductive layer 110, a first conductive layer 130 on the first interlayer insulating layer 120, and a second interlayer insulating layer 140 on the first conductive layer 130.例文帳に追加

単位画素は、第２導電層１１０、第２導電層１１０上の第１層間絶縁層１２０、第１層間絶縁層１２０上の第１導電層１３０、及び第１導電層１３０上の第２層間絶縁層１４０を備える。 - 特許庁

The signal line 12 is embedded in a third interlayer dielectric 29 being an interlayer dielectric for embedding, and an upper face 29a of the third interlayer dielectric 29 and an upper face 12a of the signal line 12 are nearly coplanar and flattened.例文帳に追加

信号線１２は、埋め込み用層間絶縁膜である第３の層間絶縁膜２９中に埋め込まれるとともに、第３の層間絶縁膜２９の上面２９ａと信号線１２の上面１２ａとが略面一とされて平坦化されている。 - 特許庁

After a lower electrode 21 of the electrostatic capacitor and second layer wiring 22 are formed at the same time on a first interlayer insulating film 17, an opening 34 is formed in a second interlayer insulating film 24 deposited on the first interlayer insulating film 17.例文帳に追加

第１層間絶縁膜１７上に静電容量素子の下部電極２１と第２層配線２２とを同時に形成した後、第１層間絶縁膜１７上に堆積した第２層間絶縁膜２４に開口部３４を形成する。 - 特許庁

To prevent the generation of cracks in an interlayer insulating film even if tensile stress is generated by a barrier metal, and to prevent the occurrence of peeling between the interlayer insulating film and a film which is formed on the interlayer insulating film.例文帳に追加

バリアメタルによって引っ張り応力が発生することがあっても、層間絶縁膜にクラックが発生することを防止すると共に、層間絶縁膜と該層間絶縁膜の上に接して形成された膜との界面に剥離が発生することを防止する。 - 特許庁

To etch a reflection preventing film and an interlayer insulating film by one time of an etching treatment and to prevent the interlayer insulating film from being damaged in a high etching rate upon the dry etching of the interlayer insulating film on the upper surface of which the reflection preventing film is formed.例文帳に追加

上面に反射防止膜を形成した層間絶縁膜をドライエッチングする場合に、一回のエッチング処理で反射防止膜及び層間絶縁膜をエッチングでき、高いエッチングレートで層間絶縁膜にダメージを与えないようにする。 - 特許庁

A first interlayer insulating film 4, an organic polysilcon film 5, and a second interlayer insulating film 6 composed of a material different from that of the first interlayer insulating film 4 are formed in this order on a diffusion prevention film 3 formed on a lower layer interconnect line 2.例文帳に追加

下層配線２上に形成された拡散防止膜３の上に、第１の層間絶縁膜４、有機ポリシリコン膜５、および、第１の層間絶縁膜４とは異なる材料からなる第２の層間絶縁膜６をこの順に形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for inexpensively manufacturing a conductor for interlayer connection which improves the connecting reliability of interlayer connection in a multi-layer printed circuit board.例文帳に追加

多層プリント基板において、層間接続の接続信頼性を向上することが可能な層間接続用導電体を安価に製造する製造方法を提供する。 - 特許庁

An interlayer insulating film 3 is formed on a substrate 2, including a conductive layer 1 formed in advance and, in the interlayer insulating film 3, a contact hole 4 is formed, and is filled up with a contact plug 5.例文帳に追加

導電層１が形成された基板２上に層間絶縁膜３を形成し、層間絶縁膜中にコンタクトプラグ５が充填されたコンタクトホール４を形成する。 - 特許庁

A plasma nitride film 15 serving as an etching stopper film and an interlayer insulating film 16 are formed on the substrate, and then a connection hole 17 is bored in the interlayer insulating film 16 without biting into the silicide film 13.例文帳に追加

基板上に、エッチストッパ用のプラズマ窒化膜１５と層間絶縁膜１６とを形成した後、シリサイド膜にくい込ませずに接続孔１７を開口する。 - 特許庁

Copper plating 31 undergoes interlayer connection upon components 11 being accommodated in a board, whereby the board can cope with making an interlayer connection hole 29 smaller in size and in larger aspect ratio.例文帳に追加

部品１１を基板内部に収容する場合の層間接続は銅めっき３１に担わせることにより、層間接続孔２９の小径化、高アスペクト比化に対応できる。 - 特許庁

An interlayer insulating film is deposited on all the surface including the polysilicon film 106.例文帳に追加

ポリシリコン膜１０６上を含む全面に層間絶縁膜１０８を堆積する。 - 特許庁

During dry and wet conditions, the bonding strength of the interlayer joined by the adhesives 13a, 13b are greater than the bonding strength of the interlayer in the outer periphery region 1b.例文帳に追加

乾燥時と湿潤時において、接着剤１３ａ、１３ｂで接合されている層間の接合強度が、外周領域１ｂでの層間の接合強度よりも大きい。 - 特許庁

A first interlayer insulating film 149 and a second interlayer insulating film 150c are provided between the gate electrode and the second wirings 154 and 157, to lessen the semiconductor device in parasitic capacitance.例文帳に追加

また、ゲート電極と第２配線１５４、１５７の間には第１層間絶縁膜１４９及び第２層間絶縁膜１５０ｃを設け、寄生容量を低減する。 - 特許庁

An interlayer dielectric film 10 consisting of an organic resin film is deposited, and the unwanted segments of the interlayer dielectric film 10, such as drain contact holes 12 are removed, by using a photolithographic technique.例文帳に追加

有機樹脂膜からなる層間絶縁膜１０を成膜し、フォトリソグラフィ技術を用いてドレインコンタクトホール１２等の層間絶縁膜１０の不要部分を削除する。 - 特許庁

The interlayer short 163 formed in the capacitor CS in the wiring board 1 is repaired.例文帳に追加

配線基板１のキャパシタＣＳに生じた層間短絡１６３を修正する。 - 特許庁

The method also includes a step of then forming an interlayer insulating film 10 on a substrate, and a step of then forming a contact plug 11 connected to an n-type source/drain region 9 on the interlayer insulating film 10.例文帳に追加

次に、基板上に層間絶縁膜１０を形成した後、層間絶縁膜１０にｎ型ソース・ドレイン領域９と接続されるコンタクトプラグ１１を形成する。 - 特許庁

The thickness of the interlayer insulating film positioned in the colored layer of R is set to be thinner than the thickness of the interlayer insulating film positioned in the colored layers of G and B.例文帳に追加

また、Ｒの着色層に位置する層間絶縁膜の厚さは、Ｇ及びＢの着色層に位置する層間絶縁膜の厚さより薄く設定されている。 - 特許庁

The distance S1 between the contact holes 9 positioned in the interlayer insulating film 4 is made smaller than a distance S2 between the contact holes 9 in the surface of the interlayer insulating film 4.例文帳に追加

そして、層間絶縁膜４内に位置するコンタクトホール９間の間隔Ｓ１を、層間絶縁膜４表面におけるコンタクトホール９間の間隔Ｓ２よりも小さくする。 - 特許庁

Even if the thickness of the interlayer insulating layer 4 is thickened by incorporating the mounting component 2 in the interlayer insulating layer 4, the depth of the via hole 3 is formed shallow.例文帳に追加

実装部品２を層間絶縁層４内に内蔵することによって層間絶縁層４の厚みが厚くなっても、ビアホール３の深さは浅く形成されている。 - 特許庁

Then, the interlayer insulation film 11 is dry-etched (Figure 1B) to form a contact hole 12.例文帳に追加

次に、層間絶縁膜１１をドライエッチングし（図１Ｂ）、コンタクトホール１２を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device 1000 has the pad 30A on the interlayer insulating layer 20.例文帳に追加

半導体装置１０００は、層間絶縁層２０上にパッド部３０Ａを有する。 - 特許庁

To provide a method for leveling an interlayer insulating film which facilitates leveling by excluding an effect of unevenness of the interlayer insulating film caused by a wiring layer.例文帳に追加

配線層による層間絶縁膜の凹凸の影響を排除することで、平坦化を容易とすることができる層間絶縁膜の平坦化方法を提供する。 - 特許庁

The resin layer 5 is provided in an opening region where the interlayer insulating film 4 is etched.例文帳に追加

樹脂層５は、層間絶縁膜４をエッチングした開口領域に設けられる。 - 特許庁

To provide a method of forming a low dielectric constant interlayer insulating film, suppressing peeling during an assembly process and a CMP process, and to provide a semiconductor device using the low dielectric constant interlayer insulating film.例文帳に追加

組み立て工程やCMP工程時における剥離を抑制した、低誘電率層間絶縁膜の製造方法とそれを用いた半導体装置を提供する。 - 特許庁

III-NITRIDE SEMICONDUCTOR STRUCTURES WITH STRAIN-ABSORBING INTERLAYER TRANSITION MODULES例文帳に追加

歪吸収中間層遷移モジュールを有するＩＩＩ族窒化物半導体構造 - 特許庁

An interlayer insulating film 132 which is the first layer to cover the peripheral circuit 12 is constituted of a film higher in flatness than the interlayer insulating film 131.例文帳に追加

また、周辺回路部１２上を覆う第１層目の層間絶縁膜１３２は、上記層間絶縁膜１３１よりも平坦性の高い膜で構成されている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an interlayer connecting conductor capable of improving the reliability of interlayer connection in a multilayer printed board.例文帳に追加

多層プリント基板において、層間接続の接続信頼性を向上することが可能な層間接続用導電体を製造するための製造方法を提供する。 - 特許庁

A silicon nitride film 7 and an interlayer insulating film 8 are laminated on the upper surface of it.例文帳に追加

上面にシリコン窒化膜７、層間絶縁膜８が積層形成されている。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a pad 1, and a first interlayer insulating film 3 and a second interlayer insulating film 4 which are formed under the pad 1 and in which wiring is embedded.例文帳に追加

半導体装置はパッド１と、パッド１の下に形成された、配線が埋め込まれた第１の層間絶縁膜３及び第２の層間絶縁膜４とを備えている。 - 特許庁

A wiring groove 2 is formed in an interlayer insulating film 1 on a wafer W, and then a barrier metal film 3, a seed film 4, and a wiring film 5 are formed on the interlayer insulating film 1.例文帳に追加

ウェハＷ上の層間絶縁膜１に配線溝２を形成し、その後、層間絶縁膜１上にバリアメタル膜３、シード膜４、及び配線膜５を形成する。 - 特許庁

To suppress the diffusion of metal atoms into a porous interlayer insulating film via the surface of a recessed part such as a wiring groove, a via hole or the like formed in the interlayer insulating film.例文帳に追加

多孔質層間絶縁膜に形成した配線溝やビアホールなどの凹部表面を介した、層間絶縁膜中への金属原子の拡散を抑制する。 - 特許庁

On an insulation film 14 wherein plugs 16 are formed, an interlayer insulation film 17 consisting of a silicon-rich oxide film and an interlayer insulation film 18 consisting of TEOS film are formed.例文帳に追加

プラグ１６を形成した絶縁膜１４上にシリコンリッチな酸化膜よりなる層間絶縁膜１７およびＴＥＯＳ膜よりなる層間絶縁膜１８を形成する。 - 特許庁

A trench for forming wiring, integrated with the second hole is formed by etching the second interlayer insulating film until a top surface of the first interlayer insulating film is exposed.例文帳に追加

第１の層間絶縁膜の上面が露出するまで第２の層間絶縁膜をエッチングすることで、第２のホールと一体とされた配線形成用溝を形成する。 - 特許庁

Then, an interlayer film 6 is formed so as to be in a state of embedding the protruding patterns 4.例文帳に追加

次に、これらの凸パターン４を埋め込む状態で層間膜６を成膜する。 - 特許庁

The wiring pattern 13 is covered with an interlayer insulating film, and then an opening 14 is provided inside the interlayer insulating film so as to make the curved end of the wiring pattern 13 exposed.例文帳に追加

配線パターン１３を層間絶縁膜で覆った後、配線パターン１３の屈曲した端部が露出するように開口１４を層間絶縁膜内に形成する。 - 特許庁

A wiring channel 2 is formed on the surface of an interlayer insulating film 1 through RIE.例文帳に追加

層間絶縁膜１表面にＲＩＥにより配線用溝２を形成する。 - 特許庁